Deprecated: The each() function is deprecated. This message will be suppressed on further calls in /home/zhenxiangba/zhenxiangba.com/public_html/phproxy-improved-master/index.php on line 456
「diffusion-layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(28ページ目) - Weblio英語例文検索
[go: Go Back, main page]

1153万例文収録!

「diffusion-layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(28ページ目) - Weblio英語例文検索


小窓モード

プレミアム

ログイン
設定

設定

Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > diffusion-layerの意味・解説 > diffusion-layerに関連した英語例文

セーフサーチ:オン

不適切な検索結果を除外する

不適切な検索結果を除外しない

セーフサーチについて

diffusion-layerの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 5831



例文

An N+-type diffusion region 9 is formed around a P-type isolation layer 8 which is formed on an N-type epitaxial layer 4.例文帳に追加

N型エピタキシャル層4に形成されたP型アイソレーション層8の周囲にN+型拡散領域9を形成する。 - 特許庁

The formed conductor layer is firmly joined with diffusion of atoms between the conductor layer and the thin film base material.例文帳に追加

形成された導電体層は薄膜基材との間における原子の拡散により強固に接合されている。 - 特許庁

In the semiconductor device, a P type buried diffusion layer 4 is formed on a substrate 2 and an epitaxial layer 3.例文帳に追加

本発明の半導体装置では、基板2とエピタキシャル層3とにP型の埋込拡散層4が形成されている。 - 特許庁

In the semiconductor device, an N type buried diffusion layer 4 is formed over a substrate 2 and an epitaxial layer 3.例文帳に追加

本発明の半導体装置では、基板2とエピタキシャル層3とに渡りN型の埋込拡散層4が形成されている。 - 特許庁

例文

Thereafter, the diffusion-promoting film 16 is removed and the remaining member layer is formed as the upper electrode member layer 15.例文帳に追加

その後、拡散促進膜16は除去され、上部電極部材層15としての残りの部材層を形成する。 - 特許庁


例文

The side spacer 40 is formed on the semiconductor substrate 110 between the diffusion layer 14 and the polysilicon layer 30.例文帳に追加

サイドスペーサ40は、半導体基板110の上において、拡散層14とポリシリコン層30との間に形成されている。 - 特許庁

The two diffusion layers are thin layers and one layer is positioned on the upper side of the substrate and the other layer is positioned on the lower side of the substrate.例文帳に追加

二片の拡散層は薄片状で、一片は基礎台上側に位置し、別一片は基礎台下側に位置する。 - 特許庁

The power supply potential is fed to the source node of the MIS transistor by using two layers of the diffusion layer and the wiring layer.例文帳に追加

MISトランジスタのソースノードに給電される電源電位が拡散層と配線層の2層を用いて行われる。 - 特許庁

Furthermore, this is provided with the anode gas diffusion layer, gas seal materials arranged at respective outer peripheries of cathode gas diffusion layers, the anode gas diffusion layer, and separators 15c which are arranged in respective outsides of gas diffusion layers, and in which a groove-shaped reactant gas flow passage 17c having a corner part 22 is installed in the axial direction of the flow passage.例文帳に追加

また、アノードガス拡散層と、カソードガス拡散層それぞれの外周に配置されたガスシール材と、アノードガス拡散層、カソードガス拡散層それぞれの外側に配置され、流路軸方向に角部22を有する溝状の反応ガス流路17cを設けたセパレータ15cとを備える。 - 特許庁

例文

One impurity diffusion region of the first transistor constitutes a common diffusion region continuously up to one impurity diffusion region of the second transistor through the impurity diffusion region arranged to the surface layer section of a substrate.例文帳に追加

第1のトランジスタの一方の不純物拡散領域が、基板の表層部に配置された不純物拡散領域を介して第2のトランジスタの一方の不純物拡散領域まで連続して共通拡散領域を構成している。 - 特許庁

例文

A common diffusion layer 22b of the transistor 4 and the transistor 8 and a diffusion layer 22f of the transistor 6 which diffusion layers constitute a part of a storage node are connected by using a T-shaped trench wiring 28 buried in an interlayer insulating film.例文帳に追加

記憶ノードの部分を構成する、トランジスタ4およびトランジスタ8に共通の拡散層22bと、トランジスタ6の拡散層22fとを層間絶縁膜に埋め込まれたT字形状の溝配線28を用いて接続する。 - 特許庁

The gas diffusion layer 32 for fuel cell includes a gas diffusion substrate 34 in which conductive fibers are collected and a conductive water repellent layer 33 which is formed on the gas diffusion substrate 34 and contains porous conductive particles.例文帳に追加

燃料電池用ガス拡散層32は、導電性繊維を集合してなるガス拡散基材34と、前記ガス拡散基材34上に設けられ、多孔質導電性粒子を含有する導電性撥水層33と、を備える。 - 特許庁

To attain embedding performance and reduction in channel resistance for an inter-diffusion-layer isolation insulating film in a semiconductor device of a trench gate structure having diffusion layers and an inter-diffusion-layer isolation insulating film partly recessed, formed in a semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体基板に形成された拡散層および拡散層間分離絶縁膜の一部がリセスされた溝ゲート構造を有する半導体装置において、拡散層間分離絶縁膜の埋設性とチャネル抵抗の低減を両立する。 - 特許庁

While the concentrations and depths of the source- and drain-side offset diffusion layers 4d and 4s of a high-breakdown voltage MOS transistor are made equal to each other, the size of the source-side offset diffusion layer 4s is made larger than that of the drain-side offset diffusion layer 4d.例文帳に追加

オフセット拡散層4d、4sの濃度及び深さはソース側とドレイン側では同じであるが、そのサイズは、ソース側のオフセット拡散層4sではドレイン側のオフセット拡散層4dに比べて大きく設定される。 - 特許庁

An N+ buried diffusion area 3 is formed between a P- silicon substrate 1 and an N- epitaxial layer 2 and a P+ buried diffusion area 4 is formed between the N+ buried diffusion area 3 and the N- epitaxial layer 2.例文帳に追加

P−シリコン基板1とN−エピタキシャル層2との間には、N+埋め込み拡散領域3が形成され、N+埋め込み拡散領域3とN−エピタキシャル層2との間には、P+埋め込み拡散領域4が形成されている。 - 特許庁

After a fuel electrode side gas diffusion layer 7 in which carbon powder and PTFE powder and an oxidant electrode side gas diffusion layer 8 are mixed and applied on the surface of the carbon paper, they are calcinated, and the gas diffusion layers 7 and 8 are fixed.例文帳に追加

カーボンペーパーの面上にカーボン粉とPTFE粉末を混合して塗布した燃料極側ガス拡散層7および酸化剤極側ガス拡散層8をそれぞれ形成した後、焼成して各ガス拡散層7,8を定着する。 - 特許庁

Since the n type impurity layer obstructs the advance of diffusion of the channel layer, the depth of the channel layer can be controlled correctly by forming the n type impurity layer in the position where the desired depth of the channel layer is obtained.例文帳に追加

n型不純物層は、チャネル層の拡散の進行を阻むため、所望のチャネル層深さが得られる位置にn型不純物層を形成することによりチャネル層深さを正確に制御できる。 - 特許庁

A light diffusion sheet 2 is composed of a base material layer 4, an upper bead layer 6 formed on the upper surface of the base material layer 4 and a lower bead layer 8 formed on the lower surface of the base material layer 4.例文帳に追加

基材層4と、この基材層4の表側面に形成された上側ビーズ層6と、基材層4の下側に形成された下側ビーズ層8とから、光拡散シート2が構成されている。 - 特許庁

The light emitting diode comprises a p-type nitride semiconductor layer (3), an active layer (4), an n-type nitride semiconductor layer (5) and a current diffusion layer (6) which are arranged on a silicon support substrate (1) through a buffer layer (2).例文帳に追加

発光ダイオードはシリコン支持基板(1)の上にバッファ層(2)を介して配置されたp型窒化物半導体層(3)、活性層(4)、n型窒化物半導体層(5)及び電流拡散層(6)を有する。 - 特許庁

A first metal compound layer 212 (silicide layer) is formed on a surface of the gate electrode 210, and a second metal compound layer 222 (silicide layer) is formed on a surface of the diffusion layer region 220.例文帳に追加

ゲート電極210の表面には第1金属化合物層212(シリサイド層)が形成されており、拡散層領域220の表面には第2金属化合物層222(シリサイド層)が形成されている。 - 特許庁

An N+ type layer 5 is a diffusion layer formed adjacently to the P+ type layer 4 just below the P+ type layer 4, and it is formed by ion-implanting N-type impurities in a way similar to the P+ type layer 4.例文帳に追加

N+型層5は、P+型層4直下に、P+型層4と隣接して形成された拡散層であり、P+型層4と同様にN型の不純物をイオン注入して形成される。 - 特許庁

Diffusion of Ga is analyzed with a laminate formed by laminating a Ga-doped MgZnO layer, an undoped MgZnO layer, a nitrogen-doped MgZnO layer, an undoped active layer, and a nitrogen-doped MgZnO layer on a ZnO substrate.例文帳に追加

ZnO基板上にGaドープMgZnO層、アンドープMgZnO層、窒素ドープMgZnO層、アンドープ活性層、窒素ドープMgZnO層と積層した積層体でGaの拡散を分析した。 - 特許庁

To provide a light diffusion plate which has a good appearance, can maintain a fixed thickness of the light diffusion layer too and improves the front brightness and diffusion property, to provide a coating liquid for forming the light diffusion plate, and to provide a transmission type screen and a rear projection type projection television using the light diffusion plate.例文帳に追加

外観が良好で、光拡散層の膜厚もある一定の厚さを維持でき、かつ正面輝度や拡散性が良好となる光拡散板、光拡散板を形成するための塗布液およびそれを用いた透過型スクリーンおよび背面投射型プロジェクションテレビの提供。 - 特許庁

A Ge guide 14 made of germanium is interposed between the diffusion layer 15 of the cell transistor Tr and the third conductive layer 11 of a trench capacitor C, where the Ge guide 14 is formed on the side of the diffusion layer 15 of the cell transistor Tr.例文帳に追加

セルトランジスタTrの拡散層15およびトレンチキャパシタCの第3の導電層11の間に介在するように、セルトランジスタTrの拡散層15側にGeの導入部14を形成する。 - 特許庁

To provide a diffusion layer for a fuel cell and the fuel cell with high degrees of freedom in a gas passage design, small contact resistance between the diffusion layer and the catalyst layer, and capable of achieving high output and a compact size.例文帳に追加

ガス通路設計における自由度が大きく、拡散層と触媒層との接触抵抗が小さく、高出力化や小型化が可能な燃料電池用の拡散層及び燃料電池を提供する。 - 特許庁

To provide a diffusion layer having a fine protective layer, which effectively protects a function of the diffusion layer and extending its use lifetime, wherein a single fuel cell can have an electrolytic function as well as the function; and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

拡散層の機能を効果的に保護し、使用寿命を延長させられ、またこれにより単一の燃料電池は電解機能を兼備可能となる微保護層を備える拡散層及びその製法を提供する。 - 特許庁

Elastic members 32 for reducing the variation of the thickness of the gas diffusion layer 30 caused by the swelling of the electrolyte layer 23 forming the electrolyte/electrode assembly 20 are arranged on the gas diffusion layer 30 at equal intervals.例文帳に追加

ガス拡散層30には、電解質・電極接合体20を構成する電解質層23の膨潤によるガス拡散層30の層厚の変化を緩和する弾性部材32が等間隔に設けられている。 - 特許庁

Since the phosphor layer 14 is integrally installed with the diffusion plate 13, a refractive index difference between the phosphor layer 14 and the diffusion plate 13 is smaller than that in the case an air layer is interposed.例文帳に追加

蛍光体層14が拡散板13と一体的に設けられていることにより、蛍光体層14と拡散板13との間における屈折率差が、空気層が介在している場合よりも小さくなる。 - 特許庁

A gas diffusion layer 19 is brought into contact with a surface of an electrode layer 17, contacting with a surface of a solid electrolyte membrane 16, and the gas flow passage forming member 21 is interposed between the gas diffusion layer 19 and a separator 23.例文帳に追加

固体電解質膜16の表面に接触された電極層17の表面にガス拡散層19を接触し、ガス拡散層19とセパレータ23との間にガス流路形成部材21を介在する。 - 特許庁

To provide a patterning method in which metal elements composing an anti-diffusion layer are prevented from diffusing into other layer by forming a more compact anti-diffusion layer exhibiting good adhesiveness, and to provide an electronic device and an electronic apparatus.例文帳に追加

より緻密でかつ密着性の良い拡散防止層を形成し、拡散防止層を構成する金属元素が他の層に拡散することを防止したパターン形成方法、電子デバイス、及び電子機器を提供する。 - 特許庁

Sources and drains of the transistors Q are constituted of N+ type diffusion layers 31 which are diffused upward from the buried straps 23 to the P-type silicon layer 13 and an N+ type diffusion layer 32 on an upper surface of the P-type silicon layer 13.例文帳に追加

トランジスタQのソース、ドレインは、埋め込みストラップ23からp型シリコン層13への上方拡散によるn^+型拡散層31とp型シリコン層13の上面のn^+型拡散層32により構成する。 - 特許庁

To provide a patterning method in which metal elements composing an anti-diffusion layer are prevented from diffusing into other layer by forming a more compact anti-diffusion layer exhibiting good adhesiveness, and to provide an electronic device and an electronic apparatus.例文帳に追加

より緻密でかつ密着性の良い拡散防止層を形成し、拡散防止層を構成する金属元素が他の層に拡散することを防止したパターン形成方法、薄膜トランジスタ、及び電子機器を提供する。 - 特許庁

In the electrode structure for solid polymer fuel cell composed of an anode and a cathode having a catalyst layer and a diffusion layer respectively, an alloy catalyst containing ruthenium is added to the anode diffusion layer.例文帳に追加

高分子電解質膜、触媒層および拡散層を有するアノードおよびカソードからなる固体高分子型燃料電池用電極構造体において、アノード拡散層中にルテニウムを含む合金触媒を添加する。 - 特許庁

Thus by arranging the lens surface constituting the diffusion layer 33 to face the restriction layer 31, diffusion of light can be raised compared with constitution where the lens surface is arranged at a side opposite to the restriction layer 31.例文帳に追加

このように、拡散層33を構成するレンズ面を制限層31に対向配置することで、レンズ面を制限層31と反対側に配置する構成に比べて光の拡散性を高めることができる。 - 特許庁

In manufacturing this gas diffusion layer for a fuel cell formed adjacently to an electrode formed on an electrolyte layer, a conductive porous body used as a base material of the gas diffusion layer for a fuel cell is prepared.例文帳に追加

電解質層上に形成された電極に隣接して設けられる燃料電池用ガス拡散層を製造する際に、まず、燃料電池用ガス拡散層の基材となる導電性多孔質体を用意する。 - 特許庁

From the side, on which the diffusion preventive layer 21 is formed, at least one of boron (B) and indium (In) is subjected to ion implantation to form a p-type counter layer 6A more shallowly than the diffusion preventive layer 21.例文帳に追加

この拡散抑止層21が形成された側から、ホウ素(B)およびインジウム(In)のうち、少なくともいずれか一方をイオン注入して、拡散抑止層21よりも浅くp型カウンタ層6Aを形成する。 - 特許庁

To make compatible the formation of a silicide layer for lowering the resistance of a diffusion layer and the formation of a diffusion layer compensation area for preventing the short circuit of a contact and a semiconductor substrate by over-etching at the formation of a contact hole.例文帳に追加

拡散層の低抵抗化を図るシリサイド層の形成と、コンタクトホールを形成する際のオーバエッチングによるコンタクトと半導体基板とのショートを防ぐ拡散層補償領域の形成との両立を図る。 - 特許庁

An oxide film on a p^+-type diffusion layer to be formed as an element isolation region of a photodiode is removed by etching, the p^+-type diffusion layer is connected by contact electrodes to a light-shielding metal film of a peripheral upper layer of the photodiode.例文帳に追加

フォトダイオードの素子分離領域となるP+型拡散層の上の酸化膜をエッチングで取り除き、P+型拡散層と、フォトダイオードの周囲上層の金属遮光膜とをコンタクト電極により接続する。 - 特許庁

The copper - titanium clad brazing material 1 includes a copper layer 2, a titanium layer 3 and a diffused layer 4 which has a thickness smaller than the aggregated thickness of the copper layer 2 and the titanium layer 3 and is formed by diffusion of copper and titanium between the copper layer 2 and the titanium layer 3.例文帳に追加

銅—チタンクラッドろう材1は、銅層2と、チタン層3と、銅層2とチタン層3との間に、厚さが銅層2とチタン層3との合計の厚さより薄い、銅とチタンとの拡散により形成された拡散層4と、を具備している。 - 特許庁

The positive electrode 1 is disposed on the other side of the separator 5 and is composed of a catalyst layer 1a which causes positive ions to react with oxygen in air and a diffusion layer 1b having countless vent holes through which oxygen in air passes, the catalyst layer 1a and the diffusion layer 1b being stacked in increasing order.例文帳に追加

正極1は、セパレータ5の他側に設けられ、陽イオンと空気中の酸素とを反応させる触媒層1aと、空気中の酸素が通過する無数の通孔が形成された拡散層1bとが順に積層されている。 - 特許庁

The thermal diffusion of phosphor is applied on the surface of a silicon substrate 1 to form a PSG (phosphorous silicate glass) layer 3 and a phosphor diffusion layer 2, and thereafter, the PSG layer 3 is removed by acid treatment whereby metallic impurities contained in the PSG layer 3 are removed.例文帳に追加

シリコン基板1表面にリンの熱拡散を実施してPSG(リンシリケイトガラス)層3およびリン拡散層2を形成した後、酸処理によりPSG層3を除去することによりPSG層3に含まれる金属不純物を除去する。 - 特許庁

The Cr diffusion preventing layer 202 is formed on the surface of the current collecting substrate 201 by heat-treating a metal layer formed by a plating method or an electrostatic coating method, and the covering layer 203 is formed on the surface of the Cr diffusion preventing layer 202.例文帳に追加

こメッキ法又は静電塗装法により形成された金属層を熱処理して集電基材201の表面にCr拡散防止層202が形成され、該Cr拡散防止層202の表面に被覆層203が形成されている。 - 特許庁

In an n channel type horizontal IGBT 10, a metal silicide layer 9a is formed on a P+ diffusion layer 12 which is isolated from an N-epitaxial layer 4 with a p-base 11 therebetween and an N+ diffusion layer 13 for use as an emitter region.例文帳に追加

nチャネル型の横型IGBT10では、N-エピタキシャル層4とはpベース11を介在させて隔てられているP+拡散層12と、エミッタ領域としてのN+拡散層13とには、金属シリサイド層9aが形成されている。 - 特許庁

When the current diffusion layer is composed of (AlxGa1-x)yIn1-yP (0≤x≤1, 0≤y≤1) and the current constriction layer is composed of AlzGa1-zAs (0≤z≤1), overetching of the current diffusion layer can be prevented effectively at the time of removing the constriction layer 1 partially by etching.例文帳に追加

電流拡散層を(Al_xGa_1-x)_yIn_1-yP(0≦x≦1、0≦y≦1)で構成し、電流狭窄層をAl_ZGa_1-ZAs(0≦z≦1)で構成すると、電流狭窄層1を部分的にエッチング除去する際の電流拡散層のオーバーエッチングが有効に防止できる。 - 特許庁

The membrane/electrode assembly is formed by successively laminating a catalyst layer 601 for an oxidant, a gas diffusion layer for the oxidant with gas permeability, an electrolyte film 603, a catalyst layer for fuel, and a gas diffusion layer for fuel with gas permeability.例文帳に追加

膜・電極接合体は、酸化剤用触媒層601、ガス透過性を有する酸化剤用ガス拡散層、電解質膜603、燃料用触媒層、ガス透過性を有する燃料用ガス拡散層を順に積層して形成された。 - 特許庁

The membrane electrode assembly includes an electrolyte membrane, a catalyst layer formed on the electrolyte membrane, a gas diffusion layer formed on the catalyst layer, and a radiating part for absorbing heat from the gas diffusion layer and discharging it to the exterior of the membrane electrode assembly.例文帳に追加

膜電極接合体は、電解質膜と、電解質膜上に形成された触媒層と、触媒層上に形成されたガス拡散層と、ガス拡散層から熱を奪って膜電極接合体の外部に放出するための放熱部と、を備える。 - 特許庁

A diffusion blocking layer, i.e., an intermediate layer 10, is provided on the side opposite to the substrate 2 while being coated with a passivation layer 3 of glass.例文帳に追加

サブストレートと反対側上に中間層10としての拡散阻止層を備えており、拡散阻止層の方は、ガラスより成る不動態層3で被覆されている。 - 特許庁

The phosphor layer 14 is installed directly on a light-emitting face of the diffusion plate 13, and the protective layer 15 is formed on a surface of this phosphor layer 14.例文帳に追加

蛍光体層14は、拡散板13の光出射面に直に設けられており、この蛍光体層14の表面に保護層15が形成されている。 - 特許庁

Ge is selectively grown on the diffusion layer in the contact hole 20 and on a side of the selective growth layer 15 to form a SiGe layer 24 by heat treatment.例文帳に追加

コンタクトホール20内の拡散層上及び選択成長層15の側面にGeを選択成長し、熱処理よりSiGe層24とする。 - 特許庁

例文

The air electrode reaction layer 13a is constituted so that magnetic force works strongly on the electrolyte layer 11 side and weakly on the air diffusion layer 13b side.例文帳に追加

空気極反応層13aは、電解質層11側で強く、空気拡散層13b側で弱い磁気力を奏するように構成されている。 - 特許庁




  
Copyright © Japan Patent office. All Rights Reserved.
こんにちは ゲスト さん

ログイン

Weblio会員(無料)になると

会員登録のメリット検索履歴を保存できる!

会員登録のメリット語彙力診断の実施回数増加!

無料会員に登録する
英→日 日→英
こんにちは ゲスト さん

ログイン

Weblio会員(無料)になると

会員登録のメリット検索履歴を保存できる!

会員登録のメリット語彙力診断の実施回数増加!

無料会員に登録する

©2025 GRAS Group, Inc.RSS