意味 | 例文 (999件) |
diffusion-layerの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 5831件
To provide a method for manufacturing a semiconductor which suppresses the short channel effect by forming a shallow impurity diffusion layer.例文帳に追加
深さの浅い不純物拡散層を形成することにより短チャネル効果を抑制した半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁
In succession, N-type impurities are diffused in the intrinsic base region 6 through high-temperature heat treatment, to form an emitter diffusion layer 11.例文帳に追加
続いて、高温の熱処理により、真性ベース領域6内にN型不純物を拡散させ、エミッタ拡散層11を形成する。 - 特許庁
MANUFACTURING METHOD OF LIGHT DIFFUSION LAYER, MANUFACTURING METHOD OF FRESNEL LENS SHEET, MANUFACTURING METHOD OF DIFFUSING LENS ARRAY SHEET AND MANUFACTURING METHOD OF TRANSMISSION TYPE SCREEN例文帳に追加
光拡散層の製造方法、フレネルレンズシートの製造方法、拡散レンズアレイシートの製造方法及び透過型スクリーンの製造方法 - 特許庁
Each gauge resistance 15 formed on the flexible part 13 is connected to a pad 16 through diffusion layer wiring 17 and metal wiring 21.例文帳に追加
撓み部13に形成されたゲージ抵抗15は拡散層配線17および金属配線21を介してパッド16と接続される。 - 特許庁
To provide a light diffusion plate with a light condensing layer capable of satisfactorily preventing a scratch and satisfactorily securing luminance in the front direction.例文帳に追加
傷付きを十分に防止できると共に正面方向の輝度を十分に確保できる集光層付き光拡散板を提供する。 - 特許庁
A gas diffusion layer 32 and a porous body passage 34 are formed and solder is arranged on a convex projection part of the porous body passage 34.例文帳に追加
ガス拡散層32と多孔体流路34とを用意し、多孔体流路34が備える凸状突起部にはんだを配置する。 - 特許庁
To provide a semiconductor device with improved efficiency by suppressing a leakage current between a diffusion layer and a conductor that are opposed and proximal.例文帳に追加
対向、近接する拡散層と導体との間の漏れ電流を抑制し、効率を向上が図られた半導体装置を提供する。 - 特許庁
The field effect transistor 1 has a substrate 10 with a first cavity 51, a gate electrode 40, and a diffusion layer 60.例文帳に追加
本発明による電界効果トランジスタ1は、第1の空洞51を有する基板10と、ゲート電極40と、拡散層60とを備える。 - 特許庁
To provide an electrode of a fuel cell capable of quickly draining water accumulated in a diffusion layer and hardly causing a flooding phenomenon.例文帳に追加
拡散層に溜まった水を迅速に排出することができ、フラッディング現象が起こり難い燃料電池の電極を提供する - 特許庁
To provide a manufacturing method for forming a shallow diffusion layer between a cell transistor and a selection gate transistor while miniaturizing an element.例文帳に追加
素子の微細化を図りつつ、セルトランジスタと選択ゲートトランジスタとの間に浅い拡散層が形成できる製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a semiconductor device and its manufacturing method which suppress width variations in a diffusion layer source connected to a trench type capacitor.例文帳に追加
トレンチ型キャパシタと接続する拡散層ソースの幅のばらつきを抑制する半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a separator capable of effectively utilizing the heat generated near an electrolyte film to thaw the water frozen in a gas diffusion layer.例文帳に追加
ガス拡散層内の凍結した水の解凍に電解質膜付近で発生した熱を有効的に利用できるセパレータを提供する。 - 特許庁
To provide a gas diffusion layer material for fuel cell that has smooth and thin surface using a woven or a nonwoven fabric of carbon fiber.例文帳に追加
炭素繊維の織布または不織布を用いて、表面が平滑で厚みも薄い燃料電池用ガス拡散層材料を提供する。 - 特許庁
To reduce diffusion of Ge and to obtain excellent device characteristics in an optical semiconductor element comprising an active layer containing GaAs.例文帳に追加
GaAsを含む活性層を備える光半導体素子において、Geの拡散が少なく、良好なデバイス特性が得られるようにする。 - 特許庁
The resin layer 13 can prevent the diffusion of the plasticiser and the swelling of the sole 12 of the shoe, thus preventing peel-off and deformation.例文帳に追加
この樹脂層13で可塑剤の拡散が防止でき、靴底部12の膨潤を防止して剥がれや変形を防止するようにしている。 - 特許庁
Since the starting point is very long and slender, a plurality of V grooves 17 in the proper stripe shapes can be formed on the current diffusion layer 7.例文帳に追加
起点が非常に細長いため、電流拡散層7に良好なストライプ状の複数のV溝17を形成することができる。 - 特許庁
To prevent the intake of melanosome from a melanocyte to a keratinocyte, and the diffusion of melanin to the horny layer, to thereby achieve skin-whitening effect.例文帳に追加
メラノサイトからケラチノサイトへのメラノソームの取り込みや角質層へのメラニンの拡散を抑制することにより皮膚の美白効果を得る。 - 特許庁
A first impurity diffusion layer 60 is provided in the semiconductor substrate 20 separately apart from the floating gate 40 by a predetermined distance.例文帳に追加
第1の不純物拡散層60は、半導体基板20内に設けられ、フローティングゲート40から所定の距離だけ離間している。 - 特許庁
The end of the first interior channel formation member is in contact with a surface on the first separator side of a diffusion layer on the first separator side.例文帳に追加
第1の内部流路形成部材の端部は第1のセパレータ側の拡散層の第1のセパレータ側の表面に接触している。 - 特許庁
An electrode, gas diffusion layers 10, 50, and a flow channel forming layer are provided respectively at an anode side and a cathode side of the fuel cell.例文帳に追加
燃料電池のアノード側とカソード側とのそれぞれには、電極と、ガス拡散層10、50と、流路形成層と、が設けられる。 - 特許庁
To provide an electrode diffusion layer for a fuel cell having both excellent polar liquid transmitting performance and air transmitting performance.例文帳に追加
優れた極性液体伝達性能と優れた気体伝達性能とを同時に有する燃料電池用電極拡散層を提供する。 - 特許庁
To provide a semiconductor device capable of coping with both of a high on-state current and a low junction leakage current in a source/drain diffusion layer.例文帳に追加
高いオン電流とソース/ドレイン拡散層における低い接合リーク電流を両立可能な半導体装置を提供する。 - 特許庁
The wafer taken out of the thermal diffusion furnace is treated with a hydrofluoric acid for 15-30 sec, thereby removing the glass layer and the oxide film.例文帳に追加
そして、熱拡散炉から取り出したウェハをフッ酸で15〜30秒間処理することにより、ガラス層および酸化膜を除去する。 - 特許庁
Thus, the N-type well 25 will always be at the same potential as the N-type diffusion layer 26, without having to connect metal wiring 45 to the N-type well 25.例文帳に追加
このため、Nウエル25に金属配線45を接続しなくても、Nウエル25はN拡散層26と常に同電位となる。 - 特許庁
In the second conductivity type well 13, a driver transistor Q13 is formed, and the well 13 is connected to a source diffusion layer 18a of the driver transistor Q13.例文帳に追加
第2導電型ウェル13は、ドライバトランジスタQ13が形成され、ドライバトランジスタQ13のソース拡散層18aに接続される。 - 特許庁
Upper surfaces of an insulating layer 22 and the n-type diffusion region 23 are the same in height and almost flat surface without level difference.例文帳に追加
絶縁膜22とn型拡散領域23の上面は同一の高さとなっており、段差のないほぼ平坦な面となっている。 - 特許庁
The first conductivity type well 12 is connected to an approximately 15 V power supply voltage VDD via a first conductivity type diffusion layer 16.例文帳に追加
第1導電型ウェル12は、第1導電型拡散層16を介して15V程度の電源電圧VDDに接続される。 - 特許庁
To provide a membrane electrode assembly which will not cause damages to a gas diffusion layer, even in a low-temperature state, and to provide a separator, as well as, a fuel cell.例文帳に追加
低温状態であっても、ガス拡散層の破損を生じない膜電極接合体、セパレータ及び燃料電池を提供する。 - 特許庁
Many pairs of memory cells, each sharing an n+ type source diffusion layer 8, are arranged in a matrix to constitute a memory array.例文帳に追加
n+型ソース拡散層8を共有した一対のメモリセルを単位として、これらがマトリックス状に配置され、メモリセルアレイを構成している。 - 特許庁
A content ratio of the glass powder in the p-type diffusion layer forming composition is within a range of 1 mass% and over to 90 mass% and under.例文帳に追加
p型拡散層形成組成物のガラス粉末の含有比率は、1質量%以上90質量%以下の範囲である。 - 特許庁
The hard coat layer is made of a hard coat material and a composition containing an optical diffusion agent having a 400-700 nm number average particle size.例文帳に追加
ハードコート層は、ハードコート材料と、数平均粒径が400〜700nmである光拡散剤とを含む組成物により構成される。 - 特許庁
A first contact 310 is connected to the gate electrode 210, and a second contact 320 is connected to the diffusion layer region 220.例文帳に追加
ゲート電極210には第1コンタクト310が接続しており、拡散層領域220には第2コンタクト320が接続している。 - 特許庁
An alloy coating layer 5 in which Hf or the like is diffused into (Pt, Ni) Al is formed on the base material 1 by the Al diffusion coating.例文帳に追加
Alの拡散コーティングにより基材1上に、(Pt、Ni)AlにHf等が拡散した合金コーティング層5が形成される。 - 特許庁
Further, the n-type diffusion layer 6, the polycrystalline silicon film 7a, and the silicide film 11a are surrounded by a sidewall film 9 consisting of an insulating film.例文帳に追加
さらにn型拡散層6、多結晶シリコン膜7a、及びシリサイド膜11aは、絶縁膜からなる側壁膜9で囲う。 - 特許庁
A drain of a reset transistor and a drain of an amplification transistor 30 which constitute the n-type diffusion layer 26 are connected to a power supply line 33.例文帳に追加
n型拡散層26を構成しているリセットトランジスタのドレインと増幅トランジスタ30のドレインは、電源線33に接続される。 - 特許庁
To provide a fuel cell capable of improving the overall power generation efficiency by equalizing the moisture distribution in a GDL (gas diffusion layer).例文帳に追加
GDL内の水分分布を均一化して全体の発電効率を向上する燃料電池を提供することを目的とする。 - 特許庁
The contact plug 10 is formed of the same material with the gate electrode 6 and provided on the diffusion layer bit line 5 in a self-aligned manner.例文帳に追加
コンタクトプラグ10は、ゲート電極6と同一の材料から構成され、拡散層ビット線5上に自己整合的に形成される。 - 特許庁
To provide a structure that is reduced in contact resistance between bit wiring and an impurity diffusion layer on a semiconductor substrate.例文帳に追加
本発明はビット配線と半導体基板上の不純物拡散層とのコンタクト抵抗を低減した構造の提供を目的とする。 - 特許庁
Then, impurities are introduced into the semiconductor wafer with the thermal oxide film 12 as a mask and then are diffused, thus forming a diffusion layer 10.例文帳に追加
その後、熱酸化膜12をマスクとして半導体ウェハに不純物を導入し、拡散することにより拡散層10を形成する。 - 特許庁
Further, under a gate electrode of the selective gate transistor, a shape of the source/drain diffusion layer region of this selective gate transistor (23, 24) is made asymmetry.例文帳に追加
そして、選択ゲートトランジスタのゲート電極下で、この選択ゲートトランジスタのソース/ドレイン拡散層領域(23,24)の形状を非対称とする。 - 特許庁
In addition, the particles are allowed to pass through the gas phase of a diffusion source in order to form a surface layer by doping the impurity into the surface of the particles.例文帳に追加
さらにその粒子の表面に、不純物をドープして表面層を形成するために、拡散源の気相中を通過させる。 - 特許庁
The lower electrode 141 and the diffusion layer 11 are connected through a via-hole connecting section 13 formed to the interlayer insulating film 12.例文帳に追加
下部電極141と拡散層11は層間絶縁膜12に形成されたビアホール接続部13を介して接続されている。 - 特許庁
To provide a nitride-based semiconductor element which can be improved in crystallinity by preventing the diffusion of impurities such as Mg into an active layer.例文帳に追加
活性層にMg等の不純物が拡散することなく、結晶性を向上させる窒化物系半導体素子を提供する。 - 特許庁
To suppress variations in cell characteristics due to widening of a diffusion layer as a bit line in a thermal process at the time of gate oxidation.例文帳に追加
ゲート酸化時の熱工程で、ビット線としての拡散層が広がることによるセル特性のばらつきを抑制することを課題とする。 - 特許庁
The semiconductor memory device includes a diffusion layer 11 formed around the bottom of a trench formed on the surface of a semiconductor substrate 1.例文帳に追加
半導体記憶装置は、半導体基板1の表面に形成されたトレンチの底部の周囲に形成された拡散層11を含む。 - 特許庁
To provide an oxidation resistant component and method for creating an aluminum diffusion surface layer within substantially nickel- and cobalt-free components.例文帳に追加
実質的にニッケルとコバルトを含まない部品内にアルミニウム拡散表面層を創成するための耐酸化性部品及び方法の提供。 - 特許庁
A cathode side electrode 24 constituting the unit cell for the fuel cell 20 has a gas diffusion electrode 6b and an electrode catalyst layer 28.例文帳に追加
燃料電池20の単位セル22を構成するカソード側電極24は、ガス拡散層6bと電極触媒層28とを有する。 - 特許庁
The optical diffusion sheet 16 includes a first refraction layer 17 having a front surface 171 having a plurality of linear prisms LP formed thereon.例文帳に追加
光拡散シート16は、複数の線状プリズムLPが形成された表面171を有する第1屈折層17を備える。 - 特許庁
The UV absorbing layer (12) is 10 to 100 μm thick, and the multilayered light diffusion plate (10) is 1 mm to 3 mm thick.例文帳に追加
なお紫外線吸収層(12)の厚みは10〜100μm、本発明の多層光拡散板(10)の厚み1mm〜3mmである。 - 特許庁
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