「diffusion-layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(61ページ目) - Weblio英語例文検索

To improve electrical characteristics furthermore when an impurity diffusion layer is formed in a semiconductor substrate used in a solar cell or the like.例文帳に追加

太陽電池などに用いられる半導体基板中に不純物拡散層を形成したときに電気特性のさらなる向上を図る。 - 特許庁

The holding capacitor is composed of a common electrode 11 comprising a diffusion layer formed on a semiconductor substrate and the capacitor electrode 10.例文帳に追加

保持容量は半導体基板上に形成された拡散層からなる共通電極１１と容量電極１０とで構成される。 - 特許庁

A transistor extraction processing part extracts a transistor having a gate area overlapping a non-rectangular diffusion layer area from mask layout data.例文帳に追加

トランジスタ抽出処理部は、マスクレイアウトデータから非矩形の拡散層領域に重なるゲート領域を有するトランジスタを抽出する。 - 特許庁

The second insulating film 16b includes a function to inhibit the diffusion of aluminum (Al) in the first insulating film 16a into the channel layer 15.例文帳に追加

第２絶縁膜１６ｂは第１絶縁膜１６ａ中のアルミニウム（Ａｌ）のチャネル層１５内への拡散を防止する機能を有する。 - 特許庁

To provide a gas diffusion electrode with a catalyst layer for manufacturing a fuel cell having high performance.例文帳に追加

本発明は、優れた性能を備えた燃料電池を製造するための触媒層付きガス拡散電極を提供することを課題とする。 - 特許庁

A trench groove 22 is formed in a diffusion layer formation region A2 and an epitaxial film 4 is formed to fill in the trench groove 22.例文帳に追加

次いで、拡散層形成領域Ａ２にトレンチ溝２２を形成し、このトレンチ溝２２を埋め込むかたちでエピタキシャル膜４を成膜する。 - 特許庁

PREFORM HAVING BARRIER LAYER CAPABLE OF PREVENTING DIFFUSION OF HYDROGEN INTO OPTICAL FIBER PRODUCED FROM THE PREFORM AND PRODUCTION OF THE PREFORM例文帳に追加

プリフォームから製造される光ファイバに水素が拡散するのを防ぐ障壁層を含むプリフォームと、そのようなプリフォームの調製方法 - 特許庁

Thereafter, a sidewall insulating film 17 is formed, and an n-type source drain diffusion layer 18 is formed by P ion implantation.例文帳に追加

その後、サイドウォール絶縁膜１７を形成し、Ｐのイオン注入を行うことにより、Ｎ型ソース・ドレイン拡散層１８を形成する。 - 特許庁

The water pump 124 supplies a pressurized water from an introduction tube 113 of the airtight container 102 to an upper surface of the gas diffusion layer substrate 106.例文帳に追加

水ポンプ１２４は密閉容器１０２の導入管１１３からガス拡散層基材１０６の上面に加圧水を供給する。 - 特許庁

The optical diffusion sheet includes a second refraction layer 18 that is formed on the front surface 171 and has a refractive index different from that of the linear prisms LP.例文帳に追加

また、表面１７１上に形成され、線状プリズムＬＰと異なる屈折率を有する第２屈折層１８を備える。 - 特許庁

At least one of fluorine (F) and carbon (C) is subjected to ion implantation onto an Si substrate 1 to form a diffusion preventive layer 21.例文帳に追加

Ｓｉ基板１に、フッ素（Ｆ）および炭素（Ｃ）のうち、少なくともいずれか一方をイオン注入して拡散抑止層２１を形成する。 - 特許庁

The diffusion-promoting film 16 absorbs excess Pb in the ferroelectric film 14(PZT) via the upper electrode member layer 15s.例文帳に追加

拡散促進膜１６は、強誘電体膜１４（ＰＺＴ）中の過剰Ｐｂを、上部電極部材層１５ｓを介して吸収する。 - 特許庁

Next, a material layer 116 for avoiding the diffusion of a capacitor composing material is formed on the capacitor as if wrapping the capacitor.例文帳に追加

そして、キャパシタを包むようにその上に、キャパシタを構成する物質が拡散されることを防止する物質層１１６が形成される。 - 特許庁

To provide a gas diffusion layer for a fuel cell electrode having the optimum opening ratio and low specific resistance, and its manufacturing method.例文帳に追加

最適な開口率を有し、かつ固有抵抗の小さい燃料電池電極用ガス拡散層、及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

On the surface of a cavity 4 side, a thermal diffusion layer 5 having larger thermal diffusivity than the heat-diffusivity of a die base material 11 is arranged.例文帳に追加

キャビティ４側の表面に、金型母材１１の熱拡散率より大きい熱拡散率を有する熱拡散層５を設ける。 - 特許庁

A photo-IC 1 is constituted of a substrate 2, an epitaxial laminate 3, a diffusion layer 4, a passivation film 5, and two electrodes 6 and 7.例文帳に追加

フォトＩＣ１は、基体２、エピタキシャル積層体３、拡散層４、パッシベーション膜５、及び２つの電極６，７から構成されている。 - 特許庁

Thus, implantation using the heavy ion is conducted to the pocket region to positively make a pocket diffusion layer 17 amorphous.例文帳に追加

このようにポケット領域に対して重イオンを用いた注入を行なうことにより、ポケット拡散層１７を積極的にアモルファス化する。 - 特許庁

Only a p-type body layer 103 and a P^+-type diffusion region 104 are formed in a mesa between the gate trenches 110.例文帳に追加

また、ゲートトレンチ１１０の間のメサ部には、Ｐ型ボディ層１０３およびＰ^＋型拡散領域１０４のみが形成されている。 - 特許庁

This second solution 37 is sprayed toward a target 55, namely a polyelectrolyte membrane and the diffusion layer to constitute the cell of the fuel cell.例文帳に追加

この第二溶液３７を、ターゲット５５、即ち、燃料電池のセルを構成する高分子電解質膜や拡散層に向けて噴霧する。 - 特許庁

To provide a method for forming a catalyst layer having a high gas permeability on the surface of a gas-diffusion electrode comprising carbon sheets.例文帳に追加

カーボンシートからなるガス拡散電極の電極基体の表面に、ガス透過性の高い触媒層を形成する方法を提供する。 - 特許庁

To provide a fuel cell electrode layer for fuel cell, capable of stably generating a high output with high efficiency of catalyst and diffusion of fuel.例文帳に追加

触媒の効率、燃料の拡散性が高く、安定して高出力を生むことができる燃料電池用電極層を提供する。 - 特許庁

To reduce the deterioration of the characteristics of a semiconductor device due to the deformation of a connecting part by minimizing the number of connecting parts on a diffusion layer.例文帳に追加

拡散層上での接続部の数を最小として、接続部の変形による半導体デバイスの特性低下を低減する。 - 特許庁

To suppress the influence of a strap contact on the diffusion layer of a memory cell transistor while avoiding an increase in the resistance value of the strap contact.例文帳に追加

ストラップコンタクトの抵抗値が増加することなく、且つストラップコンタクトがメモリセルトランジスタの拡散層に与える影響を抑制する。 - 特許庁

In the flexible portion 22, a diffusion resistance layer 25 is formed at a predetermined position between the valve element 23 and the peripheral portion 22c.例文帳に追加

可撓部２２は、可動片２２ａにおいて弁体２３と周部２２ｃとの間の所定部位には拡散抵抗層２５が形成されている。 - 特許庁

The semiconductor device is formed on a semiconductor substrate; and comprises the semiconductor substrate, an impurity diffusion layer formed on one main surface of the semiconductor substrate, an insulating film formed on the impurity diffusion layer, and a silicon nitride film which is formed on the insulating film and in which the amount of positive charges is changed by a given heat treatment to control impurity concentration near the surface of the impurity diffusion layer.例文帳に追加

半導体基板上に形成される半導体素子であって、半導体基板と、半導体基板の一主面に形成される不純物拡散層と、不純物拡散層上に形成される絶縁膜と、絶縁膜上に形成され所定の熱処理により正電荷の量が変動して不純物拡散層の表面近傍の不純物濃度を制御するシリコン窒化膜と、を備えることを特徴とする半導体素子。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a blade for a turbomachine by superplastic forming and diffusion bonding a first layer, a second layer and a membrane, the membrane being disposed between the first and second layers.例文帳に追加

ターボマシン用のブレードを、第１層、第２層、及びこれらの第１及び第２の層間に配置されたメンブレンの超塑性形成及び拡散接合によって製造する方法を提供する。 - 特許庁

Especially, it is preferable to use the absorbed sweat-diffusing knit fabric having ≥3 diffusion area ratio or the fabric consisting of at least two layers of hydrophobic reverse layer and hydrophilic surface layer.例文帳に追加

そして特に、拡散面積比が３以上の吸汗拡散性編地や、疎水性の裏層と親水性の表層との少なくとも二層からなる吸汗拡散性編地を用いることである。 - 特許庁

To provide a gas diffusion layer which can improve corrosion resistance of the conductive material constituting a conductive water repellent layer and can demonstrate a stable performance for a long period.例文帳に追加

導電性撥水層を構成している導電性材料の耐食性を高め、長期間安定した性能を示すことができるガス拡散層を提供することを目的とする。 - 特許庁

Also, the guard band cell 11 according to one embodiment of the present invention includes an N-type guard band diffusion layer NGB1 which is of conductive type as is an N well layer, and which is formed on the N well NW1.例文帳に追加

また、本発明の一態様に係るガードバンドセル１１は、ＮウェルＮＷ１の上に形成された、Ｎウェル層と同じ導電型であるＮ型ガードバンド拡散層ＮＧＢ１を有する。 - 特許庁

The light diffusion medium constituted by forming a light diffusing layer mainly consisting of transparent resin on a transparent base body has a honeycomb structure of which the light diffusing layer is formed by a waterdrop mold method.例文帳に追加

透明基体上に透明樹脂を主成分とする光拡散層を設けた光拡散媒体であって、光拡散層が水滴鋳型法によって形成されたハニカム構造を有する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device and manufacturing method thereof in which a silicide layer is suppressed from being spread to a first impurity diffusion layer and a plurality of kinds of transistors can be freely designed.例文帳に追加

シリサイド層が第１不純物拡散層まで拡がるのを抑制し、複数種類のトランジスタを自由に設計することが可能な半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a joint structure of a fire-proof double-layer pipe which prevents diffusion of smoke generated at a fire site at the beginning of the fire through the fire-proof double-layer pipe.例文帳に追加

火災初期に火災現場で発生する煙が耐火二層管を介して他の区画へ放散することを防止することができる耐火二層管の接合部構造を提供する。 - 特許庁

The sealing part 8 is formed by eutectic bonding or diffusion bonding of a first metal layer provided on the sensor unit 20 side and a second metal layer provided on the cap member 4 side.例文帳に追加

封止部８は、センサユニット２０側に設けられた第１金属層と、キャップ部材４側に設けられた第２金属層とが共晶接合あるいは拡散接合されてなる。 - 特許庁

To provide a photoelectric conversion device wherein a high-concentration diffusion layer is formed at a lower portion of a light-receiving face electrode layer without adding heat treatment, and moreover without declining in strength of a substrate.例文帳に追加

光電変換素子において、熱処理工程を追加することなく、また基板強度を低下させることもなく、受光面電極層の下部に高濃度拡散層を形成する。 - 特許庁

(2) The surface layer of the top face 42 of the rib as a part contacting with diffusion layers 13, 16 is removed from the gas face while making the surface layer 43 of a gas flow passage 41 remain.例文帳に追加

（２）ガス面のうち、拡散層１３、１６との当接部であるリブ頂面４２の表面層を除去し、ガス流路溝４１の表面層４３は残した燃料電池セパレータ。 - 特許庁

To provide a very effective control method for a polishing margin when a wafer such as SOI wafer of an SOI layer having a diffusion layer which requires the control of a minute polishing margin is polished.例文帳に追加

拡散層を有するＳＯＩ層のＳＯＩウエーハのような微小な研磨代の管理が必要とされるウエーハを研磨する場合に、極めて有効な研磨代の管理方法を提供する。 - 特許庁

A silicide layer 18 is provided on a second conductivity type (N type or P type) impurity diffusion layer 15 being separated by the region of the gate electrode 14 and the sidewall insulation film 17.例文帳に追加

上記ゲート電極１４及び側壁絶縁膜１７の領域を隔てて第２導電型（Ｎ型またはＰ型）の不純物拡散層１５上にシリサイド層１８が設けられている。 - 特許庁

To provide a mandrel bar for hot seamless tubes which displays excellent seizure resistance by synergism of a scale layer and a nitrided diffusion layer which are formed on its surface.例文帳に追加

その表面に形成されたスケール層と窒化拡散層との相乗作用により、優れた耐焼付き性を発揮することができる熱間継目無製管用マンドレルバーを提供する。 - 特許庁

The continuous series system of a source/drain diffusion layer 14, straddling a gate electrode 13 constituting an address line, is connected electrically at prescribed parts, with an upper layer interconnection with regard to a data line.例文帳に追加

アドレスラインを構成するゲート電極１３を跨ぐソース／ドレイン拡散層１４の連続する直列系はデータラインに関し、所定箇所が電気的に上層配線と繋がる。 - 特許庁

And the p-type epitaxial layer PEpi2 is connected to the ground via the p-type epitaxial layer PEpi1, the p-well PW, a p+ diffusion region PD5, a via V11 and wiring W11.例文帳に追加

そして、Ｐ型エピタキシャル層ＰＥｐｉ２を、Ｐ型エピタキシャル層ＰＥｐｉ１、ＰウエルＰＷ、ｐ^＋拡散領域ＰＤ５、ビアＶ１１及び配線Ｗ１１を介して接地端子に接続する。 - 特許庁

The gas diffusion electrode has a non-woven fabric layer made of fluoro-resin as a main component, and at least a carbon material is dispersed in the non-woven fabric layer.例文帳に追加

フッ素樹脂を主成分とする不織布層を有するガス拡散電極であって、前記不織布層に、少なくとも炭素材料が分散されてなることを特徴とするガス拡散電極。 - 特許庁

To provide a manufacturing method which can accurately form a high-density impurity layer in a thin silicon film, due to the diffusion of impurities from an intermediate layer to the thin silicon film.例文帳に追加

太陽電池において、中間層からシリコン薄膜への不純物の拡散により、シリコン薄膜中に高濃度の不純物層を精度よく形成できる製造方法を提供すること。 - 特許庁

The silicide layer 19 is provided on a second conductivity (N type or P type) impurity diffusion layer 15 being separated by the gate electrode 14 and the sidewall insulation film 17.例文帳に追加

上記ゲート電極１４及び側壁絶縁膜１７の領域を隔てて第２導電型（Ｎ型またはＰ型）の不純物拡散層１５上にシリサイド層１９が設けられている。 - 特許庁

A silicide layer 19 is provided on a second conductivity (N type or P type) impurity diffusion layer 16 being separated by the gate electrode 14 and the sidewall insulation film 19.例文帳に追加

上記ゲート電極１４及び側壁絶縁膜１８の領域を隔てて第２導電型（Ｎ型またはＰ型）の不純物拡散層１６上にシリサイド層１８が設けられている。 - 特許庁

The antifuse structure includes a bit line formed in a first diffusion region inside a substrate, an insulating layer formed on the bit line, and a word line formed on the insulating layer.例文帳に追加

基板内に第１拡散領域で形成されたビットラインと、ビットライン上に形成された絶縁層と、絶縁層上に形成されたワードラインと、を備えるアンチヒューズ構造体である。 - 特許庁