「diffusion-layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(57ページ目) - Weblio英語例文検索

A p^+type diffusion layer 3 whose resistivity is about 0.01 Ω.cm is provided between the semiconductor substrate 2 and the CMOS 5.例文帳に追加

また、半導体基板２とＣＭＯＳ５との間に、抵抗率が約０．０１Ω・ｃｍであるｐ^＋型拡散層３を設ける。 - 特許庁

To solve a problem that carriers generated from other than a P type heavily doped layer contribute, as a photocurrent, to diffusion and thus deteriorate the response.例文帳に追加

Ｐ型高濃度層以外からの生成キャリアが拡散により光電流として寄与してしまい、応答性が悪くなる。 - 特許庁

Isolation regions 303b and 303a are provided between the well contact and the diffusion layer and channel stop layers 307b and 307a are provided beneath the isolation regions 303b and 303a.例文帳に追加

ウエルコンタクトと拡散層間に素子分離領域303b,303aを設け、素子分離領域303b,303aの下にチャネルストップ層307b，307aを設ける。 - 特許庁

Then ions are implanted obliquely into the substrate 81, to form a shallow source/drain diffusion layer 131 under the gate sidewall 101.例文帳に追加

次に基板８１に対して斜めにイオン注入し浅いソース−ドレイン拡散層１３１をゲート側壁１０１下に形成する。 - 特許庁

Then, the gate electrode 21 is used as a mask for carrying out impurity ion implantation for forming the LDD diffusion layer of the logic element.例文帳に追加

その後、ゲート電極２１をマスクとして、ロジック素子のＬＤＤ拡散層形成のための不純物イオン注入を行なう。 - 特許庁

The electrons generated by the reaction move toward the gas diffusion electrode side, passing through the carbon particles 32 and the polymer layer 36.例文帳に追加

また、上記反応で生じた電子は、カーボン粒子３２およびポリマ層３６内を通過してガス拡散電極側へ移動する。 - 特許庁

The pocket impurity diffusion layer 16 is possessed of a segregation part formed of segregated P-type impurities of large mass such as indium.例文帳に追加

ポケット不純物拡散層１６は、質量の大きいｐ型不純物例えばインジウムが偏析してなる偏析部を有している。 - 特許庁

The composition for forming a p-type diffusion layer is composed to contain a boron nitride having a hexagonal crystal form, and a dispersion medium.例文帳に追加

ｐ型拡散層形成組成物を、結晶形が六方晶である窒化ホウ素と、分散媒と、を含有して構成する。 - 特許庁

The cathode-side separator plate 40c has a concavity 42 in position to be opposed to an edge 20cedg of the cathode-side gas diffusion layer 20c.例文帳に追加

カソード側セパレータプレート４０ｃは、カソード側ガス拡散層２０ｃのエッジ部２０ｃｅｄｇと対向する部位に凹部４２を備える。 - 特許庁

A floating diffusion layer 1 for temporarily storing charges stored in a photodiode 5 is formed on a semiconductor substrate 10.例文帳に追加

半導体基板１０上に、フォトダイオード５に蓄積された電荷を一時的に蓄積する浮遊拡散層１が形成されている。 - 特許庁

The component may then be heated to diffuse aluminum into the component and to form an aluminum diffusion surface layer 10 therein.例文帳に追加

次に、この部品を加熱してアルミニウムを部品中に拡散させ、その中にアルミニウム拡散表面層１０を形成し得る。 - 特許庁

The diffusion layer B at the side of the memory cell M2 is connected to the bit lines 23, 24, which are different from a bit line whereto the memory cell M1 is connected.例文帳に追加

メモリセルＭ２側の拡散層Ｂは、メモリセルＭ１が接続されるビット線とは異なるビット線２３，２４に接続される。 - 特許庁

To provide a semiconductor laser (single-crystal substrate) 101, which suppresses impurity diffusion in an active layer and has high characteristic temperature and a high modulation frequency.例文帳に追加

活性層への不純物拡散を抑制し、かつ、特性温度および変調周波数が高い半導体レーザを提供する。 - 特許庁

An ion trapping body is provided in a gas diffusion layer of an electrode.例文帳に追加

本発明は、電解質膜への不純物イオンの拡散を防止し、長期間高効率で運転できる燃料電池を提供する。 - 特許庁

To reduce resistance of a source diffusion layer, without having to increase the pattern area of a memory cell of a nonvolatile semiconductor memory device.例文帳に追加

不揮発性半導体記憶装置のメモリセルのパターン面積の増大を伴なうことなくソース拡散層の低抵抗化を行う。 - 特許庁

The gradation design formed of a laminate of a diffusion layer 14 diffusing transmitted light, a halftone printed layer 15 forming a dot pattern and a ground layer 16 colored differently from the halftone printed layer 15 is formed on the molded body 13.例文帳に追加

透過光を拡散する拡散層１４と、ドットパターンを形成するハーフトーン印刷層１５と、該ハーフトーン印刷層１５とは異色に着色された下地層１６と、が積層して形成されるグラデーションデザインを成形体１３に形成した。 - 特許庁

Moreover, a soft magnetism layer 4b of a free magnetism layer 4 is made of an NiFe alloy, and a diffusion preventing layer 4a is made of an CoFe alloy, thereby enabling the absolute value of magnetostrictive constant λ of the free magnetism layer 4 can be set to 1.3 ppm or smaller.例文帳に追加

また、フリー磁性層４の軟磁性層４ｂをＮｉＦｅ合金、拡散防止層４ａをＣｏＦｅ合金を用いて形成することにより、フリー磁性層４の磁歪定数λの絶対値を１．３ｐｐｍ以下にすることができる。 - 特許庁

An intermediate layer 7 is provided between the cathode electrode catalyst layer 3 and the gas diffusion layer 5, and the intermediate layer 7 has through holes having a diameter of 0.01-10 μm, and the volume of the through holes is in the range 4.0-7.0 μl/cm^2.例文帳に追加

カソード電極触媒層３とガス拡散層５との間に中間層７を備え、中間層７は０．０１〜１０μｍの径を有する貫通孔を備えると共に、該貫通孔の容積が４．０〜７．０μｌ／ｃｍ^２の範囲にある。 - 特許庁

A pin photodiode is formed by laminating an n-InP layer 22, an I-InGaAs layer 24, and an n-InP layer 26 on an n-InP substrate 20 and forming p-type diffusion areas 28 by diffusing Zn in the n-InP layer 26.例文帳に追加

ｎ−ＩｎＰ基板２０上に、ｎ−ＩｎＰ層２２，ｉ−ＩｎＧａＡｓ層２４，ｎ−ＩｎＰ層２６が積層され、ｎ−ＩｎＰ層２６内にＺｎが拡散されてｐ型拡散領域２８が形成され、ｐｉｎフォトダイオードが作られている。 - 特許庁

In a magnetoresistive element comprising a substrate, a backing layer formed on the substrate, and a magnetoresistive structure formed on the backing layer, a diffusion prevention layer formed between the backing layer and the magnetoresistive structure is provided.例文帳に追加

基板、該基板上に形成された下地層及び該下地層上に形成された磁気抵抗構造体を備える磁気抵抗素子において、下地層及び磁気抵抗構造体間に形成された拡散防止層を備える磁気抵抗素子である。 - 特許庁

A light-transmitting electrode layer 21 comprising ITO, a reflection electrode layer 22 comprising a silver alloy, a diffusion preventing layer 23 laminating Ti and Pt and a thick-film electrode 24 comprising of gold are laminated successively on the p-type layer 13 on the positive electrode side.例文帳に追加

正電極側は、ｐ型層１３の上に、ＩＴＯから成る透光性電極層２１、銀合金から成る反射電極層２２、ＴｉとＰｔを積層した拡散防止層２３、金から成る厚膜電極２４を順に積層する。 - 特許庁

Subsequently, a first impurity diffusion layer having a single crystal silicon layer is formed above the silicon pillar and, at the same time, a first contact plug having a single crystal silicon layer and a polycrystal silicon germanium layer is formed on the silicon pillar.例文帳に追加

この後、熱処理により、シリコンピラー上部に単結晶シリコン層を有する第１の不純物拡散層を形成すると同時に、シリコンピラー上に単結晶シリコン層及び多結晶シリコンゲルマニウム層を有する第１のコンタクトプラグを形成する。 - 特許庁

In the semiconductor photodetector of the single-carrier traveling type, n+type area is formed in the neighborhood of the interface of a p+ type photoabsorption layer and an n-type carrier traveling layer, thereby suppressing the diffusion of p type impurities to the carrier traveling layer from the photoabsorption layer.例文帳に追加

単一キャリア走行型半導体受光装置において、ｐ^+型光吸収層とｎ^-型キャリア走行層との界面近傍に、ｎ^+型領域を形成し、もって光吸収層からキャリア走行層へのｐ型不純物の拡散を抑制する。 - 特許庁

A porous layer 27, an inner electrode 29, a solid electrolyte layer 28, an outer electrode 30, a diffusion layer 31 and an elaborate layer 32 are sequentially formed on an outer circumference of a heater 22 having an elongate rod shape by using a curved surface printing means etc.例文帳に追加

細長いロッド形状をなすヒータ部２２の外周側に曲面印刷等の手段を用いて多孔質層２７、内側電極２９、固体電解質層２８、外側電極３０、拡散層３１および緻密層３２を順次形成する。 - 特許庁

A 1st laminate having a 1st anode catalyst layer and a 1st cathode catalyst layer formed on both sides of a polymer electrolyte film is produced, and a 2nd laminate having a 2nd anode catalyst layer formed on an anode diffusion layer is produced.例文帳に追加

高分子電解質膜の両面に第１のアノード触媒層および第１のカソード触媒層を形成した第１の積層体を作製し、アノード拡散層の表面に第２のアノード触媒層を形成した第２の積層体を作製する。 - 特許庁

The electrode/membrane assembly 7 is formed by arranging there layers of a second alloy catalyst layer 3, a first alloy catalyst layer 4, and a ruthenium catalyst layer 5 sequentially from the polyelectrolyte membrane 1 side to the gas diffusion layer 9 side in this order.例文帳に追加

高分子電解質膜１側からガス拡散層１３側に順に、第二合金触媒層３、第一合金触媒層４、ルテニウム触媒層５の３層が配置されている電極／膜接合体７を用いることにより課題を解決できる。 - 特許庁

The solid polymer electrolyte membrane 22 is arranged so that catalyst layers 28, 30 come in contact with each side of the solid polymer electrolyte membrane 22 with a pair of gas diffusion electrode layers 24, 26 having the catalyst layers 28, 30 and gas diffusion layers 32, 34, and the solid polymer electrolyte membrane 22 is covered with one gas diffusion electrode layer 26 and exposed from the other gas diffusion electrode layer 24.例文帳に追加

固体高分子電解質膜２２が、触媒層２８，３０とガス拡散層３２，３４とを備える一対のガス拡散電極層２４，２６により、前記固体高分子電解質膜２２の両面に前記触媒層２８，３０が当接するようにして、前記固体高分子電解質膜２２が、一方のガス拡散電極層２６で覆われるとともに、他方のガス拡散電極層２４からはみ出してなる。 - 特許庁

In the LDD layer 5a, a protruding part 55 is formed, in a region which is directly underneath the p-type diffusion layer 10 so as to protrude from the bottom of the LDD layer 5a, toward a deeper region down to a depth D2.例文帳に追加

ＬＤＤ層５ａには、ｐ型拡散層１０の直下の領域においてＬＤＤ層５ａの底からさらに深い領域に向かって突出するように深さＤ２にわたり突出部５５が形成されている。 - 特許庁

To form a bonding layer or a BSF layer in simple steps by forming the boding layer by a thermal diffusion, then switching to an oxygen atmosphere in a furnace, and annealing to form a protective film on a surface of a substrate.例文帳に追加

熱拡散による接合層の形成の後、炉内を酸素雰囲気に切り換えて徐冷を行うことで、基板表面に保護膜を形成し、これにより簡単な工程で接合層やＢＳＦ層を形成する。 - 特許庁

In each resistive element, an island voltage V1 applied to the n-type layer from a pad p1 allows a pn junction formed at the connection section between the n-type layer and the p-type diffusion layer to be set to a backward bias state for composing a resistor.例文帳に追加

各抵抗素子は、パッドＰ１からＮ型層に印加される島電圧Ｖ１によって、Ｎ型層とＰ型拡散層との結合部に形成されるＰＮ接合が逆バイアス状態となり、抵抗体を構成する。 - 特許庁

The light transmissive resin beads are formed into a single layer on the surface of the transparent basic material layer, and this light diffusion sheet 1 has a light transmissive binder resin layer on a light outgoing face 12 side of the light transmissive resin beads 5.例文帳に追加

光透過性樹脂ビーズが透明基材層表面に単層に形成され、光透過性樹脂ビーズ５の光出射面１２側に光透過性バインダー樹脂層を有していることを特徴とする。 - 特許庁

An inter-layer insulating film 10 is then formed to give a flat surface, and then an extension electrode 21 leading to the emitter layer (n-type diffusion layer 5) is so formed as to connect to the silicide film 8 on the element isolating film 3.例文帳に追加

そして層間絶縁膜１０を設けて平坦化した後、素子分離膜３の上のシリサイド膜８に接続するように、エミッタ層（ｎ型拡散層５）につながる引き出し電極２１が設けられている。 - 特許庁

The wiring 171 is connected to both ends of a polysilicon layer 151 and a polysilicon layer 152 and to an n-type diffusion layer 132 through via holes 181-184 formed on the film 16.例文帳に追加

第１層アルミニウム配線１７１は、層間絶縁膜１６に形成されたビアホール１８１〜１８４を介してそれぞれポリシリコン層１５１、ポリシリコン層１５２各両端部、Ｎ型拡散層１３２に接続されている。 - 特許庁

At least one undercoat layer, a silver halide emulsion layer and a physical developing nucleus layer are successively disposed on a substrate by coating to obtain the objective planographic printing plate utilizing a silver complex salt diffusion transfer process.例文帳に追加

又、本発明の別の目的は明室下で取り扱い可能な銀錯塩拡散転写法を用いた平版印刷版で、印刷諸特性（インキ受理性、耐刷性、耐汚れ性）に優れた平版印刷版を提供することである。 - 特許庁

A cathode side diffusion layer 24 is formed by laminating a first layer 241 which includes carbon grains 241b whose average specific surface area is 100 to 1,000 cm2/g and a second layer 242 which includes carbon grains 242b whose average specific surface area is 100 cm2/g or less.例文帳に追加

カソード側拡散層24を、平均比表面積が100〜1000ｃｍ^2/ｇのカーボン粒子241ｂを含む第一層241と、平均比表面積が100ｃｍ^2/ｇ未満のカーボン粒子242bを含む第二層242を積層させて構成する。 - 特許庁

The first gate electrode 230 comprises a silicide layer 235 on at least part of a region located on an element isolation film 50, and no silicide layer is in a region sandwiched by the first diffusion layer 226.例文帳に追加

そして第１ゲート電極２３０は、素子分離膜５０上に位置する領域の少なくとも一部にシリサイド層２３５を有しており、かつ第１拡散層２２６に挟まれた領域にはシリサイド層を有していない。 - 特許庁

The pipe and oil feed pipe are obtained, on the inside face of a pipe made of the steel sheet, by forming a plating layer comprising Zn, Co and Mo, an Fe-Ni diffusion layer below the same and a softened Ni layer therebetween.例文帳に追加

鋼板からなるパイプの内面に、Ｚｎ、Ｃｏ、およびＭｏを含有するめっき層と、その下にＦｅ−Ｎｉ拡散層と、それらの間に軟質化されたＮｉ層が形成されているパイプ及び給油パイプ。 - 特許庁

Then, a mask is formed again on the surface except a part where a bonding N-electrode NT is formed, and the current diffusion layer D and the P-type gallium nitride layer P are etched again until the N-type gallium nitride layer N is exposed.例文帳に追加

次いで、ボンディング用のｎ電極ＮＴを形成する部分を除いて再度マスクを形成し、再度ｎ型窒化ガリウム層Ｎが露出するまで電流拡散層Ｄ、及びｐ型窒化ガリウム層Ｐをエッチングする。 - 特許庁

A diffusion barrier layer which interposes between the lower conducting layer and the upper conducting layer is thermally treated in an inert atmosphere prior to selective oxidation heat treatment, and turned into high melting point metal siliconitride.例文帳に追加

下側導電層と上側導電層との間の介在する拡散障壁層を、選択酸化熱処理に先立って不活性雰囲気中で熱処理することにより、高融点金属珪窒化物に変換する。 - 特許庁

In the bonding layer 75, a heat transfer suppressed region is arranged on the upstream of the coolant where heat transfer between the catalyst layer 70 and gas diffusion layer 72 is more suppressed compared with that in a region downstream the coolant.例文帳に追加

接合層７５には、冷媒の上流側に、冷媒の下流側の領域より触媒層７０とガス拡散層７２との間の熱の移動が抑制されている熱移動抑制領域が設けられている。 - 特許庁

An alignment mark structure associated includes a ground layer 5 having a line-shaped pattern located below an alignment mark 8, and a metal diffusion preventing/etching stopper layer 6 between the ground layer 5 and the alignment mark 8.例文帳に追加

本発明に係るアライメントマーク構造は、アライメントマーク８の下方に、ライン状のパターンを有する下地層５を備え、さらに、下地層５とアライメントマーク８との間に、金属拡散防止兼エッチングストッパ層６を備える。 - 特許庁

At least one of the fuel electrode 6 and the air electrode 9 has a first catalyst layer 4A (7A) arranged on the electrolyte membrane 10 side and a second catalyst layer 4B (7B) arranged on the gas diffusion layer 5 (8) side.例文帳に追加

燃料極６と空気極９の少なくとも一方は、電解質膜１０側に配置された第１の触媒層４Ａ（７Ａ）と、ガス拡散層５（８）側に配置された第２の触媒層４Ｂ（７Ｂ）とを有する。 - 特許庁

A steel matrix layer and a nitrogen diffused layer excellent in the adhesion to this layer and having abrasion resistance, thermal shock resistance, fatigue resistance and impact resistance are formed on the surfaces of the parts related to a pressure head by a brilliant nitrogen diffusion method.例文帳に追加

光輝窒素拡散法を用いて加圧ヘッド関係部品の表面に鋼母層と密着性に優れ、耐摩耗性、耐熱衝撃性、耐熱疲労性、耐衝撃性を有する窒素拡散層を形成させる。 - 特許庁

To accurately detect the completion point of polishing of a semiconductor wafer having a film to prevent diffusion of a metal of a metallic film being a called barrier film between a metallic film of a topmost layer and an insulation layer of a lower layer.例文帳に追加

最上層の金属膜と下層の絶縁層との間のバリア膜といわれる金属膜の金属の拡散を防止するための膜を有する半導体ウェハ研磨の終了点を正確に検出する。 - 特許庁

The source/drain regions 16, 17 of MISFET are respectively formed of a selectively grown silicon layer 22 and a plurality of divided diffusion layer regions 21a that are connected integrally with the selectively grown silicon layer 22.例文帳に追加

ＭＩＳＦＥＴのソース／ドレイン領域１６、１７はそれぞれ、選択成長シリコン層２２と、選択成長シリコン層２２によって一括に接続された複数の分割拡散層領域２１ａとから構成する。 - 特許庁