「diffusion-layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(73ページ目) - Weblio英語例文検索

The surface of the current diffusion layer 14 on the protruding part 15 side is connected continuously and smoothly to the lower part 17, having a concave cross section and the upper part 16, having a convex cross section.例文帳に追加

電流拡散層１４の凸部１５側の表面は、断面凹の下部１７と断面凸の上部１６とに連続的になめらかに連なっている。 - 特許庁

With this setup, the upper electrode 18 of the capacitor can be brought into ohmic contact with the junction layer of the transistor, so that the capacitor can be prevented from deteriorating in characteristics due to the diffusion of silicon.例文帳に追加

これにより、キャパシタの上部電極１８とオーミックコンタクトを可能とし、シリコンの拡散にともなうキャパシタの特性の劣化を防止できる。 - 特許庁

That is, the end of the p^+-type diffusion layer 6 is disposed to be spaced inward in a direction toward the gate insulating film 4 from the end of the field insulating film 5.例文帳に追加

すなわち、Ｐ＋型拡散層６の端は、フィールド絶縁膜５の端から、ゲート絶縁膜４の方向へ内側に離れて配置されている。 - 特許庁

To provide a fuel cell prevented from damage to a membrane due to bending of the membrane between an end of a diffusion layer and an inner surface of an electrolyte membrane holder of a separator.例文帳に追加

拡散層の端部からセパレータの電解質膜保持部の内面との間の膜のたわみによる膜損傷を抑制した燃料電池の提供。 - 特許庁

A p-type anode area 7 and an n-type short area 9 adjacent to the p-type anode area 7 are formed on the surface layer of the p-type diffusion area 5.例文帳に追加

ｐ形拡散領域５の表面層にｐ形アノード領域７とこのｐ形アノード領域７と隣接してｎ形ショート領域９を形成する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which prevents diffusion of gold though wiring composed of a gold layer is used and has an excellent anticorrosiveness, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

金層からなる配線を用いながら、金の拡散を防止でき、腐食性も良好な半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

A time before starting the heat treatment is set on the basis of the quantity of the diffusion stabilizer in the vicinity of an interface with the base layer in the applied solution.例文帳に追加

塗布した溶液中の下地層Ｆ１との界面近傍における分散安定剤の量に基づいて、加熱処理を開始するまでの時間を設定する。 - 特許庁

To provide a surface light emitting semiconductor laser that suppresses diffusion of Al of a DBR including an AlGaAs layer and also suppresses a decrease in light emission intensity.例文帳に追加

ＡｌＧａＡｓ層を含むＤＢＲにおけるＡｌの拡散を抑え、発光強度の低下を抑制できる面発光型半導体レーザを提供する。 - 特許庁

In the first step, the dopant gas is introduced into the reactor so as to compensate for the decrease in impurity concentration on the surface layer of the silicon wafer due to out diffusion.例文帳に追加

第１の工程においては、反応炉内にドーパントガスを導入し、外方拡散により低下するシリコンウェーハ表層の不純物濃度を補う。 - 特許庁

Thereby a current block layer 10 does not have to be laminated above the impurity diffusion region 16, and manufacture can be easily done.例文帳に追加

これにより、不純物拡散領域１６の上方に電流ブロック層１０を積層する必要がなくなり、容易に製造することが可能となる。 - 特許庁

The impurity concentration of the deeply doped impurity diffusion layer 8b is made not smaller than 1.00 × 10^19 cm^-3 and preferably not smaller than 1.00 × 10^20 cm^-3.例文帳に追加

高濃度不純物拡散層８ｂの不純物濃度は１．００×１０^19ｃｍ^-3以上、好ましくは１．００×１０^20ｃｍ^-3以上である。 - 特許庁

The diffusion layer is characterized in that the area occupation rate of the fine reflection part group decreases radially from the center part close to the spot light sources.例文帳に追加

拡散層では、点光源に近接する中心部から径方向に向けて、微小反射部群の面積占有率が低下していることを特徴とする。 - 特許庁

At this point, capacitance is formed between the well and the diffusion layer, whose conductivity is opposite type to that of the well, so that current is restrained from changing sharply.例文帳に追加

このとき、ウェルとそのウェルと反対の導電型の拡散層との間に容量を有することになるので、電流の急激な変化を抑制する。 - 特許庁

The diffusion layer is formed on the active matrix device structure and has a plurality of projected bumps having a variety of film thickness, a variety of height and shapes.例文帳に追加

拡散層はアクティブマトリクスデバイス構造の上に形成されて各種フィルム厚及び各種高度及び形状を有する突出する複数のバンプを有する。 - 特許庁

The gas sensor element 1 has a solid electrolyte, an electrode on the side of gas to be measured, an electrode on the side of reference gas, and a porous diffusion resistance layer 14.例文帳に追加

ガスセンサ素子１は、固体電解質体と被測定ガス側電極及び基準ガス側電極と多孔質拡散抵抗層１４とを有する。 - 特許庁

To prevent misalignment in position between a gate poly-electrode and a source and drain high concentration diffusion layer, so as to make element characteristics and reliability uniform.例文帳に追加

ゲートポリ電極とソース及びドレイン高濃度拡散層との間での位置合わせズレを防止し、素子特性や信頼性の均一化を図ることができる。 - 特許庁

The N-type diffusion layer 5 is formed into an annular shape so as to surround the P-type semiconductor substrate 1 at a position surrounded by the N-type well 3.例文帳に追加

Ｎ型拡散層５は、Ｎ型拡散層３で囲まれた位置のＰ型半導体基板１の周囲を取り囲んで環状に形成されている。 - 特許庁

A fuel cell 100 comprises: a film electrode gas diffusion layer assembly 10; an anode-side separator 30a; a cathode-side separator 30c; and a sealing material 40.例文帳に追加

燃料電池１００は、膜電極ガス拡散層接合体１０と、アノード側セパレータ３０ａと、カソード側セパレータ３０ｃと、シール材４０と、を備える。 - 特許庁

To provide a semiconductor device capable of lowering the contact resistance of a gate diffusion layer and a gate electrode and realizing a high- speed operation, and a manufacturing method.例文帳に追加

ゲート拡散層とゲート電極との接触抵抗が低くて高速な動作を実現することができる半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a metal surface treatment method where a diffusion layer having a sufficient thickness, and further imparting high heat resistance/high strength can be provided.例文帳に追加

十分な厚みを有し、しかも、高耐熱性・高強度を付与する拡散層を設けることが可能な金属表面処理方法を提供する。 - 特許庁

A permeable member (e.g. a permeable foamed body or a plate having air holes formed therein) may be interposed between the gas diffusion layer 2 and the clamping member 3.例文帳に追加

ガス拡散膜２と挟圧部材３との間には、通気性部材（例えば、通気性発泡体や通気孔が形成されたプレートなど）を介在させてもよい。 - 特許庁

To provide a semiconductor device, along with its manufacturing method, which comprises a full silicide gate of which short-circuit is prevented between a gate electrode and a source-drain diffusion layer.例文帳に追加

ゲート電極とソース・ドレイン拡散層との間でのショートが防止されたフルシリサイドゲートを有する半導体装置およびその製造方法を得ること。 - 特許庁

At the contact, the second solution is injected into the first solution because of the diffusion due to the difference of concentration of the aimed component via a porous layer.例文帳に追加

この接触の際、着目成分の濃度差による多孔質媒体を介した拡散により第２の溶液を第１の溶液中へ注入する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device provided with a channel diffusion layer where surface concentration is high and impurity concentration distribution is steep, and to provide a manufacturing method thereof.例文帳に追加

表面濃度が濃く且つ急峻な不純物濃度分布を有するチャネル拡散層を備えた半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which can reduce the resistance of a bit line diffusion layer without exerting effects upon the transistor characteristics of flat cell type memory cells and a method of manufacturing the device.例文帳に追加

フラットセル型メモリセルのトランジスタ特性に影響をあたえず、ビット線拡散層抵抗を低減する半導体装置及びその製造方法の提供。 - 特許庁

A protective film 10 is formed on the N-type silicon substrate 1 where an isolated region 3 and an N-type diffusion layer 4, which becomes a channel region, are formed.例文帳に追加

分離領域３及びチャネル領域となるＮ型拡散層４が形成されたＮ型のシリコン基板１上に、保護膜１０を形成する。 - 特許庁

The EL light emitting elements 24, 25 are linearly extended along a scanning direction and a heat diffusion layer 48 is formed between the EL light emitting elements 24, 25 and the housing 11.例文帳に追加

ＥＬ発光素子24, 25は、走査方向に沿ってライン状に延びるとともに、このＥＬ発光素子24, 25とハウジング11との間に熱拡散層48が介在されている。 - 特許庁

The laminate member includes at least an electrolyte membrane arranged on one side of the separator and a diffusion layer arranged between the electrolyte membrane and the separator.例文帳に追加

積層部材は、セパレータの一の側に配置された電解質膜と、電解質膜とセパレータとの間に配置される拡散層と、を少なくとも含む。 - 特許庁

To prevent the diffusion of nickel (Ni) even under high temperature conditions, and to satisfactorily maintain the surface condition of a gold (Au) layer.例文帳に追加

高温の条件でもニッケル（Ｎｉ）の拡散を防ぎ、金（Ａｕ）層の表面状態を良好に保つことのできる金属体の表面構造を提供する。 - 特許庁

To provide a highly reliable semiconductor optical element for effectively suppressing the diffusion of Zn to an active layer, and its manufacturing method.例文帳に追加

活性層へのＺｎの拡散が効果的に抑制されると共に信頼性が高い半導体光素子及びその製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

The space for reaction gas flow is formed with the separator and the current collector, thereby installation of a gas diffusion layer and a gas passage member is made unnecessary.例文帳に追加

また、セパレータと集電体とによって反応ガス流動用の空間が形成されることから、ガス拡散層およびガス流路部材を設けなくてもよい。 - 特許庁

Accordingly, the oxygen is diffused from the upstream side of high density to the downstream side, and the density of oxygen supplied to the diffusion layer 23 is leveled.例文帳に追加

従って、酸素が濃度の高い上流側から下流側へと拡散していき、拡散層２３に供給される酸素濃度が均一化される。 - 特許庁

The gate electrode 114 is formed by a semiconductor, for example polysilicon, in which an impurity having the same conductivity type as the first diffusion layer 116 is introduced.例文帳に追加

そしてゲート電極１１４は、第１拡散層１１６と同一導電型の不純物が導入された半導体、例えばポリシリコンにより形成されている。 - 特許庁

The reset part 33 responds to a prescribed control signal RESET and controls a voltage level of the floating diffusion layer 43 to a prescribed reset voltage level.例文帳に追加

リセット部３３は、所定の制御信号ＲＥＳＥＴに応答して、浮遊拡散層４３の電圧レベルを所定のリセット電圧レベルに制御する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device manufacturing method, with which a shallow source/drain diffusion layer can be formed using a low temperature process, and a low resistance element can be obtained.例文帳に追加

低温プロセスで浅いソース／ドレイン拡散層を形成でき、低抵抗な素子を得ることができる半導体装置の製造方法を提供することにある。 - 特許庁

The N+ semiconductor region 12 is formed in a region from one main surface of a semiconductor layer 100 to the lower part 3a of the p-type diffusion region 3.例文帳に追加

ｎ^+半導体領域１２は半導体層１００の一方主面からｐ型拡散領域３の下部３ａに至る領域に形成する。 - 特許庁

Thereafter, the interlayer insulation film 108 and the anti-diffusion insulation film 107 are removed, and a contact hole 109 is formed extending to the lower layer wiring 103.例文帳に追加

その後、層間絶縁膜１０８及び拡散防止絶縁膜１０７を除去し、下層配線１０３に到達するコンタクトホール１０９を形成する。 - 特許庁

Consequently, no diffusion layer needs to be provided on the incidence surface, so the color shift and visual field angle can be improved without lowering the contrast.例文帳に追加

これにより、入射面に拡散層を設ける必要はないため、コントラストを低下させることなく、カラーシフト及び視野角を改善することができる。 - 特許庁

A first contact electrode 40 electrically connected to an emitter electrode 26 of the IGBT is brought into contact with the first diffusion layer 32 in the operation region R1.例文帳に追加

ＩＧＢＴのエミッタ電極２６に電気的に接続された第１コンタクト電極４０が、動作領域Ｒ１で第１拡散層３２とコンタクトする。 - 特許庁

At this time, by mutual diffusion, nickel is diffused into the film, moreover, zinc or the like is diffused into the nickel layer, and they are mutually supplemented to improve its corrosion resistance.例文帳に追加

この際、相互拡散により、ダクロ皮膜にニッケルが拡散すると共に、ニッケル層に亜鉛等が拡散して、相互に補完して、耐蝕性を向上する。 - 特許庁

To realize a structure that derives the potential of the upper electrode to a diffusion layer, in a dielectric memory having a solid stacked-type structure.例文帳に追加

立体スタック型構造を有する誘電体メモリにおいて、上部電極の電位を拡散層へ引き出す構造を実現することを目的とする。 - 特許庁

An n-type impurity is diffused into the n-type diffusion layer 17 with a concentration gradient provided in the direction connecting a source electrode 21 and a drain electrode 22.例文帳に追加

Ｎ型拡散層１７は、ソース電極２１とドレイン電極２２とを、結ぶ方向に濃度勾配を設けてＮ型不純物が拡散されている。 - 特許庁

A first insulating film including a vacancy forming material and comprising a low permittivity material is formed on a diffusion protective film 2 formed on a lower layer interconnection 1.例文帳に追加

下層配線１上に形成された拡散防止膜２の上に、空孔形成材を含み低誘電率材料からなる第１の絶縁膜を形成する。 - 特許庁

To provide a laser diode epitaxial wafer wherein p-type carrier concentration in a p-type AlGaInP cladding layer is uniform and diffusion of p-type impurities is reduced.例文帳に追加

ｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層中のｐ型キャリア濃度が均一でｐ型不純物の拡散が少ないレーザダイオード用エピタキシャルウエハを提供する。 - 特許庁

To provide a fuel injection nozzle coated by coating layer without badly influencing quantity regulating properties and diffusion injection angle or the like, and a method for manufacturing the same.例文帳に追加

調量性や拡散噴射角度等へ悪影響を及ぼすことなく皮膜層でコーティングされた燃料噴射ノズルと、その製造方法を提供する。 - 特許庁