「diffusion-layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(76ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a manufacturing method of a thermoelectric element which is capable of forming a diffusion preventing layer which has an effect high enough for preventing the diffusion of elements into a thermoelectric material that contains, at least, one of elements, such as bismuth, tellurium, selenium, and antimony, and has also a high peeling strength.例文帳に追加

ビスマスと、テルルと、セレンと、アンチモンとの内の少なくとも１つを含む熱電材料に対して、元素の拡散防止効果が高く、且つ、剥離強度が高い拡散防止層を形成できる熱電素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

Consequently, a thyristor comprising a p^+ diffusion PD1 as the anode of the diode, the n-well NW1, a p well PW1, and an n^+ diffusion layer ND2 as the source of a transistor NMOS operates, to discharge the electrostatic surge to the ground terminal GND.例文帳に追加

この結果、ダイオードのアノードであるＰ^＋拡散層ＰＤ１、ＮウェルＮＷ１、ＰウェルＰＷ１及びトランジスタＮＭＯＳのソースであるＮ^＋拡散層ＮＤ２で構成されるサイリスタが動作し、静電サージは接地端子ＧＮＤへ逃がされる。 - 特許庁

Moreover in the light diffusion laminate board, the first resin layer 1 has a light diffusion function; and the microlens film 4 has a light condensing function for collecting an emitted light beam to increase the amount of light to be emitted in the direction.例文帳に追加

且つ前述の第一樹脂層１は光拡散機能を有し、一方のマイクロレンズフィルム層４は出射された光線を集束させてその方向への出射光量を増加させる集光機能を有する光拡散積層板である。 - 特許庁

The gas diffusion layers 2A, 2C are provided with a low thermal conductivity part so constructed as to have low conductivity at least at a part of a catalyst layer side, and a thermal conductivity of the gas diffusion layers 2A, 2C is set within the range of 0.2 to 1.0 W/mK.例文帳に追加

ガス拡散層２Ａ、２Ｃは、触媒層側の少なくとも一部に、熱伝導率が低くなるように構成された低熱伝導率部を有し、ガス拡散層２Ａ、２Ｃの熱伝導率が０．２〜１．０Ｗ／ｍＫの範囲に設定されている。 - 特許庁

The gas diffusion layer for a fuel cell has opening portions of the through holes 6 for gas diffusion in the metal plates, and the through holes 6 gradually taper from large-diameter portions 62 at both surfaces of the metal plates toward small-diameter portions 61 at the opening portions.例文帳に追加

この燃料電池用ガス拡散層は、ガス拡散用貫通孔６の貫通部分が金属板内部に存在し、貫通部分の小径部６１から上記の金属板表裏面に向かって徐々に大径の大径部６２となるテーパー状である。 - 特許庁

A reflection angle is made large, at an interface between the light-diffusion particle and the depletion part so that reflection of the fluorescent light converted by the scintillator layer 13 is produced in the small region, and suppresses lowering of the resolution or the luminance due to diffusion of the reflected light to long distance.例文帳に追加

光散乱性粒子と空乏部との界面での屈折角が大きくなり、シンチレータ層13により変換された蛍光の反射が小領域内で生じ、反射光の遠方拡散による解像度低下や輝度の低下を抑える。 - 特許庁

A gas diffusion electrode is activated by conducting electrolysis with the diffusion electrode as a cathode in an electrolytic solution to generate hydrogen and infiltrate the solution easily into the hydrophilic pore in the reaction layer of the electrode.例文帳に追加

ガス拡散電極を電解液中で陰極として電解を行い、水素を発生させることにより、ガス拡散電極の反応層内部の親水性細孔に電解液を進入しやすくすることを特徴とするガス拡散電極の活性化方法。 - 特許庁

To provide a high reliable semiconductor device which reduces the effect due to the diffusion of nitrogen and hydrogen from silicon nitride film for suppressing diffusion of metals from a metal wiring portion to an inter layer dielectric film, and to provide a manufacturing method for the device.例文帳に追加

金属配線部から、金属が層間絶縁膜に拡散することを抑制するためのシリコン窒化膜等から窒素や水素が拡散することによる影響を軽減した信頼性の高い半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

This is provided with a solid polyelectrolyte membrane, an anode electrode arranged on both main faces of the solid polyelectrolyte membrane, a cathode electrode, the anode electrode, anode gas diffusion layers arranged in the outside of the respective cathode electrodes, and a cathode gas diffusion layer.例文帳に追加

固体高分子電解質膜と、固体高分子電解質膜の両主面に配置されたアノード電極と、カソード電極と、アノード電極と、カソード電極それぞれの外側に配置されたアノードガス拡散層と、カソードガス拡散層とを備える。 - 特許庁

N-type first and second electrode diffusion layers 221 and 222 and a p-type third electrode diffusion layer 23 are formed in the same step as that at the time, when an n-channel or p-channel MOSFET source/drain region is formed.例文帳に追加

Ｎチャネル型やＰチャネル型のＭＯＳＦＥＴのソース／ドレイン領域の形成時と同一の工程でＮ型の第１電極用拡散層２２１及び第２電極用拡散層２２２、Ｐ型の第３電極用拡散層２３を形成する。 - 特許庁

In an SOI layer 30, an n^+-type source diffusion region 9 is formed adjacent to the p-type body region 3, and also, a p^+-type body contact diffusion region 7B(7A) is formed adjacent to the p-type body region protrusion 3a.例文帳に追加

ＳＯＩ層３０内において、Ｐ型ボディ領域３に隣接してソース側にＮ^+型ソース拡散領域９が形成されるとともに、Ｐ型ボディ領域突出部３ａに隣接してＰ^+型ボディコンタクト拡散領域７Ｂ（７Ａ）が形成される。 - 特許庁

Each of the plurality of pixels has a transmission region T of performing a transmission mode display by using light from the illumination element 10 and a reflection region R of performing a reflection mode display by using light from the observer side, and the liquid crystal display panel 20 has a first light diffusion layer 31 and a second light diffusion layer 32 which are disposed on the observer side than a liquid crystal layer 23.例文帳に追加

複数の画素のそれぞれは、照明素子１０からの光を用いて透過モードの表示を行う透過領域Ｔと、観察者側からの光を用いて反射モードの表示を行う反射領域Ｒとを有し、液晶表示パネル２０は、液晶層２３よりも観察者側に設けられた第１の光拡散層３１および第２の光拡散層３２を有する。 - 特許庁

The semiconductor device includes: a semiconductor region 12 formed on a semiconductor substrate 11; an element separation region 13 for separating the semiconductor region 12 from another region; a diffusion layer 14 formed in the upper part of the semiconductor region 12 and forming PN junction on a boundary with the semiconductor region 12; and a silicide layer 15 formed in the upper part of the diffusion layer 14.例文帳に追加

半導体装置は、半導体基板１１に形成された半導体領域１２と、半導体領域１２を他の領域から分離する素子分離領域１３と、半導体領域１２の上部に形成され、半導体領域１２との界面においてＰＮ接合を形成する拡散層１４と、拡散層１４の上部に形成されたシリサイド層１５とを備えている。 - 特許庁

This microlens sheet is constituted of a microlens array part 102 where a layer obtained by arraying a microlens formed into an optically concave or convex and rotation symmetry shape is arrayed, and a sheet layer where a diffusion sheet layer 105 is formed on the side of a light-emitting surface or the inside of the microlens array part 102 is filled with a diffusion agent, and the microlens is made into a rhomboidal shape.例文帳に追加

光学的に凹又は凸の回転対称な形状をしたマイクロレンズを配列した層を形成したマイクロレンズアレイ部１０２と、出射面側に拡散シート層１０５又は前記マイクロレンズアレイ部１０２の内部に拡散剤が入ったシート層とから構成されているマイクロレンズシートにおいて、前記マイクロレンズの形状をひし形にして配列するものである。 - 特許庁

The reflection layer 2 is formed by laminating a pigment-containing layer 21 containing pearl pigments of an average grain size 1 to 35 μm and a light diffusion layer 22 containing light transparent unpigmented spherical particles.例文帳に追加

半透過型反射層２は、光を反射し且つ透過し、平均粒径が１〜３５μｍのパール顔料を含有する顔料含有層２１と、光透過性の無着色球状粒子を含有する光拡散層２２とが積層されて形成されていることを特徴とする。 - 特許庁

This asymmetric porous polytetrafluoroethylene film for the filter is composed of a highly dense skin layer and an open-cell porous layer and characterized in that (1) the contact angle with respect to water of the surface of the skin layer is 120-140° and (2) the diffusion reflectivity of light is 91-94%.例文帳に追加

緻密性の高いスキン層、および連続気泡性の多孔質層からなり、（１）スキン層表面の水に対する接触角が１２０〜１４０°、（２）光の拡散反射率が９１〜９４％、であるフィルター用非対称性多孔質ポリテトラフルオロエチレン膜である。 - 特許庁

To provide an epitaxial wafer for a semiconductor light emitting element in which the amount of diffusion of Zn from a p-type contact layer to a p-type cladding layer and an active layer can be controlled, and to provide a semiconductor light emitting element fabricated employing the epitaxial wafer for the semiconductor light emitting element.例文帳に追加

ｐ型コンタクト層からｐ型クラッド層や活性層へのＺｎの拡散量をコントロールできる半導体発光素子用エピタキシャルウェハ、及びその半導体発光素子用エピタキシャルウェハを用いて作製される半導体発光素子を提供する。 - 特許庁

A second conductive padding diffusion layer 22 is formed in a part over the second conductive semiconductor layer 21 and the first conductive semiconductor layer 23 in a region where at least a first conductive high voltage system insulated gate version transistor B is formed.例文帳に追加

少なくとも第１導電型高電圧系絶縁ゲート型トランジスタＢを形成する領域の、第２導電型の半導体層２１と第１導電型の半導体層２３とに跨る部分に、第２導電型の埋め込み拡散層２２が形成されている。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a catalyst electrode layer in which a size of fine pores in a catalyst electrode layer is controlled and a gas diffusion property and a drainage property of generated water are improved and provide a manufacturing method of a high performance fuel cell using the above layer.例文帳に追加

本発明は、触媒電極層中の細孔の大きさを制御して、ガス拡散性、生成水の排出性が向上した触媒電極層、およびそれを用いた高性能な燃料電池の製造方法を提供することを主目的とするものである。 - 特許庁

A diffusion layer region 131 of a transistor 13, constituting a switch of a memory cell and a storage node 151 constituting one electrode of a capacitor 15 are formed of a thin layer 151a, containing oxygen and a layer 151b in which oxygen is not contained.例文帳に追加

メモリセルのスイッチを構成するトランジスタ１３の拡散層領域１３１と容量１５の一方の電極を構成するストレージノード１５１を酸素を含有する薄い酸素含有層１５１ａと酸素を含有していない酸素非含有層１５１ｂとから形成する。 - 特許庁

The gas diffusion layer includes a carbon nanotube structure, the carbon nanotube structure includes at least one carbon nanotube layer, and the carbon nanotube layer includes a plurality of carbon nanotubes which are arranged along the same direction.例文帳に追加

該ガス拡散層はカーボンナノチューブ構造体を含み、該カーボンナノチューブ構造体は、少なくとも、一つのカーボンナノチューブ層を含み、該カーボンナノチューブ層は、同じ方向に沿って配列された複数のカーボンナノチューブを含む燃料電池用膜‐電極接合体の製造方法。 - 特許庁

To obtain a method of measuring the film thickness of the surface layer of an electrophotographic photoreceptor which is unaffected by the light diffusion of fillers, suitable for measurement of a layer to be measured smaller in light absorption quantity and capable of measuring the film thickness of the surface layer even in a laminated state.例文帳に追加

電子写真感光体における表面層の膜厚測定方法において、フィラーの光拡散の影響を受けず、吸光量が少ない被測定層の測定にも適し、更に積層状態でも表面層の膜厚測定が可能な測定方法を得る。 - 特許庁

A gate line 7 is formed of a semiconductor material different from that of the channel layer 3 and making a PN junction with the channel layer 3 (a semiconductor material mainly composed of polysilicon) and the need for forming a gate diffusion layer by ion implantation is eliminated.例文帳に追加

ゲート配線７は、チャネル層３にＰＮ接合するチャネル層３とは異種の半導体材料（ここではポリシリコンを主成分とした半導体材料）によって形成されており、イオン注入によるゲート拡散層の形成を不要とした構成である。 - 特許庁

In the electrode electrolyte film bonding laminate 40 to which a electrode 10 equipped with a diffusion layer 12 and a catalyst layer 14 in both sides of a solid polyelectrolyte film 22 is bonded, 1st metalloxythan polymer 34a is introduced at least into one side of the catalyst layer 14.例文帳に追加

固体高分子電解質膜２２の両面に拡散層１２及び触媒層１４を備えた電極１０が接合された電極電解質膜接合体４０において、触媒層１４の少なくとも一方には、第１メタロキサンポリマ３４ａを導入する。 - 特許庁

The oxygen electrode 20 has a laminated structure of a diffusion layer 22 and a catalyst layer 23 on a current collector 21, and for example, palladium (Pd) and palladium alloy as a selective catalyst which is not reacted with a fuel and reacts with oxygen is included in the catalyst layer 23.例文帳に追加

酸素電極２０を、集電体２１上の拡散層２２および触媒層２３の積層構造とし、触媒層２３には、燃料とは反応しないが酸素と反応する選択性触媒として、例えばパラジウム（Ｐｄ）、およびパラジウム系の合金を含ませる。 - 特許庁

A p-type second well 23 and an n-type layer 24 in a stray diffusion layer type output circuit are formed in self-alignment ways to completely deplete the p-type second well 23 around the n-type layer 24 and eliminate the parasitic capacity around the peripheral part of the junction.例文帳に追加

浮遊拡散層型出力回路におけるｐ型第二ウエル２３とｎ型層２４を自己整合で形成することによって、ｐ型第二ウエル２３をｎ型層２４の周辺で完全に空乏化し接合周辺部分の寄生容量をなくした。 - 特許庁

The adhesive layer 60 includes a transparent film 62, a first adhesive layer 64 having the transparent film 62 provided on a surface facing a first optical sheet 38 (an optical reflection part 48) and a second adhesive layer 66 having the transparent film 62 provided on a surface facing the diffusion plate 32.例文帳に追加

粘着層６０は、透明フィルム６２と、透明フィルム６２が第１の光学シート３８（光反射部４８）に臨む面に設けられた第１粘着層６４と、透明フィルム６２が拡散板３２に臨む面に設けられた第２粘着層６６とを備えている。 - 特許庁

Thus, the nickel layer 114b functions as a diffusion prevention layer on the brazing stage, so that the generation of a four element based alloy layer of aluminum (Al), silicon (Si), iron (Fe) and chromium (Cr) on the joining member 114 can be suppressed.例文帳に追加

これにより、ろう付け工程時に、ニッケル層１１４ｂが拡散防止層として機能するので、ろう付け工程時において、アルミニウム（ＡＬ）、シリコン（Ｓｉ）、鉄（Ｆｅ）及びクロム（Ｃｒ）の４元素系合金層が接合部材１１４に発生してしまうことを抑制できる。 - 特許庁

CATALYST LAYER FOR FUEL CELL, CATALYST LAYER FOR FUEL CELL PROVIDED WITH SUBSTRATE USING THE SAME, GAS DIFFUSION ELECTRODE FOR FUEL CELL, LAMINATE OF CATALYST LAYER FOR FUEL CELL AND ELECTROLYTE MEMBRANE, MEMBRANE ELECTRODE ASSEMBLY FOR FUEL CELL, FUEL CELL AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME例文帳に追加

燃料電池用触媒層、及びそれを用いた基材付き燃料電池用触媒層、燃料電池用ガス拡散電極、燃料電池用触媒層−電解質膜積層体、燃料電池用膜電極接合体と燃料電池、並びにその製造方法 - 特許庁

CATALYST LAYER FORMING MATERIAL FOR FUEL CELL, CATALYST LAYER FOR FUEL CELL, CATALYST LAYER TRANSCRIPTION SHEET FOR FUEL CELL, GAS DIFFUSION ELECTRODE FOR FUEL CELL, MEMBRANE ELECTRODE ASSEMBLY FOR FUEL CELL, THEIR MANUFACTURING METHOD, AND FUEL CELL USING THEM例文帳に追加

燃料電池用触媒層形成材料、燃料電池用触媒層、燃料電池用触媒層転写シート、燃料電池用ガス拡散電極、および燃料電池用膜電極接合体、それらの製造方法、並びに、それらを使用した燃料電池。 - 特許庁

In the method of forming a wiring pattern of graphite film having a graphene structure, an alloy layer or a catalyst layer consisting of a laminate capable of reducing aggregation of catalyst layer and adjusting the diffusion velocity of carbon appropriately is utilized.例文帳に追加

触媒層の凝集を抑制し、また炭素の拡散速度を適切に速度に調節することができる合金層又は積層体からなる触媒層を利用して、グラフェン構造を有するグラファイト膜で構成された配線パターンの形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide such a field-effect transistor having an active layer composed of an oxide semiconductor that is capable of suppressing diffusion of electrode material into the active layer, achieving low electric resistance of the electrode material, and reducing damage to the active layer, and to provide a method of manufacturing the field-effect transistor.例文帳に追加

活性層中への電極材の拡散の抑制、電極材の低電気抵抗化、さらには活性層へのダメージ低減を図ることができる、酸化物半導体からなる活性層を有する電界効果型トランジスタ及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁

To make a high speed operation possible with small power consumption by reducing the junction capacitance of a diffusion layer region and a shallow well region, related to a DTMOS wherein lengthening of a gate depletion layer is suppressed and driving current is increased.例文帳に追加

ゲート空乏層の伸びを抑制して駆動電流を大きくしたＤＴＭＯＳにおいて、拡散層領域と浅いウエル領域の接合容量を低減し、より低消費電力で、高速動作を可能にする。 - 特許庁

To provide a semiconductor device, which has a Cu anti-diffusion layer having a relative dielectric constant of about 6 or smaller and having a satisfactory alignment with a wiring step and/or an etching stopper layer, and also to provide a method for manufacturing a semiconductor device.例文帳に追加

比誘電率が６程度以下で、しかも配線工程との整合性も良いＣｕの拡散防止層および／またはエッチングストッパー層を有する半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device with buried wiring that suppresses diffusion of the component of a cap metal layer formed on a Cu wiring layer onto an interlayer insulating film and also suppresses an increase in connection resistance.例文帳に追加

Ｃｕ配線層に形成したキャップメタル層による層間絶縁膜上への拡散を抑制でき、かつ、接続抵抗の上昇を抑制できる埋め込み配線を有する半導体装置の製造方法を得る。 - 特許庁

Since the source diffusion layer 15a and the well contact layer are adjacent to each other along the lengthwise direction, the forming region of source contact layers 14a, 14b in contact with them can be reserved in the lengthwise direction.例文帳に追加

ソース拡散層１５ａおよびウェルコンタクト層は、上記長手方向に沿って隣接しているため、これらに接するソースコンタクト層１４ａ、１４ｂの形成領域を上記長手方向に確保することができる。 - 特許庁

The p+ anode layer 3 allows p-type impurities to be subjected to ion implantation by an implantation depth of Lp with resist 11 having a number of openings with a mask, and is formed so that the p+ anode layer 3 is subjected to thermal diffusion and is mutually overlapped in the horizontal direction.例文帳に追加

ｐ^+ アノード層３は、多数の開口部を持つレジスト１１をマスクにｐ型不純物を注入深さＬp でイオン注入し、その後、熱拡散して互いに横方向で重なるように形成する。 - 特許庁

The silicide layer 12 is a low-resistance region, the second exposed regions 14R of the N^+-diffusion layer 14 are medium-resistance regions, and the exposed region 13R of the N-well 13 is a high-resistance region.例文帳に追加

シリサイド層１２は低抵抗領域を、Ｎ^＋拡散層１４の第二露出領域１４Ｒは中抵抗領域を、Ｎウェル１３の露出領域１３Ｒは高抵抗領域をそれぞれ形成している。 - 特許庁

Furthermore, a method for manufacturing an n^+-layer 11 and a p^+-layer 13 by applying both-side diffusion treatment to an n^--type wafer can be adopted and the production cost of a semiconductor device can be easily reduced.例文帳に追加

さらに、Ｎ^−型ウェーハに対して両面拡散処理を行ってＮ^＋層１１及びＰ^＋層１３を形成する製造方法の採用も可能になるので、半導体装置の製造コストの低減化も容易になる。 - 特許庁

The Schottky metal 5 and the insulating film 4 are formed on a guard ring 3 formed of a reverse conductivity diffusion layer, and a certain conductivity epitaxial layer 2 through a means such as evaporation or sputtering without bringing the Schottky metal 5 into contact with the insulating film 4.例文帳に追加

ショットキメタル５を絶縁被膜４に接触させることなく、蒸着，スパッタリング等の手段で逆導電型拡散層からなるガードリング３と一導電型エピタキシャル層２上に形成している。 - 特許庁

This structure further comprises a second barrier metal layer having a diffusion coefficient of the first barrier metal at 250°C of lower than 1×10E-14 cm2/s and a thickness of less than 1.5 μm on the first barrier metal layer.例文帳に追加

この構造は更に、第１のバリア金属層上に、第１のバリア金属の拡散係数が２５０℃において１×１０Ｅ−１４ｃｍ^2／ｓ未満、厚さが１．５μｍ未満である、第２のバリア金属層を含む。 - 特許庁

In an anode 20, both pores 211 in a catalyst layer 21 and pores 222 in a gas diffusion layer 22 are set to have a diameter distribution so that it may have a peak in a range of 0.1 μm or less.例文帳に追加

アノード２０において、触媒層２１における気孔２１１の気孔径並びにガス拡散層２２における気孔２２２の気孔径は共に、気孔径分布が０．１μｍ以下の範囲にピークを有するように設定されている。 - 特許庁

At least in the initial stage of the diffusion treatment, a decarburizing gas is introduced into the furnace, and the surface layer of the work inside the furnace is subjected to decarburization treatment, so that cementite in the surface layer of the work is reduced or removed.例文帳に追加

拡散処理のうちの少なくとも初期において、脱炭性ガスを炉内に導入して炉内のワークの表面層に脱炭処理を行い、ワークの表面層のセメンタイトを減少または除去する。 - 特許庁

The junction field effect transistor has a vertical structure and normally-off type on/off characteristics wherein a semiconductor substrate 1, a channel layer 3 and a source diffusion layer 9 are mainly composed of SiC.例文帳に追加

この接合型電界効果トランジスタは、縦型構造を有するとともに、ノーマリオフ型のオンオフ特性を有し、半導体基板１、チャネル層３およびソース拡散層９がＳｉｃを主成分として形成されている。 - 特許庁

In the silicon nitrided film 12a, a common source line 13 connected to the source diffusion layer 7a is formed by embedding, and on the silicon nitrided film 12b, a bit line 14 connected to the drain diffused layer 7b is formed.例文帳に追加

シリコン酸化膜１２ａにはソース拡散層７ａに接続される共通ソース線１３が埋め込み形成され、シリコン酸化膜１２ｂの上にはドレイン拡散層７ｂに接続されるビット線１４が形成される。 - 特許庁