「diffusion-layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(74ページ目) - Weblio英語例文検索

The intermediate layer 18 may contain Zr diffused from the solid electrolyte 16, and the amount of diffusion is 40 atom% at the maximum.例文帳に追加

この中間層１８には、固体電解質１６から拡散したＺｒが含まれることがあるが、その拡散量は、最大でも４０原子％に抑制される。 - 特許庁

MEMBRANE-ELECTRODE ASSEMBLY, MEMBRANE-ELECTRODE GAS DIFFUSION LAYER ASSEMBLY HAVING THE SAME, SOLID HIGH POLYMER FUEL CELL, AND MANUFACTURING METHOD FOR MEMBRANE-ELECTRODE ASSEMBLY例文帳に追加

膜電極接合体、及びこれを備える膜電極ガス拡散層接合体、固体高分子形燃料電池、並びに膜電極接合体の製造方法 - 特許庁

Finally, metallic wiring layers 122-124 having portions, which are embedded in the contact holes 121 and connected to the source-drain diffusion layer and gate electrode, are formed.例文帳に追加

そして、コンタクト孔１２１に埋設されソース−ドレイン拡散層及びゲート電極に接続された部分を有する金属配線層１２２〜１２４を形成する。 - 特許庁

Oxygen is introduced into a part of a surface layer of a semiconductor wafer by internal diffusion associated with a heat treatment in an atmosphere of an oxidized gas or ion implantation.例文帳に追加

半導体ウェーハの表層の一部に、酸化性ガスの雰囲気での熱処理に伴う内方拡散またはイオン注入によって酸素を導入する。 - 特許庁

A conductive cap layer 6 is selectively formed on the conductive layers 5 for interconnection, and serves as a barrier for diffusion of copper inside the conductive layers 5 for interconnection.例文帳に追加

導電性のキャップ層６は、配線用導電層５上に選択的に形成され、かつ配線用導電層５中の銅の拡散のバリアとして機能する。 - 特許庁

To obtain a sheet material having a photocatalyst function which is free of initial contamination due to diffusion of a plasticizer component and wherein hardening of a vinyl chloride resin layer does not occur.例文帳に追加

可塑剤成分の拡散による初期汚染の発生がなく、且つ塩化ビニル樹脂層の硬化が起こらない光触媒機能性シ−ト材を得る。 - 特許庁

To provide a substrate for solar cells which inhibits metal diffusion to a light absorption layer and has excellent productivity and high heat resistance.例文帳に追加

光吸収層への金属の拡散を抑制することができると共に、生産性に優れ、高い耐熱性を有する太陽電池用基板を提供する。 - 特許庁

An upper capacitor electrode 26 is formed on the porous ferroelectric film 10, and its electrode wire is connected to the diffusion layer of the cell transistor.例文帳に追加

上部容量電極２６はポーラス強誘電体膜１０上に形成され、その電極線はセルトランジスタ２２の拡散層に接続されている。 - 特許庁

Polytetrafluoroethylene, ethylenetetrafluoride-propylenehexafluoride copolymer and a conductive agent, are filled up on the whole porous base sheet as the gas diffusion layer.例文帳に追加

本発明のガス拡散層は、多孔質基材シート全体に、ポリテトラフルオロエチレン、四フッ化エチレン−六フッ化プロピレン共重合体及び導電剤が充填されている。 - 特許庁

To prevent increase in capacitance resulted from high permittivity of a plasma silicon nitride film used for preventing a diffusion of Cu on the interconnection in the lower layer Cu.例文帳に追加

下層Ｃｕの配線上にＣｕの拡散防止のために用いているプラズマシリコン窒化膜の高誘電率に起因する配線容量の増加を防止する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a liquid transport device having a piezoelectric actuator that suppresses diffusion of atoms of a base material to a drive portion of a piezoelectric layer.例文帳に追加

基材の原子が、圧電層の駆動部分に拡散するのを抑制する、圧電アクチュエータを有する液体移送装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To suppress damage on a membrane electrode assembly or a gas diffusion layer due to the load in aging processing when a fuel cell stack is manufactured.例文帳に追加

燃料電池スタックを製造する際に、エージング処理における荷重によって膜電極接合体やガス拡散層が破損することを抑制する。 - 特許庁

To effectively prevent characteristic deterioration of an element due to diffusion of a dopant by forming a carbon planar doped layer having a sharp impurity distribution in the vertical direction.例文帳に追加

縦方向における不純物分布が急峻な、炭素のプレーナドープ層を形成して、ドーパントの拡散による素子特性の低下を効果的に防止する。 - 特許庁

The field effect transistor has, on a diffusion layer 17, a source electrode 21, a drain electrode 22, and a gate electrode 20 provided between the source electrode 21 and drain electrode 22.例文帳に追加

拡散層１７上に、ソース電極２１と、ドレイン電極２２と、ソース電極２１とドレイン電極２２との間に設けられたゲート電極２０とを備える。 - 特許庁

Hydrogen atoms of the second insulation layer functioning mainly as a charge storage means can be prevented from diffusion, so that recording holding characteristic in passage of time can be improved.例文帳に追加

主に電荷蓄積手段として機能する第２絶縁層の水素原子が拡散することを防止できるため、経時での記録保持特性が向上する。 - 特許庁

To provide a conductive fine particle having a film layer of a suitable alloy composition using heat diffusion from multilayer structure and conductive connecting structure.例文帳に追加

多層構造からの熱拡散を用いて、適切な合金組成被膜層を有する導電微粒子及び導電接続構造体を提供する。 - 特許庁

To reduce fluctuation of thickness of a boron doping layer formed on a substrate, and to prevent a silicon substrate and a dummy silicon substrate from sticking to a diffusion source.例文帳に追加

シリコン基板に形成されるボロンドープ層の厚みのバラツキを小さくし、シリコン基板及びダミーシリコン基板の拡散源への貼り付きを防止すること。 - 特許庁

After a gate electrode 92 and a gate sidewall 101 are formed, an ion is vertically implanted into a substrate 81 to form a deep source/drain diffusion layer 112.例文帳に追加

ゲート電極９２及びゲート側壁１０１を形成後、基板８１に対して垂直にイオン注入し深いソース−ドレイン拡散層１１２を形成する。 - 特許庁

A dispersion liquid with the obtained powder dispersed in a dispersion medium is prepared and the dispersion liquid is used to form a catalyst layer of the gas diffusion electrode.例文帳に追加

そして、得られた粉末を分散媒中に分散させた分散液を調製し、この分散液を用いてガス拡散電極の触媒層を形成する。 - 特許庁

The very shallow impurity diffusion layer is formed by conducting an annealing process using RLSA plasma, after performing carrying out ion implantation process at low energy.例文帳に追加

極浅の不純物拡散層は、低エネルギーでのイオン打ち込み工程の後、ＲＬＳＡプラズマを用いたアニール工程を行うことにより形成される。 - 特許庁

To obtain a diffusion layer for a fuel cell having high water repellency and excellent gas diffusibility and water-discharging properties without applying a special water-repellent treatment.例文帳に追加

特別の撥水化処理を施すことなく、高撥水性を備えかつガス拡散性と排水性に優れた、燃料電池用の拡散層を得る。 - 特許庁

To provide a semiconductor device that has a barrier layer excellent in adhesion with copper and in copper diffusion prevention performance, and a manufacturing method for the semiconductor device.例文帳に追加

銅との密着性および銅拡散防止性能に優れるバリア層を有する半導体装置、および、その半導体装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁

To improve characteristics of a semiconductor apparatus, specifically to reduce interconnection resistance, and to reduce diffusion of an interconnection material into a semiconductor layer which constitutes the semiconductor apparatus.例文帳に追加

半導体装置の特性の向上、特に、配線の低抵抗化、また、配線材料の半導体装置を構成する半導体層への拡散の低減を図る。 - 特許庁

An image sensor covers a transfer gate and a floating diffusion layer as the blocking to protect a photodiode on a diode region is expanded laterally.例文帳に追加

本発明のイメージセンサはダイオード領域上にフォトダイオードを保護するブロッキングが側方に拡張されてトランスファゲート及び浮遊拡散層まで覆う。 - 特許庁

The current diffusion layer (6) consists of multiple laminations of first and second layers (9), (10) including a heterojunction for obtaining a two dimensional electron gas effect.例文帳に追加

電流分散層（６）は２次元電子ガス効果を得るためのヘテロ接合を含む複数の第１及び第２の層（９）、（１０）の積層体からなる。 - 特許庁

To provide means for stabilizing the overlap quantity of a low concentration diffusion layer beneath the gate electrode of a semiconductor electrode and for refining the semiconductor element.例文帳に追加

半導体素子のゲート電極下の低濃度拡散層のオーバラップ量を安定させると共に半導体素子の微細化を図る手段を提供する。 - 特許庁

To provide a heterojunction bipolar transistor capable of maintaining high reliability over a long term by effectively suppressing the diffusion of Au to an epitaxial layer.例文帳に追加

Ａｕのエピタキシャル層への拡散を効果的に抑制して、長期間にわたり高い信頼性を維持できるヘテロ接合バイポーラトランジスタを提供する。 - 特許庁

To provide a technique for easily forming a region of dopant element diffusion with respect to a silicon substrate or a silicon layer formed on a substrate.例文帳に追加

シリコンからなる基板または基板上に形成されたシリコン層に対して、ドーパント元素が拡散されてなる領域を容易に形成する技術を提供する。 - 特許庁

Then, an N^+ diffusion layer 12 is formed on the exposed uneven surface like an inverted pyramid 112, and the oxide film 16 is removed.例文帳に追加

フォトレジスト１７を除去した後に、露出させた逆ピラミッド１１２状の凹凸にＮ^+ 拡散層１２を生成し、その後に酸化膜１６を除去する。 - 特許庁

An NMOSFET is equipped with an Si-Ge layer 12 sandwiched in between N+ drain/source diffusion layers 11 formed inside an Si substrate 10.例文帳に追加

ＮＭＯＳＦＥＴは、Ｓｉ基板１０の内部にトランジスタのソース又はドレインであるｎ^+ 拡散層１１に挟まれてＳｉ−Ｇｅ層１２が形成されている。 - 特許庁

A buffer circuit 11, comprising an operational amplifier having a one-time amplification degree to the parasitic capacitor Cj between the n-type diffusion layer 2 and the P well 4, is provided.例文帳に追加

ｎ型拡散層２とＰウェル４との間の寄生容量Ｃｊに対して、１倍の増幅度をもつオペアンプからなるバッファ回路１１が設けられている。 - 特許庁

To provide a solid-state imaging apparatus that prevents noise from being generated by a floating diffusion layer while preventing a decrease in sensitivity, and to provide a manufacturing method thereof.例文帳に追加

感度の低下を防止しながら浮遊拡散層におけるノイズの発生を防止する固体撮像装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

This protective film 5 functions as the implantation barrier layer for the carrier or the protective film for preventing the diffusion (infiltration) of the impurity into the high-withstand-voltage insulating film 4.例文帳に追加

この保護被膜５は、キャリアの注入バリア層あるいは耐圧絶縁膜４への不純物の拡散（侵入）を防止する保護被膜として機能する。 - 特許庁

In IGBT, a first emitter diffusion layer 9 is installed in a direction crossing trenches 4 arranged in stripe shapes.例文帳に追加

ストライプ状に設けられたトレンチ４に対して、トレンチ４と交差する方向に第１エミッタ拡散層９が設けられたＩＧＢＴが構成されている。 - 特許庁

To provide a semiconductor storage device and a manufacturing method of the same which improves reliability by inhibiting secondary electrons generated in a channel region of the semiconductor storage device using a diffusion layer for a bit line.例文帳に追加

ビット線に拡散層を用いる半導体記憶装置のチャネル領域に発生する２次電子を抑制して信頼性を向上できるようにする。 - 特許庁

The material is exposed by using an exposure mask having an aperture for half exposure consisting of a number of slits in a portion to be the lower layer of the diffusion reflection electrode and is cured.例文帳に追加

拡散反射電極の下層となる部分に多数のスリットからなるハーフ露光用開口部を有する露光マスクを用いて露光し、硬化させた。 - 特許庁

The Schottky structure to be formed on the gallium arsenide semiconductor is formed of the gallium arsenide semiconductor substrate, a titanium metal layer to form distributed Schottky contacts on the gallium arsenide semiconductor substrate, a diffused barrier layer to prevent diffusion of metal layer through distribution on the titanium metal layer, and cuprous metal layer distributed on the diffused barrier layer to form the Schottky structure.例文帳に追加

ヒ化ガリウム半導体基板と、該ヒ化ガリウム半導体基板上に分布してショットキー・コンタクトを形成するチタン金属層と、該チタン金属層上に分布して金属層の拡散を防ぐ拡散バリア層と、該拡散バリア層上に分布してショットキー構造を形成する第１銅金属層とによりヒ化ガリウム半導体上に形成されるショットキー構造を構成する。 - 特許庁

In the refrigerant compressor using R600a (isobutane) as an operating refrigerant, a DLC coating layer is formed by forming a pure chrome film layer as a lower layer, forming a tungsten carbide layer and an Me-DLC layer as intermediate layers, and performing DLC treatment to the top part so as to surely form a diffusion layer in the surface of a base material relative to a connecting rod made of a chrome-molybdenum steel.例文帳に追加

作動冷媒にＲ６００ａ（イソブタン）を用いた冷媒圧縮機において、クロムモリブデン鋼で作製したコンロッドに対して、基材表面に拡散浸透層を確実に形成できるようにするため、下層に純クロムの膜層、中間層としてタングステンカーバイト層，Ｍｅ−ＤＬＣ層を形成し、最上部にＤＬＣ処理を施し、ＤＬＣコーティング層を形成する。 - 特許庁

The method for manufacturing the solar battery element having a diffusion layer 2 and an anti-reflection layer 3 on the surface of a semiconductor substrate 1 removes a damage layer 11 by performing chemical treatment after forming on the semiconductor layer 1 the damage layer 11 penetrating the anti-reflection layer 3 by performing physical processing above the anti-reflection film 3.例文帳に追加

半導体基板１の表面に、拡散層２と反射防止膜３を有する太陽電池素子の製造方法において、前記反射防止膜３上から物理的処理を施すことによって、前記半導体基板１に前記反射防止膜３を貫通したダメージ層１１を形成した後に、化学的処理を施すことによって前記ダメージ層１１を除去することを特徴とする。 - 特許庁

The laminated copper foil is manufactured through a step 1 for laminating a Ni plating layer and a Sn plating layer in this order at least on a part of the copper or copper alloy base material, a step 2 for forming the NiSn alloy layer on the boundary surface of the Ni plating layer and the Sn plating layer by a diffusion reaction, and a step 3 for removing the residual Sn plating layer.例文帳に追加

該積層銅箔は、銅又は銅合金箔基材上の少なくとも一部にＮｉめっき層及びＳｎめっき層をこの順に積層する工程１と、該Ｎｉめっき層及びＳｎめっき層の界面に拡散反応によってＮｉＳｎ合金層を形成する工程２と、残留Ｓｎめっき層を除去する工程３とを行うことによって製造することができる。 - 特許庁

The gas diffusion layer 5 for the fuel cell, for diffusing reaction gas supplied from a reaction gas distributing plate to a catalyst layer, includes a porous base layer 51 with gas permeability arranged at a side opposed to the distributing plate of the reaction gas, and a porous pore control layer 52 with gas permeability laminated on the base layer so as to be positioned at a side opposed to the catalyst layer.例文帳に追加

燃料電池用ガス拡散層５は、反応ガスの配流板から供給される反応ガスを触媒層に拡散させるためのものであり、反応ガスの配流板に対向する側に配置されるガス透過性を有する多孔質のベース層５１と、触媒層に対向する側に位置するようにベース層に積層されたガス透過性を有する多孔質の細孔制御層５２とを有する。 - 特許庁

The fuel cell includes a membrane/electrode assembly 1 including an anode 6 that includes an anode catalytic layer 11, and an anode gas diffusion layer 12 provided on one surface of the anode catalytic layer, a cathode 5 that includes a cathode catalytic layer 8, and a cathode gas diffusion layer 9 provided on one surface of the cathode catalytic layer, and an electrolyte membrane 7 disposed between the anode catalytic layer 11 and the cathode catalytic layer 8.例文帳に追加

アノード触媒層１１、及び、前記アノード触媒層の一方の面に面して設けられたアノードガス拡散層１２を含むアノード６と、カソード触媒層８、及び、前記カソード触媒層の一方の面に面して設けられたカソードガス拡散層９を含むカソード５と、前記アノード触媒層１１及び前記カソード触媒層８の間に配置された電解質膜７とを含む膜電極接合体１を備え、前記アノード触媒層１１及び前記カソード触媒層８は、少なくとも一方の貴金属重量密度が０．２ｇ／ｃｃ以上０．８ｇ／ｃｃ以下であり、かつ下記（１）式を満たすことを特徴とする燃料電池。 - 特許庁

An N-type well diffusion layer 8 is formed by ion-implanting N-type dopants using a first resist mask to cover only an NMOS forming region Rnm, and then a P type well diffusion layer 11 is formed by ion-implanting P-type dopants using a second resist mask 9 to cover only a PMOS forming region Rpm.例文帳に追加

ＮＭＯＳ形成領域Ｒnmのみを覆う第１のレジストマスクを用いてＮ型不純物のイオン注入を行なって、Ｎ型ウェル拡散層８を形成した後、ＰＭＯＳ形成領域Ｒpmのみを覆う第２のレジストマスク９を用いて、Ｐ型不純物のイオン注入を行なって、Ｐ型ウェル拡散層１１を形成する。 - 特許庁

Over the entire topside of the semiconductor substrate, an amorphous silicon film containing conductive type impurities is deposited, an elevated source/drain diffusion layer is formed by solid-phase epitaxial growth of the amorphous silicon film, through succeeding to the crystal orientation of the semiconductor substrate, and a pMOS transistor and an nMOS transistor are formed by using this diffusion layer.例文帳に追加

半導体基板の上面全体に、導電型不純物を含むアモルファスシリコン膜を堆積し、半導体基板の結晶方位を受け継ぎながらアモルファスシリコン膜を固相エピタキシャル成長させてエレベーテッド・ソース／ドレイン拡散層を形成し、この拡散層を用いてpMOSトランジスタとnMOSトランジスタを形成する。 - 特許庁

The method has a process for implanting a prescribed amount of phosphor onto a semiconductor substrate, performing heat treatment for diffusing phosphor, and forming a source-drain diffusion layer; and a process for implanting a prescribed amount of halogen element or smaller into the source-drain diffusion layer, and performing heat treatment for diffusing the halogen element in this order.例文帳に追加

半導体基板に所定量のリンを注入し次いでリンを拡散させる熱処理を行って、ソース・ドレイン拡散層を形成する工程と、ソース・ドレイン拡散層内に、所定量以下のハロゲン元素を注入し次いでハロゲン元素を拡散させる熱処理を行う工程とをこの順に有する。 - 特許庁