「edge region」に関連した英語例文の一覧と使い方(24ページ目) - Weblio英語例文検索

A region discriminating part 12 is provided with a dot discriminating part 21, a base level discriminating part 22, an average brightness calculating part 23, an edge discriminating part 24, a threshold calculating part 25, a comparing part 27 and an AND circuit 30.例文帳に追加

領域判別部１２に、網点判別部２１と、下地レベル判別部２２と、平均明度算出部２３と、エッジ判別部２４と、閾値算出部２５と、比較部２７と、ＡＮＤ回路３０とを設ける。 - 特許庁

The abutting section where upper rollers (the upper roller 16a, the lower roller 16b, the upper turn roller 43) are abutted on the film F, is abutted only on the side edge which is outside the screen region of the film F.例文帳に追加

また、上記ローラ（上部コロ１６ａ、下部コロ１６ｂ、入口ローラ４２、上部ターンローラ４３）が、フィルムＦに当接する当接部は、フィルムＦの画面領域の外側である側縁部にのみ当接する。 - 特許庁

Furthermore, a light blocking metal 18 is disposed so as to surround the periphery of a light receiving section 4 and also disposed in a region between the surface emitting laser 1 and the inner edge of the light receiving section 4.例文帳に追加

さらに、受光部４外周を囲むように遮光メタル１８が設けられると共に、受光部４の内周と面発光レーザ１との間の領域にも遮光メタル１８が設けられている。 - 特許庁

A resist R1 covering a gate insulating film 13 on the active region AR in the high withstand voltage MOS transistorregion 1A with a part of the edge positioning on the layer 1b is formed on the film 13, the active region AR in the low withstand voltage MOS transistor region 1B is exposed by removing the film 13, and a gate insulating film 13B is formed.例文帳に追加

高耐圧ＭＯＳトランジスタ領域１Ａにおけるアクティブ領域ＡＲ上のゲート絶縁膜１３を覆い且つエッジの一部が半導体層１ｂ上に位置するレジストＲ１をゲート絶縁膜１３上に形成し、ゲート絶縁膜１３を除去することで低耐圧ＭＯＳトランジスタ領域１Ｂにおけるアクティブ領域ＡＲを露出させ、ゲート絶縁膜１３Ｂを形成する。 - 特許庁

An arranging method for an interrupting material 64 in a second span directional region 48 in a leading edge region of airfoil includes expanding of a bubble in a second environment of half vacuum by providing an impingement hole 56 adjacent to a region R having apprehension formed with the bubble 72, so as to exhaust at least part of the bubble 72 through this hole.例文帳に追加

エアフォイル１０の前縁領域２２における第２の翼幅方向領域４８に遮断材料６４を配置する方法は、気泡７２が形成されるおそれのある領域Ｒに隣接してインピンジメント孔５６を設け、この孔を通して気泡７２の少なくとも一部が排気されるように、この気泡を半真空の第２の環境において膨張させることを含む。 - 特許庁

A first area A1 where liquid crystals 51 are vertically aligned is formed covering the whole pixel region P and not extending beyond the pixel electrode 9, and a second area A2 where liquid crystals 52 are horizontally aligned is formed in the light shield region BM, the second area A2 being formed on the peripheral edge 9b protruding to the light shield region BM of the pixel electrode 9.例文帳に追加

画素領域Ｐ全体を含み、かつ画素電極９上をこえない範囲に、液晶５１を垂直配向させた第１のエリアＡ１が形成され、遮光領域ＢＭには、液晶５２を水平配向させた第２のエリアＡ２が形成され、この第２のエリアＡ２は、画素電極９の遮光領域ＢＭに張り出した周縁部９ｂ上に形成されている。 - 特許庁

Each memory cell in the edge memory blocks has a data storage capacitor of which the capacitance is larger than that of the data storage capacitor of each memory cell in the central side memory blocks, and the data storage capacitor of each memory cell in the edge memory blocks has a surface region wider than that of the data storage capacitor of each memory cell in the central side memory blocks.例文帳に追加

エッジに位置したメモリブロック内のメモリセルは隣接した中央側メモリブロック内のメモリセル内のデータストレージキャパシタよりさらに大きな静電容量を有したデータストレージキャパシタを含み、該データストレージキャパシタは中央側メモリセル内のデータストレージキャパシタよりさらに広い表面領域を有する。 - 特許庁

By this setup, the etching solution is prevented from flowing into a device forming a region located at the center of the wafer W, and a metal thin film formed on the under peripheral edge, end face, and upper peripheral edge of the wafer W is removed by the etching solution flowing from the undersurface to the top surface of the wafer W at the same time.例文帳に追加

これにより、ウエハＷの上面中央部のデバイス形成領域にエッチング液が流れ込むのを防止しつつ、ウエハＷの下面から上面に回り込むエッチング液により、ウエハＷの下面周縁部、端面および上面周縁部に形成された金属薄膜を除去することができる。 - 特許庁

The tape carrier 3 has a center portion 3a and peripheral edge portions 3b, the center portion 3a being a region where the semiconductor element is flip-chip connected to wiring 4 and the peripheral edge portions 3b being bent from respective sides of the center portion 3a toward the top surface of the carrier substrate 5 to extend onto bonding pads 6.例文帳に追加

テープキャリア３は中央部３ａ及び周縁部３ｂを有し、中央部３ａは半導体素子が配線４にフリップチップ接続された領域であり、周縁部３ｂは中央部３ａの各辺からキャリア基板５の上面へ向かって屈曲されてボンディングパッド６の上まで延びている。 - 特許庁

The processing region T2 includes: a lower chuck 100 for placing the lower wafer W_L on an upper surface for holding; an upper chuck 101 for holding the upper wafer W_U on a lower surface; and a pressing member 120 for allowing one edge of the lower wafer W_L to abut on one edge of the upper wafer W_U for pressing when the wafers W_U, W_L are joined.例文帳に追加

処理領域Ｔ２には、上面に下ウェハＷ_Ｌを載置して保持する下部チャック１００と、下面に上ウェハＷ_Ｕを保持する上部チャック１０１と、ウェハＷ_Ｕ、Ｗ_Ｌの接合時に下ウェハＷ_Ｌの一端部と上ウェハＷ_Ｕの一端部とを当接させて押圧する押動部材１２０とが設けられている。 - 特許庁

The edge susceptors 723 arranged in an annular region facing the edge of the wafer W, and the outer periphery susceptors 724 on the outside thereof are made of an material which is opaque from ultraviolet ray to infrared ray and has a thermal conductivity larger than that of quartz, e.g. silicon (Si), sintered ceramics (sintered SiC), or a metal (e.g. AlN).例文帳に追加

ウエハＷの端縁部に対向する円環状の領域に配置されるサセプタ端縁723と、その外側のサセプタ外周724とは、石英よりも熱伝導率が大きく、紫外線から赤外線にかけて不透明な素材であるシリコン（Ｓｉ）、焼結セラミックス（焼結ＳｉＣ）、金属（例えばＡｌＮ）などから作られる。 - 特許庁

An electroplating layer of the same density with the wiring board site region 50 is formed on the edge 60, and plating metal never separates out concentrating on the edge 60, so that a thickness difference between an electrolating layer formed on an adjacent wiring board site 51 and another electroplating layer formed on a wiring board site located at a more inside than the wiring board site 51 becomes smaller.例文帳に追加

端縁部６０にも配線基板部位領域５０と同様のメッキ密度で電解メッキ層が形成され、端縁部６０にメッキ金属の析出の集中がなくなるため、隣接する配線基板部位５１とそれより内側の配線基板部位の電解メッキ層の厚さの差が小さくなる。 - 特許庁

The lowermost elastic member 21c of the front elastic members and a lowermost elastic member 22c of the rear elastic members are in a state of tension in the front edge section 23a and the rear edge section 23b of leg openings, and the portion of the crotch region 8 between the pair of two leg openings is in a slackened state.例文帳に追加

前方弾性部材のうちの最下部弾性部材２１ｃと後方弾性部材のうちの最下部弾性部材２２ｃとは、脚回り開口の前縁部分２３ａと後縁部分２３ｂとにおいて緊張状態にあり、一対の脚回り開口の間にある股下域８の部分において弛緩した状態にある。 - 特許庁

The screen comprises a multi-curved Fresnel lens (103) which, when viewed in cross-section along the or each longest line linking two points on the edge of the lens, has a curved cross-section with an apex in the central region of the lens, and wherein each end of the curve flattens before it reaches the edge of the lens.例文帳に追加

スクリーンは、レンズの縁部の２つの箇所を連結する最長の線または各最長の線に沿った断面で見た場合に、レンズの中央領域に頂点を有する湾曲された断面を有するマルチカーブのフレネルレンズ（１０３）を備え、湾曲部の各端部が、それがレンズの縁部に至る手前で平坦状になる。 - 特許庁

When film deposition is performed to a transparent substrate, to a transparent substrate in which the edge parts of at least confronted two sides are chamfered, CVD treatment is performed under the temperature condition of ≥500°C in such a manner that the film to be formed elongates to the connection part of the chamfered region of the edge part connected with the other face.例文帳に追加

透明基板に成膜を行う際、少なくとも対向する２辺のエッジ部分が面取りされている透明基板に対して、５００℃以上の温度条件下、形成される膜が他方の面と接続されるエッジ部分の面取り領域の接続部分まで延在するようにＣＶＤ処理を行う。 - 特許庁

A third portion A3 corresponding to the third region of the light-emitting device WM is composed to have such a distribution of transmission coefficients that the transmission coefficient for light in the certain wavelength decreases from an edge of the first portion side toward an edge of the second portion side within a range of the first to the second transmission coefficients.例文帳に追加

前記発光装置ＷＭのうち前記第３領域に対応した第３部分Ａ３は、前記波長の光に対する透過率が前記第１乃至第２透過率の範囲内で前記第１部分側の端から前記第２部分側の端へ向けて減少する透過率分布を有するように構成されている。 - 特許庁

In the bandpass characteristics of a bandpass filter 7, this structure has a function for applying a gradient to a flat frequency characteristic region between each resonance trap electrodes on the low frequency edge side and the high frequency edge side, so that the intensity of the passing signal increases or decreases continuously according to the frequency.例文帳に追加

該構造により、バンドパスフィルタ７の帯域通過特性において、低周波端側及び高周波端側の各共振トラップ極の間に挟まれた平坦周波数特性領域に、通過信号強度が周波数に応じて連続的に増加ないし減少する勾配を付与する機能を果たす。 - 特許庁

In this case, when at least either of changing speeds Va and Vb is out of an allowable range (exceeding a threshold value ±α) while monitoring the changing speed Va and Vb of the edge positions Ea and Eb detected by the edge position detectors 11 and 12, this region is determined as an unsteady portion and meandering correction control is stopped (subjected to a hold).例文帳に追加

その際、エッジ位置検出器１１，１２で検出したエッジ位置Ｅａ，Ｅｂの変位速度Ｖａ，Ｖｂを監視し、変位速度Ｖａ及びＶｂの少なくとも一方が許容範囲外であるとき（閾値±αを超えているとき）、この部位を非定常部として蛇行修正制御を停止（ホールド）する。 - 特許庁

At the time of secondary injection, the molding surface Ya of a mold is set so that the outer surface of a secondary injection region becomes a recessed state by A as compared with the outer end edge (corner part) 2g of the lens part 2 and, by secondarily injecting a resin material 5 in this state, the resin material 5 is prevented from exceeding the outer end edge 2g to penetrate.例文帳に追加

二次射出する際に、二次射出領域の外面がレンズ部２の外端縁（コーナー部）２ｇよりＡだけ凹陥状になるように金型の型面Ｙａを設定し、この状態で樹脂材５を二次射出することで、樹脂材５が前記外端縁２ｇを越えてまで浸入しないようにした。 - 特許庁

The first curved part 110 extends over the second curved part 120 and intersects it and thereby the end edge 141 of the second straight part 140 and the end edge 151 of the third straight part 150 are positioned in a region surrounded by the first straight part 130, the fourth straight part 160 and the joining part 170.例文帳に追加

第１湾曲部１１０が第２湾曲部１２０の上に延びて交差することにより、第２直線部１４０の末端縁１４１と第３直線部１５０の末端縁１５１は、第１直線部１３０と第４直線部１６０と連結部１７０とによって取り囲まれた領域内に位置づけられている。 - 特許庁

The image processor detects dot color edge region pixel from a plurality of pixels, which constitute an image and allots dot by a second dot allotting unit so as to form a dot whose size is determined, according to thea distance from the edge in the image.例文帳に追加

画像処理装置は、画像を構成する複数の画素からドット色エッジ領域画素を検出し、画像の印刷の際にドット色エッジ領域画素に対して、前記複数サイズのドットの内の、前記画像におけるエッジからの距離に応じて定まるサイズのドットが形成されるように、第２のドット割り当て部によりドットを割り当てる。 - 特許庁

High reflecting films 2-1 to 2-4 are not provided for unwanted light that leaks out and propagates through a region other than the active layer where a required light propagates, so that unwanted light hardly reflects from the rear edge face 7.例文帳に追加

所望の光の伝搬する活性層以外の領域に漏れて伝搬する不要光に対しては、高反射膜２−１〜２−４が形成されていないので、後端面７からの反射はほとんどなくなる。 - 特許庁

The light receiving element 1 is arranged, on the upper surface thereof, with an electrode 10 for placing the light emitting element and a light receiving region 4 wherein a heavily doped impurity layer 11 is formed along the edge of the electrode 10 for placing the light emitting element.例文帳に追加

上面に発光素子配置用の電極１０と受光領域４を備える受光素子１であって、前記素子配置用電極１０の縁に沿って高濃度不純物層１１を形成した。 - 特許庁

Further, a swollen part swollen from the end edge of an opening of an insulation film formed on the upper side of the collector region is formed at the opening of a base leading layer, and the swollen part connects the intrinsic base layer to the base leading layer.例文帳に追加

さらに、ベース引出し層の開口に、コレクタ領域の上面に形成した絶縁膜の開口部の端縁よりも張出した張出し部を形成し、この張出し部で、真性ベース層とベース引出し層とを接続する。 - 特許庁

To provide a paper to be bound which enables an index seal to be accurately pasted in order at a visible position along the edge of the paper by specifying the paste region of the index seal on the paper to be bound in advance and accurately pasting the index seal on a plurality of filed papers.例文帳に追加

用紙の縁に精度良く貼り付けることができ、かつファイルに綴じた複数の用紙に貼り付けたインデックスシールが、用紙の縁に沿って順序良く見易い位置に貼付けできる綴り用紙を提供する。 - 特許庁

Edge extraction processing is applied to a region including any one cell existing in an image specified by a user in a phase difference image of the cell (step S20), and a profile of the cell is obtained (step S30).例文帳に追加

細胞の位相差画像において、使用者によって指定された画像内に存在する任意の１つの細胞を含む領域内に対してエッジ抽出処理し（ステップＳ２０）、細胞の輪郭を得る（ステップＳ３０）。 - 特許庁

The cutting planes 4 making an angle of 22.5 degrees with the edge line 2 are respectively formed on the surface 3 on the mating side on each of the end parts of the double-edged type die set blade 1 in a corner part region F made of two 45 degrees corner parts.例文帳に追加

２つの４５度の角部からなる角部領域Ｆでは、両刃型ダイセット刃１の各端部における突き合せ側の表面３に、エッジライン２と２２．５度の角度をなす切断面４がそれぞれ形成される。 - 特許庁

On the formation surface of active layer, an InP embedded layer 34 is continuously provided from the side edge of the active layer in the central region to the ridge side surface, as a semiconductor laser whose band gap energy is larger than that of the active layer.例文帳に追加

活性層の形成面では、活性層よりもバンドギャップ・エネルギーの大きい半導体層として、ＩｎＰ埋め込み層３４が、中央領域の活性層の側縁からリッジ側面まで連続して設けられている。 - 特許庁

To provide a cooling structure for a trailing edge region of a rotor blade, having an acceptable level of capability of being cast for its manufacture, as well as blade stress and metal temperature at an acceptable level under the running conditions.例文帳に追加

製造において許容できる鋳造性を有するとともに、運転条件において許容できるレベルのブレード応力及び金属温度を有する、ロータブレードの後縁領域のための冷却構造を提供する。 - 特許庁

The slits 43 are arranged on a region in the neighborhood of the window-like opening part 100 such that a circular shape at one side edge part of both end parts in the longitudinal direction is located inside the window-like opening part 100.例文帳に追加

窓状開口部１００の近傍領域においてスリット４３は、その長手方向の両端部のうちの片側端部の円弧形状が窓状開口部１００の内側になるように配置される。 - 特許庁

To improve defective ink affinity of the front edge part of an image region in the direction of progress of processing in a method for developing a printing plate in which a photographically formed silver halide image is applied as lipophilicity and ink acceptability.例文帳に追加

写真的に形成されたハロゲン化銀像を親油性、インキ受容性として応用する印刷版の現像処理方法に於いて、画像部の処理進行方向先端部のインキ乗り不良を改良する。 - 特許庁

At that time, at least the both edge parts of the lengthwise direction of a hard mask 5a are covered with the resist mask 10, and at least the whole part of the hard mask 5a immediately above the active region 1 is exposed in the opening 11.例文帳に追加

このとき、少なくともハードマスク５ａの長さ方向の両端部分がレジストマスク１０に覆われ、且つ、開口部１１に少なくともハードマスク５ａにおける活性領域１真上の部分全体が露出する。 - 特許庁

In the light guide plate 2 to be used for the edge light type backlight system, a base region A with a specified width extending from the end face 21 on the incident side in a base reflection plane 22 is formed into a diffusion plane by abrasive blasting treatment or the like.例文帳に追加

エッジライト式のバックライトシステムに用いる導光板２では、その底面反射面２２における、入光側の端面２１から所定幅の底面領域Ａが、ブラスト処理等によって拡散面とされている。 - 特許庁

The erection part 13 is a portion formed while erecting in the shape of a series of plates at the side edge of the entire first region A1 from the position of one hole 12 in the bottom plate 11 to the position of the other hole 12.例文帳に追加

起立部１３は、底板部１１における一方の孔１２の位置から他方の孔１２の位置までに渡る第一領域Ａ１全体の側方の縁部に、起立して一連の板状に形成された部分である。 - 特許庁

A non-binding region having no glue is disposed to continuously exist along the conveyance direction upon image recording, on the glue layer 3 and, therefore, a part 7 having no glue is formed on the edge part of the recording medium 10.例文帳に追加

前記糊層３には、糊がない非接合領域が、画像記録時の搬送方向に沿って連続して存在するように設けられているため、記録媒体１０の端部には糊のない部分７が形成される。 - 特許庁

A clearance 1/2(L_BM-L_EL) from an edge of a light-emitting region 11R, 11G, 11B to an aperture 24 of a light-shielding film 22 in at least one self light emitting element is made different from those in other self light-emitting elements.例文帳に追加

少なくとも一つの自発光素子の、発光領域１１Ｒ，１１Ｇ，１１Ｂ端から遮光膜２２の開口２４までの表示面内方向の離間距離１／２（Ｌ_BM−Ｌ_EL）を、他の自発光素子とは異ならせる。 - 特許庁

A recess part deeper than a height of a convex part is formed on a region, which is on a surface of the support substrate and which includes a part, corresponding to the convex part generated at an edge part of the semiconductor film, when the semiconductor film and a supporting substrate are jointed.例文帳に追加

支持基板の表面であって、半導体膜と支持基板とを接合したときに半導体膜のエッジ部に生じる凸部に対応する部分を含む領域に凸部の高さよりも深い凹部を形成する。 - 特許庁

When the position at the present time is within the entire edge region (Step S14 is affirmative), the acceleration DVc is calculated based on the present moving speed Vc(m) and the previous target speed Vt(m-1) (Step S22).例文帳に追加

現時点の位置が全エッジ領域内である場合（ステップＳ１４が肯定）、今回の目標速度Ｖｔ（ｍ）及び前回の目標速度Ｖｔ（ｍ−１）に基づき加速度ＤＶｃを算出する（ステップＳ２２）。 - 特許庁

The detectors are installed at a plurality of positions isolated in the circumferential edge of the display screen, and the rays of light of a prescribed wavelength band including an invisible region are scanned along the display screen, and the reflected rays of light are detected.例文帳に追加

検出器は、表示画面の周縁にて離間した複数の位置に設けられ、それぞれ、表示画面に沿って、不可視領域を含む所定の波長帯域の光を走査し、光の反射光を検出する。 - 特許庁

The protection film 15 of a resin system is formed from an external side of the protrusion 141 by the peripheral edge of the electrode pad 12 to a region on the inner side of the protrusion 142 by the guard ring 13 on the passivation film 14.例文帳に追加

パッシベーション膜１４上において、樹脂系の保護膜１５が電極パッド１２周縁による隆起部１４１の外側からガードリング１３による隆起部１４２の内側の領域にわたって形成されている。 - 特許庁

A doped semiconductor layer 40 is deposited, by using a plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) to form a self-aligned junction at the edge of a self-aligned insulating region, thereby executing highl-accuracy gate/lead matching.例文帳に追加

ドープ半導体層４０をプラズマエンハンスト化学蒸着法（ＰＥＣＶＤ）を用いて付着し、自己整合絶縁領域のエッジで自己整合接合を生成することにより高精度なゲート／リード整合を行う。 - 特許庁

When a position of a carriage at the present time is within a reference edge region (Step S14 is negative), an acceleration DVc is calculated based on a present moving speed Vc(m) and the previous moving speed Vc(m-1) (Step S16).例文帳に追加

キャリッジの現時点の位置が基準エッジ領域内である場合（ステップＳ１４が否定）、今回の移動速度Ｖｃ（ｍ）及び前回の移動速度Ｖｃ（ｍ—１）に基づき加速度ＤＶｃを算出する（ステップＳ１６）。 - 特許庁

A side face 3a of the low dielectric film 3 is positioned inside a device side face 31 in a peripheral edge compared to an element region 11a on an upper face of the semiconductor substrate 5, and irradiated with a laser beam.例文帳に追加

半導体基板５の上面のうち素子領域１１ａよりも周縁で、低誘電体膜３の側面３ａは、装置側面３１よりも内側に位置しており、レーザ光が照射されて形成されている。 - 特許庁

In a carrier generation region 15 of the photoconductive film 12 wherein carriers are generated by photoexcitation, the first electrode 13 and the second electrode 14 are in contact by the edge or are separated when viewed from the thickness direction of the photoconductive film 12.例文帳に追加

光励起によりキャリアが発生する光伝導膜12のキャリア発生領域15において、光伝導膜12の膜厚方向から見て、第1電極部13と第2電極部14は、互いの縁が接するか或いは離隔している。 - 特許庁

A rectangular substrate 10 having a uniform plate thickness has, in its peripheral edge region 10a, an inclined surface 11 where an upper surface of the substrate 10 is inclined in a lower-surface direction of the substrate toward an end surface 10c of the substrate 10.例文帳に追加

均一な板厚を有する矩形状の基板１０の周縁部領域１０ａに、基板１０の上面が基板１０の端面１０ｃに向けて基板の下面方向に傾斜した傾斜面１１を有している。 - 特許庁