「emission laser」に関連した英語例文の一覧と使い方(23ページ目) - Weblio英語例文検索

Since the inclination angle (θ) of the first inclined surface 12A1 is set in the specific range, the first inclined surface 12A1 never overlaps with an emission line of a laser beam even when this package 2 is compact, whereby operability in laser processing is not degraded.例文帳に追加

また、第一傾斜面１２Ａ１の傾斜角度（θ）を上記特定の範囲としたから、パッケージ２を小型化した場合にも、第一傾斜面１２Ａ１がレーザービームの照射線上に重なることがないので、レーザー加工の際の操作性が低下しない。 - 特許庁

In the optical pickup, a space is formed between the electronic circuit board 2 and the optical pickup case 4, and the laser driver IC 3 which controls the light emission of the semiconductor laser is mounted on the electronic circuit board close to the optical pickup case.例文帳に追加

光ピックアップ装置によると、電子基板２と光ピックアップ筐体４の間に空間が形成されるように配置され、半導体レーザの発光を制御するレーザドライバIC３は、光ピックアップ筐体に近接するように、電子基板に装着される。 - 特許庁

Such a laser can be aligned so that a specific beam distortion, which is provided by the SDSF tuning element at a tunable wavelength, is required to obtain minimum round trip cavity loss, thereby providing tunable laser emission.例文帳に追加

このようなレーザは、最小の往復キャビティ損失を得るために、同調可能な波長でＳＤＳＦ同調素子によってもたらされる特定のビーム歪が必要となるように配置することができ、その結果、同調可能なレーザ発光が得られる。 - 特許庁

A value of a bias current always flowing in the semiconductor laser is forced to be lowered in a range not greater than one dot time for forming a minimum dot in synchronism with an OFF timing of print data for controlling the emission of the semiconductor laser.例文帳に追加

半導体レーザに常時流すバイアス電流値を半導体レーザの発光を制御する印字データのＯＦＦタイミングに同期して最小ドットを形成する１ドット時間以下の範囲で強制的に前記バイアス電流値より低下させる。 - 特許庁

The synchronous detection 11 is composed of a photodiode 9, and an optical member, which shows reverse characteristic to the spectral sensitivity characteristics of the photodiode 9, is arranged in the optical path of the laser beam L, from the emission point on the laser diode 1 up the arrival on the photodiode 9.例文帳に追加

該同期検知センサ１１をフォトダイオード９から構成し、該フォトダイオード９の分光感度特性と逆特性を示す光学部材を、レーザダイオード１から出射したレーザビームＬがフォトダイオード９に到達するまでの光路内に配置する。 - 特許庁

To provide a mark forming method of a semiconductor device capable of making a lower face of a silicon substrate other than its recess flat, even when an unnecessary material is formed to the lower face of the silicon substrate in the case of forming a mark comprising the recess through laser processing by emission of a laser beam to the lower face of the silicon substrate.例文帳に追加

シリコン基板の下面にレーザ照射によるレーザ加工により凹部からなるマークを形成したとき、シリコン基板の下面に不要物が形成されても、シリコン基板の凹部以外の下面を平坦化することができるようにする。 - 特許庁

Before laser property obtaining processing after turning-on of a power source, it is confirmed that light quantity can be detected correctly, when light quantity is not detected correctly due to abnormality of a detection system path, emission of the laser beam after that is not performed.例文帳に追加

電源投入後のレーザー特性取得処理前に、光量を正しく検出できていることを確認させ、検出系経路の異常により、光量が正しく検出されない場合は、その後のレーザー発光は行わないことにする。 - 特許庁

On the other hand, the light of a second semiconductor laser LD2 which is a red semiconductor laser is reflected by a first beam splitter BS1, and made incident on the collimator lens CL without being passed through the beam shaping element BSL to change an emission angle.例文帳に追加

一方、赤色半導体レーザである第２半導体レーザＬＤ２の光は、第１ビームスプリッタＢＳ１により反射させてビーム整形素子ＢＳＬを通過することなくコリメートレンズＣＬに入射させて発散角を変更させることができる。 - 特許庁

The recording medium attachment part 100 has a window 101 made of general glass or plastic and with sufficient transparency, a window cover 102 to the window 101 and a laser emission part 103 which emits laser to perform recording, reproduction to the recording medium.例文帳に追加

記録媒体装着部１００は、一般的なガラスやプラスチック製で十分な透過性の窓１０１と、窓１０１に対する窓カバー１０２と、記録媒体に対して記録・再生を行うためにレーザーを発光するレーザー発光部１０３とを備える。 - 特許庁

To provide an optical glass having particularly excellent laser resistance as an optical glass for transmitting ultraviolet rays by using an inexpensive and general purpose chlorine-based silane compound to suppress absorption/emission caused by the irradiation with ≤300 nm excimer laser.例文帳に追加

安価でかつ汎用の塩素系シラン化合物を用いて、波長３００ｎｍ以下のエキシマレーザー照射による吸収・発光の生成を抑え、紫外光透過用光学ガラスとして、特に耐レーザー特性に優れた光学ガラスの提供する。 - 特許庁

To provide an apparatus for measuring the concentration of a gas component for measuring the concentration of the target component in a desired section by acquiring a sufficiently large light detection value even if a laser emitting device enhanced in emission laser intensity or a large-sized condenser is not used.例文帳に追加

射出レーザ強度の高いレーザ射出装置や大型集光装置を使用しなくても、十分に大きい光検出値を取得して、所望区間における対象成分の濃度を測定できる気体成分濃度測定装置を提供する。 - 特許庁

The concentration measuring instrument is equipped with an emission control part for controlling a laser diode, which emits the laser beam to a measuring target so that the wavelength of the laser beam may be modulated by a first modulation wave and a light reception processing part for acquiring the light reception signal from a photodiode receiving the laser beam transmitted through the measuring target and measuring the concentration of the measuring target on the basis of the light reception signal.例文帳に追加

計測対象に向けてレーザ光を出射するレーザーダイオードを、前記レーザ光の波長が第１変調波により変調されるように制御する発光制御部と、前記計測対象を透過した前記レーザ光を受光するフォトダイオードから受光信号を取得し、前記受光信号に基づいて、前記計測対象の濃度を計測する受光処理部とを具備する。 - 特許庁

To obtain a laser oscillator or a laser amplifier, utilizing stimulated emission transition between two energy levels higher than the ground level, in which amplification operation can be effected over a wider wavelength band, by shifting the gain peak wavelength of the laser amplifier or the oscillation wavelength of the laser oscillator to the long wavelength side.例文帳に追加

本発明は、基底準位より高い２つのエネルギー準位間の誘導放出遷移を利用するレーザ発振器またはレーザ増幅器において、レーザ増幅器の利得ピーク波長またはレーザ発振器の発振波長を長波長側にシフトさせることにより、より広い波長帯域での増幅動作が可能なレーザ増幅器およびレーザ発振器を提供することを目的とする。 - 特許庁

The semiconductor laser controller includes a semiconductor laser, a photodetecting element which photodetects part of the light output of the semiconductor laser, an amplifier which amplifies a monitor signal as the output signal of the photodetecting element, and a circuit part which controls the output of the semiconductor laser so that the monitor signal amplified by the amplifier becomes equal to a light emission level control signal.例文帳に追加

半導体レーザ制御装置は、半導体レーザと、半導体レーザの光出力の一部を受光する受光素子と、受光素子の出力信号であるモニタ信号を増幅する増幅器と、増幅器により増幅されたモニタ信号と発光レベル制御信号とが等しくなるように半導体レーザの出力を制御する回路部を含むことを特徴とする。 - 特許庁

A short-pulse light source 1 emits anomalous output light LAp composed of an anomalous peak APK and an anomalous slope ASP with emission light intensity smaller than that of the anomalous peak APK as laser beam LL from a semiconductor laser 3 by applying a laser drive voltage DJ consisting of a pulse of drive voltage pulse DJW to the semiconductor laser 3.例文帳に追加

本発明は、短パルス光源１は、半導体レーザ３にパルス状の駆動電圧パルスＤＪｗでなるレーザ駆動電圧ＤＪを半導体レーザ３に対して印加することにより、パルス状の特異ピークＡＰＫと当該特異ピークＡＰＫと比して出射光強度の小さい特異スロープＡＳＰとからなる特異出力光ＬＡｐをレーザ光ＬＬとして半導体レーザ３から出射させる。 - 特許庁

The apparatus includes: a light emission controlling part for controlling a laser diode emitting laser light toward a measuring object so that a wavelength of the laser light is modulated by a modulating wave with the frequency f; and a light reception processing part that acquires a light reception signal from a photodiode receiving the laser light that has passed through the measuring object and calculates a concentration of the measuring object based on the light reception signal.例文帳に追加

計測対象に向けてレーザ光を出射するレーザダイオードを、前記レーザ光の波長が周波数ｆの変調波で変調されるように制御する、発光制御部と、前記計測対象を透過した前記レーザ光を受光するフォトダイオードから受光信号を取得し、前記受光信号に基づいて前記計測対象の濃度を算出する受光処理部とを具備する。 - 特許庁

The apparatus includes: a light emission controlling part for controlling a laser diode emitting laser light toward a measuring object so that a wavelength of the laser light is modulated by a predetermined waveform; and a light reception processing part that acquires a light reception signal from a photodiode receiving the laser light that has passed through the measuring object and calculates a concentration of the measuring object based on the light reception signal.例文帳に追加

計測対象に向けてレーザ光を出射するレーザダイオードを、前記レーザ光の波長が所定の波形で変調されるように制御する、発光制御部と、前記計測対象を透過した前記レーザ光を受光するフォトダイオードから受光信号を取得し、前記受光信号に基づいて前記計測対象の濃度を算出する受光処理部とを具備する。 - 特許庁

In a laser module, having a laser module body 30 mounted on a metallic housing, while mounting a laser diode chip 41 having an emission center 411 in a resin package 31, a chip lead part 21 for mounting the laser diode chip 41 is coupled with frame support part 24, 25 for fixing the laser module body 30 to the housing via coupling parts 27, 28 and formed as a lead frame part 29.例文帳に追加

金属製の筐体上に搭載され、発光中心点４１１をもつレーザダイオードチップ４１を樹脂製のパッケージ３１内に搭載したレーザモジュール本体３０を有するレーザモジュールにおいて、レーザダイオードチップ４１を搭載するチップリード部分２１は、レーザモジュール本体３０を筐体に対して取り付けるためのフレーム支持部２４，２５と連結部分２７，２８を介して連結され一体化されて、リードフレーム部分２９として形成される。 - 特許庁

To improve light utilization efficiency in tolerance allocation and to achieve high output of emission power as a drive by using a present semiconductor laser with a simple structure and suppressing variance in the emission direction of the distribution of the light source intensity.例文帳に追加

単純な構成により、現状の半導体レーザを用いて、その光源強度分布の出射方向のバラツキを抑えることによって、公差配分上の光利用効率を向上させるとともに、ドライブとしての出射パワーの高出力化を達成する。 - 特許庁

A means 15 is provided, which calculates slope value of the original IL characteristic of semiconductor laser 3 by detecting emission result of erasing power DC in multi-stage recording-power emission recording in test write performed by optimum recording power determination means 10, and stores the slope value.例文帳に追加

最適記録パワー決定手段１０で実施する試し書き領域での記録パワー多段階発光記録の消去パワーＤＣ発光結果を検出することで、半導体レーザー３が持つ本来のＩＬ特性の傾きを算出し、記憶する手段１５を設ける。 - 特許庁

A passive mode-locked semiconductor laser 10 is equipped with a gain region 17 for generating an induced emission light, and a saturable absorption region 18 for partially absorbing an induced emission light for mode-locking the induced emission light generated by the gain region 17, where the regions 17 and 18 are provided between a pair of clad layers 12 and 13.例文帳に追加

一対のクラッド層１２および１３間に形成された誘導放出光を生成するための利得領域１７および該利得領域で生成された誘導放出光のモード同期のために誘導放出光を部分的に吸収するための可飽和吸収領域１８を備える受動モード同期半導体レーザ１０。 - 特許庁

In the light-emitting body, a light-emitting section 7 provides phosphor films 76a, 76b on which phosphors for light emission by receiving laser beams are accumulated on a metal plate 75 having a prescribed shape.例文帳に追加

発光部７は、所定の形状を有する金属板７５に、レーザ光を受けて発光する蛍光体を堆積させた蛍光体膜７６ａおよび７６ｂが形成されている。 - 特許庁

To provide a DFB laser that has high output and emission efficiency, has a narrow spectrum line width, shows an improved single vertical mode, and has a configuration so that it can be manufactured with high production yield.例文帳に追加

出力及び発光効率が高く、スペクトル線幅が狭く、良好な単一縦モード性を示し、しかも高い製品歩留りで作製できる構成を備えたＤＦＢレーザを提供する。 - 特許庁

To provide an image forming apparatus, wherein uneven density in a formed image is reduced by suppressing quantitative variation of light emitted to the surface of a photoreceptor drum due to laser light emission delay.例文帳に追加

レーザ発光遅延による感光ドラムの表面に照射される光の光量のバラツキを抑制し、形成された画像の濃度ムラを低減させる画像形成装置を提供する。 - 特許庁

Accordingly, the crystal defect that might otherwise be introduced in the semiconductor substrate 2 and an active layer 12 due to strain etc., can be restrained, resulting in suppression of the degradation of light emission characteristics of a semiconductor laser element 1.例文帳に追加

したがって、歪み等によって半導体基板２や活性層１２に結晶欠陥が生じることを抑え、半導体レーザ素子１の発光特性の劣化を抑止できる。 - 特許庁

Moreover, even if the crystal retainers 2 on both sides of the laser beam outgoing radiation surface are so constituted as to project from the injection and emission face of nonlinear optical crystal 1, similar effect can be obtained.例文帳に追加

また、レーザ光入出射面の両側の結晶保持体２を非線形光学結晶１の入出射面より突出させるように構成しても同様の効果が得られる。 - 特許庁

A lamination film 20F of a film 21F having a high refractive index such as AlN, and an Al_2O_3 reflectance adjustment film 22F is formed from the side of a laser structure 10 on a main emission side end face 10F.例文帳に追加

主出射側端面１０Ｆに、レーザ構造部１０の側から、ＡｌＮ等の高屈折率膜２１ＦとＡｌ_2 Ｏ_3 等の反射率調整膜２２Ｆとの積層膜２０Ｆを形成する。 - 特許庁

To provide an optical head device which can prevent deposition of contaminations on the surface of an emission lens and decrease in the output of laser light for exposure, and keep favorable drawing accuracy, resolution or inspection capability.例文帳に追加

出射レンズの表面部に異物が付着することを防止し、露光のためのレーザ光の出力の低下を防ぎ、また、描画精度、解像力、または、検査能力を良好に維持する。 - 特許庁

To provide a surface emission laser element of good temperature characteristics for a high output operation, along with an optical transmitter using the same, and to provide an optical transceiver and an optical communication system.例文帳に追加

温度特性が良好で、高出力動作が可能な面発光レーザ素子、面発光レーザ素子を用いた光送信器、光送受信器および光通信システムを提供すること。 - 特許庁

A measuring object (floor surface in this example) is irradiated with laser beam sources 1a and 1b alternately irradiate the multislit light, according to a timing signal outputted from a light emission control part 3.例文帳に追加

発光制御部３から出力されるタイミング信号に応じて、レーザ光源１ａおよび１ｂが交互にマルチスリット光を測定対象物体（本例においては床面）に照射する。 - 特許庁

Each luminous body of the emission section emits a laser beam as a visual light in parallel toward the scanning direction from each opening 4 provided in a side face 3 of the case 1 in the scanning direction.例文帳に追加

照射部の各発光体は、ケース１の走査方向側の側面３に設けられた各開口部４から、走査方向に向かって可視光としてのレーザ光を平行に照射する。 - 特許庁

When a screw shaft 38 screwed to the supporting body 34 is rotated by a step motor 40, the pentagonal prism 30 is moved to a position facing a desired laser emission port 26.例文帳に追加

ステップモータ４０により、支持体３４と螺合しているねじ軸３８を回転させると、ペンタプリズム３０を希望のレーザ出射口２６に正対する位置へ移動させることができる。 - 特許庁

A spherical aberration correction optical system 106 which includes two lenses of a first lens 104 and a second lens 105 is provided along an emission optical axis 107 of a BD laser light source 101.例文帳に追加

ＢＤレーザ光源１０１の出射光軸１０７に沿って第１のレンズ１０４、第２のレンズ１０５の２枚のレンズからなる球面収差補正光学系１０６を設ける。 - 特許庁

To provide a surface emission type laser technique having a structure which prevents oxidation from a side surface of an AlGaAs layer, AlAs layer or the like which constitutes a lower DBR reflector or the like and has a high Al composition.例文帳に追加

下部ＤＢＲ反射鏡等を構成するＡｌ組成の高いＡｌＧａＡｓ、ＡｌＡｓ等の層の側面からの酸化を防ぐ構造を有する面発光型レーザ技術の提供。 - 特許庁

To provide a semiconductor laser of large output power in which variation of oscillating conditions by variation of external optical conditions such as dirt on the emission edge face or the arrangement of optical parts is reduced.例文帳に追加

出射端面の汚れや光学部品の配置等の外部の光学的条件の変化による発振条件の変動を低減した大出力の半導体レーザを提供する。 - 特許庁

The laser light which is emitted from the long focus lens 14 and of which the light flux diameter is gradually narrowed passes through an emission port 75 and an incident port 74 or the like, and hits the sample S without interception.例文帳に追加

長焦点のレンズ１４から出て徐々に光束径が絞られるレーザ光は出射口７５、入射口７４などを通過し、遮られることなくサンプルＳに当たる。 - 特許庁

The mirror is adjusted such that the two laser beams are each reflected at one of the dichroic surfaces 63 and 64, to cause a spatial separation of two beam focusing points 65 and the two emission beam bundles.例文帳に追加

該ミラーは、２つのレーザビームが一方の表面６３，６４でそれぞれ反射するように調整され、２つの焦光ポイント６５および２つの発光ビーム束の空間分離を生じさせる。 - 特許庁

SURFACE LIGHT EMISSION TYPE SEMICONDUCTOR LASER, MANUFACTURING METHOD OF THE SAME, MODULE, LIGHT SOURCE DEVICE, INFORMATION PROCESSING APPARATUS, OPTICAL TRANSMISSION APPARATUS, OPTICAL SPACE TRANSMISSION APPARATUS, AND OPTICAL SPACE TRANSMISSION SYSTEM例文帳に追加

面発光型半導体レーザ、面発光型半導体レーザの製造方法、モジュール、光源装置、情報処理装置、光送信装置、光空間伝送装置および光空間伝送システム。 - 特許庁

To provide an optical pickup device and an optical information processor which control the output of a laser beam so that object emission power is constant, even if the coupling efficiency of an objective lens changes.例文帳に追加

対物レンズでの結合効率が変化しても、対物出射パワーが一定になるように、レーザ光の出力を制御する光ピックアップ装置および光情報処理装置を提供する。 - 特許庁

The radioactive rays absorption layer 12 is strongly heated by being exposed to a laser beam, so that the gas generation layer 14 is activated creating an abrupt emission and expansion of gas-like decomposition products.例文帳に追加

放射線吸収層12は、レーザ光に曝露されると強く加熱され、これによりガス発生層14が活性化され、ガス状分解生成物の急激な放出と膨張を生ずる。 - 特許庁

To provide a laser drive device capable of satisfactorily suppressing the occurrence of noise, such as unwanted emission, by input or the like of unneeded codes and expressing a write strategy under the management of timing.例文帳に追加

不要なコードの入力などによる不要輻射などのノイズの発生を好適に抑制しつつ、好適なタイミングの管理のもとライトストラテジを表現し得るレーザ駆動装置を提供する。 - 特許庁

A surface-emission laser diode LD, a reflecting unit ML1, a lens LE, two reflecting units ML2, a reflecting unit ML3, and a plurality of photodiodes PD are formed on a board 1.例文帳に追加

基板１上には、面発光型レーザダイオードＬＤ、反射装置ＭＬ１、レンズＬＥ、２つの反射装置ＭＬ２、反射装置ＭＬ３および複数のフォトダイオードＰＤが形成されている。 - 特許庁

Current that is less than the threshold of laser emission is allowed to flow to the temperature detection section, and temperature change in the end face is detected from the current of voltage change at the temperature detection section.例文帳に追加

そして、前記温度検出部にレーザ発光のしきい値未満の電流を流し、前記温度検出部の電流値或いは電圧値の変化から前記端面の温度変化を検出する。 - 特許庁

The lens array 40 has a plurality of 1st lenses arrayed along a long axis, each 1st lens is arranged corresponding to a light emission part 12 of each laser group in each short-axial direction.例文帳に追加

レンズアレイ４０は、複数の第１レンズを長軸方向に配列した構成を有し、各第１レンズは、短軸方向毎のレーザグループ毎の発光部１２に対応させて配置されている。 - 特許庁

To materialize an optical semiconductor element which can control an induced emission characteristic in response to a particle size of a ZnO quantum dot (ZnO ultrafine particle), and is applicable to various laser devices.例文帳に追加

ＺｎＯ量子ドット（ＺｎＯ超微粒子）の粒子径に応じて誘導放出特性を制御することができ、種々のレーザ装置に応用可能な光半導体素子を実現する。 - 特許庁