「emission laser」に関連した英語例文の一覧と使い方(21ページ目) - Weblio英語例文検索

A laser light emitted from a laser light emission part 45 and reflected in a partial region of a lower face of a semiconductor wafer W is further reflected by a mirror face 19a of a reflection part 19, and made to arrive at the partial region.例文帳に追加

レーザ光出射部４５から出射されて半導体ウェハーＷの下面の一部領域で反射されたレーザ光を反射部１９の鏡面１９ａによってさらに反射して当該一部領域に到達させる。 - 特許庁

According to the semiconductor laser device 1, an optical constitution can be simplified since each emission light from the stacked-semiconductor laser element 2 is affected at once by the lenses 5, 6.例文帳に追加

このような半導体レーザ装置１によれば、スタック型半導体レーザ素子２が出射する各光はＹ軸方向作用光学レンズ５、Ｘ軸方向作用光学レンズ６により一括して作用を受けるので、光学系の構成が簡略化する。 - 特許庁

To make the intervals of light emission points between semiconductor element small and prevent the influence of heat generated by the heat generating semiconductor laser elements on the other semiconductor layer elements in a semiconductor device which comprises a plurality of such semiconductor laser elements.例文帳に追加

複数の半導体レーザ素子を有する半導体装置において、半導体レーザ素子間の発光点間隔を小さくすると共に、半導体レーザ素子から発生する熱が他の半導体レーザ素子に及ぶことを防止する。 - 特許庁

Alternatively, a laser emission treatment 17 in which the YAG laser is emitted to the wheel decorative surface 4 is performed after the wheel is formed in the predetermined wheel shape for removing the oxide film stuck to the wheel decorative surface 4 before painting.例文帳に追加

又は、所定ホイール形状に成形した後に、ホイール意匠面４にＹＡＧレーザーを照射するレーザー照射処理工程１７を実施することにより、塗装前に、ホイール意匠面４に付着している酸化皮膜を除去する。 - 特許庁

Light emission of the lighting of the laser diode 26A is forcibly stopped by a signal from a TMDS signal detection part 100 and a reception condition signal (LOP signal) from a reception module 14 by a laser stop control part 102.例文帳に追加

レーザーダイオード２６Ａの点灯は、レーザー停止制御部１０２によって、ＴＭＤＳ信号検知部１００からの信号と受信モジュール１４からの受信状態信号（ＬＯＰ信号）により、発光を強制的に停止する。 - 特許庁

On an optical pickup 4 for converting reflected light of laser beams emitted on a disk to an electric signal, an objective lens 42 operating the emission of the laser beams and the receipt of the reflected light, and a biaxial actuator 43 for driving the objective lens 42 are arranged.例文帳に追加

ディスクに照射したレーザ光の反射光を電気信号に変換する光学ピックアップ４に、レーザ光の照射及び反射光の受光を行う対物レンズ４２、対物レンズ４２を駆動する２軸アクチュエータ４３を設ける。 - 特許庁

A waveform shaping circuit to make an overshoot occur in an light output waveform of a laser, namely to make the starting intensity of light at the start of LD lighting stronger than in the steady-state lighting is provided in each emission point of a multi-beam laser array.例文帳に追加

マルチビームレーザアレイの各発光点毎に、レーザの光出力波形にオーバーシュートを発生させる、つまり、ＬＤ点灯開始時の立ち上がりの光強度を定常点灯時よりも強くするための波形整形回路を設ける。 - 特許庁

Thus, a laser, capable of reducing the fluctuation of the output current value of the monitor light-receiving element due to the switching of the mode can be provided, and to easily design the overall control circuit system, while precisely controlling the laser emission.例文帳に追加

モードの切り替えによるモニタ受光素子の出力電流値変動が小さいレーザ装置を提供することができ、レーザ発光を精密に制御しつつ制御回路系全体の設計を容易に行うことが可能となる。 - 特許庁

The surface emission laser element 100 has an active layer 4 and an upper DBR mirror 7 as a dielectric multilayer film mirror 7 which are laminated on a substrate 1 wherein the upper DBR mirror 7 has a surface roughness exhibiting a predetermined reflectivity for a laser beam emitted from the surface emission laser element 100 at least on one interface in a dielectric multilayer film constituting the upper DBR mirror.例文帳に追加

面発光レーザ素子１００は、基板１上に積層された活性層４と誘電体多層膜ミラーとしての上部ＤＢＲミラー７とを備え、上部ＤＢＲミラー７は、それを構成する誘電体多層膜内の少なくとも１つの界面に、面発光レーザ素子１００が射出するレーザ光に対して上部ＤＢＲミラー７が所定反射率となる表面粗さを有する。 - 特許庁

To provide an image forming apparatus configured to use a multibeam laser, which controls a light amount and detects a scanning start timing, while eliminating an overlap of light emission periods among light emission points, even if a rotation speed of a polygon mirror is changed.例文帳に追加

マルチビームレーザを使用する構成であって，ポリゴンミラーの回転速度を変更する場合でも，発光点間での発光期間の重なりを排除しつつ光量制御や走査開始タイミングの検知ができるようにした画像形成装置を提供すること。 - 特許庁

To provide a semiconductor laser and an optical pickup, in which the optical path difference suitable for the emission wavelength can be ensured even in a common optical system, when two semiconductor lasers having different emission wavelengths are mounted on the same submount.例文帳に追加

同一のサブマウント上に発光波長が互いに異なる２つの半導体レーザを実装する場合に、共通の光学系においても発光波長に適した光路差を確保することが可能な半導体レーザ装置および光ピックアップを提供する。 - 特許庁

The light generated inside the helium gas in its plasma state in the laser irradiation is transmitted from an optical fiber 15 to an analyzing section 16, and the hydrogen contained in the measurement region is analyzed quantitatively from the emission intensity of an emission wavelength of the hydrogen.例文帳に追加

レーザー照射中においてプラズマ化したヘリウムガスの内部で発生する光を光ファイバ１５から分析部１６に伝送し、水素の発光波長の発光強度に基づいて測定部位に含まれる水素を定量的に分析する。 - 特許庁

To provide a light emitting element driving circuit which realizes rapid operation of a light emitting element while improving a duty cycle and ringing of a light emission signal of the light emitting element such as a semiconductor laser.例文帳に追加

半導体レーザなどの発光素子の発光信号のデューティ比やリンギングの改善を図りつつ、発光素子の高速動作が可能な発光素子駆動回路の提供。 - 特許庁

Since the lower end of the heat dissipating member 12 is fixed to the heating metal board 3 by a fixing means 18, a laser emission reference level L is set to the top surface of the metal board 3.例文帳に追加

放熱部材１２の下端を放熱用金属盤３に固定手段１８で固定したので、レーザ出射基準面Ｌが金属盤３の上面に設定される。 - 特許庁

To provide a light emitting element driving circuit capable of increasing a light emission pulse width of an LD (Laser Diode), allowing a low voltage, and preventing an overshoot and an undershoot of an output current.例文帳に追加

ＬＤの発光パルス幅を広くすると共に、低電圧化を可能とし、出力電流のオーバーシュート及びアンダーシュートを抑制する発光素子駆動回路を提供する。 - 特許庁

To provide an optical system for a laser beam emission at a low cost with which system an adjustment of the spacing distance between condensed light spots in a range from zero to approximately 30 mm is possible.例文帳に追加

安価でありながら、集光点スポットの間隔をゼロから３０ｍｍ程度までの間で調整することが可能なレーザ出射光学系を提供する。 - 特許庁

To provide a formation method of a semiconductor laser element, which is improved in controllability in both of a horizontal light radiation angle and a light emission point interval.例文帳に追加

水平方向の光放射角、および、発光点間隔の両方の制御性を向上させることが可能な半導体レーザ素子の形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a laser gas analyzer maintaining a high-speed measurement and allowing a zero-span calibration inexpensively at a site without detaching a light emission part and a light reception part from a process line.例文帳に追加

測定の高速性を維持し、プロセスラインから発光部および受光部を取り外すことなく、安価に現場でのゼロ・スパン校正が可能なレーザガス分析計を実現する。 - 特許庁

To provide a highly reliable surface emission semiconductor laser device having a long lifetime by reducing the effect of strain (stress) incident to formation of an Al oxide layer.例文帳に追加

Ａｌ酸化層の生成に伴う歪（応力）の影響を軽減することにより、信頼性が高く、素子寿命の長い面発光型半導体レーザ素子を提供する。 - 特許庁

A light emission facet 1F of the nitride based semiconductor laser device 1 is composed of a cleavage plane of (0001) and a rear facet 1B is composed of a cleavage plane of (000-1).例文帳に追加

窒化物系半導体レーザ素子１の光出射面１Ｆは（０００１）面のへき開面からなり、後面１Ｂは（０００−１）面のへき開面からなる。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a surface light-emission type semiconductor laser wherein the occurrence of interface levels between an embedded layer and an active layer is suppressed or reduced.例文帳に追加

埋込み層と活性層との間の界面準位の発生を抑制あるいは減少させることができる面発光型半導体レーザの製造方法を提供する。 - 特許庁

The surface emission semiconductor laser comprises an N-type lower DBR 106 formed on a substrate, an active region 108, and a P-type upper DBR formed on the active region 108.例文帳に追加

基板上に形成されたＮ型の下部ＤＢＲ１０６と、活性領域１０８と、活性領域１０８上に形成されたＰ型の上部ＤＢＲとを含む。 - 特許庁

To obtain a multi-beam light source device and an optical scanner equipped with the light source device capable of reducing an error of each emission point position of a semiconductor laser array.例文帳に追加

半導体レーザアレイの各発光点位置の誤差を小さくし、良質な画質を得ることができるマルチビーム光源装置及びこれを備えた光走査装置を得る。 - 特許庁

To provide a surface emission laser element with high reliability which adopts a structure in which a jig and a probe are not brought into contact with a mesa post, in its handling such as inspection and assembly.例文帳に追加

検査や組立などの取扱いの際に、メサポストに治具やプローブなどが接触しない構造を採用し、信頼性が高い面発光レーザ素子を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor light-emitting element by using laser lift-off, by which a yield and a light emission output are improved.例文帳に追加

レーザリフトオフを用いた半導体発光素子の製造方法において、歩留まり及び発光出力の向上を図ることができる製造方法を提供すること。 - 特許庁

The semiconductor laser diode 100 includes a distributed-feedback resonator for resonating light having a wavelength of λ_0 included in an optical emission spectrum in an active layer 103.例文帳に追加

半導体レーザダイオード１００は、活性層１０３における光放出スペクトルに含まれる波長λ_０の光を共振させる分布帰還型の共振器が形成されている。 - 特許庁

Even when the image display device is used, an amount of shift of laser beam emission spectrum and temperature variation of a hologram diffraction angle can be synchronized.例文帳に追加

本発明によれば、画像表示装置を使用している最中においても、レーザ光の発光スペクトルシフト量とホログラム回折角の温度変化との同期が可能となる。 - 特許庁

To provide an image display device which prevents the deterioration of beam emission efficiency of semiconductor laser and does not leak non-visible light to the external part of the image display device.例文帳に追加

半導体レーザの発光効率の低下を防止すると共に、非可視光を画像表示装置の外部に漏洩しない画像表示装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

The green laser diode 25 having the largest colorific value and having a large radiator 20 is arranged at a position facing an emission port 50 by interposing the dichroic prism 60.例文帳に追加

最も発熱量が大きく、放熱器２０が大きい緑色レーザダイオード２５がダイクロイックプリズム６０を挟んで、出射口５０と対向する位置に設けられている。 - 特許庁

To provide a semiconductor laser device of small distortion and excellent light emission characteristics without the presence of a remarkable projection on the upper surface of a buried layer, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

埋め込み層の上面に、顕著な突出部が存在しなくて、歪みが小さく発光特性に優れた半導体レーザ素子およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

When vibration or shock occurs during the recording, the disk recording device immediately stops laser emission and continuously restarts the recording when the vibration or shock stops.例文帳に追加

記録動作中に振動や衝撃があった場合、即座にレーザ照射を停止させ、振動、衝撃が収まった時点で記録が継続的に再開されるようにする。 - 特許庁

A controller (30) adjusts the focus of the lens (16), following the reflected beam from the reception equipment (40), and controls the direction of laser emission by an optical axis deflector (32).例文帳に追加

制御装置（３０）は、受電装置（４０）からの反射光に従い、レンズ（１６）のフォーカスを調整し、光軸偏向装置（３２）によりレーザ出射方向を制御する。 - 特許庁

In the face emission laser 3, its terminal 6 is connected to a terminal 5 of the wiring substrate 2 by a photo-setting resin 9 containing a conductive particle 8.例文帳に追加

面発光レーザ３が、その端子６を配線基板２の端子５に対して、導電性粒子８を含有した光硬化性樹脂９によって接続されている。 - 特許庁

To obtain a polarization control plane type semiconductor laser, and its driving method, in which oscillation takes place in a desired polarization mode while sustaining the characteristics as the light source of surface emission.例文帳に追加

偏波制御面型半導体レーザ及びその駆動方法に関し、面発光の光源としての特性を維持したまま所望の偏波モードで発振させる。 - 特許庁

To provide a fabrication process of semiconductor laser element which can reduce the manufacturing dispersion in the emission angle in the horizontal direction, while restraining occurrence of stage-cut.例文帳に追加

段切れの発生を抑制しながら、水平方向の光放射角の製造ばらつきを減少させることが可能な半導体レーザ素子の形成方法を提供する。 - 特許庁

The transmission lens 13 is also provided with an output lens surface 15, formed so as not to focus the reflected light from the end of the optical fiber at the light emission position of the laser 16.例文帳に追加

伝送用レンズ１３は、また、光ファイバの端からの反射光がレーザ１６の光放射位置で合焦しないように形成された出力レンズ面１５を含む。 - 特許庁

As the multi-cavity laser diode chip 10, a chip is used which have the plurality of light emission points 10a arranged side by side within width nearly equal to the core diameter of the multi-mode optical fiber 30.例文帳に追加

そしてマルチキャビティレーザーダイオードチップ10として、その複数の発光点10ａが、マルチモード光ファイバー30のコア径とほぼ等しい幅内に並設されてなるものを用いる。 - 特許庁

Emission light quantity of a light source of extent in which reliability of the semiconductor laser is not affected is prescribed by considering difference of reflectance of the optical disks performing recording and playback.例文帳に追加

記録や再生を行う光ディスクの反射率の違いを考慮し、半導体レーザの信頼性に影響を与えない程度の光源の出射光量を規定する。 - 特許庁

To provide a photo tweezer for holding two or more minute samples in mutually adjacent positions, and a 2-dimensional photonic crystal face emission laser light source using the photo tweezer.例文帳に追加

２個以上の微小試料を互いに近接した位置に保持することができる光ピンセット、及びそれに用いる２次元フォトニック結晶面発光レーザ光源を提供する。 - 特許庁

In this edge emission type semiconductor laser, a second waveguide layer 2 adjoins a second mantle layer 5, and the active layer is not embedded in the second waveguide layer.例文帳に追加

エッジ発光型半導体レーザでは第２の外套層（５）に第２の導波体層（２）が隣接しており、この第２の導波体層にはアクティブ層が埋め込まれていない。 - 特許庁

To provide an optical disk device in which appropriate offset correction of an amplifier can be achieved without stopping light emission of a laser during starting up an optical disk.例文帳に追加

光ディスクの起動中にレーザーの発光を停止しなくても増幅器の適正なオフセット補正を実現できる光ディスク装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

An emission beam from a semiconductor laser 28 arranged in one end of an optical path space 21 extended linearly along a longitudinal direction is converted into parallel lights.例文帳に追加

長手方向に沿って直線に伸びる光路空間２１の一端に配設された半導体レーザ２８からの出射光をレンズ２９，３０で平行光に変換する。 - 特許庁

To provide a ring resonator-type laser which is suitable for a microresonator structure, which can be manufactured easily and which increases a ratio in which spontaneous emission light is coupled to an oscillation resonator mode.例文帳に追加

マイクロ共振器構造に適した、容易に作製可能な、自然放出光が発振共振器モードに結合する割合を高めたリング共振器型レーザである。 - 特許庁

When the normal printing is designated, a rotational speed of a motor is set to one for the normal printing (S4) and emission of a laser light is set so as to be controlled by two beams (S5).例文帳に追加

通常印字が指定されている場合、モータの回転速度を通常印字に設定し（Ｓ４）、レーザの発光を２ビームで制御を行うように設定する（Ｓ５）。 - 特許庁

In this case, lights outgoing backward from the semiconductor laser 1 are detected by a second light detecting means 6, and bias emission data are corrected based on the detected output.例文帳に追加

第２の光検出手段６により、前記半導体レーザ１の後方へ出射される光を検出し、その検出出力に基づいてバイアス発光データを補正する。 - 特許庁