「emission laser」に関連した英語例文の一覧と使い方(22ページ目) - Weblio英語例文検索

When the monochrome mode is selected, actions of photoreceptors corresponding to cyan, magenta and yellow are stopped, and light emission by laser diodes corresponding to cyan, magenta and yellow is stopped.例文帳に追加

モノクロモードが選択されると、シアン、マゼンタ、イエローに対応する感光体の動作を停止させ、かつシアン、マゼンタ、イエローに対応するレーザダイオードの発光を停止させる。 - 特許庁

The semiconductor laser element 10 has a structure such that a semiconductor layer 12 including the light emission region E is formed only in a center region S1 on a top surface of a substrate 11.例文帳に追加

半導体レーザ素子１０は、基板１１表面の中央の領域Ｓ１にのみ、発光領域Ｅを含む半導体層１２が形成された構造を有している。 - 特許庁

The method of adjusting the aligner has a projection optical system (PL) for forming the pattern image of a reticle (R) illuminated by pulse emission laser beams on a photosensitive substrate (W).例文帳に追加

パルス発光のレーザー光により照明されたレチクル（Ｒ）のパターン像を感光性基板（Ｗ）に形成する投影光学系（ＰＬ）を備えた露光装置の調整方法。 - 特許庁

Alternatively, the light receiving element may be formed between the optical fiber and the connector substrate holding the optical fiber closely to the optical fiber, or on the surface emission semiconductor laser element chip.例文帳に追加

また、該受光素子を設ける場所は、光ファイバを保持するコネクタ基板との間かつ前記光ファイバの近傍、または、面発光型半導体レーザ素子チップ上などでもよい。 - 特許庁

To provide an image forming device preventing unnecessary images from being formed on the image transfer belt by controlling the scanner laser emission or the developing bias at an appropriate timing.例文帳に追加

適切なタイミングでスキャナレーザ発光制御もしくは現像バイアス制御を行うことで、転写搬送ベルト上に余分な画像を形成しない画像形成装置を提供する。 - 特許庁

When the optical axis is made vertical to an emission surface of the beam combining prism 3A, the laser beams are emitted vertically by the beam combining prism 3A.例文帳に追加

この光軸を光線合成プリズム３Ａの出射面に対して垂直になるようにすると、レーザ光線は、光線合成プリズム３Ａより垂直に出射される。 - 特許庁

Also, the light incident part and emission part of the laser beam to the optical waveguide element 10 are wide surfaces toward both ends in the longitudinal direction of the optical waveguide sheet 221, respectively.例文帳に追加

また、光導波路素子１０に対するレーザビームの入射部と出射部はそれぞれ光導波路シート２２１の長手方向の両端寄りの幅広面とする。 - 特許庁

To provide a long wavelength band surface emission semiconductor laser that has a drastically large optical output and low consumption electric power while satisfying a single transverse mode condition.例文帳に追加

単一横モード条件を満たしながら、飛躍的に、光出力が大きく、かつ消費電力の少ない長波長帯面発光半導体レーザを提供する。 - 特許庁

The sheath of the winding 30 fixed to each of the metallic terminals 41, 42, 51, 52 and corresponding to at least second-side parts 47, 57 is removed by laser emission.例文帳に追加

各金属端子４１，４２，５１，５２に固定された巻線３０のうち少なくとも第２の片部分４７，５７に対応する部分の被覆をレーザー照射により除去する。 - 特許庁

To provide a front optical pumping external resonator type surface emission laser of which the absorption of a pump beam by an active layer is improved by reusing the pump beam.例文帳に追加

ポンプビームを再活用することによって、活性層によるポンプビームの吸収を向上させた前方光ポンピング方式の外部共振器型面発光レーザを提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor DBR which is applied to a plane emission semiconductor laser to be manufactured on a GaAs substrate, is slow at oxidization speed, and has low thermal resistance.例文帳に追加

ＧａＡｓ基板上に作製される面発光型半導体レーザに適用可能であり、酸化速度が遅く、かつ熱抵抗が低い半導体ＤＢＲの提供。 - 特許庁

VERTICAL RESONATOR SURFACE EMISSION SEMICONDUCTOR LASER AND OPTICAL LOGIC UNIT USING IT, WAVELENGTH CONVERTER, OPTICAL PULSE WAVEFORM SHAPER, AND OPTICAL TRANSMISSION SYSTEM例文帳に追加

垂直共振器型面発光半導体レーザ装置、およびそれを用いた光論理演算装置、波長変換装置、光パルス波形整形装置、ならびに光伝送システム - 特許庁

The parts of the winding 30 from which the sheath is removed and each of the metallic terminals 41, 42, 51, 52 are welded to the second side-parts 47, 57 by laser emission or arc welding.例文帳に追加

巻線３０における被覆が除去された部分と各金属端子４１，４２，５１，５２とを第２の片部分４７，５７へのレーザー照射又はアークにより溶接する。 - 特許庁

The semiconductor array 10 includes a semiconductor substrate, and the plurality of light emission regions 17A-17E formed on the semiconductor substrate and for generating the plurality of laser light beams respectively.例文帳に追加

半導体レーザアレイ１０は、半導体基板と、半導体基板上に形成され複数のレーザ光それぞれを発生する複数の発光領域１７Ａ〜１７Ｅとを備える。 - 特許庁

The surface emission semiconductor laser 100 comprises a columnar part 110 constituting a part of the resonator 120, and an insulation layer 160 filling the columnar part 110.例文帳に追加

この面発光型半導体レーザ１００は、共振器１２０の少なくとも一部を構成する柱状部１１０と、柱状部１１０を埋め込む絶縁層１６０とを含む。 - 特許庁

Subsequently, the ground surface is exposed to proton emission and to two types of laser beams of different wavelengths to form an N^+ first buffer layer 2 and an N second buffer layer 12.例文帳に追加

次いで、この研削された面にプロトンを照射し、異なる波長の２種類のレーザを同時に照射して、Ｎ^+第１バッファ層２と、Ｎ第２バッファ層１２とを形成する。 - 特許庁

To provide a high quality gadolinium vanadate single crystal which has high light emission intensity without lowering the performance as a laser crystal and to provide a method for manufacturing the same.例文帳に追加

レーザー結晶としての性能を低下させることなく、発光強度の強い高品質なバナジウム酸ガドリニウム単結晶およびその製造方法を提供すること。 - 特許庁

A head-mounted display includes a laser group, a driving signal control unit, a vertical scan system, a horizontal scan system, an emission unit, a diffraction grating 60, focus targets 70, and an illumination unit.例文帳に追加

ヘッドマウントディスプレイは、レーザ群、駆動信号制御部、垂直走査系、水平走査系、射出部、回折格子６０、ピントターゲット７０、および照明部を備える。 - 特許庁

The optical scanner further includes a second decision making means which decides the target values of the light quantity of the plurality of laser beams on the basis of the bias light emission quantity measured with the second measurement means.例文帳に追加

また、第２の測定手段により測定されたバイアス発光量に基づいて、複数のレーザの光量目標値を決定する第２の決定手段を備える。 - 特許庁

A projection part 11 includes: an LD (Laser Diode) light emitting part 111; and a scanning part 112 scanning emission light from the LD light emitting part 111 and projecting light on the back face of a screen.例文帳に追加

投射部１１は、ＬＤ発光部１１１と、ＬＤ発光部１１１からの出射光を走査してスクリーンの背面に光を投射する走査部１１２とを含む。 - 特許庁

The headlamp 1 includes a semiconductor laser 2 for emitting excitation light, a first phosphor having its emission spectrum peak in a range of 500 nm or more and 520 nm or less, a second phosphor having its emission spectrum peak different from the first phosphor, and a light-emitting section 5 for light-emitting by receiving the excitation light emitted from the semiconductor laser 2.例文帳に追加

ヘッドランプ１は、励起光を出射する半導体レーザ２と、５００ｎｍ以上、５２０ｎｍ以下の範囲に発光スペクトルのピークを有する第１の蛍光体と、当該第１の蛍光体とは異なる発光スペクトルのピークを有する第２の蛍光体とを含み、半導体レーザ２が出射した励起光を受けて発光する発光部５とを備えている。 - 特許庁

This transmitter 100 for transmitting signals corresponding to the voltage change by changing the voltages across the two resistors is provided with the connector 310 provided with this electric/optic converter for replacing one of the two resistors with a surface light emission laser PT and transmitting optical signals from the surface light emission laser PT as transmission signals.例文帳に追加

送信器１００には、２つの抵抗の電圧を変化させることによりそれら抵抗の差動電圧の変化に応じた信号を送信する送信器において、２つの抵抗の一方を面発光レーザＰ_Tに置き換え、面発光レーザＰ_Tからの光信号を送信信号として送信する電光変換器を備えたコネクタ３１０を有する。 - 特許庁

This semiconductor near-field light source has a compound semiconductor layer in a surface emission laser structure 12 on a compound semiconductor substrate 11, a compound semiconductor layer 15 in a trigonal pyramid structure on the compound semiconductor layer surface, and a micro aperture 13 in an oscillated wavelength order or smaller of the surface emission laser in the vicinity of an apex of the trigonal pyramid structure.例文帳に追加

半導体近接場光源は、化合物半導体基板１１上に、面発光レーザ構造１２の化合物半導体層を有し、化合物半導体層表面に三角錐構造の化合物半導体層１５を有し、三角錐構造の頂点近傍に面発光レーザの発振波長オーダ以下の微小開口１３を有する。 - 特許庁

An emission unit 16 emits laser beam SHG of YAG second harmonics received from a YAG laser oscillator via an optical fiber 18 through an optical lens in a unit from an emission port at the tip, and condenses and emits the same into a peeling region HW set to each contact W at an elliptic beam spot SP_SHG with a high flatness.例文帳に追加

出射ユニット１６は、ＹＡＧレーザ発振器より光ファイバ１８を介して受け取ったＹＡＧ第２高調波のレーザ光ＳＨＧをユニット内の光学レンズに通して先端の出射口より出射し、各コンタクトＷに設定された剥離領域ＨＥ内に扁平度の高い楕円状ビームスポットＳＰ_SHGで集光照射する。 - 特許庁

The exposure control part 150 performs first correction of adjusting a light emission time of the semiconductor laser element 51 for each dot by modulating the width of the pulse signal to correct density in a main scanning direction and second correction of further correcting the light emission time of the semiconductor laser element 51 about predetermined dots in each block obtained by dividing the main scanning line into a plurality of pieces.例文帳に追加

そして、露光制御部１５０は、パルス信号の幅を変調することにより半導体レーザー素子５１の発光時間をドット毎に調整して主走査方向での濃度を補正する第１補正と、主走査ラインを複数に分割した各ブロックで、所定ドットについて半導体レーザー素子５１の発光時間をさらに補正する第２補正とを行う。 - 特許庁

To provide a laser type gas analyzer which, at a light emission side, eliminates insertion loss at the light emission side by radiating light from a laser source of equal to or more than a plurality of wavelengths with different wavelengths into a space without using a fiber coupler, and which enhances the intensity of an absorption signal of measurement gas by efficiently transmitting the power of the light to a light receiving element.例文帳に追加

発光側において、異なる複数波長以上のレーザ光源から出た光を、ファイバカプラを使用せずに空間に放射することによって、発光側での挿入損失を無くし、光のパワーを効率よく受光素子まで伝送することで、測定ガスの吸収信号の強度を高める多成分用レーザ式ガス分析計を提供する。 - 特許庁

To provide a compact laser emission spectroscopic analyzer capable of measuring the concentration of a composition element, in particular, in an iron steel material with high accuracy by combining high wavelength resolution and wide measurement wavelength area, with respect to the laser emission spectroscopic analyzer capable of analyzing the composition of solid sample and liquid sample with high sensitivity.例文帳に追加

迅速に、かつ高感度で固体試料や液体試料の組成を分析することができるレーザ発光分光分析装置において、高い波長分解能と広い測定波長域を両立することによって、とりわけ鉄鋼材料中の組成元素の濃度を精度良く測定可能な、小型のレーザ発光分光分析装置を提供する。 - 特許庁

An end face coat film 4 formed at the light emission end face 3a of the semiconductor laser device main body 3 is formed such that its film thickness, film quality, and number of laminations differ for each of the multiple waveguides 1 and 2 to have specified reflectances for the laser beams of multiple wavelengths emitted from the light emission end face 3a.例文帳に追加

そして、半導体レーザ素子本体３の光出射端面３ａに形成される端面コート膜４は、光出射端面３ａから出射される複数の波長のレーザ光に対して所定の反射率を有するように、複数の導波路１，２のそれぞれに対応して、膜厚、膜質、積層数が異なるように形成されている。 - 特許庁

This method includes: forming a modified emission layer by irradiating with a laser beam 2 of a wavelength of ≥190 and <266 nm solid organic polysiloxane 1; and making a thin film of the modified emission layer on the desired substrate 7 by laser ablation to form the light emitting device, which emits the desired color, in the optional position or shape on the desired substrate 7.例文帳に追加

固体有機ポリシロキサン１に、波長１９０ｎｍ以上２６６ｎｍ未満のレーザー光２を照射することにより発光改質層を形成し、レーザーアブレーションにより発光改質層を所望の基体７上に薄膜化することにより、所望の基体７上の任意の位置及び形状に、所望の色彩を放つ発光素子を形成する。 - 特許庁

An optical path composing element 5 is a diffracting element through which laser of 650 nm passes as it is and which diffracts laser light of 780 nm in wavelength to converge it on the same position with the laser light of 650 nm in wavelength and also a resin molding which has an incidence plane 51 and an emission plane 52 where a diffraction grating is formed.例文帳に追加

光路合成素子５は、波長６５０ｎｍのレーザ光を素通りさせ、波長７８０ｎｍのレーザ光を回折して、波長６５０ｎｍのレーザ光と同一位置に集光させるための回折素子であり、入射面５１と、回折格子が形成された出射面５２を備えた樹脂成形品である。 - 特許庁

This laser device is provided with: a semiconductor laser 10 having a plurality of emission points 10a; a Bragg reflection structure 11 (diffraction grating) constituting a resonator along with the semiconductor laser 10; and a nonlinear optical element 12 carrying out wavelength conversion of light (fundamental wave) output from the Bragg reflection structure 11 to generate second harmonic waves.例文帳に追加

複数の発光点１０ａを有する半導体レーザ１０、半導体レーザ１０と共に共振器を構成するブラッグ反射構造１１（回折格子）、ブラッグ反射構造１１から出力された光（基本波）の波長変換を行い２次高調波を発生する非線形光学素子１２を備えている。 - 特許庁

The generator includes an auxiliary current circuit which starts charge by transient characteristics of a forward voltage during light emission of the laser diode after the switching element is turned on, starts discharge when a forward current starts flowing in the laser diode, and flows a current in the laser diode in a same direction as the forward current.例文帳に追加

本装置は、スイッチング素子のオン後のレーザダイオードの発光時の順方向電圧の過渡特性により充電を開始しレーザダイオードに順方向電流が流れ始めると放電を開始して順方向電流と同じ方向でレーザダイオードに電流を流す補助電流回路を設けたことを特徴とするものである。 - 特許庁

Furthermore, the laser pointer A includes, in addition to the cylindrical case 1 and the laser radiating section, a light emitting framework 12 which is arranged to face at least two directions among side surfaces 1c, 1d, 1e and edges 1a, 1b to the front and back of the case 1 and is a light emitting section for emission of dispersed beams simultaneously with the radiation of the laser beams.例文帳に追加

またレーザポインタＡは、上述した筐体１とレーザ照射部２に加えて、筐体１の側面１ｃ、１ｄ、１ｅ及び前後の端面１ａ、１ｂのうち少なくとも二方に面するように設けられ、前記レーザ光の照射と同時に拡散光を発光する発光部たる発光枠体１２を具備する。 - 特許庁

To solve such a problem that when power adjustment by dummy light emission is performed without performing OPC, the reflected light by an optical disk is made incident on a monitor for power control, and accurate laser power cannot be obtained, the laser power at the time of start of recording is deviated from optimum recording laser power, and the recording quality immediately after the start of recording is deteriorated.例文帳に追加

ＯＰＣを実行せずにダミー発光によるパワーアジャストメントを実行する際、光ディスクによる反射光がパワー制御用モニタに入射し、正確なレーザーパワーを得ることができず、記録開始時のレーザーパワーが最適な記録レーザーパワーからずれ、記録開始直後の記録品質が悪化する問題が発生する。 - 特許庁

The coating film consists of a translucent film material CL12 composed of Al_2O_3 (alumina) locally covering the vicinity of the laser outgoing part (emission spot) on the laser outgoing side end face, and a film material CL11 composed of Al having thermal conductivity higher than that of the film material CL12 and covering other parts on the laser outgoing side end face.例文帳に追加

このコーティング膜は、レーザ出射側素子端面のレーザ出射部（発光スポット）の近傍を局所的に覆ってＡｌ_2Ｏ_3（アルミナ）からなる透光性の膜材ＣＬ１２と、同レーザ出射側端面の他の部分を覆って該膜材ＣＬ１２よりも高い熱伝導率をもつＡｌからなる膜材ＣＬ１１とにより構成される。 - 特許庁

Further, 1st angles of rotation which are unique to the semiconductor laser array 10 and have an axis on the long-axis direction of the light emission parts 12 by the laser groups to the reference axis and 2nd angles of rotation which have an axis on an advancing direction of the laser are measured and according to the angles of rotation, the angles of the 1st lenses are set.例文帳に追加

更に、予め当該半導体レーザアレイ１０に固有の、基準軸に対する各レーザグループ毎の発光部１２において長軸方向を軸とした第１回転角度及びレーザ進行方向を軸とした第２回転角度を計測し、当該回転角度に基づいて、各第１レンズの角度を設定する。 - 特許庁

Among a plurality of end faces of the photodiode 18, a pn junction is extended to an end face near a region where laser light 16 for monitoring emitted from at least a laser light emission surface 15 for monitoring of the semiconductor laser diode 12 is incident, to obtain a stable photo sensitive characteristic against a change in temperature.例文帳に追加

このホトダイオード１８の複数の端面のうち、少なくとも半導体レーザダイオード１２のモニタ用レーザ光出射面１５から出射されるモニタ用レーザ光１６が入射する領域近辺の端面までｐｎ接合部が形成されることにより、温度変化に対して安定した受光感度特性が得られる。 - 特許庁

A control part 251a stops the output of a signal to the effect of outputting laser beams through a foot switch signal cable 291 in the case the temperature obtained from a detection signal of a mirror temperature sensor 111 for detecting the temperature of a laser emission part 122 installed at a laser irradiation device 1 becomes high temperature of specified value of more.例文帳に追加

制御部２５１ａは、レーザ照射装置１に設置されたレーザ出射部１２２の温度を検出するミラー温度センサ１１１の検出信号から得られた温度が、所定値以上の高い温度になった場合、フットスイッチ信号ケーブル２９１を介してのレーザ光を出力する旨の信号の出力を停止する。 - 特許庁

The first and second micro optics 21, 22 are positioned in the emission regions of the first and second laser diode bars 14, 16, respectively, in such a manner that the image spots 24 of the laser diodes 18 of the first and second laser diode bars 14, 16 are located at disjoint positions on the printing form 12 substantially along a spanning polyline 30.例文帳に追加

第１および第２のレーザダイオードバー１４、１６のレーザダイオード１８の画点２４が、実質的に、張り版画線３０に沿って版１２上の分離した位置にあるように、第１、第２のマイクロ光学系２１、２２は、それぞれ、第１、第２のレーザダイオードバー１４、１６の出射領域に配置されている。 - 特許庁

An electrode pattern 3b containing a barcode pattern 3b is formed on a surface of the semiconductor laser chip 1, and at the same time the barcode pattern 3b is formed in a region, where wire bond at the time of mounting the semiconductor laser chip 1 is not affected thereby, and is formed at a position nearer to the face 21 opposite to the main emission face 20 of the laser.例文帳に追加

半導体レーザチップ１の表面にバーコードパターン３ｂを含む電極パターン３ｂが形成されるとともに、このバーコードパターン３ｂは、半導体レーザチップ１を実装する際のワイヤーボンドに影響を与えない領域で、かつ、レーザの主出射面２０とは反対側の面２１寄りに形成される。 - 特許庁

A synchronization controller 21 respectively obtains a delay time since triggering of the switches 12a and 12b of the power sources 1c and 2c of the oscillation stage laser 1 and the amplification stage laser 2 until starting of light emission or electricity discharge from charging voltage, the temperature of the circuit element of a magnetic pulse compression circuit, and the gas pressure of laser chambers 1a and 2a.例文帳に追加

同期コントローラ２１は、充電電圧、磁気パルス圧縮回路の回路素子の温度、レーザチャンバ１ａ，２ａのガス圧力より、発振段レーザ１と増幅段レーザ２の、電源１ｃ，２ｃのスイッチ１２ａ，１２ｂをトリガしてから、発光あるいは放電が開始するまでのディレイ時間をそれぞれ求める。 - 特許庁

Therefore, even if the adjustment position of the variable resistance VR setting the light quantity of the laser light emitted by the laser diode LD shifts, the light emission quantity of the laser diode LD can be adjusted to the prescribed set light quantity previously set by the variable resistance VR without adjusting the variable resistance VR again.例文帳に追加

したがって、レーザダイオードＬＤの出射するレーザの光量を設定する可変抵抗ＶＲの調整位置がずれた場合にも、可変抵抗ＶＲの再調整を行うことなく、レーザダイオードＬＤの発光光量を可変抵抗ＶＲで予め設定された規定設定光量に調整することができる。 - 特許庁

The laser scanner 22 is skidded along two long holes 50, 52 to move the laser scanner 22 in parallel in front of the label discharge port 42 and having only to drop a lower side pin 64 down to a hook-shaped hole 54 formed continuously to a front end of the lower long hole 52 can rock an emission direction of the laser scanner 22.例文帳に追加

レーザスキャナ２２を２本の長孔５０、５２に沿ってスライドさせることによりレーザスキャナ２２をラベル排出口４２の前方に平行移動させることができ、下側長孔５２の前端部に連続して形成された鉤状孔５４に下側ピン６４を落とし込むだけでレーザスキャナ２２の照射向きが揺動する。 - 特許庁

The surface-emission semiconductor laser device 10 comprises a laser element 34 including an n-type multilayer film reflector 24, an active layer 26 and a p-type multilayer film reflector 28 formed on a substrate 20, and a light absorption-thermal conversion region 50 for generating heat by absorbing light located contiguously to the laser element 34.例文帳に追加

面発光型半導体レーザ装置１０は、基板２０上に、ｎ型の多層膜反射鏡２４、活性層２６、およびｐ型の多層膜反射鏡２８とを含むレーザ素子部３４が形成され、さらに、レーザ素子部３４と隣接する位置に、光を吸収し発熱する光吸収熱変換領域５０を有する。 - 特許庁

To provide a laser beam source device capable of obtaining pulse beam having the predetermined peak power when starting to emit in the configuration for switching the emission and emit-stopping of the pulse beam output from a seed beam source by an arbitrary repetition frequency and pulse width, and to provide a laser machining device comprising the laser beam source device.例文帳に追加

種光源から任意の繰り返し周波数および任意のパルス幅で出力されるパルス光の出射および出射停止を切換える構成において、出射開始時に、所望のピークパワーを有するパルス光を得ることが可能なレーザ光源装置、およびそのレーザ光源装置を備えるレーザ加工装置を提供する。 - 特許庁