「form region」に関連した英語例文の一覧と使い方(16ページ目)

Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > form regionの意味・解説 > form regionに関連した英語例文

>"form region"に完全一致する例文のみを検索する

セーフサーチ：オン

不適切な検索結果を除外する

不適切な検索結果を除外しない

セーフサーチについて

意味

例文 (999件)

form regionの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 2306件

＜前へ 1 2 .... 12 13 14 15 16 17 18 19 20 .... 46 47 次へ＞

例文

To form a lightly-doped source/drain region by self-matching and to prevent implanted ions from being passed through a channel region in the production of an MOS-type semiconductor device for forming the lightly-doped source/drain region of deep junction, in order to acquire high-withstand voltage characteristics.例文帳に追加

高耐圧特性を得るために、深ジャンクションの低不純物濃度ソース・ドレイン領域を形成するＭＯＳ型半導体装置の製造において、低不純物濃度ソース・ドレイン領域を自己整合法にて形成すると共に注入イオンがチャネル領域へ突き抜けることのないようにする。 - 特許庁

To generate electric charge in a limited region in a light spot region and form a latent image which is smaller than light spot size by performing exposure in a state that strength of electric field imposed on an electric charge-generating layer on a latent image carrier in the light spot region is locally varied.例文帳に追加

光スポット領域内での潜像担持体上の電荷発生層にかかる電界強度を局所的に変えた状態で露光させることにより、光スポット領域内の限定された領域で電荷を発生させ、光スポットサイズよりも小さい潜像を形成させる。 - 特許庁

Then, a wiring path is determined for arranging the object wiring in a region other than a region where the plurality of macros in the coordinate region are arranged, and based on the wiring path, the number of wires contained in the division form data is changed to the number of wires for each layer and the number of layers (S6).例文帳に追加

次に、座標領域の複数のマクロが配置される領域以外の領域に対象配線を配置するための配線経路を決定し、配線経路に基づいて、分割形状データに含まれる本数を１層あたりの本数と積層数とに変更する（Ｓ６）。 - 特許庁

In order to form the impurity diffusion regions, trenches embedded with a conductive film 10 are formed in parts of the base region, and then an impurity having the same conductivity type as that of the base region are ion-implanted into the side walls and bottoms of the trenches in a lower concentration than that of the base region and then are diffused.例文帳に追加

ベース領域の一部に導電膜１０が埋め込まれたトレンチを形成し、その側壁及び底部にベース領域と同じ導電型の不純物をベース領域の不純物濃度より低濃度にイオン注入し、拡散して前記不純物拡散領域が形成される。 - 特許庁

例文

The following states can be selected, the first state where the first region 10 is folded into a flat surface form with the peripheral region 12 partially stack-folded, and the second state where the folded state is opened with the peripheral region 12 turned upright.例文帳に追加

第１領域１０は周囲領域１２が部分的に重ね折りした状態で平面状に折り畳まれた第１の状態と、折り畳んだ状態が開かれて周囲領域１２が立ち上がった姿勢となった第２の状態とを選択的に取り得るようになっている。 - 特許庁

例文

To provide an image processing device capable of handling an image data having a plurality of link designations set in one link region, and allowing a user to intuitively grasp the state of a link set because the display form of link region is varied depending on the number of link designations in the display of link region.例文帳に追加

一つのリンク領域に複数のリンク先が設定された画像データを扱うことができ、また、リンク領域の表示において、リンク先の数により、リンク領域の表示形態が異なるので、どのようにリンクが設定されているか直感的に把握する事が可能である。 - 特許庁

A device for evaluating a pattern form comprises a design data storage section 1, an evaluation region production section 2, a pattern image acquisition section 3, a pattern contour detection section 4, a data synthesis section 5, and a pattern form measurement section 6.例文帳に追加

パターン形状評価装置は、設計データ記憶部１と、評価領域生成部２と、パターン画像取得部３と、パターン輪郭検出部４と、データ合成部５と、パターン形状計測部６とを備えている。 - 特許庁

The exposed part of the first insulation film is so etched with the second etching stopper film pattern and the spacer as a mask as to form a node contact hole to expose the conductive region to form a first insulation film pattern.例文帳に追加

導電領域を露出させるノードコンタクトホールが形成されるように第２エッチング阻止膜パターン及びスペーサをマスクとして露出された第１絶縁膜をエッチングして第１絶縁膜パターンを形成する。 - 特許庁

Then, with a resist pattern as a mask, the insulation region and the nitride blanket 60 are etched to form a cavity above the drain and source regions, and the cavity is filled with a conductive material to form conductive studs 92 and 94.例文帳に追加

次いでレジストパターンをマスクに絶縁領域と窒化物ブランケット６０をエッチングしてドレイン領域とソース領域の上に空洞を形成し、導電材料で空洞を満たし導電スタッド９２，９４を形成する。 - 特許庁

例文

In this business form, the display region 5, consisting of a foil layer 4, wherein the variable information 14 can be indicated by melting the foil layer 4 by heat application using a thermal head, is formed at a specified surface part 3 of the base 2 of the business form by die-stamping.例文帳に追加

帳票基材２の所要面部３に、サーマルヘッドの熱印可により溶融して可変情報１４を表示可能な箔層４からなる表示領域５を、箔押し加工によって形成した。 - 特許庁

例文

A first form 120 is formed by sticking, to the substrate 110, a first liquid composition containing a surface reforming agent; and then the surface reforming agent forms a reformed region at a periphery of the first form.例文帳に追加

表面改質剤を含む第１の液体組成物を基板１１０上に付着させて第１の形体１２０を形成し、表面改質剤が第１の形体の周囲に改質された領域を作り出す。 - 特許庁

A database creation part 17 extracts the partial data as field actual data from each field region of the converted business form data in the storage part 13, and stores one business form in a database storage part 18 as one record.例文帳に追加

データベース作成部１７は、格納部１３内の変換後帳票データの各フィールド領域内から部分データをフィールド実データとして抽出し、１帳票を１レコードとしてデータベース格納部１８内に格納する。 - 特許庁

In the manufacturing method of the microsensor, a photosetting resin liquid is selectively irradiated with light to form a cured resin layer by repeating collective exposure using a projection region as a unit to form a cured resin layer and the cured resin layer is successively laminated to form a three-dimensional shape.例文帳に追加

本発明に係るマイクロセンサー等の製造方法は、投影領域を単位として一括露光を繰り返すことにより、光硬化性樹脂液に選択的に光を照射して硬化樹脂層を形成し、該硬化樹脂層を順次積層して三次元形状を形成するものである。 - 特許庁

In the manufacturing method of the micro-biochemical device, a photosetting resin liquid is selectively irradiated with light to form a cured resin layer by repeating collective exposure using a projection region as a unit to form a cured resin layer and the cured resin layer is successively laminated to form a three-dimensional shape.例文帳に追加

本発明に係るマイクロ生化学デバイス等の製造方法は、投影領域を単位として一括露光を繰り返すことにより、光硬化性樹脂液に選択的に光を照射して硬化樹脂層を形成し、該硬化樹脂層を順次積層して三次元形状を形成するものである。 - 特許庁

In the manufacturing method of the micro-optical device, a photosetting resin liquid is selectively irradiated with light to form a cured resin layer by repeating collective exposure using a projection region as a unit to form a cured resin layer and the cured resin layer is successively laminated to form a three-dimensional shape.例文帳に追加

本発明に係るマイクロ光デバイス等の製造方法は、投影領域を単位として一括露光を繰り返すことにより、光硬化性樹脂液に選択的に光を照射して硬化樹脂層を形成し、該硬化樹脂層を順次積層して三次元形状を形成するものである。 - 特許庁

A business form as a sample is displayed on a display screen by a business form image display part 14, and a rectangular field region is defined in each section of the business form by a field information definition part 15 which has received the instruction of an operator, and stored with a field name in a field information storage part 16.例文帳に追加

見本となる帳票を帳票画像表示部１４によってディスプレイ画面上に表示させ、オペレータの指示を受けたフィールド情報定義部１５によって、帳票の個々の部分に矩形状のフィールド領域を定義し、フィールド名とともにフィールド情報格納部１６に格納する。 - 特許庁

When solid-state imaging devices 10, 10A, or 10B having pixel portions separated by an element area region 13 is manufactured, a part to become an active region is patterned and ion injection using the active pattern as a mask 19 is performed on a semiconductor substrate 11 to form a part or the whole of the ion injection region as the element separation region 13.例文帳に追加

素子分離領域１３により画素部間が分離された固体撮像装置１０、１０Ａまたは１０Ｂを製造する際に、能動領域となる部分をパターニングして、このアクティブパターンをマスク１９として半導体基板１１上にイオン注入を行うことにより、イオン注入領域の一部または全域を素子分離領域１３とする。 - 特許庁

A method for manufacturing a semiconductor device comprises a step for forming a cobalt film in contact with a specified region of a silicon region, a step for forming a titanium film and a titanium nitride film in this order on the cobalt film, and a step for making the specified region of the silicon region react with the cobalt film by heat treatment to form a cobalt silicide film.例文帳に追加

半導体装置の製造方法は、シリコン領域の所定領域と接するコバルト膜を形成する工程と、前記コバルト膜上にチタン膜、窒化チタン膜を順次形成する工程と、熱処理により前記シリコン領域の所定領域と前記コバルト膜とを反応させ、コバルトシリサイド膜を形成する工程とを有することを特徴とする。 - 特許庁

Therefore, by performing ion implantation using a mask 180 in a second ion implantation process, an impurity ion is implanted into a region including the defective portion where the width of the offset region 114 is enlarged, to form the hole storage region 113 including a protruding region 113A to the transfer electrode 160A, 160B sides.例文帳に追加

そこで、第２のイオン注入工程によってマスク１８０を用いたイオン注入を行うことにより、オフセット領域１１４の幅が大きくなった欠損部分を含む領域に不純物イオンを注入し、転送電極１６０Ａ、１６０Ｂ側へのはみ出し領域１１３Ａを有する正孔蓄積領域１１３を形成する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device having a structure in which a first transistor and a second transistor are formed on the same semiconductor substrate so as to share the drain region and the source region with each other, which can efficiently form embedded insulation films directly below the source region and the drain region of each transistor.例文帳に追加

第１のトランジスタと第２のトランジスタが、ぞれぞれのドレイン領域とソース領域を共有して同一の半導体基板上に形成される構成の半導体装置の製造において、それぞれのトランジスタのソース領域およびドレイン領域の直下に埋め込み絶縁膜を効率的に形成できる製造方法を提供する。 - 特許庁

Finally, impurities are implanted in the semiconductor layer 2 using an insulating sidewall 11 formed on the opposite side parts of the gate electrode 9 and the gate electrode 9 as an impurity implantation mask to form an offset region 10 beneath the sidewall 11 thus forming a source region 12 and a drain region 13 on the outside of the offset region 10.例文帳に追加

その後、ゲート電極９の両側部に壁状に形成した絶縁性のサイドウォール１１と、ゲート電極９とを不純物注入マスクとし、半導体層２に対して不純物を注入することにより、該サイドウォール１１の下方にオフセット領域１０を形成し、オフセット領域１０の外側に、ソース領域１２及びドレイン領域１３を形成する。 - 特許庁

When a first gas is provided to plasma generating region, and excitation gas and non-excitation gas of the first gas are reacted, with a second gas introduced in the film-forming region out of the plasma to form a film, a porous plate for preventing back flow of the second gas to the plasma generating region is arranged between the plasma generating region and the second gas supplying section.例文帳に追加