「fd2」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

The semiconductor regions FD1 and FD2 store electric charge generated by the light sensitive region.例文帳に追加

半導体領域ＦＤ１，ＦＤ２は、光感応領域にて発生した電荷を蓄積する。 - 特許庁

The another semiconductor region SR1 is: arranged between the semiconductor regions FD1 and FD2 and the rear surface 1BK; formed so as to cover the semiconductor regions FD1 and FD2 when viewed from a direction normal to the rear surface 1BK; and a conductivity type opposite to the semiconductor regions FD1 and FD2.例文帳に追加

半導体領域ＳＲ１は、半導体基板１Ａにおける半導体領域ＦＤ１，ＦＤ２と裏面１ＢＫとの間に位置すると共に、裏面１ＢＫに直交する方向から見て、半導体領域ＦＤ１，ＦＤ２を覆うように形成されており、半導体領域ＦＤ１，ＦＤ２と逆の導電型である。 - 特許庁

The third semiconductor region SR1 is provided at the rear face 1BK side away from the first and second semiconductor regions FD1 and FD2, and is a conductivity type opposite to that of the first and second semiconductor regions FD1 and FD2.例文帳に追加

第３半導体領域ＳＲ１は、第１及び第２半導体領域ＦＤ１，ＦＤ２から裏面１ＢＫ側に離れて設けられ、第１及び第２半導体領域ＦＤ１，ＦＤ２と逆の導電型である。 - 特許庁

The NAS2 stores the corresponding relation of a file descriptor fd1 managed by the NAS1 and a file descriptor fd2 managed by the NAS2.例文帳に追加

NAS２は、NAS１で管理されるファイルディスクリプタｆｄ１とNAS２で管理されるｆｄ２との対応関係を保持する。 - 特許庁

The semiconductor region SR1 is positioned between the semiconductor regions FD1 and FD2 and the light incident surface 1BK in the semiconductor substrate 1A, is formed so as to cover the semiconductor regions FD1 and FD2 when viewed from a direction orthogonal to the light incident surface 1BK, and has a conductivity type opposite to that of the semiconductor regions FD1 and FD2.例文帳に追加

半導体領域ＳＲ１は、半導体基板１Ａにおける半導体領域ＦＤ１，ＦＤ２と光入射面１ＢＫとの間に位置すると共に、光入射面１ＢＫに直交する方向から見て、半導体領域ＦＤ１，ＦＤ２を覆うように形成されており、半導体領域ＦＤ１，ＦＤ２と逆の導電型である。 - 特許庁

The third semiconductor region SR1 is provided separately at the side of the light incidence surface 1BK from the first and second semiconductor regions FD1, FD2, and is of a conductivity type opposite to that of the first and second semiconductor regions FD1, FD2.例文帳に追加

第３半導体領域ＳＲ１は、第１及び第２半導体領域ＦＤ１，ＦＤ２から光入射面１ＢＫ側に離れて設けられ、第１及び第２半導体領域ＦＤ１，ＦＤ２と逆の導電型である。 - 特許庁

Under a circumstance where a forward current flows through a freewheel diode FD2, a voltage is applied to a soft switching coil L2.例文帳に追加

フリーホイールダイオードＦＤ２を順方向電流が流れる状況下、ソフトスイッチング用コイルＬ２に電圧を印加する。 - 特許庁

A first and a second semiconductor areas FD1 and FD2 are arranged to be spatially separated from each other along each long side.例文帳に追加

第１及び第２半導体領域ＦＤ１，ＦＤ２は、各長辺に沿って互いに空間的に離間して配置される。 - 特許庁

The radiator 1 includes: a radiation part 2 formed in a loop shape and having two power feeding points FD1, FD2; and a parasitic element 4 formed on the outer side of the radiation part 2 along a part of the radiation part 2 including the two power feeding points FD1, FD2.例文帳に追加

放射器１は、ループ状に形成され、２つの給電点ＦＤ１，ＦＤ２を有する放射部２と、２つの給電点ＦＤ１，ＦＤ２を含む放射部２の一部に沿って放射部２の外側に形成される無給電素子４とを備える。 - 特許庁

Consequently, the current flowing through the soft switching coil L2 gradually increases, and the current flowing through the freewheel diode FD2 gradually decreases.例文帳に追加

これにより、ソフトスイッチング用コイルＬ２に流れる電流が漸増し、フリーホイールダイオードＦＤ２に流れる電流が漸減する。 - 特許庁

A first and a second semiconductor areas FD1 and FD2 are arranged to face on both sides of the light receiving area in the first direction.例文帳に追加

第１及び第２半導体領域ＦＤ１，ＦＤ２は、第１方向で受光領域を挟んで対向して配置される。 - 特許庁

A plurality of capacitors C1b, C2b respectively accumulate carriers distributed into each semiconductor domain FD1, FD2.例文帳に追加

複数のキャパシタＣ１ｂ，Ｃ２ｂは、それぞれ半導体領域ＦＤ１、ＦＤ２に振り分けられたキャリアをそれぞれ蓄積している。 - 特許庁

The electrodes TX1 and TX2 transfer the electric charge generated in the light sensitive region to the semiconductor regions FD1 and FD2.例文帳に追加

電極ＴＸ１，ＴＸ２は、光感応領域にて発生した電荷を半導体領域ＦＤ１，ＦＤ２に転送する。 - 特許庁

The second gate electrode TX2 is provided between the photo gate electrode PG and the second and fourth semiconductor regions FD2, FD4.例文帳に追加

第２ゲート電極ＴＸ２は、フォトゲート電極ＰＧと第２及び第４半導体領域ＦＤ２，ＦＤ４との間に設けられている。 - 特許庁

First and second semiconductor regions FD1, FD2 accumulate charge flowing into a region directly below the respective gate electrodes TX1, TX2.例文帳に追加

第１及び第２半導体領域ＦＤ１，ＦＤ２は、各ゲート電極ＴＸ１，ＴＸ２の直下の領域に流れ込む電荷を蓄積する。 - 特許庁

A first and a second gate electrodes TX1 and TX2 are arranged between corresponding semiconductor areas FD1 and FD2 and the light receiving area.例文帳に追加

第１及び第２ゲート電極ＴＸ１，ＴＸ２は、対応する半導体領域ＦＤ１，ＦＤ２と受光領域との間に配置される。 - 特許庁

The first and second semiconductor regions FD1 and FD2 accumulate charge flowing into a region directly below the respective gate electrodes TX1 and TX2.例文帳に追加

第１及び第２半導体領域ＦＤ１，ＦＤ２は、各ゲート電極ＴＸ１，ＴＸ２の直下の領域に流れ込む電荷を蓄積する。 - 特許庁

Further, information of the charge amount in the accumulation part FD2 is acquired during a non-input period of the reflected wave, and the distance to the front object is calculated based on the information.例文帳に追加

更に、反射波の非入力期間に蓄積部ＦＤ２の電荷量の情報を取得し、これらの情報に基づき前方物体までの距離を算出する。 - 特許庁

A functional description FD2 of a frequency characteristic calculating circuit is used in addition to a functional description FD1 of a simulated circuit, in a time-based transition analysis S1 by a circuit simulator.例文帳に追加

回路シミュレータによる時間ベースの過渡解析（Ｓ１）には、被シミュレーション回路の機能記述（ＦＤ１）の他に、周波数特性計算回路の機能記述（ＦＤ２）が利用される。 - 特許庁

The first and second semiconductor regions FD1, FD2 are disposed while being mutually and spatially separated along a first side at the side of the first side of the photo gate electrode PG.例文帳に追加

第１及び第２半導体領域ＦＤ１，ＦＤ２は、フォトゲート電極ＰＧの第１辺側において当該第１辺に沿って互いに空間的に離間して配置されている。 - 特許庁

First and second semiconductor regions FD1 and FD2 are arranged on both sides of the photogate electrode PG in the opposite direction of the first and second long sides LS1 and LS2 so as to be opposed to each other.例文帳に追加

第１及び第２半導体領域ＦＤ１，ＦＤ２は、第１及び第２長辺ＬＳ１，ＬＳ２の対向方向でフォトゲート電極ＰＧを挟んで対向して配置されている。 - 特許庁

A plurality of semiconductor areas FD1 and FD2 are arranged to face on both sides of the photo-gate electrode PG and to be spatially separated from each other along the second direction.例文帳に追加

複数の半導体領域ＦＤ１，ＦＤ２は、第１方向でフォトゲート電極ＰＧを挟んで対向し且つ第２方向に沿って互いに空間的に離間して配置されている。 - 特許庁

The transistor Tr11 is switched off when discharge of light is finished, and the transistor Tr12 is switched off after a prescribed time, and information of a charge amount in the accumulation parts FD1, FD2 is acquired.例文帳に追加

また、発射終了時点でトランジスタＴｒ１１をオフし、所定時間遅れてトランジスタＴｒ１２をオフして、蓄積部ＦＤ１，ＦＤ２の電荷量の情報を取得する。 - 特許庁

A first and a second gate electrodes TX1 and TX2 are arranged between corresponding semiconductor areas FD1 and FD2 and the light receiving area and electrical charge transfer signals whose phases are different are given thereto.例文帳に追加

第１及び第２ゲート電極ＴＸ１，ＴＸ２は、対応する半導体領域ＦＤ１，ＦＤ２と受光領域との間に配置され、異なる位相の電荷転送信号が与えられる。 - 特許庁

The sensor has a constitution wherein source electrodes of transistors Tr11, Tr12, Tr20 are connected to a cathode of a photoelectric conversion element PD, and drain electrodes of the transistors Tr11, Tr12 includes charge accumulation parts FD1, FD2.例文帳に追加

センサは、光電変換素子ＰＤのカソードに、トランジスタＴｒ１１，Ｔｒ１２，Ｔｒ２０のソース電極が接続された構成にされ、トランジスタＴｒ１１，Ｔｒ１２のドレイン電極に、電荷蓄積部ＦＤ１，ＦＤ２を備える。 - 特許庁

The relay station device 31 communicates with a terminal station device 42 or the like in a relay station cover area 72 at the timing of time slots TS2-TS5 during the period of a Downlink frame FD2 and an Uplink frame FU2.例文帳に追加

中継局装置３１は、DownlinkフレームＦＤ２，UplinkフレームＦＵ２の期間はタイムスロットＴＳ２〜ＴＳ５のタイミングで中継局カバーエリア７２内における端末局装置４２等との通信を行う。 - 特許庁

The radiating element 21, 22 has at least a part of outer shape formed such that its distance from the Y axis increases with increasing the distance from a midpoint of a line segment joining feed points FD1, FD2 to each other along the Y axis.例文帳に追加

放射素子２１，２２は少なくとも外形の一部が給電点ＦＤ１，ＦＤ２を結ぶ線分の中点からＹ軸に沿って遠ざかるにつれてＹ軸との距離が大きくなるように形成される。 - 特許庁

The second feedback quantity FD2 is obtained by calculating the request vehicle speed by a filter which achieves requested response (primary response model, rate limiter etc.), then comparing the requested vehicle speed with the real vehicle speed.例文帳に追加

第２のフィードバック量ＦＤ２は、要求される応答を実現するフィルタ（一次応答モデル、レートリミッタ等）によって要求車速を演算し、次いで、その要求車速と実車速を比較することで得られる。 - 特許庁

A distance detection sensor 1 comprises: a semiconductor substrate 1A with a light incident surface 1FT as well as a rear surface 1BK; electrodes TX1 and TX2; semiconductor regions FD1 and FD2; and another semiconductor region SR1.例文帳に追加

距離画像センサ１は、光入射面１ＦＴと裏面１ＢＫとを有する半導体基板１Ａ、電極ＴＸ１，ＴＸ２、半導体領域ＦＤ１，ＦＤ２、及び半導体領域ＳＲ１を備える。 - 特許庁

A distance image sensor 1 includes a semiconductor substrate 1A having a light incident surface 1BK and a surface 1FT, electrodes TX1 and TX2, semiconductor regions FD1 and FD2 and a semiconductor region SR1.例文帳に追加

距離画像センサ１は、光入射面１ＢＫと表面１ＦＴとを有する半導体基板１Ａ、電極ＴＸ１，ＴＸ２、半導体領域ＦＤ１，ＦＤ２、及び半導体領域ＳＲ１を備える。 - 特許庁

Since the parasitic element 4 is arranged along a part of the radiation part 2 including the power feeding points FD1, FD2, the parasitic element 4 receives comparatively large energy from the radiation part 2, so as to allow resonance to easily occur.例文帳に追加

給電点ＦＤ１，ＦＤ２を含む放射部２の一部に沿って無給電素子４が配置されるので、無給電素子４は放射部２から比較的大きなエネルギーを受けることにより共振を起こしやすくなる。 - 特許庁

In the device, when the reflected wave arrives, after the transistors Tr11, Tr12, Tr20 are switched on and discharge of light is started, the transistor Tr20 for discharging the charge is switched off, and charge transfer from the element PD to the accumulation parts FD1, FD2 is started.例文帳に追加

本装置は、トランジスタＴｒ１１，Ｔｒ１２，Ｔｒ２０をオンし、光の発射開始後、反射波が到達した頃に、電荷排出用のトランジスタＴｒ２０をオフして、素子ＰＤから蓄積部ＦＤ１，ＦＤ２への電荷転送を開始する。 - 特許庁

An area immediately below the photo-gate electrode PG includes first areas CG1 located between the semiconductor areas FD1 and FD2 facing in the first direction and second areas CG2 sandwiched between the first areas CG1 in the second direction.例文帳に追加

フォトゲート電極ＰＧの直下の領域は、第１方向で対向する半導体領域ＦＤ１，ＦＤ２の間に位置する第１領域ＣＧ１と、第１領域ＣＧ１に第２方向で挟まれる第２領域ＣＧ２と、を含む。 - 特許庁

Since carriers generated in the photo-sensitive region 1G easily and reliably flow in the first semiconductor regions FD1 and the second semiconductor regions FD2, it is possible to reduce the number of carriers remaining in the photo-sensitive region 1G.例文帳に追加

光感応領域１Ｇ内で発生したキャリアが第1半導体領域ＦＤ１及び第2半導体領域ＦＤ２内に確実に流れ込みやすくなり、光感応領域１Ｇ内におけるキャリアの残留を抑制することができる。 - 特許庁

In the third semiconductor regions SR1, a potential on the first and second short sides SS1 and SS2 side is set to be higher than a potential in a region located between the first and second semiconductor regions FD1 and FD2 in a region immediately under the photogate electrode PG.例文帳に追加

第３半導体領域ＳＲ１は、第１及び第２短辺ＳＳ１，ＳＳ２側でのポテンシャルをフォトゲート電極ＰＧの直下の領域における第１及び第２半導体領域ＦＤ１，ＦＤ２の間に位置する領域でのポテンシャルよりも高めている。 - 特許庁

The larger target driving force is calculated based on an additional value of a first feedback quantity FD1 based on deviation of a target vehicle speed V_T and real vehicle speed V_R and a second feedback quantity FD2 based on deviation of a request vehicle speed V_S and real vehicle speed V_R.例文帳に追加

目標車速Ｖ_T および実車速Ｖ_R の偏差に基づく第１のフィードバック量ＦＤ１と、要求車速Ｖ_S 及び実車速Ｖ_R の偏差に基づく第２のフィードバック量ＦＤ２との加算値に基づいて、より大きな目標駆動力が演算される。 - 特許庁

The solid photographing device has a picture element comprising photoelectric converters PD1, PD2 and transistors, and the plurality of photoelectric converters PD1, PD2 are formed in the depthwise direction of its one picture-element region 12, and further, floating diffusion regions FD1, FD2 are formed in the picture-element region 12.例文帳に追加

光電変換部ＰＤ１，ＰＤ２とトランジスタからなる画素を有し、１つの画素領域１２の深さ方向に複数の光電変換部ＰＤ１，ＰＤ２が形成され、画素領域１２にフローティング・ディフージョン領域ＦＤ１，ＰＤ２が形成されて成る。 - 特許庁

A distance image sensor 1 includes: a semiconductor substrate 1A having a light incidence surface 1FT and a rear face 1BK; a photo-gate electrode PG; first and second gate electrodes TX1 and TX2; first and second semiconductor regions FD1 and FD2; and a third semiconductor region SR1.例文帳に追加

距離画像センサ１は、光入射面１ＦＴと裏面１ＢＫとを有する半導体基板１Ａ、フォトゲート電極ＰＧ、第１及び第２ゲート電極ＴＸ１，ＴＸ２、第１及び第２半導体領域ＦＤ１，ＦＤ２、並びに第３半導体領域ＳＲ１を備えている。 - 特許庁

The distance image sensor 1 includes: a semiconductor substrate 1A having a light incidence surface 1BK and a surface 1FT at a side opposite to the light incidence surface 1BK; a photo-gate electrode PG; first and second gate electrodes TX1, TX2; first and second semiconductor regions FD1, FD2; and a third semiconductor region SR1.例文帳に追加

距離画像センサ１は、光入射面１ＢＫ及び光入射面１ＢＫとは逆側の表面１ＦＴを有する半導体基板１Ａ、フォトゲート電極ＰＧ、第１及び第２ゲート電極ＴＸ１，ＴＸ２、第１及び第２半導体領域ＦＤ１，ＦＤ２、並びに第３半導体領域ＳＲ１を備える。 - 特許庁

In a three-level inverter device, diodes FD1, FD2 are each connected in reverse parallel manner across a first smoothing capacitor FC1, that is arranged between the positive potential line P and an intermediate potential point C, and across a second smoothing capacitor FC2, that is arranged between the point C and a negative potential line N.例文帳に追加

３レベルインバータ装置において、正電位ラインＰと中間電位点Ｃとの間に設置される第１の平滑コンデンサＦＣ１、および中間電位点Ｃと負電位ラインＮとの間に設置される第２の平滑コンデンサＦＣ２の両端にそれぞれ、ダイオードＦＤ１，ＦＤ２を逆並列に接続する。 - 特許庁