「film direction」に関連した英語例文の一覧と使い方(130ページ目) - Weblio英語例文検索

The transceiver is equipped with: a plurality of light guides 2 disposed parallel to each other on a common plane 1; a plurality of light emitting elements 13 facing the ends of the light guides 2; a multilayer film filter 15 orthogonally inserted into the light guides 2 and tilted against the plane; and a plurality of light receiving elements 16 facing the multilayer film filter 15 in the direction orthogonal to the plane 1.例文帳に追加

共通の平面１上に互いに平行に設けられた複数のライトガイド２と、これらライトガイド２の端部に臨ませた複数の発光素子１３と、上記ライトガイド２に直交して挿入されかつ上記平面に対して傾斜した多層膜フィルタ１５と、上記平面１に対して直交する方向から上記多層膜フィルタ１５に臨ませた複数の受光素子１６とを備えた。 - 特許庁

On the active region 12A, there are formed a gate electrode 13 which has Schottky contact with the active region 12A, is extendingly formed on the insulating oxide film 12B and has a drawn portion 13a on the insulating oxide film 12B, and ohmic electrodes 14 which are spaced from both sides of the gate electrode 13 in a gate longitudinal direction to form a source electrode and a drain electrode, respectively.例文帳に追加

活性領域１２Ａの上には、該活性領域１２Ａとショットキ接触すると共に、絶縁酸化膜１２Ｂの上に延びるように形成され該絶縁酸化膜１２Ｂ上に引き出し部１３ａを有するゲート電極１３と、該ゲート電極１３のゲート長方向側の両側部と間隔をおき、それぞれがソース電極及びドレイン電極となるオーミック電極１４とが形成されている。 - 特許庁

The method also comprises the steps of connecting the GaN semiconductor layer on the board 1 to the substrate 8 via the film 7 and the film 9, so that easy directions of cleavage for the semiconductor layer and the substrate coincide, then removing the board 1, cleaving the substrate 8 along the its easy direction of cleavage, thereby cleaving the semiconductor layer to form the end face of a resonator.例文帳に追加

Ｎｉ／Ａｕ膜７およびＮｉ／Ａｕ／Ｉｎ膜９を介してＣ面サファイア基板１上のＧａＮ系半導体層とｐ型ＧａＰ基板８とをそれらの劈開容易方向が一致するように接合後、Ｃ面サファイア基板１を除去し、ｐ型ＧａＰ基板８をその劈開容易方向に沿って劈開することによりＧａＮ系半導体層を劈開して共振器端面を形成する。 - 特許庁

One or a plurality of field effect transistors are layered in the thickness direction of a multi-layer film for a basic unit planarly juxtaposing and arranging one or the plurality of the field effect transistors forming a gate electrode, a source electrode and a drain electrode on the surface of the semiconductor multi-layer film, and the gate electrode, the source electrode and the drain electrode of each field effect transistor are connected respectively.例文帳に追加

半導体多層膜表面にゲート電極、ソース電極およびドレイン電極が形成されてなる電界効果トランジスタの１個または複数個が平面的に並列配置された基本ユニットに対して、前記多層膜の厚さ方向に１個または複数個の電界効果トランジスタが積層され、かつ、各電界効果トランジスタの前記ゲート電極、ソース電極、およびドレイン電極同士がそれぞれ接続された構造。 - 特許庁

The gas-barrier multilayer film includes a base and one or more thin layers formed on at least one surface of the base, wherein, in at least one layer of the thin layers, an electron beam transmission curve showing the relation between a distance from a surface of the layer in the film thickness direction of the layer and an electron beam transmission degree has at least one extreme value.例文帳に追加

基材と、前記基材の少なくとも片方の表面上に形成された少なくとも１層の薄膜層とを備えるガスバリア性積層フィルムであって、前記薄膜層のうちの少なくとも１層において、該層の膜厚方向における該層の表面からの距離と電子線透過度との関係を示す電子線透過度曲線が少なくとも１つの極値を有することを特徴とするガスバリア性積層フィルム。 - 特許庁

After forming the catalyst layer on the hydrogen ion conductive polymer electrolyte film, light is irradiated on the hydrogen ion conductive polymer electrolyte film as it is moved toward a plane direction, at least reflection light from the catalyst layer is measured, and quality of a forming state of the catalyst layer is determined by comparison of the reflection light with a reference reflection light.例文帳に追加

水素イオン伝導性高分子電解質膜上に触媒層を形成した後、前記水素イオン伝導性高分子電解質膜を面方向に移動させながら前記水素イオン伝導性高分子電解質膜に光を照射し、少なくとも前記触媒層からの反射光を測定し、前記反射光を基準反射光とを比較して前記触媒層の形成状態の良否を判定する。 - 特許庁

The actuator comprises a piezoelectric oscillator having a piezoelectric layer 70 formed on one side of a substrate defining a cavity through a resilient film 50 wherein the piezoelectric characteristics of the piezoelectric layer 70 is enhanced by setting the stress being applied thereto when a driving power is loaded to the piezoelectric oscillator equivalent to the stress being applied to the piezoelectric layer 70 at the time of film formation or higher than that in the tensile direction.例文帳に追加

キャビティを画成した基板の一方面側に弾性膜５０を介して圧電体層７０を含む圧電振動子を具備するアクチュエータ装置において、前記圧電振動子に駆動力が負荷される際の前記圧電体層７０の応力が、前記圧電体層７０の成膜時の応力と同等か又は引張り方向に大きいことにより、圧電体層７０の圧電特性が向上する。 - 特許庁

A polarizing laminated film 10 comprises a base film 11 and a polarizer layer 12, the polarizer layer 12 is laminated on one surface of the base film 11 and formed by drawing in a drawing axis direction.例文帳に追加

基材フィルム１１と基材フィルム１１の一方の面に積層した延伸軸方向に延伸してなる偏光子層１２とを備える偏光性積層フィルム１０であって、偏光性積層フィルム１０から切り出した試験片に対する昇温速度５℃／分で３０℃から１００℃までの昇温に伴う上記延伸軸方向の寸法伸縮率の測定試験において、昇温前の３０℃における試験片の延伸軸方向の長さをＬ１、昇温後の１００℃における試験片の延伸軸方向の長さをＬ２とすると、下記式（１）で算出される寸法伸縮率Ｓが、下記式（２）の関係を満たす。 - 特許庁

To provide an IC module for use in a contactless IC card such as a credit card by adhesion having on a film substrate an IC chip including a memory storing unique information and a microprocessor for information processing, and wiring including an antenna circuit for transmitting the unique information to an external apparatus which has a slit shaped and directed to break the film substrate in whatever direction the film substrate is peeled for an illicit purpose such as alteration or forgery.例文帳に追加

クレジットカードのような非接触ＩＣカードに接着にて内蔵され、固有情報を格納するメモリや情報処理を行うマイクロプロセッサを含むＩＣチップと、外部機器と固有情報の送受信を行うためのアンテナ回路を含む配線が、フィルム状の基板に備えられたＩＣモジュールにおいて、このフィルム状の基板が、変造や偽造等の不正目的で引き剥がされるとき、いずれの方向からでも、剥がしのときに加わる作用によってフィルム状の基板が破断される切り込みを、その切り込み形状とその向きに特徴をもたせたものである。 - 特許庁

The method of manufacturing the retardation compensation film includes: a heat-drawing step of drawing a film obtained by using an amorphous resin and a thermoplastic elastomer resin that substantially has a phase separation form with respect to the amorphous resin, in at least one of longitudinal and lateral direction while heating; and a heat treatment step of heat-treating the stretched film.例文帳に追加

非晶性樹脂と、非晶性樹脂に対して実質的に相分離形態を呈する熱可塑性エラストマー系樹脂とを用いて得られたフィルムを長手方向及び幅方向の内の少なくとも一方向に、加熱しながら延伸する加熱延伸工程と、延伸されたフィルムを熱処理する熱処理工程とを備え、加熱延伸工程において、加熱延伸工程における延伸倍率をｋ、平均歪み速度をε（％／分）及び延伸温度をＴｓ（℃）とし、かつ前記非晶性樹脂のガラス転移温度をＴｇ（℃）としたときに、下記式（１）及び下記式（２）を満たす位相差補償フィルムの製造方法。 - 特許庁

In a metal sheet wherein at least a resin coating film layer using an aminoplast resin as a curing agent is provided on one side or both sides of a metal sheet subjected to chemical conversion treatment, the element concentration distribution in the depth direction of the coating film is measured with respect to a top coating film layer by high frequency discharge type glow discharge emission spectrochemical analysis.例文帳に追加

化成処理を施した金属板の片面もしくは両面に、1層以上のアミノプラスト樹脂を硬化剤として用いた樹脂塗膜層をトップ塗膜層として有する金属板において、トップ塗膜層について高周波放電式グロー放電発行分光分析で塗膜の深さ方向の元素濃度分布を測定し、トップ塗膜層の空気に接している表面をゼロ点とし、ここから深さ方向の距離をTとし、更に、Nc=[窒素のスペクトル強度]/{[窒素のスペクトル強度]+[酸素のスペクトル強度]+[炭素のスペクトル強度]}と定義したときに、Ncの値が次の(A)0μm≦T≦0.5μmのいずれかの深さにおけるNcの値が0.45以上である。 - 特許庁

The stretched polymer film is obtained by a method for stretching the long polymer film, which is supplied continuously and conveyed while being held by both ends thereof, to the lateral direction perpendicular to the conveying direction.例文帳に追加

連続的に供給される長尺状の高分子フィルムの両端を保持しながら搬送し、高分子フィルムを搬送しつつ搬送方向に対して横方向に延伸する方法によって得られる高分子延伸フィルムであって、前記方法は、凹凸形状が設けられた部材によって高分子フィルムの両端を弛ませる工程と、弛んだ状態の高分子フィルムの両端を搬送装置に保持する保持工程と、前記搬送装置によって高分子フィルムを搬送させながら搬送方向に対して横方向に拡幅することにより高分子フィルムを横方向に延伸する延伸工程とを含むものである高分子延伸フィルムが提供される。 - 特許庁

The manufacturing method for a liquid crystal display device comprises irradiating the surface of a photosensitive resin layer 20 having a predetermined film thickness with light having exposure energy in order to form a distribution of a thermal deformation characteristic in the direction of the thickness of the layer 20 (or in the planar direction) and then forming random bumpy microscopic grooves, or microscopic wrinkles on the layer 20 by heat treatment.例文帳に追加

本発明は，液晶表示装置の製造方法において，所定の膜厚を有する感光性樹脂層２０の表面に露光エネルギーを有する光を照射して，感光性樹脂層の厚さ方向（または平面方向）に熱的変形特性の分布を形成した後，熱処理を行って感光性樹脂層２０の表面にランダムな凹凸ＭＧ（マイクログルーブ，微細な溝，或いは微細な皺）を形成することを特徴とする。 - 特許庁

The center line surface roughness Ra is measured by using a high precision surface roughness meter OO produced by XX manufacturing Co. Ltd. and a chart is drawn under the condition of cut-off value 0.08mm and OX, according to JIS B0601. A portion of measured length L is cut out from a film surface roughness curve to the direction of the center line. When the center line of the portion is expressed as an X axis, the vertical direction is expressed as a Y axis, and a roughness curve is expressed as Y = f (X), the value obtained from the following expression is Ra (μm). 例文帳に追加

中心線表面粗さRaはJIS B0601に準じ、(株)××製作所の高精度表面粗さ計○○を用いて測定し、カットオフ0.08mm、及び○×の条件下にチャートを書かせ、フィルム表面粗さ曲線からその中心線の方向に測定長さＬの部分を抜き取り、その抜き取り部分の中心線をＸ軸、縦方向をＹ軸として粗さ曲線をＹ＝ｆ(Ｘ)で表したとき、次の式で得られた値をμm単位で表す。 - 特許庁

The coating film forming device 100 includes an induction heating part 110 having a first winding part 140 formed by vortically winding metal wire and a second winding part 150 disposed with a distance K from the first winding part in the first direction X and formed by vortically winding the metal wire; and a mounting part 130 formed on the induction heating part 110 in the vertical direction Z and on which the metal plate P is mounted.例文帳に追加

塗膜形成装置１００は、金属線が渦巻き状に巻き回されて形成される第１巻き部１４０と、第１巻き部と第１方向Ｘにおいて距離Ｋをあけて配置され金属線が渦巻き状に巻き回されて形成される第２巻き部１５０とを有する誘導加熱部１１０と、誘導加熱部１１０における垂直方向Ｚ上方に形成され金属プレートＰが載置される載置部１３０と、を備える。 - 特許庁

Moreover, the light source 10 has a light source 15 of second pumping light, a coupler 18 for coupling the second pumping light with the film 12 in the upstream direction of the light source 10 and an optical isolator 13 arranged between the films 11 and 12 so that the light, which is propagated from the fiber 12 to the upstream direction, hardly reaches the fiber 11.例文帳に追加

光源１０は、さらに、第２ポンプ光の光源１５と、第２ポンプ光を第２のＳＥ−ＲＥドープ光ファイバ１２に上流方向に結合するカプラ１８と、第２のＳＥ−ＲＥドープ光ファイバ１２から上流方向に伝搬する光が第１のＳＥ−ＲＥドープ光ファイバ１１にほとんど到達しないように第１のＳＥ−ＲＥドープ光ファイバ１１と第２のＳＥ−ＲＥドープ光ファイバ１２の間に配置された光アイソレータ１３とを有する。 - 特許庁

The proton conductive electrolyte film 4 has a plurality of acid polymer layers 4a and a plurality of base polymer layers 4b alternately laminated, with the number of superposition of the polymer chains in a thickness direction per acid polymer layer 4a set at less than 10 as well as with the number of superposition of the polymer chains in a thickness direction per base polymer layer 4b set at less than 10.例文帳に追加

複数の酸性ポリマー層４ａと複数の塩基性ポリマー層４ｂとがそれぞれ交互に積層されてなり、各酸性ポリマー層４ａの一層当たりの高分子鎖の厚み方向の重なり数が１０未満に設定されるとともに、各塩基性ポリマー層４ｂの一層当たりの高分子鎖の厚み方向の重なり数が１０未満に設定されていることを特徴とする燃料電池用のプロトン伝導性電解質膜４を採用する。 - 特許庁

The coating apparatus 1 is provided near a support roll 10 separated therefrom, and includes a coating head 20 dropping a curtain film C to the base material W supported on the support roll 10, and an air flow removing part 30 provided upstream in the rotation direction of the support roll 10 from a portion P where the curtain film C dropping from the coating head 20 near the support roll 10 comes into contact with the base material W.例文帳に追加

塗布装置１は、支持ロール１０の近傍において当該支持ロール１０と離間して設けられ、支持ロール１０により支持される基材Ｗに対してカーテン膜Ｃを落下させる塗布ヘッド２０と、支持ロール１０の近傍において塗布ヘッド２０から落下したカーテン膜Ｃが基材Ｗに接触する箇所Ｐよりも支持ロール１０の回転方向における上流側に設けられた空気流除去部３０とを備えている。 - 特許庁

The embossing apparatus forming an emboss pattern of the projecting parts along the transporting direction on the side end parts of the thermoplastic resin film belt-like on the film has a process of using the embossing apparatus provided with a cooling device for blowing air to control the bearing temperature of the roller with the projecting parts to ≤300°C and an automatic alignment bearing as an embossing mark uniformity adjusting mechanism.例文帳に追加

熱可塑性樹脂フィルムの側縁部に搬送方向に沿った突起部のエンボス模様をフィルムに帯状に形成するエンボス加工装置において、突起付きローラの軸受温度を３００℃以下とするために、エアーを吹き付ける冷却装置とエンボス痕均一調整機構として自動調芯軸受けであることを特徴とするエンボス加工装置を用いる工程を有することを特徴とする、熱可塑性樹脂フィルムの製造方法である。 - 特許庁

A plate polysilicon layer 104 is formed additionally between a bond pad metal layer formed by bonding a first metal layer 108 and a second metal layer 112 directly and an underlying first insulation film 102 so that an external thermal/mechanical stress is absorbed thus increasing durability against a tensile force in the vertical direction and enhancing adhesion by preventing slip between the bond pad metal layer and the first insulation film 102.例文帳に追加

第１メタル層１０８と第２メタル層１１２とが直接接着された形のボンドパッドメタル層とその下部に位置する第１絶縁膜１０２との間にプレートポリシリコン層１０４を追加で形成し、外部から加わる熱的／機械的ストレスを吸収するようにして、垂直方向の引張力に対する耐久性を増大させ、ボンドパッドメタル層と第１絶縁膜１０２との滑りを防止して接着性を改善できる。 - 特許庁

The liquid crystal display device includes an array substrate having electrodes for applying an electric field in a plane direction of the substrate, a counter substrate disposed opposing to the array substrate, a porous film held between the array substrate and the counter substrate, and a liquid crystal composition filling pores of the porous film and comprising a liquid crystal component and a dendrimer and/or dendron having compatibility with the liquid crystal component.例文帳に追加

基板の面方向に電界を印加する電極を備えたアレイ基板と、前記アレイ基板に対向して設けられた対向基板と、前記アレイ基板と前記対向基板との間に挟持された多孔質膜と、前記多孔質膜の空孔内に充填された、液晶成分及び前記液晶成分と相溶性のあるデンドリマー及び／又はデンドロンを含む液晶組成物とを有することを特徴とする液晶表示装置とする。 - 特許庁

In a high speed signal line, a thin film conductive signal wire 102 is formed on one side of a board 101 having electric insulation, and a thin film conductive electric reference face 104 is formed on the other side of the board 101 which is engraved in a direction of the one side so as to provide prescribed impedance to the high speed signal line.例文帳に追加

電気的に絶縁性を有する基板１０１の一方の面に導電性を有する薄膜状の信号配線１０２が形成され、基板１０１の他方の面に導電性を有する薄膜状の電気的基準面１０４が形成された高速信号線において、他方の面は、一方の面の方向に掘り込まれて電気的基準面１０４が形成され、高速信号線が所定のインピーダンスを有するように構成された。 - 特許庁

The nonvolatile semiconductor memory includes: a semiconductor substrate 1; a first gate electrode WG formed on the semiconductor substrate 1 through a gate insulating film 10; second gate electrodes CG1, CG2 formed in a side direction of the first gate electrode WG and electrically insulated from the first gate electrode WG; and an electric charge trapping film 30 formed at least between the semiconductor substrate 1 and the second gate electrodes CG1, CG2.例文帳に追加

不揮発性半導体メモリは、半導体基板１と、半導体基板１上にゲート絶縁膜１０を介して形成された第１ゲート電極ＷＧと、第１ゲート電極ＷＧの側方に形成され第１ゲート電極ＷＧから電気的に絶縁された第２ゲート電極ＣＧ１、ＣＧ２と、半導体基板１と第２ゲート電極ＣＧ１、ＣＧ２との間に少なくとも形成された電荷トラップ膜３０と、を備える。 - 特許庁

In the decorative film including a substrate, the colored layer at least partially formed on the surface of the substrate, and a pressure sensitive adhesive layer formed on the back of the substrate, in at least one part of the colored layer, in the predetermined direction of the decorative film, a gradation region with a continuous density gradient given by the continuous variation of the density of the colored layer is provided.例文帳に追加

基材と、その基材の表面に少なくとも部分的に形成された着色層と、前記基材の裏面に形成された感圧接着剤層とを含む装飾フィルムにおいて、前記着色層の少なくとも一部分に、前記装飾フィルムの予め定められ方向において、前記着色層の濃度が連続的に変動して間断のない濃度勾配が付与されたグラデーション領域が備わっているように構成する。 - 特許庁

The manufacturing method comprises a step of etching an aluminum foil, a step of anodic-oxidating the surface of the aluminum foil to form a dielectric oxide film layer, and a step of compressing the aluminum foil with the formed dielectric oxide film layer in the thickness direction, thereby obtaining an electrode foil for electrolytic capacitors which is greatly improved about the capacitance, the leakage current characteristics and high frequency range characteristics.例文帳に追加

アルミニウム箔をエッチング処理する工程と、このアルミニウム箔の表面に陽極酸化により化成処理して誘電体酸化皮膜層を形成する工程と、上記誘電体酸化皮膜層が形成されたアルミニウム箔を厚み方向に圧縮する工程とからなる製造方法とすることにより、静電容量および漏れ電流、高周波領域の特性を大幅に向上させた電解コンデンサ用電極箔を得ることができるものである。 - 特許庁

In sputtering a silicon target by using, as a reactive gas, a gas containing oxygen and nitrogen in a vacuum system in which reduced pressure atmosphere can be regulated, the amounts of oxygen and nitrogen to be introduced into the vacuum system during deposition are altered to deposit a single-layer film having refractive index distribution due to changes in composition in a thickness direction.例文帳に追加

減圧した雰囲気が調整できる真空装置内でシリコンターゲットを反応性ガスとしての酸素と窒素を含むガスでスパッタリングするに際し、被覆中に真空装置内に導入する酸素と窒素の量を変更し、厚み方向に組成変化により生じる屈折率分布を有する単層膜を被膜する。 - 特許庁

At least the molding face 1a of the die for an optical element is subjected to ion implantation with argon ions 10 progressing in the direction at 70° to 110° angle θ from the tangential plane (A) in the center of the molding face 1a to form a film having minute crystal grains on the surface of the molding die face 1a.例文帳に追加

光学素子成形用型の少なくとも成形面１ａに対し、この成形面１ａの中心における接平面Ａとのなす角度θが７０°〜１１０°である方向から進行するアルゴンイオン１０によってイオン注入を施こし、成形面１ａの表面に微細な結晶粒が存在する膜を形成する。 - 特許庁

In this blade for the image forming device constituted by bonding a blade member consisting of an elastic rubber member to one end in the width direction of a supporting plate 11, the plate 11 and the blade member 12 are bonded with a double coated adhesive tape 13 having an adhesive layer on both sides of base material consisting of plastic film.例文帳に追加

支持プレートの幅方向一端部に弾性ゴム部材からなるブレード部材を接合してなる画像形成装置用ブレードにおいて、前記支持プレート１１と前記ブレード部材１２とを、プラスチックフィルムからなる基材の両面に接着剤層を有する両面接着テープ１３によって接合する。 - 特許庁

The electrical/mechanical connecting strength is improved by forming a connecting part between the metalized film and external electrodes in a shape with concave and convex portions having higher rigidity by forming dielectric material layers on both surfaces of the plurality of metalized films constituting the element and moreover winding or laminating the metalized films with certain deviation in the width direction of the films.例文帳に追加

素子を構成する複数からなる金属化フィルムの両面に誘電体層を設け、さらに複数の金属化フィルムを互いに幅方向にずらして巻回又は積層することによって、金属化フィルムの外部電極との接続部を剛性の高い凹凸形状とし、電気的、機械的な接続強度を向上させる。 - 特許庁

The one-component developing device 10 has a toner charging member 17 arranged in contact with the toner carrier 12 on a more downstream side than a toner regulating member 15 and on a more upstream side than a developing area D in the moving direction of the surface of the toner carrier 12, and the toner charging member 17 is a high polymer film supported by a fixed electrode 20.例文帳に追加

トナー担持体１２表面の移動方向においてトナー規制部材１５より下流側且つ現像領域Ｄより上流側でトナー担持体１２に接触配置されたトナー帯電部材１７を有しており、トナー帯電部材１７は、固定電極２０に支持された高分子フィルムである一成分現像装置１０。 - 特許庁

The bump electrode 12 has the conductive film 14 in direct contact with at least part of a top surface 11a of the terminal 11 and at least part of a surface (side surface 11b) of the terminal 11 corresponding to its thickness direction by elastically deforming to profile the shape of at least one corner portion 11c.例文帳に追加

バンプ電極１２は、弾性変形して端子１１の少なくとも一つの角部１１ｃの形状に倣うことにより、端子１１の上面１１ａの少なくとも一部と端子１１の厚さ方向に対応する面（側面１１ｂ）の少なくとも一部とに、導電膜１４が直接導電接触している。 - 特許庁

To provide an optically compensatory film for a polarizing plate which optically compensates a liquid crystal cell with accuracy, suppresses a color shift depending on a viewing angle direction in high contrast and black display, and ensures sufficiently small variations of Re and Rth to a change of the environmental humidity, a polarizing plate using the same, and a liquid crystal display.例文帳に追加

液晶セルを正確に光学的に補償し、高いコントラストと黒表示時の視角方向に依存した色ずれを抑制し、且つ、環境湿度の変化に対してＲｅ、Ｒｔｈの変動が十分に小さな偏光板用途の光学補償フィルム、及びそれを用いた偏光板、並びに液晶表示装置の提供。 - 特許庁

In a nitride semiconductor heterostructure, a conductive nitride epitaxial thin film is provided on a silicon carbide single crystal substrate having an effective mass ratio (α) of 0.5 or more and 1.5 or less defined as a value obtained by dividing the electron effective mass in a crystal (c) axis direction with the electron effective mass in (0001) face.例文帳に追加

結晶ｃ軸方向の電子有効質量を（０００１）面内の電子有効質量で除した値で定義される有効質量比αが０．５以上１．５以下である炭化珪素単結晶基板上に導電性の窒化物半導体エピタキシャル薄膜を配した窒化物半導体ヘテロ構造である。 - 特許庁

The problem is solved by forming a CIS-based film by setting the temperature of a long substrate at 500°C or higher while transporting the substrate in the longitudinal direction, and cooling the substrate down to 210°C or lower with a cooling time of 1 to 360 seconds by contact type cooling means while supplying selenium to the substrate.例文帳に追加

長尺な基板を長手方向に搬送しつつ、前記基板の温度を５００℃以上にしてＣＩＳ系膜を成膜し、その後、基板にセレンを供給しつつ、接触式の冷却手段によって、１〜３６０秒の冷却時間で前記基板を２１０℃以下まで冷却することにより、前記課題を解決する。 - 特許庁

The electrode assembly structure includes an electrode, and a metal electrode with a first contact part in contact with an electrode end through a thin film, and a second contact part arranged in opposition to the first contact pinching the electrode end and getting in contact with the electrode by resilience toward a direction of the first contact.例文帳に追加

電極と、電極端部と薄膜を介して接触する第１の接触部、電極端部を挟んで第１の接触部に対向して配置され、第１の接触部方向に向かう復元力により電極と接合する第２の接触部を備える金属電極と、を有する電極接合構造。 - 特許庁

A laser beam is irradiated to a lamination 5 constituted by laminating plural metallization films 3 having depositing metals 2 so as to be faced to a depositing metal surface, the depositing metals 2 of the plural metallization films 3 are removed in the width direction of the metallization film 3, and thereby margins 6 are formed on the plural metallization films 3.例文帳に追加

蒸着金属２を有する金属化フィルム３を複数積層した積層体５に、レーザビームを蒸着金属面に対向するように照射して複数の金属化フィルム３の蒸着金属２を金属化フィルム３の幅方向に除去して複数の金属化フィルム３にマージン部６を形成する。 - 特許庁

The superconducting film has a substrate and a superconductor layer formed on the substrate, and nano-grooves are formed on the surface of the substrate on which the superconducting layer is formed in parallel with the current flowing direction, and a planar crystal defect is introduced in the superconductor layer on the nano-groove.例文帳に追加

基板と該基板上に形成された超伝導体層とを有する超伝導膜であって、該超電導層が形成される基板表面に電流通電方向と平行にナノグルーブが形成されており、該ナノグルーブの上の該超伝導体層に面状結晶欠陥が導入されていることを特徴とする超伝導膜。 - 特許庁

In the arc discharge ion plating equipment having a rod-like evaporation source 14 for arcing and works 5 which are disposed in a manner to enclose the source 14 and whose surfaces are to be coated with film, the works 5 are made relatively movable along to the source 14 in the axial direction of the source 14.例文帳に追加

アークを発生させるロッド状蒸発源１４と、該ロッド状蒸発源１４を取り囲むように配設され表面に皮膜がコーティングされるワーク５とを有するアークイオンプレーティング装置において、前記ワーク５が前記ロッド状蒸発源１４に対して相対的に前記ロッド状蒸発源１４の軸方向に移動可能である。 - 特許庁

The surface-emitting semiconductor laser element is a constricted oxide type surface-emitting semiconductor laser element which has a pair of semiconductor multilayer film reflection mirrors and an active layer disposed between these mirrors on a GaAs substrate 12, and emits a laser beam in a direction of crossing the substrate at right angles.例文帳に追加

本面発光型半導体レーザ素子は、ＧａＡｓ基板１２上に、一対の半導体多層膜反射鏡と、一対の半導体多層膜反射鏡の間に配置された活性層とを有し、基板に直交する方向にレーザ光を出射する酸化狭窄型面発光型半導体レーザ素子である。 - 特許庁

The blue-violet semiconductor laser element 10 has an optical waveguide formed in a region where the red semiconductor laser element 50 is not bonded, and the electrode layer 21 is formed to extend in Y2 direction from between the red semiconductor laser element 50 and the insulation film 20 toward the region where the optical waveguide is formed.例文帳に追加

そして、青紫色半導体レーザ素子１０は、赤色半導体レーザ素子５０が接合されていない領域に光導波路が形成されるとともに、電極層２１は、赤色半導体レーザ素子５０と絶縁膜２０との間から光導波路が形成される領域側にＹ２方向に延びる。 - 特許庁

The metallized film capacitor has a derivation part integrally deviated from the peripheral part of the sealing body extended to the inner side rather than the end of the opening of the case in the side surface direction of the case, and two filling resins with a parallel run part of the derivation part and the case used as a boundary surface.例文帳に追加

ケースの開口部の先端よりも内部側まで、このケースの側面方向に、前記封口体の周辺部から一体的に導出した導出部分が伸びていて、この導出部分と前記ケースとの併走部分を境界面とする二つの充填樹脂を設けたことを特徴とする金属化フィルムコンデンサを提案する。 - 特許庁

A current blocking insulation film 2 is provided at a region on the first electrode 1, which the extraction electrode 7 and the metal pad 8 bonded on the extraction electrode 7 are projected in a normal direction of a surface of the first electrode 1 using the surface of the first electrode 1 as a projection surface, for blocking the current flow in the region.例文帳に追加

第１電極１上であり、第１電極１の表面を投影面として、引き出し電極７とその上に接着された金属パッド８が第１電極１の表面の法線方向に投影された領域には、この領域における電流の流れを阻止する電流阻止絶縁膜２が設けられている。 - 特許庁

To reduce cyclic display unevenness of a display image which is formed by using a mask having drawing unevenness due to the scanning direction of electron beam drawing and also generated because of the presence of a shading film prescribing an opening area of each pixel as to an electro- optical device such as a liquid crystal device.例文帳に追加

液晶装置等の電気光学装置において、電子ビーム描画における走査方向によって生じる描画むらを有するマスクを用いて形成されると共に各画素の開口領域を規定する遮光膜の存在に起因して生じる表示画像における周期的な表示むらを低減する。 - 特許庁

The method of manufacturing the semiconductor device comprises the step of conducting the ion implantation from the slanting direction permitting the ion to cross the grain boundary 3A of the columnar crystal structure, on the occasion of conducting ion implantation to form the source region and drain region, using the gate electrode 3 formed of a metal film of the columnar crystal structure as a mask.例文帳に追加

柱状結晶構造をもつメタル膜からなるゲート電極３をマスクとしてソース領域及びドレイン領域形成の為のイオン注入を行う際、前記柱状結晶構造のグレイン境界３Ａをイオンが横切るように斜め方向からイオン注入を行う工程が含まれてなることを特徴とする。 - 特許庁

In an optical device provided with a light source means which emits a luminous flux having a polarization characteristic and an optical means which focuses the luminous flux to a spot, the birefringent optical element in which a birefringent film is hermetically sealed is arranged in the luminous flux, thus the luminous flux having a different polarization characteristic is guided in a predetermined direction.例文帳に追加

偏光特性のある光束を出射する光源手段と、前記光束をスポットに結像する光学手段を備えた光学装置において、前記光束中に複屈折性フィルムを密封した複屈折性光学素子を配置して異なる偏光特性を有する光束を所定方向に導光すること。 - 特許庁