「h2 region」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

Next, a second region of the object 10 corresponding to a shooting region H2 is irradiated with the electron beam 11 for a shooting period T2 which is corrected according to the shot size.例文帳に追加

次に、ショット領域Ｈ２に対応する描画対象１０内の第２領域に、ショットサイズに応じて補正されたショット時間Ｔ２で、電子ビーム１１を照射する。 - 特許庁

The second region 18 contains the first portion 22a for receiving a forefinger H2 and the second portion 22b for receiving a middle finger H3.例文帳に追加

第２の領域１８は、人さし指Ｈ２を受ける第１の部分２２ａと、中指Ｈ３を受ける第２の部分２２ｂとを含む。 - 特許庁

The height of the top face of an element-isolation insulating film 4 in a drain-side region is constituted so as to be lower than that H2 of the element-isolation insulating film 4 in a source-side region A2.例文帳に追加

ドレイン側領域の素子分離絶縁膜４の上面高さを、ソース側の領域Ａ２の素子分離絶縁膜４の上面高さＨ２に比較して低く構成している。 - 特許庁

This gaseous atmosphere is a superposed portion of an Ni reducing region and a carbon oxidizing region in the Ellingham diagram, and is an atmosphere of an ammonia cracking gas in which CO2 gas is mixed or is H2 gas atmosphere.例文帳に追加

このガス雰囲気は、エリンガム線図における、Ｎｉの還元領域とカーボンの酸化領域の重複部分であり、ＣＯ_2ガスを混合したアンモニアクラッキングガスまたはＨ_2ガス雰囲気である。 - 特許庁

To provide a practical catalyst that exhibits especially high CO shift reactivity in the low-temperature region favorable to the shift of CO to H2 from the equilibrium theory.例文帳に追加

平衡論的にCOからH_2への転換が有利となる低温域において特に高いCOシフト反応活性を示す実用的な触媒とする。 - 特許庁

In a lower region h2 of the display range H, a phrase P1 corresponding to the current reproduction place and a next phrase P2 are displayed one above the other.例文帳に追加

表示範囲Ｈの下領域ｈ２には、現在の再生箇所に対応するフレーズＰ１及び次のフレーズＰ２を上下に表示する。 - 特許庁

At least a channel region 10C arranged between the source region 10S/the drain region 10D and at least a partial region extended from the channel region within a region facing the openings H1, H2 within the lower semiconductor layer 11 are each a polycrystalline semiconductor layer, and the upper semiconductor layer is an amorphous semiconductor layer.例文帳に追加

下層半導体層１１のうち、少なくともソース領域１０Ｓ／ドレイン領域１０Ｄの間に配置されるチャネル領域１０Ｃ、及び開口部Ｈ１，Ｈ２と対向する領域のうちの前記チャネル領域から延設される少なくとも一部の領域は、多結晶半導体層であり、上層半導体層は、非晶質半導体層である。 - 特許庁

Using a lower holder 51 and an upper holder 50, the belt 32 forms a lower-side region H1, which runs obliquely upward, and an upper-side region H2, which runs obliquely downward.例文帳に追加

下部保持体５１と上部保持体５０とによって、ベルト３２は、斜め上方に向かって走行する下側範囲Ｈ１と、斜め下方に向かって走行する上側範囲Ｈ２とが形成される。 - 特許庁

When one phrase in lyrics displayed in the upper region h1 is selected, the mobile telephone set starts reproducing the song from the selected phrase and displays the phrase in a lower region h2.例文帳に追加

携帯電話器は上領域ｈ１に表示される歌詞中の一つのフレーズが選択されると、選択されたフレーズから再生を開始すると共に、そのフレーズを下領域ｈ２に表示する。 - 特許庁

In this way, an opening surface for exposing the side face of the Si layer 9 is formed below the supporter film, and the hole h2 on the wiring forming region is deepened.例文帳に追加

これにより、支持体膜下にＳｉ層９の側面を露出する開口面が形成されると共に、配線形成領域の穴ｈ２が深く掘られる。 - 特許庁

In the wiring forming region, a separation distance between a wiring layer to be formed afterward and the silicon substrate 1 can be widened by the deepened hole h2.例文帳に追加

配線形成領域において、後に形成される配線層とシリコン基板１との離隔距離を、深く掘られた穴ｈ２によって広げることができる。 - 特許庁

A ground pattern G1 is arranged in a region in an opening H1 surrounded by the wiring parts W1a and W1b, and a ground pattern G2 is arranged in a region in an opening H2 surrounded by the wiring parts W2a and W2b.例文帳に追加

配線部Ｗ１ａ，Ｗ１ｂで囲まれた開口部Ｈ１内の領域にグランドパターンＧ１が配置され、配線部Ｗ２ａ，Ｗ２ｂで囲まれた開口部Ｈ２内の領域にグランドパターンＧ２が配置されている。 - 特許庁

A height h2 of a gate electrode 11 on an isolation film 6 is made smaller than a height h1 of the gate electrode 11 on an element formation region by leaving a first silicon layer 3 in an element formation region without removing it.例文帳に追加

第１のシリコン層（３）を除去せずに素子形成領域に残すことで、素子分離膜（６）上のゲート電極（１１）の高さｈ２を素子形成領域上のゲート電極（１１）の高さｈ２に比べて低くする。 - 特許庁

The heat exchange part 5 includes; a buffer region B where no branch pipes 4 are provided between the adjacent houses H1, H2; and first and second heat exchange regions C1, C2 located on both sides of the buffer region B.例文帳に追加

前記熱交換部５は、隣接する住戸Ｈ１、Ｈ２の間で枝パイプ４が設けられていないバッファ領域Ｂと、その両側の第１の熱交換領域Ｃ１、第２の熱交換領域Ｃ２とが設けられる。 - 特許庁

In the formula, H1 is hardness in the case of being heated to a temperature in an austenitic region and thereafter subjected to water quenching, and H2 is hardness in the case of being heated to a temperature in an austenitic region and thereafter slowly cooled to room temperature.例文帳に追加

Ｋ＝（Ｈ−Ｈ２）／（Ｈ１−Ｈ２）・・ 式 ここで、 Ｈ１：オーステナイト領域の温度に加熱後、水焼入れした場合の硬さ Ｈ２：オーステナイト領域の温度に加熱後、室温まで徐冷した場合の硬さ - 特許庁

The total number of prize balls in which the number of prize balls are summed up based on winning of game balls at each of winning openings 23-28 is displayed on the second display region H2.例文帳に追加

即ち、各入賞口２３〜２８への遊技球の入賞に基づく賞球数が合算された賞球総数を前記第２表示領域Ｈ２に表示させる。 - 特許庁

Because of this, when the air-inlet flange 13a moves in the rotating direction of the rotor and comes into contact with a shaft of the bolt 15, the region H2 of the shaft enters a non-constraint state.例文帳に追加

そのため、吸気口フランジ１３ａがロータ回転方向に移動してボルト１５の軸に当接した場合、軸の領域Ｈ２の部分は非拘束状態となる。 - 特許庁

Next, reactive ion etching using CH4 and H2 as an etching gas is executed to remove the part of the thin-film lamination structure except a semiconductor element forming region selectively.例文帳に追加

次に、エッチングガスとしてＣＨ_4 及びＨ_2 を用いた反応性イオンエッチングで前記薄膜積層構造の半導体素子形成領域以外の部分を選択的に除去する。 - 特許庁

A maximum height h1 in a region R1 which is in direct contact with the wiring material 11 of the electrode 21 is lower than a maximum height h2 in a region R2 which is not in direct contact with the wiring material 11 of the electrode 21.例文帳に追加

電極２１の配線材１１と直接接触している領域Ｒ１における最大高さｈ１は、電極２１の配線材１１と直接接触していない領域Ｒ２における最大高さｈ２よりも低い。 - 特許庁

In the chip resistor A1; the resistor 70 prepared between a pair of electrodes 20 is provided with high exoergic portions H1, H2, and a low exoergic portion L being connected in series, and a soldering side is formed in the undersurface region corresponding to the high exoergic portions H1, H2.例文帳に追加

チップ抵抗器Ａ１においては、一対の電極部２０間に設けられた抵抗体７０は、高発熱部Ｈ１、Ｈ２と低発熱部Ｌとが直列に接続して設けられ、高発熱部Ｈ１、Ｈ２に対応する下面側の領域にははんだ付け面が形成されている。 - 特許庁

Next, a resist pattern for continuously covering at least one part of the hole h1 and an SOI forming region 13 and exposing the upper part of the hole h2 is formed on the supporter film.例文帳に追加

次に、この支持体膜上に穴ｈ１の少なくとも一部とＳＯＩ形成領域１３とを連続して覆い、穴ｈ２の上方を露出するレジストパターンを形成する。 - 特許庁

A thin film pattern is formed on the surface of a substrate P by discharging a plurality of drops 32 of functional liquid on a region H1 to be coated between liquid repelling regions H2 formed by a liquid repelling film F.例文帳に追加

撥液性膜Ｆで形成された撥液領域Ｈ２間の被塗布領域Ｈ１に機能液の液滴３２を複数吐出して基板Ｐの表面に薄膜パターンを形成する。 - 特許庁

A sub CPU of a display control board works to form a decoration symbol display region H2 and a lottery game display region H0 in the display area H of a variable display device when the number of the valid lines visually recognizable by the players is reduced.例文帳に追加

表示制御基板のサブＣＰＵは、遊技者が視認可能な有効ラインの本数を減少させる場合には可変表示器の表示領域Ｈに飾り図柄表示領域Ｈ２と抽選ゲーム表示領域Ｈ０を形成させる。 - 特許庁

The buffer region B includes: the introduction parts 6; the first supply part 7a for supplying outside air which has undergone heat exchange in the first heat exchange region C1 to the first house H1; and the second supply part 7b for supplying outside air which has undergone heat exchange in the second heat exchange region C2 to the second house H2.例文帳に追加

バッファ領域Ｂに、前記導入部６と、第１の熱交換領域Ｃ１で熱交換された外気を第１の住戸Ｈ１に供給する第１の供給部７ａと、第２の熱交換領域Ｃ２で熱交換された外気を第２の住戸Ｈ２に供給する第２の供給部７ｂとが設けられる。 - 特許庁

In the method of forming an SOI structure on a silicon substrate 1 using an SBSI (separation by bonding silicon island) method, a supporter film is formed on the silicon substrate 1 so as to fill a hole h1 formed on an element forming region and a hole h2 formed on a wiring forming region.例文帳に追加

ＳＢＳＩ法を用いてシリコン基板１にＳＯＩ構造を形成する方法であって、素子形成領域に形成された穴ｈ１と配線形成領域に形成された穴ｈ２とを埋め込むようにシリコン基板１上に支持体膜を形成する。 - 特許庁

When a hologram H2 recorded in the window-like region 12 is reproduced (shown in the lower side of the figure), a spherical three-dimensional image B2 is reproduced in front of the common three dimensional image C as a background.例文帳に追加

窓状領域１２に記録されているホログラムＨ２を再生すると（図の下段）、背景となる共通立体画像Ｃの手前に、球形の立体画像Ｂ２が配置されている状態が再生される。 - 特許庁

A rear end peripheral edge 23b of the inner member 23 is folded outside and connected to the rear edge of the outer member 24 to form a second plastic deformation part H2 in the rear end inner peripheral region of the outer member 24.例文帳に追加

他方、インナ材２３の後端周縁２３ｂを外側に折り返してアウタ材２４の後端縁に連結することで、アウタ材２４の後端部内周域に第２の塑性変形部Ｈ２を形成する。 - 特許庁

Then, since the conductive die bond material HD is confined within the region A1, the chip CP2 and the frame TF2 are arranged in a parallel state easily so that it is made possible to make the thickness h2 of the material HD substantially constant.例文帳に追加

この際、導電性ダイボンド材ＨＤがＡ１内に閉じ込められているため、ＣＰ２とＴＦ２が平行状態になり易く、ＨＤの厚さｈ２をほぼ一定にすることが可能となる。 - 特許庁

The zone to be welded by being irradiated by a laser beam L is the region surrounded by the projecting part 20 and the clamping part 22, and is set in a region where the height h of an inclined gap δ' formed between the plated steel plates 10a and 10b becomes a proper value of h (h=h1 to h2).例文帳に追加

レーザビームＬを照射して溶接を施すべき領域は、突起部２０とクランプ部２２に挟まれた領域であり、めっき鋼板１０ａ、１０ｂの間に形成された傾斜状の隙間δ′の高さｈが適正な高さｈ（ｈ＝ｈ１〜ｈ２）となる領域に設定される。 - 特許庁

Recessed portions H1, H2 having different depths are formed on a mask material 3 by allowing protruded portions T1, T2 having different heights to press a template 1 disposed in a mesa region onto a mask material 3, and aperture portions K1, K2 are formed by etching a substrate 2 by using a mask material 3 on which the protruded portions H1, H2 having different depths are formed, as a mask.例文帳に追加

互いに高さの異なる凸部Ｔ１、Ｔ２がメサ領域に設けられたテンプレート１をマスク材３に押し当てることにより、互いに深さの異なる凹部Ｈ１、Ｈ２をマスク材３に形成し、互いに深さの異なる凹部Ｈ１、Ｈ２が形成されたマスク材３をマスクとして基板２のエッチングを行うことで、開口部Ｋ１、Ｋ２を形成する。 - 特許庁

The pushing member 75 and a gear side wall 54 of a ring gear 50, and the pushing member 175 and a gear side wall 133 of a sun gear 130 respectively form double walls in a radial direction region including the meshing parts H1 and H2 when viewed from the axial direction.例文帳に追加

押圧部材75およびリングギヤ50のギヤ側壁54と、押圧部材175 およびサンギヤ130 のギヤ側壁133とが、それぞれ、軸方向から見て両噛合部Ｈ１，Ｈ２が含まれる径方向範囲で二重壁を構成する。 - 特許庁

Because a polyimide film 4 is formed so as to have an edge at a position apart from a scheduled region H2 for forming the bump electrode, the step coverage in the formation of the plating electrode 5 by using a sputtering method can be improved.例文帳に追加

ポリイミド膜４をバンプ電極形成予定領域Ｈ２から離れた位置に端を有するように形成しているので、メッキ電極５をスパッタ法により形成する際のステップカバレージを改善することができる。 - 特許庁

The painting process is performed on the surface to be painted while controlling the movements of the arm 6 and the head 7 on the basis of the distance information F, L, R, H1, H2 acquired by the range finder, the information on the region to be painted and the postural information of the arm 6.例文帳に追加

測距装置から取得した距離情報Ｆ，Ｌ，Ｒ，Ｈ１，Ｈ２、塗装領域の情報及びアーム６の姿勢情報に基づきアーム６及びヘッド７の動作を制御して被塗装面に対する塗装工程を行わせる。 - 特許庁

To provide an exhaust emission control system capable of sufficiently enjoying a fuel consumption improving effect by travelling mainly in an oxygen excessive region (for example, in a lean state) and effectively using H2 contained in exhaust gas as a reducer.例文帳に追加

主として酸素過剰領域（例えばリーン状態）で走行することによる燃費向上効果を十分に享有し、排気ガス中に含まれるＨ２を還元剤として有効に活用し得る排気ガス浄化システムを提供すること。 - 特許庁

In this thin-film transistor, an insulating film 4 having openings in a source region 10S/a drain region 10D is formed between a lower semiconductor layer 11 and an upper semiconductor layer 12; and the lower semiconductor layer 11 and the upper semiconductor layer 12 are connected to each other through the openings H1, H2.例文帳に追加

本発明に係る薄膜トランジスタは、下層半導体層１１と、上層半導体層１２の間には、ソース領域１０Ｓ／ドレイン領域１０Ｄに開口部を有する絶縁膜４が形成され、開口部Ｈ１，Ｈ２を介して、下層半導体層１１と上層半導体層１２が接続される。 - 特許庁

A region scanned with the laser beam H1 of a leading line is scanned again with the laser beam H2 of a following line to thereby heat the toner image stepwise, so that the toner image can excellently be fixed with the necessary and sufficient energy.例文帳に追加

先行するラインのレーザ光Ｈ１が走査した領域を、後続のラインのレーザ光Ｈ２が再度、走査することで、トナー像を段階的に加熱することができるので、必要十分なエネルギーでトナー像を良好に定着させることができる。 - 特許庁

Then, the height H1 of the upper surface of the first region 3271b in the axial direction with respect to the base 3262 is set to be almost the same to, or higher than the height H2 of the upper surface of the mounting part 3261 in the axial direction with respect to the base 3262.例文帳に追加

そして、第１領域３２７１ｂの上面の基部３２６２に対する軸方向の高さＨ１は、取付部３２６１の上面の基部３２６２に対する軸方向の高さＨ２と、略同一、もしくは、より高くなるように形成される。 - 特許庁

In the meantime, in a notice symbol displaying region H2 of the variably displaying device, a combination of notice symbols composed of a plurality of notice symbols is formed by replace-displaying the notice symbols being different from game patterns in order every time when the combination game is performed.例文帳に追加

その一方、可変表示器の予告図柄表示領域Ｈ２において、ゲーム図柄とは異なる予告図柄を図柄組み合わせゲームが行われる毎に順次入れ替え表示させて複数個の予告図柄からなる予告図柄の組み合わせを形成する。 - 特許庁

When the air-inlet flange 13a moves to the left because of impact force F in a state of a pump abnormality, the region H2 of the bolt 15 is deformed so that it is bent leftward, and the impact energy is absorbed as distortion energy caused by the deformation of the bolt.例文帳に追加

ポンプ異常状態時における衝撃力Ｆによって吸気口フランジ１３ａが左側に移動すると、ボルト１５の領域Ｈ２の部分が左側に曲がるように変形し、衝撃のエネルギーはボルト変形による歪みエネルギーとして吸収される。 - 特許庁

Since the gate electrode 11 on an element formation region comprises a lamination film of first and second silicon layers 3, 8 and a WSix film 9, and the gate electrode 11 on the isolation film 6 comprises the first silicon layer 3 and the WSix film 9, resulting in the relation h2<h1.例文帳に追加

すなわち、素子分離膜（６）上のゲート電極（１１）は、第１及び第２のシリコン層（３）（８）とＷＳｉｘ膜（９）の積層膜から成り、素子分離膜（６）上のゲート電極（１１）は、第１シリコン層（３）とＷＳｉｘ膜（９）から成るので、ｈ２＜ｈ１となる。 - 特許庁

The delivery rate Q of the pump 10 is calculated by means of calculation using a water level H1 of the pressure regulated water tank 14 during the operation of the pump 10, a water level H2 of the discharged water region 16, a loss factor ξ of the drain pipe 18 calculated beforehand and a sectional area A of the drain pipe.例文帳に追加

ポンプ１０の運転時における調圧水槽１４の水位Ｈ１と、排出水域１６の水位Ｈ２と、予め算出された排出管１８の損失係数ξと、前記排水管の断面積Ａから、演算によりポンプ１０の吐出流量Ｑを算出する。 - 特許庁

The first liquid crystal material is ejected by using the first ejection head H1 and a right-twisting chiral agent is ejected by using a second ejection head H2 into each region Z where each cell 101 of cell groups S4 to S6 of fourth to sixth columns formed on the mother element substrate 100 is formed.例文帳に追加

マザー素子基板１００に形成された４〜６列目のセル群Ｓ４〜Ｓ６の各セル１０１の配置領域Ｚに、第１吐出ヘッドＨ１にて第１液晶材料を吐出させるとともに、第２吐出ヘッドＨ２にて右ねじれ用カイラル剤を吐出させる。 - 特許庁

The magnetic substance sheet H1 comprises a base material layer P2 having electric insulation, and a magnetic substance layer J1 laminated in a stripe-like region covering antenna coils A of each column from one main plane 26 side of the antenna substrate sheet H2, of all regions on the base material layer P2.例文帳に追加

この磁性体シートＨ１は、電気絶縁性を有する基材層Ｐ２と、基材層Ｐ２上の全領域のうちで、アンテナ基板シートＨ２の一方の主面２６側から各列のアンテナコイルＡを覆えるストライプ状の領域に積層された磁性体層Ｊ１とから構成される。 - 特許庁

The distance W2 between the first projecting part 15 and the second projecting part 16 of which the distance from the first projecting part 15 is set the shortest is larger than a length obtained by subtracting the height h1 of the first projecting part 15 and the height h2 of the second projecting part from the width W1 of the separation region 20 from the first flat part 13 to the second flat part 14.例文帳に追加

第１凸部１５と、第１凸部１５との距離が最短となる第２凸部１６との距離Ｗ２が、第１平坦部１３から第２平坦部１４までの分離領域２０の幅Ｗ１から第１凸部１５の高さｈ１と第２凸部の高さｈ２とを減算した長さよりも長い。 - 特許庁

To provide an exhaust gas cleaning catalyst with which NOx can be cleaned with high efficiency by using H2 as a reducing agent under an oxygen-excess atmosphere, an HC component and CO component to be not cleaned and discharged in a usual catalyst can be reduced and particularly the HC component can be remarkably reduced in a low temperature region just after an engine is started and which gives highly fuel-efficient effect.例文帳に追加

酸素過剰雰囲気下において、Ｈ_２を還元剤としてＮＯｘを高効率で浄化し、且つ、未浄化で排出されていたＨＣ、ＣＯ成分、特にエンジン始動後の低温域でのＨＣを著しく低減し、しかも燃費向上効果の高い排気ガス浄化用触媒を提供すること。 - 特許庁