「inversion layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

The actual magnetization of the initialization assisting layer of the optical recording medium is in parallel to a write-in layer in a temperature range of the recording process and therefore, the directions of the initial magnetization and bias magnetic field can be aligned and the initialization layer never causes the magnetization inversion any more.例文帳に追加

光記録媒体は、記録プロセスの温度範囲において、書き込み層に対して初期化補助層の正味の磁化がパラレルの状態を取る為、初期着磁と記録バイアス磁界との方向を揃えることが可能となり、初期化層が決して磁化反転を起こさなくなる。 - 特許庁

In the CPP structure magnetoresistance effect device, a large resistance change can be realized with the inversion of a direction of magnetization established in a free-side ferromagnetic layer 58.例文帳に追加

こうしたＣＰＰ構造磁気抵抗効果素子では、自由側強磁性層５８で確立される磁化方向の反転に応じて大きな抵抗変化量が実現されることができる。 - 特許庁

The ACT current and DCT current of specific values are set to discriminate whether such magnetization inversion is developed or not that the magnetization of the pin layer is inverted to the direction opposite to the predetermined direction.例文帳に追加

所定値のＡＣＴ電流およびＤＣＴ電流を設定し、ピン層の磁化が所定の方向とは逆方向に反転する磁化反転が起きたか否かを判別する。 - 特許庁

The periodical polarization inversion structure 250 and the grating 260 can be easily fabricated in a core layer 245, which is a planar member of a MgO-added lithium niobate crystal.例文帳に追加

また、ＭｇＯが添加されたニオブ酸リチウム結晶の板状部材であるコア層２４５に周期分極反転構造体２５０とグレーティング２６０を設けることが容易にできる。 - 特許庁

To provide a technology for reducing variation in characteristics among memory cells in a nonvolatile semiconductor memory employing a memory system where an inversion layer is utilized for interconnection.例文帳に追加

反転層を配線に利用するメモリ方式を採用した不揮発性半導体記憶装置において、メモリセル間の特性ばらつきを低減することのできる技術を提供する。 - 特許庁

An ESD protection circuit 10 is formed so as to avoid a position corresponding to a connected surface 7A, thereby preventing inversion of a p-well layer 11 and preventing generation of leakage current.例文帳に追加

ＥＳＤ保護回路１０を接着面７Ａと対応する位置から外れた位置に形成することにより、ｐウェル層１１の反転を防ぎ、リーク電流の発生を防止する。 - 特許庁

The polysilazane is then heated at an atmosphere where water vapor or oxygen is present to bring about the silica inversion of the polysilazane, resulting in the joining of those items to be joined having SiO_2 as a joint layer (step S18).例文帳に追加

次に、水蒸気か酸素の存在する環境で加熱してポリシラザンをシリカ転化させると、ＳｉＯ_２を接合層として、被接合物同士が接合される（テップＳ１８）。 - 特許庁

To enable memory cells to vary little in characteristics and to reduce bit costs simultaneously in a nonvolatile semiconductor memory device where the inversion layer of the surface of a semiconductor substrate is used as a data line.例文帳に追加

半導体基板表面の反転層をデータ線として利用する不揮発性半導体記憶装置において、メモリセル間特性ばらつきの低減とビットコストの低減の両立を図る。 - 特許庁

So, even when a comparatively small write current flows to the word line 10 and the bit line 20, ample magnetic field necessary for magnetic inversion of a free layer 57 can be obtained.例文帳に追加

よって、ワード線１０およびビット線２０に対して比較的小さな書込電流を流した場合であっても、フリー層５７の磁化反転に要する磁界を十分に得ることができる。 - 特許庁

An MIS junction laminated film is formed of a diode, a spin injection magnetization inversion inducing layer, and a tunneling type magneto-resistive element, and a bit line and a word line are connected to the laminated film.例文帳に追加

ダイオードとスピン注入磁化反転誘起層とトンネル型磁気抵抗効果素子からなるＭＩＳ接合積層膜を形成し、ビット線とワード線をこの積層膜に接続させる。 - 特許庁

The insulating layer 4 for phase inversion is formed to a film thickness of approximately λ/4n, where (n) is a refractive index thereof and λ is a target wavelength, and the surface metal layer 5 is formed to have a sheet resistance of approximately 100 to 450 Ω/sq.例文帳に追加

また、位相反転用絶縁層４は、その屈折率をｎ、対象波長の波長をλとしたときに、略λ／４ｎとなる膜厚に成膜され、表層金属層５は、シート抵抗が略１００〜４５０Ω／□となる膜厚に成膜される。 - 特許庁

To provide ink good in wettability of the ink on the surface of a silicone blanket and suitable for use in inversion printing method, an inversion printing method with the ink, and a liquid crystal color filter having a high quality color filter layer and a black matrix, and its manufacturing method.例文帳に追加

シリコーンブランケット表面でのインキの濡れ性が良好で、反転印刷方法での使用に適したインキを提供すること、そのインキを用いた反転印刷方法を提供すること、および、上記インキを用いた、高品質のカラーフィルタ層やブラックマトリックスを備える液晶カラーフィルタおよびその製造方法を提供すること。 - 特許庁

Mobility μ of electrons in the inversion layer depends on an acceptor concentration N_a more strongly than in a state in proportion to an inverse of the acceptor concentration N_a in a channel region 29 of the p-type body region 22.例文帳に追加

反転層における電子の移動度μは、ｐ型ボディ領域２２のチャネル領域２９におけるアクセプタ濃度Ｎ_ａの逆数に比例する状態よりも強くアクセプタ濃度Ｎ_ａに依存する。 - 特許庁

An optical waveguide assembly 5 is manufactured by sticking a base substrate 3 on the reverse surface 1B of a ferroelectric single-crystal substrate 1 where a cyclic polarization inversion structure 2 is formed, across an adhesive layer 4.例文帳に追加

周期状分極反転構造２が形成された強誘電体単結晶基板１の裏面１Ｂを接着層４を介してベース基板３と貼り合わせ、光導波路アセンブリ５を作製する。 - 特許庁

The group III nitride-based compound semiconductor light emitting element 100 achieves significant improvement in a ratio of a light emission output with respect to power consumption as compared with a light emitting element without the polarity inversion layer 16.例文帳に追加

III族窒化物系化合物半導体発光素子１００は、極性反転層１６を有しない発光素子と比較し、消費電力に対する発光出力の比が格段に向上した。 - 特許庁

Since a device layer (thin film structure 2 ) lies on an upper surface, and mounting thereof is the same as in dicing in an ordinary LSI manufacturing process, it can be mounted on a printed board as it is without inversion with the aid of a chip mounter or the like.例文帳に追加

デバイス層（薄膜構造体２）が上面にあり、通常のＬＳＩ製造工程におけるダイシングの場合と同じなので、反転せずにそのままチップマウンター等によりプリント基板に実装できる。 - 特許庁

To provide a vibrator for a piezoelectric vibrating gyroscope simple in structure, easily manufactured and allowing a vibrator single body to excite bending vibration without forming a polarization inversion layer.例文帳に追加

分極反転層を形成することなく、振動子単体で屈曲振動を励振することを可能にして、構造が簡単で、かつ製作が容易な圧電振動ジャイロ用振動子を提供すること。 - 特許庁

A fundamental wave 7 is made incident into the nonlinear optical crystal 3 from the normal direction of the polarization inversion layer 5 which is formed by presenting the concentric circular pattern and the transformed light 9 is emitted from the opposite side.例文帳に追加

基本波７は、同心円状パターンを呈して形成された分極反転層５の法線方向から非線型光学結晶３に入射し、反対側から変換光９が出射する。 - 特許庁

The present invention provides the high-speed nonvolatile optical memory element utilizing inversion in magnetization by a current injected in the free layer through irradiation with optical pulses of circular or elliptic polarized light.例文帳に追加

又本発明は、円偏光または楕円偏光の光パルスを照射することにより、自由層に注入された電流が磁化を反転させることを利用した高速メモリ素子を提供する。 - 特許庁

The disposition position of the light emission layer 20b of the semiconductor laser array 20 is so determined that one of the polarization inversion arrays PL exists in the optical path of the laser beam LB1 emitted from the semiconductor laser array 20.例文帳に追加

半導体レーザアレイ２０から発したレーザ光ＬＢ１の光路には分極反転列ＰＬの一つが位置するように、半導体レーザアレイ２０の発光層２０ｂの配設位置が定められている。 - 特許庁

A driving gate electrode 8a for driving a vertical MOSFET by using a trench 6 having the same depth, and a gate electrode 8b for diode used for forming an inversion layer on the FWD side are formed.例文帳に追加

同じ深さのトレンチ６を用いて縦型ＭＯＳＦＥＴを駆動するための駆動用ゲート電極８ａとＦＷＤ側に反転層を形成するためのダイオード用ゲート電極８ｂを形成する。 - 特許庁

In the structure, the excessive charge exhaust region is located inside the semiconductor substrate, and so it is separate from the charge storage region and a region where an inversion layer is formed during transfer of signal charge.例文帳に追加

この構造では、過剰電荷排出領域は、半導体基板の内部に位置するので、電荷蓄積領域や、信号電荷の転送時に反転層が形成される領域から離れている。 - 特許庁

By applying negative voltage to the light-shielding film 315 and the transparent conductive film 321, a p^++-type inversion region 329 is formed at the surface layer part of the n-type photoelectric conversion region 303.例文帳に追加

この遮光膜３１５および透明導電膜３２１にマイナス電圧を印加することにより、Ｎ型光電変換領域３０３の表層部にＰ^++型反転領域３２９を形成する。 - 特許庁

The data line of this non-volatile semiconductor memory device is composed of an inversion layer formed on the main plane of the semiconductor substrate 1 to which the auxiliary gate 9 faces when a desired electric voltage is impressed to the auxiliary gate 9, and the n-type diffusion layer 3.例文帳に追加

この不揮発性半導体記憶装置のデータ線は、補助ゲート９に所望の電圧を印加した際にその補助ゲート９が対向する半導体基板１の主面部分に形成される反転層と、上記ｎ型拡散層３とで構成される。 - 特許庁

When a gate voltage is applied to a gate electrode 9 during the on-time while diluting the impurity concentration of a low concentration region 10b in a p-type deep layer 10, an inversion layer is formed at parts located on the side surface and the bottom of a trench 6 in the low concentration region 10b.例文帳に追加

ｐ型ディープ層１０の低濃度領域１０ｂの不純物濃度を薄くし、オン時にゲート電極９にゲート電圧を印加すると、低濃度領域１０ｂのうちトレンチ６の側面および底部に位置する部分に反転層が形成されるようにする。 - 特許庁

After side walls 6 are formed on both sides of the groove 4 formed in the element isolation region R1 and, at the same time, a thermally oxidized film 7 is formed on the bottom of the groove 4, an inversion preventing electrode 9 embedded in the groove 4 is formed and an inversion preventing layer is formed in the element isolation region R1 by applying a negative voltage upon the electrode 9.例文帳に追加

素子分離領域Ｒ１に形成された溝４の側壁にサイドウォール６を形成するとともに、溝４の底に熱酸化膜７を形成した後、溝４に埋め込まれた反転防止用電極９を形成し、反転防止用電極９に負の電圧を印加することにより、素子分離領域Ｒ１に反転防止層を形成する。 - 特許庁

In a semiconductor device 10 configuring such an inversion type HEMT, when the positive direction of polarization is the (0001) direction, the sum P2 of spontaneous polarization and piezoelectric polarization of the electron supply layer 17 is larger than the sum P1 of spontaneous polarization and piezoelectric polarization of the electron transit layer 19.例文帳に追加

このような反転型のＨＥＭＴが構成された半導体装置１０において、分極の正方向を［０００１］方向とした場合、電子供給層１７の自発分極とピエゾ分極の和Ｐ２が、電子走行層１９の自発分極とピエゾ分極の和Ｐ１よりも大きくなっている。 - 特許庁

Because both of the n type inversion part 35 and the p+ type electric circuit 36 are formed in the vicinity of the surface layer of the p type frame part 30 in injection of impurity, the smoothness degree is extremely good, and projection and collapse may be neglected.例文帳に追加

不純物の注入は、ｎ型の反転部３５及びｐ^+型の電路３６ともｐ型の枠部３０の表層付近に形成されているので、その平滑度は極めて良く、隆起又は陥没は無視して良い。 - 特許庁

The free ferromagnetic layer 3 includes a magnetic wall moving area 62 and an inversion nucleation area 61 that is bonded to the magnetic wall moving area 62 and is formed so that its magnetization is more easily inverted than the magnetic wall moving area 62.例文帳に追加

自由強磁性層３は、磁壁移動領域６２と、磁壁移動領域６２に接合され、磁壁移動領域６２よりも磁化が反転しやすいように形成された反転核形成領域６１とを備えている。 - 特許庁

To provide an optical recording medium on which high density recording patterns finer than a spot diameter can be directly overwrite recorded stably by an optical modulation system without causing magnetization inversion in an initialization layer at the time of a recording process.例文帳に追加

記録プロセス時に初期化層が決して磁化反転を起こさず、スポット径に比して微細な高密度記録パターンを安定に光変調方式でダイレクトオーバーライト記録できる光学的記録媒体を提供する。 - 特許庁

Consequently, when reverse static electricity surge is applied, a uniform p-type inversion layer IP is formed in an isolation region between the impurity diffusion regions 12, 13 and local avalanche breakdown phenomenon is not generated.例文帳に追加

これにより、逆方向の静電気サージが印加された時、不純物拡散領域１２，１３間の分離領域に均一なＰ型反転層ＩＰが形成され、局所的な雪崩降伏現象が生じない。 - 特許庁

As a result, an inversion layer is formed at a site of the p-type silicon region 11 in contact with the insulating region 9 to prevent a surge voltage in the circuit region 5 from being transmitted to the circuit region 7.例文帳に追加

これにより、ｐ形シリコン領域１１のうちトレンチ溝型絶縁領域９に接触した部位に反転層を形成し、回路領域５内のサージ電圧が回路領域７に伝わるのを防止できる。 - 特許庁

After that, a plating resist 12 is formed in the inversion pattern of a wiring circuit pattern and a conductive layer 4 is formed on the surface of the copper thin film 11 exposed from the plating resist 12 by electrolytic plating.例文帳に追加

その後、銅薄膜１１の表面に、めっきレジスト１２を配線回路パターンの反転パターンで形成し、このめっきレジスト１２から露出する銅薄膜１１の表面に、電解めっきにより導体層４を形成する。 - 特許庁

In a Schottky barrier device, having a distributed guard ring, the guard ring is separated from a barrier by means of an MOS gate and the guard ring, is connected with the barrier through an inversion layer at a low bias.例文帳に追加

本明細書は、分布型のガード・リングを有するショットキー・バリヤ・デバイスを記述し、そのガード・リングはＭＯＳゲートによってバリヤから隔てられ、ガード・リングとバリヤとが反転層によって低いバイアスにおいて接続されている。 - 特許庁

Also, since an MR ratio is doubled compared to the optical modulation element using the conventional Cu spacer in the optical modulation element 10 using an Ag spacer, the magnetization direction of the magnetization inversion layer is easily inverted.例文帳に追加

また、Ａｇスペーサを用いた光変調素子１０は、従来のＣｕスペーサを用いた光変調素子に比べてＭＲ比が２倍に増加するので、磁化反転層の磁化方向を反転し易くすることができる。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device including a MOS field effect transistors or the like which can be manufactured by eliminating an inversion layer formed with ion implantation, thereby preventing diffusion at an increased rate.例文帳に追加

イオン注入により生成させる反転層を消滅させ、これにより増速拡散を防止して製造することができるＭＯＳ型電界効果トランジスタなどを有する半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

Then, the diffusing film with which contrast inversion of a liquid crystal display device can be compensated is obtained by forming the pattern inclined to a fixed angle in the photosensitive material layer while irradiating them with the coherent light by making the light parallel rays of light from the inclined direction.例文帳に追加

コヒーレント光を斜め方向から平行光にして照射し、一定の角度に傾いたパターンを形成することで、液晶表示装置のコントラスト反転を補償可能な拡散フィルムが得られる。 - 特許庁

First electrical biases are applied to a pair of adjacent contacts 6 and a second electrical bias such as ground reference is applied to the other contact 6 whereupon an inversion layer is formed in the semiconductor wafer or sample 10.例文帳に追加

１対の隣接した接触子６に第１電気バイアスが印加され、他の接触子６に接地基準のような第２電気バイアスが印加されると、半導体ウエハまたはサンプル１０に反転層が生成される。 - 特許庁

The medium 5 for application of voltage in one polarity brought into contact with the upper face of the resistance reducing layer 4, and a voltage is applied on the ferroelectric crystal plate by the medium 5 and an electrode 6 disposed on the other face of the crystal plate to cause polarization inversion.例文帳に追加

抵抗低減層４の上面に一方の極の電圧印加用媒体５を接触させ、結晶板の他方の板面に配した電極６とによって、強誘電体結晶板に電圧を印加し、分極反転させる。 - 特許庁

An adhesive 7 having a glass transition temperature higher than the temperature at which the solid-state imaging apparatus 1 reaches in operation is used, thereby preventing polarization of the adhesive 7 and inversion of a p-well layer 11 to prevent the leak current.例文帳に追加

固体撮像装置１の動作時に達する温度よりも高いガラス転移温度を有する接着剤７を使用することにより、接着剤７が分極せず、ｐウェル層１１の反転を防ぎ、リーク電流の発生を防止する。 - 特許庁

To provide a semiconductor storage device that excellently executes various operations such as a reading operation, by reducing resistance in an inversion layer functioning as a source/drain while achieving a size reduction and miniaturization; and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

小型化および微細化を図りつつ、ソース／ドレインとして機能する反転層の抵抗低減を図り、読出し動作等の各種動作を良好に行うことができる半導体記憶装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

The alignment layer arranged on the second substrate is rubbing treated taking the direction perpendicularly intersecting the arrayed direction of the group of the pixel electrodes to which voltage with an identical polarity is applied in a 1H inversion driving as the rubbing direction Rb.例文帳に追加

第２基板に設けられた配向膜には、１Ｈ反転駆動において同一極性の電圧が印加される画素電極群の配列方向と直交する方向をラビング方向（Ｒｂ）としてラビング処理が施されている。 - 特許庁

Thus, in such spin valve head 36, the large resistance variation is realized in accordance with the inversion of the magnetizing direction established in a ferromagnetic layer 56 at the free side, similarly in the case the passing cross sectional surface of the current is reduced.例文帳に追加

その結果、こういったスピンバルブヘッド３６では、電流の通過断面が縮小される際と同様に、自由側強磁性層５６で確立される磁化方向の反転に応じて大きな抵抗変化量が実現されることができる。 - 特許庁

Consequently, a recording magnetic field produced from the main magnetic pole layer toward the recording medium can properly be deterred from isotropically spreading in a trailing direction to reduce magnetism inversion width over the entire area between recording patterns which are mutually inverted in magnetism.例文帳に追加

この結果、主磁極層から記録媒体に向けて発生する記録磁界がトレーリング方向へ等方的に広がるのを適切に抑制でき、磁化反転幅を磁化が互いに反転する記録パターン間の全域にて小さく出来る。 - 特許庁

To provide a revolutionary evaluation method for a magnetic head which can previously prevent the magnetization direction inversion fault of a GMR element fixing layer generated after assembly of a magnetic disk apparatus by an extremely simple method and reduces the damage on the element section.例文帳に追加

非常に簡便な方法で磁気ディスク装置組み立て後に発生するGMR素子固定層の磁化方向反転障害を未然に防ぐ事が可能であり、且つ素子部へのダメージも少ない画期的な磁気ヘッドの評価手法を提供する。 - 特許庁