「inversion layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(4ページ目) - Weblio英語例文検索

The display medium having a constitution layer containing a binder and a liquid crystal composition dispersed in the binder on at least one base body is characterized in that the liquid crystal composition is dispersed in the binder by a method of phase inversion.例文帳に追加

少なくとも一つの基体上に、バインダー、該バインダー中に分散された液晶組成物を含む構成層を有する表示媒体であって、該液晶組成物が転相法により該バインダー中に分散されていることを特徴とする表示媒体。 - 特許庁

To provide a forming method for a laminated coating film having excellent appearance by controlling concordance or inversion in the boundary between each coating film layer in the case of applying successively a water based intermediate coating film and a top coating film on an under coating film.例文帳に追加

下塗り塗膜上に、水性中塗り塗膜及び上塗り塗膜を順次塗装した場合の、各塗膜層間の界面でのなじみや反転を制御した高外観を有する積層塗膜の形成方法を提供することにある。 - 特許庁

The external reflection mode liquid crystal display device 10 is equipped with a liquid crystal layer 1, an inversion prism sheet 6, a light guide plate 7 and a reflection sheet 8 laminated in this order, and is equipped with a light source 74 of light incident on the light guide plate 7.例文帳に追加

液晶層１と、逆プリズムシート６と、導光板７と、反射シート８と、をこの順に重ね合わせて備えるとともに、導光板７への入射光の光源７４を備える外部反射方式の液晶表示装置１０である。 - 特許庁

To prevent a low voltage Zener diode from deteriorating in ESD strength due to reduction in impurity concentration of the outermost surface (with a depth of about 0 to 1 μm) of a guard ring, a leakage current from increasing due to the formation of an inversion layer, and the Zener diode from deteriorating in product characteristics, such as Zener breakdown voltage.例文帳に追加

ガードリング最表面部（深さ約０〜１μｍ）の不純物濃度低下によるＥＳＤ耐量の低下、および反転層の形成によるリーク電流の増加、ツェナー降伏電圧の低下等製品特性の劣化を防止する。 - 特許庁

The composition of this polymer emulsion contains an emulsion of oil-in-water(O/W) type in the form of a reverse latex capable of self-inversion, wherein this latex comprises an oil layer, water layer, at least one emulsion of water-in-oil type and at least one bridge or branched polyelectrolyte of 20-70 wt.%, preferably 25-50 wt.%.例文帳に追加

油相、水相、少なくともひとつの油中水滴（Ｗ／Ｏ）型の乳化剤、少なくともひとつの、２０％−７０重量％、好ましくは２５％−５０重量％の分枝したあるいは架橋した高分子電解質を含む自己逆転可能な逆転ラテックスの形の、水中油滴（Ｏ／Ｗ）型の乳化剤を含む組成物。 - 特許庁

The waveguide layer is provided with a periodic domain inversion structure meeting quasi-phase matching conditions among signal light, the oscillation light, and a converted light, and a difference frequency light is generated through difference frequency generation between the signal light made incident on the waveguide layer and the oscillation light, and then the difference frequency light is projected as the converted light.例文帳に追加

導波路層には、発振光の導波方向に、信号光、発振光及び変換光の間の擬似位相整合条件を満たす周期的ドメイン反転構造が設けられていて、導波路層に入射された信号光と、発振光とによる差周波発生により差周波光が発生し、差周波光が変換光として出射される。 - 特許庁

The Gd-Fe alloy having a large magnetooptical effect contains a large amount of Fe, which can reduce an inversion current while holding stability of the magnetization direction and enables further improvement of the optical modulation degree by thickening a film of the magnetization free layer 13.例文帳に追加

磁気光学効果の大きいＧｄＦｅ合金においてＦｅを多く含有することで、磁化方向の安定性を保持しつつ反転電流を低減することができ、磁化自由層１３の厚膜化による光変調度のさらなる拡大を可能とする。 - 特許庁

In this semiconductor memory, a gate insulation film 13 capable of direct tunneling is used, and at of writing information, a gate voltage for which enables direct tunneling of the gate insulation film 13 is applied constantly and continuously, until an inversion layer 17 disappears.例文帳に追加

本発明の半導体記憶装置では、直接トンネリング可能なゲート絶縁膜１３を用いており、情報を書き込む際には、ゲート絶縁膜１３が直接トンネリング可能となるゲート電圧を、反転層１７が消滅するまで一定して印加し続ける。 - 特許庁

Thus, since the part having the good uniformity of the period of the inversion layer is enlarged about twice around the axis C, a beam alignment is facilitated, and even when the position is slightly deviated, high conversion efficiency is obtained and hence its output can be increased.例文帳に追加

これにより、光軸Ｃの周りで分極反転層の周期の均一性が良好である部分は約２倍に拡大されるため、ビームの位置合わせが容易になり、その位置が多少ずれても高い変換効率が得られるので出力を大きくすることができる。 - 特許庁

The magnetic recording medium used for the magnetic recording system using a giant magnetoresistive effect type reproducing head having 0.1 to 2.5 μm reproducing track width Tw has 2,000 to 12,000 nm^3 magnetization inversion volume and includes hexagonal ferrite magnetic powder in a magnetic layer.例文帳に追加

再生トラック幅Ｔｗが０．１〜２．５μｍである巨大磁気抵抗効果型再生ヘッドを用いた磁気記録システムに用いられるものであって、磁化反転体積が２０００ｎｍ^3〜１２０００ｎｍ^3であり、磁性層中に六方晶フェライト磁性粉を含むことを特徴とする。 - 特許庁

Two QPM elements 4a, 4b are used as a wavelength conversion element 4, upper surfaces opposite to an upper part of a bulk crystal of parts having good uniformity of a period of a polarization inversion layer of each QPM element are disposed opposite to each other and brought into contact with each other, and substantially functioned as one QPM element.例文帳に追加

波長変換素子４として２個のＱＰＭ素子４ａ，４ｂを用い、各ＱＰＭ素子において分極反転層の周期の均一性が良好な部分である、バルク結晶の上部に面する上面同士を対向して密着させ、実質的に１個のＱＰＭ素子として機能させる。 - 特許庁

The inversion voltage of the second nMOSFET is decided by impurity concentration of the substrate area 1a and the pocket area 9, so, by utilizing the low-concentration substrate area 1a as a channel area, a depletion layer capacity becomes less, resulting in improved sub-threshold characteristics and a reduced leak current.例文帳に追加

第２ｎＭＯＳＦＥＴの反転電圧は、基板領域１ａとポケット領域９の不純物濃度によって定まるので、低濃度の基板領域１ａをチャネル領域として利用することで、空乏層容量が小さくなり、サブスレッショルド特性を改善し、リーク電流を低減できる。 - 特許庁

Consequently, when a voltage is applied to the electrode, a dielectric breakdown and an electric field leak are suppressed and the electrode width can be controlled to size precision of photolithography by using the sacrificial layer, so a periodic polarization inversion structure with good size precision can efficiently be manufactured.例文帳に追加

そのため、電極へ電圧を印加する際に、絶縁破壊や電界漏れが抑制され、また犠牲層を用いることでフォトリソグラフィーの寸法精度で電極幅を制御できるので、均一で精度の良い周期分極反転構造を効率的に製造することが可能となる。 - 特許庁

As a result, it is possible to prevent contact between a P-type channel and the drain lead-out region 49, formation of a P-type channel by inversion of an epitaxial layer 35 below the gate 40 and the like on turning the power MOS transistor 31 off and to realize high integration, ability improvement, low consumption power or the like.例文帳に追加

そのことで、パワーＭＯＳトランジスタ３１のＯＦＦ時、ゲート４０下のエピタキシャル層３５の反転によるＰ−型チャンネルの形成、Ｐ−型チャンネルとドレイン導出領域４９との接触等を防ぎ、高集積化、能力向上、低消費電力等を実現することができる。 - 特許庁

Further, the MO_xN_y metal compound is an extremely efficient oxygen diffusion barrier at 1,000°C, and achieves, in a p-type metal oxide semiconductor (pMOS) device, an extremely aggressive equivalent oxide film thickness (EOT) and an inversion layer thickness of 14 Å or less.例文帳に追加

さらに、本発明のＭＯ_ｘＮ_ｙ金属化合物は、１０００℃において非常に効率的な酸素拡散障壁であり、ｐ金属酸化物半導体（ｐＭＯＳ）デバイスにおいて、非常に攻撃的な等価酸化膜厚（ＥＯＴ）および１４Å未満の反転層厚を可能にする。 - 特許庁

The nonlinear optical element having the grating-shaped electrode used to form periodic polarization inversion in a nonlinear crystal substrate by an electric field applying method is characterized in that a contact layer 102 for increasing the contactness between the substrate 103 and grating- shaped electrode 101 is formed.例文帳に追加

非線形結晶基板に対して電界印加法で周期的分極反転を形成する際に用いる格子状の電極を有する非線形光学素子において、基板１０３と格子状電極１０１の間の密着性を高めるための密着層１０２を形成することを特徴とする。 - 特許庁

The semiconductor device is capable of conducting a switching operation by impact ionization, when an inversion layer is formed by two inputs to first and second gate electrodes, formed independently on the surface of a first conductivity-type or an intrinsic semiconductor region.例文帳に追加

第１導電型または真性である半導体領域の表面上に形成された二つの独立した第一および第二のゲート電極への両者への入力により反転層が形成された場合に、インパクトイオン化によるスイッチング動作が可能となることを特徴とする、半導体装置である。 - 特許庁

Further, a guard ring region consisting of a heavily doped region of the same conductivity type as the semiconductor substrate is provided beneath the electrode for preventing formation of an inversion layer, potential of the semiconductor substrate is fixed firmly, and latchup is prevented by capturing the carriers on the occurrence of bipolar operation.例文帳に追加

さらに反転層形成防止電極の下部には、半導体基板と同じ導電型の濃い不純物濃度領域からなるガードリング領域を設置し、半導体基板の電位を強固に固定し、またバイポーラ動作発生時においてキャリアを捕獲してラッチアップを防止できるようにした。 - 特許庁

A second gate electrode 20 is provided on the second surface 14b via a second gate insulating film 21 so that one side of a second inversion layer 24 induced by application of a second gate voltage Vg2 contacts the second impurity region 16, and the other side is spaced apart from the first impurity region 15.例文帳に追加

第２ゲート電極２０は、第２ゲート絶縁膜２１を介して第２の面１４ｂに、第２ゲート電圧Ｖｇ２が印加されると生じる第２反転層２４の一側が第２不純物領域１６に接触し、他側が第１不純物領域１５から離間するように配設されている。 - 特許庁

To raise contrast without deteriorating gradation inversion in a liquid crystal display device to which an optical compensation sheet having at least one optical anisotropic layer including a transparent support and liquid crystalline compounds aligned to the surface of the transparent support is applied.例文帳に追加

透明支持体と、前記透明支持体面に対して配向した液晶性化合物からなる光学異方性層を少なくとも一層有する光学補償シートが適用された液晶表示装置の諧調反転を悪化させることなく、コントラストを高めることを目的とする。 - 特許庁

On the respective polarity inversion regions 12A and 12B of the semiconductor substrate 11, a first HFET 10A including a first active layer 14A and a second HFET 10B including a second active layer 14B, each of which includes a III-V nitride semiconductor, are formed separately from each other, wherein the HFETs 10A and 10B are electrically connected by wiring 22.例文帳に追加

半導体基板１１における各極性反転領域１２Ａ、１２Ｂの上には、それぞれがIII-Ｖ族窒化物半導体からなる、第１の活性層１４Ａを含む第１のＨＦＥＴ１０Ａと、第２の活性層１４Ｂを含む第２のＨＦＥＴ１０Ｂとが互いに独立して形成されており、各ＨＦＥＴ１０Ａ、１０Ｂ同士は配線２２により電気的に接続されている。 - 特許庁

A first gate electrode 18 is provided on the first surface 14a via a first gate insulating film 19 so that one side of a first inversion layer 23 induced by application of a first gate voltage Vg1 contacts the first impurity region 15, and the other side is spaced apart from the second impurity region 16.例文帳に追加

第１ゲート電極１８は、第１ゲート絶縁膜１９を介して第１の面１４ａに、第１ゲート電圧Ｖｇ１が印加されると生じる第１反転層２３の一側が第１不純物領域１５に接触し、他側が第２不純物領域１６から離間するように配設されている。 - 特許庁

The growth ΔΦ of a roving yarn-winding diameter at layer change required when winding the roving yarn so as to form the expected shoulder shape is estimated from the information of a roving tension detector, and the wound roving yarn is formed by determining the inversion position of a bobbin rail by using the estimated growth ΔΦ of the roving yarn-winding diameter.例文帳に追加

予め設定された肩形状となるように粗糸を巻き取る際に必要な層チェンジ時の粗糸巻径増加量ΔΦを、粗糸張力検出器の情報から推定し、この推定した粗糸巻径増加量ΔΦを用いてボビンレールの反転位置を決定して粗糸巻を形成する。 - 特許庁

The method for manufacturing a magnetic transfer master disk executes an electroforming process using an electroforming device to obtain a master substrate as a metal board having an uneven pattern corresponding to transfer information transferred to its surface from an inversion mold having the reverse uneven pattern, and forms a magnetic layer on the uneven pattern of the master substrate.例文帳に追加

反転凹凸パターンを有する反転型より電鋳装置を使用した電鋳工程によって表面に転写情報に対応する凹凸パターンが転写された金属盤であるマスター基板を得、マスター基板の凹凸パターン上に磁性層を成膜した磁気転写用マスターディスクの製造方法である。 - 特許庁

To provide an electroconductive fiber which maintains the total electroconductive fiber resistance at a high value, has a low specific resistance of an outer layer portion of the electroconductive fiber, thereby improving the polarity inversion rate of a toner to adjust the electric charge amount of the toner, and little causes a trouble such as leakage, and to provide an electroconductive brush using the same.例文帳に追加

導電性繊維全体の抵抗値を高く維持したまま、導電性繊維の外層部の比抵抗を低くすることにより、トナーの極性反転率を向上させてトナー帯電量を調整することができ、かつ、リーク等の障害が発生し難い導電性繊維およびこれを用いた導電性ブラシを提供する。 - 特許庁

Accordingly, when magnetizing the respective bits 21 and 22 in one direction along the thickness direction of a layer and thereafter performing reverse magnetization by a lower field intensity, it is possible to reliably reverse magnetization of only the second bits 22 of the smaller inversion magnetic field, so that loops of magnetic fluxes are generated among the bits to improve the stability of the magnetization.例文帳に追加

これにより、層の厚み方向に沿って各ビット２１，２２を一方向に着磁した後、磁界強度を下げて逆方向に着磁を行う際に、反転磁界が小さい第２ビット２２のみを確実に磁化反転させることができるので、ビット間で磁束のループが形成され、磁化の安定性が向上する。 - 特許庁

In the magnetic recording medium of the ferro-magnetic thin film type in which the magnetic thin film made of a metal or an alloy of ferromagnetism is formed on a substrate as a magnetic recording layer by a sputtering method, the magnetic thin film has a magnetization inversion mechanism being akin to a simultaneous rotation model and noise of the magnetic recording medium is lowered.例文帳に追加

基板上に、磁気記録層として強磁性金属もしくは合金からなる磁性薄膜をスパッタ法で形成した、強磁性薄膜型の磁気記録媒体であって、磁性薄膜が一斉回転モデルに近い磁化反転機構を有し、磁気記録媒体ノイズを低減させた磁気記録媒体とする。 - 特許庁

A high reliability npn transistor insusceptible to the effect of charges on an LOCOS oxide film 9 or to the effect of a voltage being applied to an interconnect line on the LOCOS oxide film 9 and having a low leak current with no variation can be fabricated by forming an anti-inversion region B on the surface layer of the p base region 6 of the npn transistor.例文帳に追加

ｎｐｎトランジスタのｐベース領域６の表面層に反転防止領域Ｂを形成することで、ＬＯＣＯＳ酸化膜９上の電荷の影響や、ＬＯＣＯＳ酸化膜９上の配線に印加される電圧の影響を受けない、リーク電流の少なく、変動がない高い信頼性のｎｐｎトランジスタを形成することができる。 - 特許庁

In the space light modulator 1 including a light modulating element 50 with pixels 4 two-dimensionally arranged, the light modulating element 50 has two spin injection light modulating elements 5 and 6 made to face the sides of respective magnetization inversion layers 53 and 63 sandwiching a connection layer 55, made of a non-magnetic metal and respective magnetization fixation layers 51 and 61 have magnetization directions fixed to be anti-parallel to each other.例文帳に追加

２次元配列された画素４に光変調素子５０を備える空間光変調器１であって、光変調素子５０は、２つのスピン注入光変調素子５，６を、それぞれの磁化反転層５３，６３の側を対向させて非磁性金属からなる接続層５５を挟んで備え、それぞれの磁化固定層５１，６１はその磁化方向が互いに反平行に固定される。 - 特許庁

Thus, a closed magnetic path can be formed by making currents run through the plurality of wires, and the inversion of magnetization in the magnetosensitive layer can be much more efficiently executed.例文帳に追加

外部磁界によって磁化方向が変化する感磁層を含み、積層面に垂直な方向に電流が流れるように構成された積層体と、この積層体の一方の面側に、積層面に沿った方向を軸方向とするように配設されると共に、複数の導線によって貫かれるように構成された環状磁性層とを備えるようにしたので、複数の導線に電流を流すことによって閉じた磁路を形成することができ、感磁層における磁化の反転をより効率よく行うことができる。 - 特許庁