「inversion layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

The inversion layer 10 is formed on the one major surface 1a side or the other major surface 1a side of the GaN substrate 1.例文帳に追加

反転層１０は、ＧａＮ基板１の一方の主面１ａまたは一方の主面１ａ側に形成されている。 - 特許庁

In the inversion period, supply of positive charges from the drain of the transistor to the oxide semiconductor layer is promoted.例文帳に追加

反転期間において、当該トランジスタのドレインから酸化物半導体層に対する正電荷の供給が促進される。 - 特許庁

An inversion constraint structure 40 is provided to prevent any inversion of the conduction type on the top surface of the semiconductor layer 26 located between the switching device regions 12 and 16 lying adjacent to each other.例文帳に追加

隣接するスイッチング素子領域１２とスイッチング素子領域１６の間に位置する半導体層２６の表面の導電型が反転するのを抑制する反転抑制構造４０が設けられている。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for a MOS transistor which reduces short-channel effect and increases the mobility of carriers of a channel by forming an inversion layer on a silicon substrate while no bias is applied and making the thin inversion layer serve as a drain and a drain.例文帳に追加

バイアスが加わらない状態でもシリコン基板に反転層が形成され、薄い反転層がソース／ドレインの役割を果たして短チャネル効果を減少すると共に、チャネルでのキャリアの移動度を増加するＭＯＳトランジスタの製造方法。 - 特許庁

The speed-controlling belt is coated with a protecting tube in order to protect a sealed film layer on a surface of the lining material 30 after inversion.例文帳に追加

反転後のライニング材３０の表面密封フィルム層の保護のため速度調節ベルトを保護チューブにより被覆する。 - 特許庁

Thereby, inversion polarizable nuclear in a ferroelectric layer 133 is easily generated on the polarizable nuclear generation electrode 132.例文帳に追加

これにより、この分極核発生電極１３２上で、強誘電体層１３３中の反転分極核が発生し易くなる。 - 特許庁

When a bias voltage is applied to the electrode layer 105 in the positive direction, a band on an interface between the p-type semiconductor layer 103 and the insulating layer 104 is distorted, so as to make the bottom of the band equal to or lower than Fermi energy on the p-type semiconductor layer 103 side and to form a population inversion layer.例文帳に追加

電極層１０５に正の方向にバイアス電圧を印加すると、ｐ型半導体層１０３と絶縁層１０４との界面のバンドが歪み、ｐ型半導体層１０３の側でバンドの底がフェルミエネルギー以下となり反転分布層が形成される。 - 特許庁

An inversion layer 110 induced by a voltage applied to the gate electrode 103 is contracted due to the expansion of the depletion layers 108a and 108b produced by a negative voltage applied to the second gate electrodes 106a and 106b, and the inversion layer 110 is turned into a quantum fine wire 107.例文帳に追加

ゲート電極１０３の電圧によって生じた反転層１１０が、第２ゲート電極１０６ａ、１０６ｂの負電圧によって形成される空乏層１０８ａ、１０８ｂの拡大により収縮し、反転層が量子細線１０７となる。 - 特許庁

A manufacturing method of polarization inversion has a step for forming a periodic polarization inversion layer in a LiNb_xTa_1-xO_3(0≤x≤1) crystal on a c-plate and a step for irradiating the surface of the crystal with plasma.例文帳に追加

ｃ板のLiNb_xTa_1-xO_3（０≦ｘ≦１）結晶に周期状の分極反転層を形成する行程と、前記結晶表面にプラズマを照射する行程とを、有することを特徴とする分極反転の製造方法。 - 特許庁

With such a structure, an inversion layer is formed for a p-type base region 3 by turning only the first gate electrode 8a out of the first and second gate electrodes 8a, 8b, but the inversion layer may be formed not deep enough to connect an n^-type drift layer 2 and an n^+-type impurity region 4.例文帳に追加

このような構造では、第１、第２ゲート電極８ａ、８ｂのうちの第１ゲート電極８ａのみをオンさせることで、ｐ型ベース領域３に対して反転層を形成しながらも、その反転層がｎ^-型ドリフト層２とｎ^+型不純物領域４とを繋ぐ深さまでは形成されないようにすることができる。 - 特許庁

The gold layer 2 excites a surface plasmon resonance light with the visible laser light V, an organic dyestuff layer 3 is excited through irradiation with an optical pulse P_7 from an optical pulse generator 7 go into a population inversion state which changes with time, and the extinction coefficient k_3 of the organic dyestuff layer 3 is made negative, according to the change in the population inversion state with the time.例文帳に追加

金層２において可視レーザ光Vによって表面プラズモン共鳴光を励起し、光パルス発生器７から光パルスP_7を照射して有機色素層３を励起して時間的変化する反転分布状態にし、反転分布状態の時間的変化に応じて有機色素層３の消衰係数k_3を負とする。 - 特許庁

Thereby a part of the semiconductor layer 22 in the vicinity of the surface of the active region is inverted to a P type and a shallow inversion area 23 is formed.例文帳に追加

それによって、半導体層２２の活性領域の表面近傍がＰ型に反転し、反転領域２３が浅く形成される。 - 特許庁

The surface inversion layer 6 is formed by introducing indium into the region in the semiconductor substrate 1 where the photoelectric conversion region 4 is formed.例文帳に追加

表面反転層６は、半導体基板１の光電変換領域４が形成された領域に、インジウムを導入して形成する。 - 特許庁

The ZnO device is characterized in that an undoped ZnO layer having a Zn polarity plane is used as a channel layer and on the ZnO layer having the Zn polarity plane, an O polarity high-concentration n-type ZnO layer connected to source/drain is formed selectively via an inversion layer.例文帳に追加

Ｚｎ極性面を有するアンドープＺｎＯ層をチャンネル層とし、該Ｚｎ極性面を有するＺｎＯ層上には、極性面反転層を介して、ソース・ドレインに接続されたＯ極性高濃度ｎ型ＺｎＯ層が、選択的に形成されていることを特徴とするＺｎＯデバイスである。 - 特許庁

In the HEMT 10, as positive voltage applied to the gate electrode 36 increases, the two-dimensional electron gas layer (2DEG) is produced in the boundary 25 between the first semiconductor layer 24 and the second semiconductor layer 26 prior to the production of an inversion layer in the boundary 27 between the second semiconductor layer 26 and the gate insulation film 34.例文帳に追加

HEMT１０では、ゲート電極３６に印加する正の電圧を増加していくと、第２半導体層２６とゲート絶縁膜３４の界面２７に反転層が発生するのに先立って、第１半導体層２４と第２半導体層２６の界面２５に２次元電子ガス層（2DEG）が発生する。 - 特許庁

There is provided a method of calculating a mobility of an inversion layer formed in a transistor, wherein the mobility in the inversion layer is calculated depending on a change in a measured value of a drain current when a gate voltage of the transistor is changed.例文帳に追加

トランジスタに形成される反転層の移動度を計算する方法であって、反転層内における移動度を、トランジスタのゲート電圧を変化させたときにおけるドレイン電流の測定値の変化に応じて計算することを特徴とする移動度の計算方法を提供する。 - 特許庁

The photo mask 30 comprises a transparent substrate 14, a phase inversion light-transmitting layer 15 which covers the whole surface of the transparent substrate 14 and a plurality of small size light-transmitting holes 21, 22, 23, 24 which are formed on specified regions selected beforehand of the phase inversion light-transmitting layer 15, at dense intervals and in a group.例文帳に追加

本発明によるフォトマスク（30）は、透明基板（14）と、透明基板（14）の全面を覆う位相反転透光層（15）と、位相反転透光層（15）の予め選択された特定の領域で、密な間隔で且つ集団で形成された複数の小寸法透光ホール（21,22,23,24）とを含む。 - 特許庁

The GaN regrowth layer 11 is formed contiguously to the inversion layer 10 at a position separated therefrom when viewed from the GaN substrate 1 and has a surface composed of Ga face.例文帳に追加

ＧａＮ再成長層１１は、ＧａＮ基板１から見て反転層１０よりも離れた位置に、反転層１０に隣接して形成されており、表面がＧａ面により構成されている。 - 特許庁

The active layer 20 includes a body region 22 in which an inversion layer 29 is formed in the region contacting the gate oxide film 30 by applying a voltage to the gate electrode 40.例文帳に追加

活性層２０は、ゲート電極４０に電圧が印加されることによりゲート酸化膜３０に接触する領域に反転層２９が形成されるボディ領域２２を含む。 - 特許庁

To solve the problem where magnetization inversion of a recording layer by a recording current magnetic field is difficult in a magnetoresistance effect element, using the conventional vertical magnetization.例文帳に追加

従来の垂直磁化を用いた磁気抵抗効果素子では、記録電流磁界で記録層の磁化反転を行うことが困難である。 - 特許庁

The fringe field of the floating gates forms an inversion layer on surfaces of the channel regions under the floating gates adjacent in the first direction.例文帳に追加

浮遊ゲートのフリンジ電界によって、第１の方向で隣り合う浮遊ゲート間の下のチャネル領域の表面に反転層が形成される。 - 特許庁

To provide a photoelectric conversion device configured by utilizing an inversion layer induced by fixed charges, which has excellent characteristics.例文帳に追加

固定電荷により誘起した反転層を利用した構成の光電変換装置において優れた特性を有する光電変換装置を提供する。 - 特許庁

Next, a p-type diode base region 162 is formed within the well region 121d for diode simultaneously, when an inversion preventing layer 161 is formed.例文帳に追加

次に、反転防止層１６１の形成と同時にダイオード用ウェル領域１２１ｄ内にＰ型のダイオードベース領域１６２を形成する。 - 特許庁

Thus, an inversion layer is formed directly under the regions 7, 7 containing the fixed charge and functioned as an extremely shallow source-drain extension.例文帳に追加

これにより、上記固定電荷を含む領域７,７直下に反転層が形成されて、極めて浅いソース・ドレインエクステンションとして機能する。 - 特許庁

Here, an emitter current flows on the surface side to prevent the effect of an inversion layer formed at the interface with the insulating region 2.例文帳に追加

かかる構成によれば、エミッタ電流は表面側を流れるようになり、絶縁領域２との界面に形成される反転層の影響を防止できる。 - 特許庁

To provide a non-volatile semiconductor storage device where the resistance of an inversion layer to be formed can be reduced and a writing speed can be improved.例文帳に追加

形成される反転層の抵抗を低減することができ、書込み速度を向上させることができる不揮発性半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

Because the coolant headers 5 are provided in the positions at a distance from the roll bite, phase inversion time of plate-out is secured and the plate-out layer is easy to form.例文帳に追加

クーラント用ヘッダー５がロールバイとより離れた位置に設置されているので、プレートアウトの転相時間を確保でき、プレートアウト層を形成しやすくなる。 - 特許庁

The polarity inversion layer 20 is composed of GaN, and contains magnesium (Mg) as impurities and a polarity is inverted from a Ga polarity to an N polarity.例文帳に追加

極性反転層２０は、例えばＧａＮにより構成され、不純物としてマグネシウム（Ｍｇ）を含み極性がＧａ極性からＮ極性に反転されている。 - 特許庁

ON operation is effected by varying the voltage of the variable potential insulating electrode 5 through a gate electrode G, thereby forming an inversion layer in the channel region 8.例文帳に追加

つまり、可変電位絶縁電極５にゲート電極Ｇを介して電圧を可変とすることで、チャネル領域８に反転層を形成しＯＮ動作を成す。 - 特許庁

Since the coercive force Hc of the fixed magnetic layer 23 can be increased by the constitution, magnetization inversion of the fixed magnetic layer 23 can be suppressed properly even if mechanical stress is generated.例文帳に追加

上記構成により前記固定磁性層２３の保磁力Ｈｃを増大させることができるので、メカニカルストレスの発生があっても前記固定磁性層２３の磁化反転を適切に抑制できる。 - 特許庁

In this semiconductor device formed in a semiconductor layer on an insulation film, the semiconductor layer is isolated by an inter-element isolation trench, and a side wall of the interelement isolation trench is provided with an anti-inversion layer comprising an impurity diffusion layer.例文帳に追加

本発明の半導体装置は、絶縁膜上の半導体層に形成された半導体装置において、前記半導体層が素子間分離溝によって分離され、前記素子間分離溝の側壁に不純物拡散層からなる反転防止層を有することを特徴とする - 特許庁

On the p-type layer side of the light emitting layer part 24, the oxide transparent electrode layer 30 for applying a positive polarity voltage is formed in contact with the doping layer 31 of the inversion diode part 33.例文帳に追加

酸化物透明電極層３０が正極性となるように発光層部２４に順方向駆動電圧を印加することにより、逆バイアス状態となる反転ダイオード部３３のｐ−ｎ接合をトンネル効果により通過させつつ発光層部２４に駆動電流を供給する。 - 特許庁

The nonlinear optical crystal 3 presents a disk shape whose center coincides with the center of concentric circular pattern of the polarization inversion layer 5 and the incident end surface 3a and emitting end surface 3b of the nonlinear optical crystal 3 have shapes along the concentric circular pattern of the polarization inversion layer 5.例文帳に追加

非線型光学結晶３は、その中心が分極反転層５の同心円状パターンの中心と一致する円板形状を呈しており、非線型光学結晶３の入射端面３ａ及び出射端面３ｂは、分極反転層５の同心円状パターンに沿った形状を有している。 - 特許庁

Consequently, a current flowing through a channel can flow not only a part located between the p-type deep layers 10 out of an n^--type drift layer, but also flow through the inversion layer formed in the low concentration region 10b.例文帳に追加

これにより、チャネルを通じて流れる電流がｎ^-型ドリフト層２のうちｐ型ディープ層１０の間に位置する部分だけでなく、低濃度領域１０ｂに形成された反転層を通じても流れるようにできる。 - 特許庁

To evaluate mobility precisely by removing an influence of charge capture to a gate insulating film of an MIS type transistor, and by measuring accurately an inversion layer free carrier density.例文帳に追加

ＭＩＳ型トランジスタのゲート絶縁膜への電荷捕獲の影響を取り除き、反転層フリーキャリア密度を正確に測定することにより、移動度の精密評価を行う。 - 特許庁

The light transmitted by the small size light-transmitting holes 21, 22, 23, 24 and the phase inversion light-transmitting layer 15 intensely cause sidelobe phenomena and the like to each other and, resultantly, the light intensity increases.例文帳に追加

小寸法透光ホール（21,22,23,24）及び位相反転透光層（15）を通過する光が互いにサイドローブ現象等を強く起こすことにより、光強度を増大させる。 - 特許庁

To provide an inexpensive vehicle detecting device dispensing with embedding work, receiving no influence of an environmental factor such as wind and a thermocline (a temperature inversion layer), and having high performance.例文帳に追加

埋設工事等が不要で風やサーモクライン（温度逆転層）などの環境要因の影響が無い安価にして、高性能な車両等の検出装置を提供する。 - 特許庁

conversely, at the reading of information, the gate voltage and a bias voltage are controlled, so as to form the inversion layer 17 and to disable the direct tunneling of the gate insulation film 13.例文帳に追加

逆に、情報を読み出す際には、反転層１７が形成され、かつゲート絶縁膜１３が直接トンネリング不可能なように、ゲート電圧とバイアス電圧を制御する。 - 特許庁

To provide a liquid phase epitaxial growth method by which the formation of a so called lightning type inversion layer is hindered and an excellent PN junction is formed, and a semiconductor device.例文帳に追加

いわゆるイナズマ型反転層の形成を阻止でき、良好なＰＮ接合を形成することができる液相エピタキシャル成長方法および半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a photoelectric converting element that can suppress formation of an inversion layer formed where a silicon substrate and a silicon nitride film come into contact with each other.例文帳に追加

シリコン基板と窒化シリコン膜の接する部分に形成される反転層の形成を抑制することができる光電変換素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a nonvolatile memory device with a magnetoresistive element wherein inversion magnetic filed in a memory layer is small, and which consists of a magnetoresistive element of high uniaxial magnetic anisotropy.例文帳に追加

記録層における反転磁界が小さく、かつ、一軸磁気異方性が高い磁気抵抗素子からなる磁気抵抗素子を備える不揮発性記憶装置を提供する。 - 特許庁

This device is made to have a structure in which an n type reversal part 35 is provided on a part of a surface layer of a p type frame part 30 and a p+ type electric circuit 36 is provided on the n type inversion part 35.例文帳に追加

ｐ型の枠部３０の表層の一部にｎ型の反転部３５を設け、ｎ型の反転部３５にｐ^+型の電路３６を設けた構造とする。 - 特許庁

The GaN-based semiconductor region 17 forms a hetero-junction 25 in the first semiconductor part 15b of the GaN-based semiconductor region 15 as a two-dimensional inversion layer 23.例文帳に追加

ＧａＮ系半導体領域１７はＧａＮ系半導体領域１５の第１の半導体部１５ｂにヘテロ接合２５を成し、二次元反転層２３が形成される。 - 特許庁

In these CMOS devices, a uniform layer of tetracene or pentacene can be used in both an N-type (inversion) device and a P-type (accumulation) device.例文帳に追加

これらのＣＭＯＳデバイスにおいては、テトラセンまたはペンタセンの一つの均質な層を、ｎタイプ（反転）デバイスおよびｐタイプ（累積）デバイスの両方で使用することができる。 - 特許庁

Since it is difficult to write data by a head in the perpendicular magnetic medium having the magnetic crystal grains whose isolation is promoted, a second magnetic layer 18 for facilitating magnetization inversion by lowering oxide concentration to slightly increase bonding force between particles only in a surface side magnetic layer is formed in an upper layer of the first magnetic layer 17 to be a main magnetic layer.例文帳に追加

孤立化が促進された磁性結晶粒を有する垂直磁気媒体は，ヘッドによる書き込みが著しく困難となるため，メインとなる第１磁性層17の上層に，酸化物濃度を低くして，表面側磁性層でのみ粒子間の結合を若干強めて磁化反転を容易にさせるための第２磁性層18を形成する。 - 特許庁