「ion source」に関連した英語例文の一覧と使い方(11ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a method capable of increasing the ratio of B^+ in an ion beam when the ion beam is extracted by using a gas containing boron trifluoride for an ion source gas, and to provide a device for the same.例文帳に追加

イオン源ガスとして三フッ化ホウ素を含むガスを用いてイオンビームを引き出すときに、イオンビーム中のＢ^+ の比率を高めることができる方法および装置を提供する。 - 特許庁

The wave length conversion nano particles (ZnSe:Mn) are produced by mixing an aqueous solution containing a Zn ion source and NAC with an aqueous solution containing a Mn ion source and NAC, adjusting the pH, adding a Se ion source, adjusting the pH, and then heating at 200°C under a high pressure.例文帳に追加

Ｚｎイオン源とＮＡＣとを含む水溶液と、Ｍｎイオン源とＮＡＣとを含む水溶液とを混合し、ｐＨ調整後にＳｅイオン源を添加し、更にｐＨを調整した後、高圧下で２００℃に加熱することによって、波長変換ナノ粒子（ＺｎＳｅ：Ｍｎ）を製造した。 - 特許庁

Further, a flow volume of the sample gas introduced to the APCI ion source 2 is set more than that introduced into the EI ion source, and pressure of each ion source is maintained, whereby, analysis by each ionization is enabled to carry out with good balance in an aspect of sensitivity.例文帳に追加

また、ＡＰＣＩイオン源２に導入する試料ガス流量をＥＩイオン源３に導入する試料ガス流量より多くなるようにして、各イオン源の圧力が維持できるようにした上で、感度面でバランスよく、各イオン化による分析を行えるようにする。 - 特許庁

The ion implanter 1 forms an ion beam X having a spreading angle through an ion source 10, an ion analyzer 12 and a multipole lens 14, and also, the ion beam X is made into an near-parallel beam to be a wide-shape ion beam by suppressing a spread in a width direction of the ion beam X formed by a quadrupolar device 16.例文帳に追加

イオン注入装置１は、イオン源１０、イオン分析器１２及び多極子レンズ１４を介して拡がり角度を有するイオンビームＸを生成するとともに、生成されたイオンビームＸの幅方向の拡がりを４重極子デバイス１６により抑制することにより、イオンビームＸを略平行ビームにして幅広形状のイオンビームとする。 - 特許庁

The ion implanting device 101 comprises an ion source 11 which generates and extracts ion beam IB, a mass spectrometer 12 having a magnet, an ion beam convergence part such as an electrostatic lens and Q lens (four-pole lens), and an ion beam emittance measuring mechanism 15 between the ion source 11 and the mass spectrometer 121, preferably at the rear stage of the electrostatic lens 141.例文帳に追加

イオン注入装置１０１は、イオンビームＩＢを発生、引き出すイオン源１１、マグネット（電磁石）を有する質量分析器１２、イオンビームを加速する加速器１３、静電レンズ、Ｑレンズ（４極レンズ）等のビーム収束部１４、そして、イオン源１１と質量分析器１２１の間、好ましくは静電レンズ１４１の後段にイオンビームエミッタンス測定機構１５が設けられる。 - 特許庁

To provide an ion source of an ion implantation device to evaporate decaborane or other suitable implantation material accurately and controllably.例文帳に追加

デカボランまたは他の適当な注入材料を、正確にかつ制御可能に蒸発させるためのイオン注入装置のイオン源を提供すること。 - 特許庁

To provide a method for performing milling and imaging in a focused ion beam (FIB) system employing an inductively coupled plasma ion source.例文帳に追加

誘導結合プラズマ・イオン源を使用した集束イオン・ビーム（ＦＩＢ）システムにおいてミリングおよび画像化を実行する方法を提供すること。 - 特許庁

An electrically charged ion mirror 4 is put inside an ionization mechanism 1 including an ion source 2, so that sample ions are sent to a mass spectrometry part 30.例文帳に追加

イオン源２を含むイオン化機構１内に電荷を掛けたイオンミラー４を設け、試料イオンを質量分析部３０に送るようにする。 - 特許庁

Ion beams B generated from an ion beam source 3 are radiated toward a sputter target 2 to generate film deposition particles toward a substrate W.例文帳に追加

イオンビーム源３から発生されたイオンビームＢをスパッタターゲット２に向かって放射し、基板Ｗに向かって成膜粒子を発生させる。 - 特許庁

At the ion source 10, a broad range of the sample is ionized at a time and the ion image of the sample is extracted as it is through the lens system 60.例文帳に追加

イオン源１０では、試料の広い範囲を同時にイオン化し、上記レンズ系６０を用いて、上記試料のイオン像をそのまま引き出す。 - 特許庁

To provide an ion implanter which can prevent particles generated from an ion source from being mixed into a substrate by a simple and inexpensive device configuration.例文帳に追加

安価かつ簡素な装置構成にて、イオン源より発生するパーティクルの基板への混入が防止できるイオン注入装置を提供する。 - 特許庁

This is the beam profile monitor 10 which has an irradiation face 10a opposing to an ion beam source and measures intensity distribution of an ion beam in an irradiation face.例文帳に追加

イオンビーム源に対向する照射面１０ａを有し照射面におけるイオンビームの強度分布を計測するビームプロファイルモニター１０。 - 特許庁

This ion implantation device 100 is composed by structuring a mechanism from an ion source part 101 through a beam line part 102 to an end station part 103.例文帳に追加

イオン注入装置１００は、イオンソース部１０１からビームライン部１０２を介してエンドステーション部１０３に至る機構が構成されている。 - 特許庁

An ion beam 9 drawn out from a frequency power source is radiated to a substrate 12, thus the substrate is micromachined by the ion beam.例文帳に追加

高周波イオン源から引き出されたイオンビーム９を基板１２に照射せしめることによりイオンビームによる基板の微細加工を行わせる。 - 特許庁

To improve efficiency of ion beam generation and elongation of life of a hot cathode, in an ion source with the hot cathode of a concentric structure.例文帳に追加

同軸構造の熱陰極を備えているイオン源において、イオンビーム生成効率の向上および熱陰極の長寿命化を可能にする。 - 特許庁

To emit ion beam of high current from an ion source for a long period.例文帳に追加

長時間にわたって大電流のイオンビームをイオン源から放出させることができるガス流量設定方法およびイオンビーム加工装置を提供する。 - 特許庁

This ion source includes a plasma forming part 2 for forming plasma 4 and an electrode system 10 for drawing an ion beam 6 from the plasma 4 inside the plasma forming part 2 to draw the ion beam 6 including indium ions of divalent ion.例文帳に追加

このイオン源は、プラズマ４を生成するプラズマ生成部２と、このプラズマ生成部２内のプラズマ４からイオンビーム６を引き出す引出し電極系１０とを備えていて、２価のインジウムイオンを含むイオンビーム６を引き出すものである。 - 特許庁

To provide an ion source of an ion adhesion mass spectroscope which can perform analysis with a high accuracy by suppressing the occurrence of variation in the potential difference between an ion emitter and a reference- voltage impression part and stabilizing the amount of ion emissions.例文帳に追加

イオン放出体と基準電圧印加部の間の電位差の変動の発生を抑制し、イオン放出量を安定化させ、精度の高い質量分析を行えるイオン付着質量分析装置のイオン源を提供する。 - 特許庁

For example, the following aspects are preferable: an aspect wherein a metal ion in the metal ion source is Sr^2+; an aspect wherein the alkaline chemical is added into an aqueous solution containing the carbonic acid source; and an aspect wherein an alcohol is added into an aqueous solution containing the carbonic acid source.例文帳に追加

金属イオン源における金属イオンがＳｒ^２＋である態様、炭酸源を含有する水溶液中にアルカリ剤を添加する態様、炭酸源を含有する水溶液中にアルコールを添加する態様などが好ましい。 - 特許庁

To provide an ion source and ionizer that ionize decaborane sufficiently accurately and controllably.例文帳に追加

デカボランを十分に正確かつ制御可能にイオン化するイオン源およびイオナイザーを提供すること。 - 特許庁

RESIN MATERIAL, METHOD FOR PRODUCING THE SAME, ION CONDUCTING FILM, FUEL CELL, POWER SOURCE, AND ELECTRONIC EQUIPMENT例文帳に追加

樹脂材料及びその製造方法、イオン伝導膜、燃料電池、電源並びに電子機器 - 特許庁

The anode discharge region is insulatively sealed to prevent discharges from migrating into the interior of the ion source.例文帳に追加

アノード放電領域は、イオンソースの内部への放電の移動を防ぐため、絶縁的にシールされる。 - 特許庁

Then, ion implantation is carried out for a part being a source-drain region of an N-type transistor.例文帳に追加

その後、Ｎ型トランジスタのソース・ドレイン領域となる部分に対してイオン注入処理を施す。 - 特許庁

The negative ion generating device is composed of one case containing an electrode, a lamp and a heat source such as a heater.例文帳に追加

マイナスイオン発生装置の電極とランプ、ヒータ等の熱源を同一の筐体で構成する。 - 特許庁

With the temperature of the emitter reaching an ambient temperature, the emission pattern by the ion source gas is observed.例文帳に追加

エミッタの温度が室温程度に達した状態で、イオン源ガスによるエミッションパターンを観察する。 - 特許庁

To provide an ion source with high and stable output power ions.例文帳に追加

放出されるイオンが高出力、かつ安定した出力となるようなイオン源を提供すること。 - 特許庁

To provide a power source capable of easily grasping the remaining capacity of a lithium ion secondary battery.例文帳に追加

簡易にリチウムイオン二次電池の残存容量を把握することが可能な電源を提供する。 - 特許庁

A sample is ionized softly by a sonic spray ion source 3 in the case of elementary analysis.例文帳に追加

元素分析を行う場合は、試料はソニックスプレイイオン源３によってソフトにイオン化される。 - 特許庁

Likewise, a manufacturing method of a liquid metal ion source in which metal is filled in the storage part is also provided.例文帳に追加

また同様に、該貯蔵部に金属を充填する液体金属イオン源の製造方法。 - 特許庁

The memory layer 17 comprises the laminating-layer structure of a high-resistance layer and an ion-source layer.例文帳に追加

記憶層１７は高抵抗層およびイオン源層の積層構造により構成されている。 - 特許庁

To provide an ion particle power source capable of emitting high-quality beams through restraint of voltage fall of an accelerated power source at starting of beam extraction.例文帳に追加

ビーム引出開始時の加速電源の電圧低下を抑制し、質の高いビームを放出できるイオン粒子電源を提供する。 - 特許庁

The plasma source 2 composing the ion source is provided with a plasma generation vessel 4 and a plurality of filaments 10 arranged in the above vessel.例文帳に追加

このイオン源を構成するプラズマ源２は、プラズマ生成容器４と、その内部に配置された複数のフィラメント１０とを有している。 - 特許庁

The ion implanting device 1 comprises: a treatment chamber 2 held at the ground potential; an ion source 4 held at high potential; a main insulator 6 having an opening 6a for connecting the ion source 4 and the treatment chamber 2 in an electrically insulated state and allowing both of them to communicate each other; and a material gas supply device 10 for supplying material gas to the ion source 4.例文帳に追加

イオン注入装置１は、接地電位に保持される処理室２と、高電位に保持されるイオン源４と、イオン源４と処理室２とを電気的に絶縁状態で連結するとともに両者を連通する開口部６ａを有する主絶縁体６と、イオン源４に材料ガスを供給する材料ガス供給装置１０と、を備える。 - 特許庁

Since an ion source 6 is positioned on an end surface of a housing 5, the ion beam axis can be made coincident with the center axis of the ion source 6 and that of the extraction electrode 3 by adjusting the position of the extraction electrode 3 to maximize the intensity of the laser beam.例文帳に追加

イオン源６は、ハウジング５の端面で位置決めされるため、レーザビームの強度が最大となるように引出電極３を位置調整することにより、イオンビーム軸をイオン源６と引出電極３の中心軸と一致させることができる。 - 特許庁

To provide a further uniform ion-conducting liquid relatively easy to manufacture and containing an ion-nonconducting copolymer and an ion-conducting resin; to provide its manufacturing method; to provide an ion-conductor and its manufacturing method; to provide a battery including the ion conductor; to provide a power source using the battery; and to provide an electronic apparatus having the power source.例文帳に追加

製造することがより容易である、非イオン伝導性共重合樹脂及びイオン伝導性樹脂を含むより均一な、イオン伝導性液体及びその製造方法並びにイオン伝導体及びその製造方法、並びに該イオン伝導体を含む電池、該電池を用いる電源、及び該電源を有する電子機器を提供する。 - 特許庁

This ion implantation device is provided with an ion source 2 for extracting ions 8 by extraction voltage VE, an accelerating tube 12 for accelerating the ions from the ion source by accelerating voltage VA, and a momentum separating magnet 14 for selecting the ion having specific momentum in the ions from the accelerating tube, and is constituted so as to make the objective ion incident on the target 16.例文帳に追加

このイオン注入装置は、イオン８を引出し電圧Ｖ_E で引き出すイオン源２と、それからのイオンを加速電圧Ｖ_A で加速する加速管１２と、それからのイオンの内の特定の運動量を有するイオンを選別する運動量分離マグネット１４とを備えていて、目的のイオンをターゲット１６に入射させる構成をしている。 - 特許庁

This device is provided with an ion source 2 for emitting an ion beam IB, and a sample stage 8 equipped with a rotary stage that holds a semiconductor element 12 and rotates the semiconductor element 12; and adjusts an angle at which the ion beam IB enters into the surface of the semiconductor element 12 by adjusting the inclination angle of an ion column 1 having the ion source 2 on its inside.例文帳に追加

イオンビームＩＢを出射するイオン源２と、半導体素子１２を保持するとともに、半導体素子１２を回転させる回転ステージを備えた試料ステージ８とを備え、イオン源２を内部に備えたイオンカラム１の傾斜角度を調節することによって、イオンビームＩＢが半導体素子１２の表面に入射する角度を調節する。 - 特許庁

This polarized ion beam generating method uses a means to irradiate the non-polarized ion beam to the target from the ion source, and extracts the elastically scattered polarized ion from the target by magnetic vibration resulting from the quantum beat of scattered ion intensity in the target.例文帳に追加

さらに、偏極イオンビーム発生方法は、イオン源から無偏極のイオンビームを標的に照射し、当該標的における散乱イオン強度の量子ビートに起因する磁気振動により、前記標的から弾性散乱された偏極イオンを取り出すことを特徴とする手段を用いた。 - 特許庁

In this ion implantation method, ions emitted from an ion source are made to pass through a mask 2 having an opening figure similar to a desired ion implantation region to form a pattern ion beam 4, and the ion beam is projected to the desired region of a wafer 7 with no resist applied, to introduce the ions.例文帳に追加

イオン源から放出したイオンを所望のイオン注入領域と略相似形の開口を有するマスク２に通過させてパターンイオンビーム４を形成し、このイオンビームをレジストが塗布されてないウェハ７の所望の領域に投射して、イオンを導入するイオン注入方法。 - 特許庁

In the ion concentration distribution simulation method, the ion concentration distribution of the room after a predetermined time from an ion generation start is predicted by inputting indoor air flow distribution, and an ion amount emitted each time instant from an ion generation source provided in the room into a fluid analysis means and carrying out calculation.例文帳に追加

室内の気流分布と、室内に設けられたイオン発生源から各時刻に放出されるイオン量とを流体解析手段に入力して計算することにより、イオン発生開始から所定時間後の室内のイオン濃度分布を予測するイオン濃度分布シミュレーション方法に関する。 - 特許庁

A chargeable yttrium ion battery cell, comprising a supply source of yttrium ion, an ion mobility promoting electrolyte, and an electrode material enabled to reversibly receive and generate yttrium ion, increases its inherent capacity considerably owing to the active movement of multivalent yttrium ion.例文帳に追加

イットリウムイオンの供給源、イオン易動性をもたらす電解質、およびイットリウムイオンを可逆的に受け取りかつ発生させることができる電極材料を含む充電式イットリウムイオンバッテリセルは、多価イットリウムイオンの活発な動きに起因して、その固有容量が相当増大する。 - 特許庁

When a micromachine 100 composed of backing film 21 and coating film 24 is formed, FCVA ion source as a film forming source and Kaufmann type ion source as an etching source are used and sacrifice film 24 composed of PMMA soluble in acetone is formed as a support body for the coating film 24.例文帳に追加

下地膜２１および被覆膜２４により構成されるマイクロマシン１００を形成する際、成膜ソースとしてＦＣＶＡイオンソース，エッチングソースとしてカウフマン型イオンソースをそれぞれ用いると共に、被覆膜２４の支持体として、アセトンに可溶なＰＭＭＡにより構成された犠牲膜を形成する。 - 特許庁

To provide an ion source in which a plurality of heated units are provided in a plasma generating container, in which stable thermoelectrons are emitted stably and the operating time of the ion source until exchange of the heated units is extended.例文帳に追加

プラズマ生成容器に複数の被加熱体が設けられるイオン源において、安定した熱電子の放出が可能であり、被加熱体を交換するまでのイオン源の運用時間を長くする。 - 特許庁

The sample gas introduction system introduces the sample gas into the ion source part, and the reaction gas introduction system introduces the reaction gas (primary gas) for generating positive ions or negative ions into the ion source.例文帳に追加

試料ガス導入系は試料ガスをイオン源部の内部に導入させ、反応ガス導入系は正イオン又は負イオンの生成させるための反応ガス（１次ガス）をイオン源の内部に導入させる。 - 特許庁

This photoemission electron microscope is equipped with an ion source or an electron beam source for marking by irradiating a focused ion beam or an electron beam to a part close to an observation portion on the sample surface.例文帳に追加

収束イオンビームまたは電子ビームを試料表面の観察部位の直近に照射してマーキングするためのイオン源または電子線源を備えたことを特徴とする光電子顕微鏡。 - 特許庁