「ion source」に関連した英語例文の一覧と使い方(13ページ目) - Weblio英語例文検索

The storage element includes a high-resistance layer 4 and an ion source layer 5 between an lower electrode 3 and an upper electrode 6.例文帳に追加

下部電極３と上部電極６の間に高抵抗層４とイオン源層５とを備える。 - 特許庁

Ion-implanting is performed to form an extension region and a deep source/drain region.例文帳に追加

そして、エクステンション領域及び深いソース／ドレイン領域を形成するためのイオン注入を実行する。 - 特許庁

The source/drain extension region 10 is formed by a cluster injection in place of an ordinary ion implantation.例文帳に追加

ソース／ドレイン・エクステンション領域１０を、通常のイオン注入ではなく、クラスタ注入によって形成する。 - 特許庁

To provide an ion source using corona discharge to ionize a sample with high efficiency and stably, over a long period.例文帳に追加

試料を高効率かつ長時間安定にイオン化するコロナ放電を用いたイオン源を提供する。 - 特許庁

Thus a width of a diffusion source wire formed by subsequent ion implantation and thermal diffusion is secured.例文帳に追加

このため、この後のイオン注入、熱拡散によって形成される拡散ソース配線の幅が確保される。 - 特許庁

The conductive wire 122 supplies electric power for the corona discharge from an external power source to the ion generating section 50.例文帳に追加

導電線１２２は、コロナ放電のための電力を外部電源からイオン発生部５０に供給する。 - 特許庁

To efficiently supply gas and obtain rapid reaction time at operation gas exchange of an ion source.例文帳に追加

効率的なガス供給並びに、イオン源の作動ガス交換時の迅速な反応時間を可能にすること。 - 特許庁

With the above, the valence number of the positive multivalent ions generated at the ESI ion source 1 is enabled to reduce.例文帳に追加

これにより、ＥＳＩイオン源１で生成された正の多価イオンの価数を減らすことができる。 - 特許庁

He ions emitted from a conductive tip 186 as an ion source are irradiated to a sample 180.例文帳に追加

イオン源の導電性先端１８６から放出されたＨｅイオンは、試料１８０に照射される。 - 特許庁

The present invention is a mass calibration apparatus for an analyte ion source (110) and is provided with both the capillary (125), coupled to the analyte ion source (110) at a first point (118) and a reference mass ion source (150), coupled to the capillary at a second point that is downstream of the first point.例文帳に追加

本発明の装置は、被分析物イオン源（110）のための質量較正装置であって、第１の点（118）において、被分析物イオン源（110）に結合されているキャピラリ（125）と、第１の点から下流の第２の点において、キャピラリに結合されている基準質量イオン源（150）とを備えていることを特徴とする。 - 特許庁

The film deposition system comprises: a plasma chemical vapor growth means having a plasma linear source 7; an ion etching treatment means having an ion etching roller 5 arranged at prescribed intervals with the plasma linear source 7; and a film conveying means making a film 3 pass between the plasma linear source 7 and the ion etching roller 5.例文帳に追加

本発明の成膜装置は、プラズマリニアソース７を有するプラズマ化学気相成長手段と、プラズマリニアソース７と所定間隔をおいて配置されているイオンエッチングローラー５を有するイオンエッチング処理手段と、プラズマリニアソース７とイオンエッチングローラー５との間においてフィルム３を通過させるフィルム搬送手段と、を具備する。 - 特許庁

An ion source assembly main body 220 includes an ion source chamber 212 where ionization materials 116, 120 are supplied from solid materials 228, 232 in a region between a filament 204 and a reflection board 206 and arms of an RF antenna 128 and an ion plasma 214 is generated.例文帳に追加

イオン源アッセンブリ本体２２０は、フィラメント２０４と反射板２０６間の領域、及びＲＦアンテナ１２８のアーム間で、固体材料２２８、２３２からイオン化材料１１６及び１２０が供給され、イオン・プラズマ２１４を創り出すイオン源室２１２を備える。 - 特許庁

This device is provided with a power source part 2 for supplying a power to the non-volatile memory 1 and a backup power source 3 (secondary battery such as a lithium ion battery), and the power source is switched by a switch 4.例文帳に追加

不揮発性メモリ１への電源の供給を行う電源部２と、バックアップ電源３（リチウムイオン電池等の２次電池）を有し、電源の切り換えはスイッチ４で行う。 - 特許庁

To provide a plasma source device as a novel composite vapor deposition device usable for an ion source and a radical source, capable of forming a good quality thin film on a base board by selectively emitting only a radical of film forming species particularly at operation time as the radical source, usable in common to the ion source and the radical source, and capable of forming respective superior thin films.例文帳に追加

イオン源及びラジカル源に用いることができ、とくにラジカル源としての運用時には、成膜種のラジカルのみを選択的に放出して基板に良質の薄膜を形成し得るようにし、イオン源とラジカル源とに共用してそれぞれの良好な薄膜を形成することができる新規な複合型蒸着装置としてのプラズマ源装置を提供する。 - 特許庁

An HVN(high voltage n)-ion implantation is conducted to only the floating diffusion region, the bit line diffusion region and is not applied to the common source region, and an LVN(low voltage n)-ion implantation also is not applied to the common source region.例文帳に追加

ＨＶＮ−イオン注入をフローティング接合領域およびビットライン接合領域にのみ実施して共通ソース領域には実施せず、ＬＶＮ−イオン注入も共通ソース領域には適用しない。 - 特許庁

In this case, existence of the dissociated ions is checked during operation of the non-dissociative ion source, and existence of the molecular weight-related ions is checked reversely during operation of the dissociative ion source, and the result is allowed to contribute to determination, to thereby improve reliability.例文帳に追加

またこのとき、非解離性イオン源の動作中には解離イオンの有無を、逆に解離性イオン源の動作中には分子量関連イオンの有無をも調べて判定に資することにより、信頼性を向上する。 - 特許庁

In an MS having an ion source which can switch the APCI and the EI, a first GC (gas chromatography) which can separate the sample in a condition suitable for an APCI measurement, is connected to the upstream of the APCI ion source.例文帳に追加

ＡＰＣＩとＥＩを切り替え可能なイオン源を有する質量分析装置において、ＡＰＣＩイオン源の上流に、ＡＰＣＩ測定に適した条件で試料を分離できる第１のＧＣを接続する。 - 特許庁

An ion-exchange resin 38 is interposed between a water source 39 for storing cutting water and a nozzle 35, and the cutting water flowing out from the water source 39 is supplied via the ion-exchange resin 38 to the nozzle 35.例文帳に追加

切削水を蓄える水源３９とノズル３５との間にイオン交換樹脂３８を介在させ、水源３９から流出する切削水がイオン交換樹脂３８を介してノズル３５に供給される構成とする。 - 特許庁

To provide a mass spectrometer equipped with a MALDI (Matrix Assisted Laser Desorption/Ionization) ion source capable of performing easily individual management of a sample plate and mass calibration based on distortion information of the sample plate, and the sample plate for the MALDI ion source.例文帳に追加

サンプルプレートの個別管理や、サンプルプレートのゆがみ情報に基づく質量較正を容易に行なうことのできるMALDIイオン源を備えた質量分析装置およびMALDIイオン源用サンプルプレートを提供する。 - 特許庁

The image forming apparatus has a negative ion generating source 21 and a potential sensor 22 provided facing an ejecting surface of the paper ejecting tray 16 and the negative ion generating source 21 is controlled according to output of the potential sensor 22.例文帳に追加

排紙トレー１６の排出面に対向するようにマイナスイオン発生源２１と電位センサ２２が設けられており、電位センサ２２の出力に応じてマイナスイオン発生装置２１を制御する画像形成装置。 - 特許庁

A high resistance layer 3A consisting of an oxide of a metal element, and an ion source layer 3B containing metal elements (Cu, Ag, Zn) becoming an ion source are formed in this order between a lower electrode 2 and an upper electrode 4.例文帳に追加

下部電極２と上部電極４との間に、金属元素の酸化物からなる高抵抗層３Ａ、イオン源となる金属元素（Ｃｕ，Ａｇ，Ｚｎ）を含有するイオン源層３Ｂをこの順に有する。 - 特許庁

To provide an atmospheric-pressure chemical ionization source (an APCI ion source) to optimally ionizing a sample containing a test object with a moderately low polarity and a testing object having high polarity.例文帳に追加

適度に低い極性の被検体と高い極性の被検体とを含む試料を最適にイオン化する大気圧イオン化イオン源(APCI)を実現する。 - 特許庁

By the two quadrupole lenses Q1, Q2 having a convex lens action, all ions outgoing from the ion source 1 fly in parallel to the optical source.例文帳に追加

従って、凸レンズ作用を持つ２つの４重極レンズＱ_1 ，Ｑ_2 により、イオン源１から出射する全てのイオンは光軸に平行に飛行するようになる。 - 特許庁

The multimode ion source is provided with a mask 40 situated so as to separate a portion of the charged aerosol and prevent the portion from being exposed to the atmospheric pressure ionization source in the downstream.例文帳に追加

荷電エアゾルの一部を分離して、その一部下流の大気圧イオン源にさらされるのを阻止するように配置されたマスク（４０）が設けられる。 - 特許庁

The neutron bundle generated like this has a characteristic similar to that of a conventional inertia-static confinement nuclear fusion neutron source with an ion source.例文帳に追加

このようにして生成された中性子束は、従来のイオン源付き慣性−静電閉じ込め核融合中性子源と同様の特性を有する。 - 特許庁

Ions generated from an RF type ion generating source 11 of an ion implantation device 10 is applied to a wafer W in an ion implantation chamber 15 through an ion acceleration part 12, an energy filter 13 and a scanning part 14, so that particles are secondarily generated from the wafer W.例文帳に追加

イオン注入装置１０のＲＦ型イオン発生源１１から発生されたイオンが、イオン加速部１２、エネルギフィルタ１３、走査部１４を介して、イオン注入室１５のウエハＷ上に照射されと、ウエハＷから二次的に粒子が発生される。 - 特許庁

Ions generated by an ion generation source 1 are introduced into an ion trap 2; the ions are selected and cleaved in the ion trap 2 and thereafter the various kinds of fragment ions are extracted from the ion trap 2 and put on an orbit A through an gate electrode 31 in a main flight space 3.例文帳に追加

イオン発生源１で発生させたイオンをイオントラップ２に導入し、イオントラップ２内でイオン選別及びイオン開裂を行った後に各種フラグメントイオンをイオントラップ２から引き出し、主飛行空間３でゲート電極３１を介して周回軌道Ａに乗せる。 - 特許庁

Ions emitted from the ion generation source at each time instant decrease with time in accordance with a decrement characteristic inherent to the ion, and the ion amount to be inputted into the fluid analysis means is assumed as an ion amount existing in the room after the predetermined time.例文帳に追加

流体解析手段に入力する上記イオン量を、各時刻においてイオン発生源から放出されたイオンがイオンに固有の減少特性にしたがって時間と共に減少して上記所定時間後に室内に存在するイオン量とする。 - 特許庁

To shorten the time required to stabilize the amount of ion beams when ion beams are extracted first after a plasma forming vessel is assembled or cleaned in an ion source for extracting metal ion beams constituting organic metal vapor by using the organic metal vapor as a raw material.例文帳に追加

有機金属蒸気を原料として当該有機金属蒸気を構成する金属のイオンビームを引き出すイオン源において、プラズマ生成容器の組立後または清掃後に最初にイオンビームを引き出す際に、イオンビーム量が安定するまでの時間を短縮する。 - 特許庁

An electron source is positioned on the surface of the wafer for an oxygen ion beam to be irradiated and outside a line of the ion beam, so that an electron beam is irradiated thereon by the same amount as an ion beam current value or less, with electron energy set at 50 eV or more.例文帳に追加

酸素イオンビームが照射されるウエハ面側に有ってイオンビームライン外に電子源を設置し、イオンビーム電流値と同量、それ以下の電子ビームを照射し、電子エネルギーが５０ｅＶ以上である。 - 特許庁

To improve air purifying effect, or a digesting/pasteurizing effect and to reduce generating amount of ozone as least as possible, by providing an exchanging means of a secondary alternating current output of a piezoelectric transformer so that voltage application polarity to an ion generating electrode is dominant on the negative side, and making the ion generating electrode mainly serve as a negative ion generating source.例文帳に追加

負イオンの発生が主体となり、空気清浄効果あるいは浄化・殺菌効果に優れ、かつオゾンの発生量を可及的に小さくすることができるイオン発生装置を提供する。 - 特許庁

To improve detection sensitivity by increasing electric field strength near a spray port of an ESI (Electro-Spray Ion) ion source and by increasing efficiency for moving generated fine charged droplets and ions to an ion inlet.例文帳に追加

ＥＳＩイオン源において噴霧口近傍での電場強度を高めるとともに、生成された微細帯電液滴やイオンをイオン取り込み口まで移動させる効率を高めることで検出感度の向上を図る。 - 特許庁

To provide an inertia electrostatic containment device and a radioisotope production device capable of reducing loss of ion beam by controlling the initial velocity of ion beam regardless of extracting voltage of an ion source.例文帳に追加

イオン源の引き出し電圧に関係なく、イオンビームの初速を調整することを可能にすることによって、イオンビームの損失を低減できる慣性静電閉じ込め装置およびラジオアイソトープ製造システムを提供することにある。 - 特許庁

Both types of ions can be sensitively detected by switching the flow direction of sample gas to an ionization area inside the ion source to respectively suitable directions in positive ion measurement and negative ion measurement.例文帳に追加

イオン源内のイオン化領域に対して、試料ガスを流す方向を正イオン測定時と負イオン測定時にそれぞれ適した方向に切り替えることにより、両方のイオンを高感度で検出することが可能となる。 - 特許庁

To prevent an ion beam, containing multiple types of ions generated in an ion source by discharge of an extraction electrode, from arriving at a target and ions having mass and energy, other than those of a desired ion, from being implanted in the target.例文帳に追加

引出電極の放電によりイオン源内で生成された複数種類のイオンを含むイオンビームがターゲットに到達して所望イオン以外の質量及びエネルギーをもったイオンがターゲットに注入されないようにする。 - 特許庁

A multimode ion source includes electrospray ion sources 8, 9 and 11 for providing a charged aerosol, atmospheric pressure ion sources 14 and 24 located in the downstream from the electrospray ion sources for further ionizing the charged aerosol, and a duct 20 adjacent to the atmospheric pressure ion sources, having an orifice for receiving ions from the charged aerosol and including a center shaft.例文帳に追加

マルチモード・イオン源は、荷電エアゾルを供給するためのエレクトロスプレー・イオン源（８、９、１１）と、その下流にあって、荷電エアゾルをさらにイオン化するための大気圧イオン源（１４、２４）と、大気圧イオン源に隣接し、荷電エアゾルからイオンを受け取るためのオリフィスを有しており、中心軸を備える導管（２０）とを含む。 - 特許庁

A resistless ion implantation method is provided, wherein the ions emitted from an ion source are passed through a mask that has an aperture having substantially analogous form to a required ion implanting region for forming a molded ion beam; and this ion beam is radiated to the required regions of a wafer that have not been subjected to application of resist for implanting the ions to the wafer; and by using this wafer, ions is implanted.例文帳に追加

イオン源から放出したイオンを所望のイオン注入領域と略相似形の開口を有するマスクに通過させて成形イオンビームを形成し、該イオンビームをレジストが塗布されてないウエハの所望の領域に照射し、該ウエハにでイオン注入するレジストレスイオン注入方法。 - 特許庁

An ion trap part 20 including an ion trap and a second detection part 31 are arranged between an ion introduction part 10 including a MALDI ion source, an extraction electrode 13 to accelerate ions, and an ion optical system 14 to converge ions etc. and a flight tube 34 which has a flight space in which ions are linearly flown.例文帳に追加

ＭＡＬＤＩイオン源、イオンを加速する引出し電極１３、イオンを収束させるイオン光学系１４などを含むイオン導入部１０と、イオンを直線的に飛行させる飛行空間を内部に形成するフライトチューブ３４との間に、イオントラップを含むイオン捕捉部２０と第２検出部３１とを配置する。 - 特許庁

The ion beam device includes an ion beam source 110 for generating an ion beam 170 emitted along a first axis 142, an aperture unit adapted to shape the ion beam, and an achromatic deflection unit 162 adapted to deflect ions on the ion beam with a predetermined mass at a deflecting angle.例文帳に追加

イオンビーム装置は第１軸１４２に沿って放射されるイオンビーム１７０を発生させるためのイオンビーム源１１０と、イオンビームを整形するよう適合された開口ユニットと、所定の質量のイオンビームのイオンを偏向角でもって偏向するよう適合された収差補正型偏向ユニット１６２を含む。 - 特許庁

A method for measuring the ion implantion amount comprises the steps of selecting specific ion species by an ion beam from an ion source 1 by a mass analyzer 2, accelerating the beam by an accelerator 3 to become a prescribed implanting energy state, so as to arrive at a surface of a semiconductor base 11 in an end station 6, and thus ion implanting in the semiconductor base.例文帳に追加

イオンソース部１からのイオンビームが質量分析部２で特定のイオン種が選択され、そのイオンビームが加速部３で加速されて所定の注入エネルギーとなされた状態で、エンドステーション部６内の半導体基体１１の面上に到達することで、半導体基体へのイオン注入が行われる。 - 特許庁

This ion beam processing apparatus comprises an ion source 1 having a pulling-out electrode 20 for generating a plasma 50 and pulling out an ion beam from the plasma 50, and a processing room 7 for applying an ion beam process to the substrate 40 by irradiating the ion beam pulled out by the pulling-out electrode 20 to the substrate 40 sustaining the substrate 40.例文帳に追加

イオンビーム処理装置は、プラズマ５０を生成して、プラズマ５０からイオンビームを引出す引出し電極２０を有するイオン源１と、基板４０を保持し、引出し電極２０によって引出されたイオンビームを基板４０に照射して、基板４０に対してイオンビーム処理を行う処理室７とを備えている。 - 特許庁

The ions to be irradiated are generated in the argon-ion sputtering ion source 2 and the ions thus generated are pulled out of the ion source 2 by the pullout electrodes 3 and then passed through the magnetic field of the electromagnet 4 for mass separation so that only ions of the same mass are taken out.例文帳に追加

照射されるイオンは、アルゴンイオンによるスパッタ式のイオン源２より発生させ、発生したイオンは引き出し電極３によりイオン源２から引き出され、その後質量分離用電磁石４の磁場を通過することにより、同一質量のイオンのみが取り出される。 - 特許庁

By covering the plasma electrode surface of the negative ion source with carbon nanotubes, electrons are emitted from the carbon nanotubes at a sheath voltage of source plasma for ion generation and the electrode surface is brought into a state that the work function is equivalently lowered to intensify a negative ion generation reaction.例文帳に追加

負イオン源のプラズマ電極表面をカーボンナノチューブで覆うことにより、イオン生成用のソースプラズマのシース電圧でカーボンナノチューブから電子が放出されて等価的に仕事関数が低下した電極表面状態となり負イオン生成反応が増強された負イオン源。 - 特許庁

To provide a gas field ionization ion source of high stability capable of obtaining a large current, and to provide an ion microscope of high resolution and deep focal depth.例文帳に追加

本発明の目的は、大電流が得られ、高安定なガス電界電離イオン源、及び高分解能でかつ大焦点深度のイオン顕微鏡を提供することに関する。 - 特許庁

To achieve both increasing conductance at rough vacuuming and reducing a diameter of an ion draw-out electrode hole from a view point of making ionic current large in a gas field ionization ion source.例文帳に追加

ガス電界電離イオン源において，真空粗引き時のコンダクタンス増大化とイオンの大電流化の観点からの引き出し電極穴の小径化とを両立する。 - 特許庁