「ion acceleration」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

DRIFT TUBE ACCELERATOR FOR ION PACKET ACCELERATION例文帳に追加

イオンパケット加速用のドリフトチューブ加速器 - 特許庁

On receiving the signal, the ion acceleration power control part 15 controls an ion acceleration power supply 13 so that the ion acceleration voltage becomes 0 volt.例文帳に追加

この信号を受けたイオン加速電源制御部１５は、イオン加速電圧が０Ｖになるようにイオン加速電源１３を制御する。 - 特許庁

Next, ion implantation is performed at a low acceleration voltage.例文帳に追加

次に，低加速電圧でイオン注入を行う。 - 特許庁

Next, ion implantation is performed with a high acceleration voltage.例文帳に追加

次に，高加速電圧でイオン注入を行う。 - 特許庁

ION BEAM SEPARATION SYSTEM AND ION BEAM ACCELERATION SYSTEM EQUIPPED WITH IT例文帳に追加

イオンビーム分離システムおよびそのイオンビーム分離システムを備えたイオンビーム加速システム - 特許庁

ION SOURCE ACCELERATION POWER SOURCE OF NEUTRAL PARTICLE INJECTION DEVICE例文帳に追加

中性粒子入射装置のイオン源用加速電源 - 特許庁

Subsequently, ion injection is performed by a second acceleration voltage higher than the first acceleration voltage, thereby to form a second ion layer 320.例文帳に追加

続いて第１の加速電圧より高い第２の加速電圧でイオン注入を行い第２イオン層３２０を形成する。 - 特許庁

An ion implanting device has a source chamber 1, a prestage acceleration pipe 2, an analyzer 3, a following acceleration pipe 4 and an ion implanting chamber 5.例文帳に追加

イオン注入機は、ソースチャンバー１と前段加速管２とアナライザー３と後段加速管４とイオン注入室５を備えている。 - 特許庁

A CPU 21 sends a signal for turning off an ion acceleration voltage to an ion acceleration power control part 15 so that an ion beam is not irradiated to a sample when the sample is analyzed.例文帳に追加

試料分析の時に試料にイオンビームが照射されないように、ＣＰＵ２１は、イオン加速電圧オフの信号をイオン加速電源制御部１５に送る。 - 特許庁

The pressure in an ion generating area and the pressure in an ion accelerating area can be set independently, so that the degree of vacuum can be attained suitably for ion generation and acceleration so as to improve ion generation and acceleration efficiency.例文帳に追加

イオン生成領域とイオン加速領域の圧力を独立に設定できるので、イオン生成および加速各々に適当な真空度とすることができ、イオン生成・加速効率が向上する。 - 特許庁

To provide an ion beam drawing acceleration method and a device with diffusion (loss) due to space charge effects alleviated, while ion beams drawn out of ion sources enter an acceleration/focusing region by a beam acceleration electrode.例文帳に追加

イオン源から引き出したイオンビームがビーム加速電極による加速・集束領域に入射するまでの間に、空間電荷効果によって拡散（損失）することを軽減したイオンビーム引出加速方法及び装置の提供。 - 特許庁

Acceleration voltage of the ion beam when irradiation with the ion beam is performed in the milling step is in the range of 400 to 1,400 V.例文帳に追加

ミリング工程におけるイオンビームを照射する際のイオンビームの加速電圧は、４００〜１４００Ｖである。 - 特許庁

An ion group is introduced to a separation space 17 by a predetermined acceleration voltage.例文帳に追加

イオン群は所定の加速電圧によって分離空間１７へ導入される。 - 特許庁

To provide an ion feeding source with high brightness and low emittance, an acceleration/deceleration moving system and an improved ion feeding source.例文帳に追加

高輝度で低エミッタンスのイオン供給源、加速／減速移動システム及び改善したイオン供給源を提供する。 - 特許庁

This ion milling device is provided with an ion beam source radiating ion beams to the specimen, an acceleration electrode accelerating ions of the ion beam source and functioning as a secondary electron suppressor, and an ion beam current measurement apparatus measuring electric current of the ion beams, and the acceleration electrode is installed between the specimen and the ion beam source.例文帳に追加

本発明は、試料にイオンビームを照射するイオンビーム源と、前記イオンビーム源のイオンを加速させるとともに二次電子サプレッサとして機能する加速電極と、前記イオンビームの電流を測定するイオンビーム電流測定器とを備え、前記試料と前記イオンビーム源との間に前記加速電極を設けたことを特徴とする。 - 特許庁

Ion injection is performed by a first acceleration voltage with respect to the inter-layer insulating film 140, thereby to form a first ion layer 310.例文帳に追加

層間絶縁膜１４０に対して第１の加速電圧でイオン注入を行い第１イオン層３１０を形成する。 - 特許庁

This negative ion source 10 is installed on the route of drawn out negative ions and comprises a plurality of negative ion acceleration electrodes 29, 30 respectively having a plurality of slits 36, and an acceleration power source accelerating the negative ions and generating the negative ion beam Y by forming electric field between the negative ion acceleration electrodes 29, 30.例文帳に追加

負イオン源１０は、引き出された負イオンの経路中に設けられ、複数のスリット３６をそれぞれ有する複数の負イオン加速電極２９、３０と、この負イオン加速電極２９、３０間に電界を形成させることにより負イオンを加速させて負イオンビームＹを生成する加速電源とを具備する。 - 特許庁

To provide a low acceleration voltage ion beam projection aligner as an ion beam proximity projection exposure system for solving the problem of increase in the scale of an optical system, the decrease in resist sensitivity at a high acceleration voltage, and the problem of damage in masks and wafers in the ion beam projection aligner using the conventional high-acceleration ion beam.例文帳に追加

従来の高加速イオンビームを用いるイオンビーム露光装置における、光学系の大規模化の問題、また高加速電圧ではレジスト感度が低いことや、マスクやウェハの損傷の問題を解決するため、イオンビーム近接投影露光方式として低加速電圧のイオンビーム露光装置を提供する。 - 特許庁

The ion-implantation is carried out at 0.05-50 μA/cm^2 ion current and the thickness of the ion implanted layer is changed by continuously changing the acceleration voltage in the ion-implantation.例文帳に追加

また、注入電流が０．０５μＡ／ｃｍ^２〜５０μＡ／ｃｍ^２の範囲でイオン注入を行い、イオン注入時の加速電圧を連続的に変化させて、イオン注入層の厚みを変える。 - 特許庁

Thereafter, high-energy ion implantation such as well formation, etc., is performed by an acceleration voltage of 200 kV or higher.例文帳に追加

その後、ウェル形成などの加速電圧２００ｋＶ以上の高エネルギーイオン注入をおこなう。 - 特許庁

To stably provide an ion beam with high directivity and high energy using a laser drive type acceleration mechanism.例文帳に追加

レーザー駆動型の加速機構を用いて、指向性が高い高エネルギーのイオンビームを安定して得る。 - 特許庁

To provide a vertical acceleration type TOFMS which cannot be affected by withstand voltage performance of an ion detecting means.例文帳に追加

イオン検出手段の耐電圧性能に左右されない垂直加速型TOFMSを提供する。 - 特許庁

To provide a focused ion beam device making the best use of a lens optical system of an acceleration type object lens without sacrificing the life of the device.例文帳に追加

装置寿命を犠牲にせず、加速型対物レンズのレンズ光学系の利点を活かす。 - 特許庁

In a time of flight type mass spectrometer wherein an ion is flown from an ion reservoir with the multistage acceleration field and re- accelerated for detecting near the ion detector, the voltage in each acceleration field meeting secondary convergence condition corresponding to re-acceleration voltage is to be set so as to obtain resolution equivalent to that in the case of non re-acceleration.例文帳に追加

多段加速場によりイオン溜からイオンを飛行させ、イオン検出器近傍で再加速して検出する飛行時間型質量分析計であって、再加速電圧に応じて２次収束条件を満たす各加速場の電圧を設定するようにして、再加速しない場合と同等の分解能が得られるようにしたものである。 - 特許庁

Subsequently, the resist 2 is dissolved and eliminated, a new resist 2 is applied, an opening part is formed on another place and the ion implantation is performed with another acceleration voltage different from the acceleration voltage in the ion implantation performed previously.例文帳に追加

続いて、レジスト２を溶解除去し、新しいレジスト２を塗布して、別の場所に開口部を設け、先に行ったイオン注入における加速電圧とは別の加速電圧でイオン注入を行う。 - 特許庁

To realize an ion accelerating method, and a device capable of utilizing energy which laser light irradiated on a target has for ion acceleration with superior efficiency.例文帳に追加

ターゲットに照射したレーザー光がもつエネルギーを効率良くイオン加速に利用することができるイオン加速方法及び装置を実現する。 - 特許庁

To provide an ion source which is excellent in convergence of the ion beam even when the ion acceleration voltage is as low as 100 V, high in sensitivity, and stably operated for a long time.例文帳に追加

イオン加速電圧が１００Ｖ以下の低電圧でも、イオンビームの収束性により優れ、高感度で長時間安定して動作する電子衝撃型イオン源を提供する。 - 特許庁

To realize acceleration-deceleration type ion implantation in which shallow p-n junctions can be easily formed.例文帳に追加

浅いｐｎ接合を容易に形成することができる、加速・減速方式のイオン注入を実現すること。 - 特許庁

The ion implantation is performed under conditions of 3MV acceleration voltage and 1.0×10^15/cm^2 implantation rate.例文帳に追加

加速電圧３ＭＶ、注入量１．０×１０^15／ｃｍ^2の条件でイオン注入を行った。 - 特許庁

The ion implanter for implanting ions into an object of ion implantation, by impressing a voltage on an acceleration electrode 5 contained in an accelerating tube 3 to accelerate an ion beam 51 taken out from an ion source by generating an acceleration electric field, is provided with an X-ray shielding material 6 in vacuum in the accelerating tube 3 so as to cover an orbit of the ion beam 51.例文帳に追加

イオン源から取出されたイオンビーム５１を、加速管３内に収められた加速電極５に電圧を印可して加速電場を生成することにより加速し、イオン注入対象物へイオン注入するイオン注入装置に、加速管３内の真空中にイオンビーム５１の軌道を覆うようにＸ線遮蔽材６を設置する。 - 特許庁

The ion beam extraction electrode 20 has a screen grid 21 having a plurality of screen ion extraction holes 7a, an acceleration grid 8 having an accelerated ion extraction hole 8a, and a deceleration grid 9 having a decelerated ion extraction hole 9a.例文帳に追加

イオンビーム抽出電極２０は、複数のスクリーンイオン抽出孔７ａを有するスクリーングリッド２１と、加速イオン抽出孔８ａを有する加速グリッド８と、減速イオン抽出孔９ａを有する減速グリッド９とを有している。 - 特許庁

In an ion beam processing method for irradiating gas cluster ion beams to process works, the processing is performed by stepwise or continuously decreasing a value of an acceleration voltage which accelerates the gas cluster ion beams.例文帳に追加

ガスクラスターイオンビームを照射してワークを加工するイオンビーム加工方法であって、ガスクラスターイオンビームを加速する加速電圧の値を段階的に又は連続的に減少させながら加工を行う。 - 特許庁

By independently turning on/off acceleration control switches 121a and 121b, the potentials of the divided acceleration grids 116a and 116b are independently controlled to bring the potential of the divided acceleration grids 116a or 116b corresponding to the ion beam to be stopped into a floating state, and the ion beam is stopped.例文帳に追加

加速制御スイッチ１２１ａ、１２１ｂを独立してオン・オフすることにより、分割加速グリッド１１６ａ、１１６ｂの電位を独立に制御し、停止すべきイオンビームに対応する分割加速グリッド１１６ａ、１１６ｂの電位をフローティング状態にして、イオンビームを停止する。 - 特許庁

Ion beams include impurity ions to be implanted, and are accelerated with energy which is not higher than acceleration energy 5 keV.例文帳に追加

注入すべき不純物のイオンを含み、加速エネルギ５ｋｅＶ以下のエネルギで加速されたイオンビームを得る。 - 特許庁

Furthermore, in another embodiment, while amplitude-modulating acceleration voltage added to an accelerating tube 6, the ion implantation is carried out.例文帳に追加

更に別の態様では、加速管６に加える加速電圧を振幅変調しながらイオン注入を行う。 - 特許庁

Since an electrode itself provided with a curing acceleration effect is used, no curing acceleration agent containing copper ion is required for coating, thus man-hours are reduced and yield is improved.例文帳に追加

電極自体に硬化促進効果をもたせたので、銅イオンを含む硬化促進剤を塗付する必要がなく、工数を削減でき、歩留まりを上げることができる。 - 特許庁

To provide an ion implantation device for obtaining ion beam without energy contamination when post deceleration is used and post acceleration is used.例文帳に追加

後段減速（ディセル）を用いた場合でも、後段加速（ポストアクセル）を用いる場合でも、エネルギーコンタミネーションの無いイオンビームを得られるようにしたイオン注入装置を提供する。 - 特許庁

To provide an ion injection device capable of measuring and calibrating acceleration energy of an ion beam more effectively, simply, and safely, and a manufacturing method of a semiconductor device.例文帳に追加

より実効的、簡便、かつ安全にイオンビームの加速エネルギーを測定・校正することのできるイオン注入装置及び半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The n-type gallium nitride substrate 1 is irradiated with argon ions 5 by an acceleration voltage not higher than 1 kV by using an ion milling device.例文帳に追加

イオンミリング装置を用い加速電圧１ＫＶ以下にてアルゴンイオン５をｎ型窒化ガリウム基板１に向けて照射する。 - 特許庁

To obtain high resolution TOFMS spectrum stably on a steady basis by incorporating a post acceleration type ion detector.例文帳に追加

ポストアクセル型イオン検出器を組み込み、常時安定して高分解能ＴＯＦＭＳスペクトルを取得できるようにする。 - 特許庁

To provide an ion gun which realizes a high acceleration of 10 keV or more while maintaining characteristics of small size and simple structure although the acceleration energy of the conventional electron impact type gas ion gun was 5 keV as an upper limit, and which can be easily fitted to the existing vacuum container for performing secondary ion analysis and ion irradiation or the like.例文帳に追加

従来電子衝撃型ガスイオン銃の加速エネルギーは５ｋｅＶまでが限界であったが、小型で構造が簡単である特徴を維持したまま１０ｋｅＶ以上の高加速を実現し、二次イオン分析やイオン照射等を行うために簡易に既存の真空容器に取り付けることができるイオン銃を提供することを目的とする。 - 特許庁

When the distribution in the depth direction of the group V element in the group IV semiconductor is measured by an SIMS (secondary ion mass spectrometry) method, a primary ion species, a primary ion acceleration energy, and a primary ion incident angle are limited in the range for reducing profile shift and sensitivity dependency in the depth direction.例文帳に追加

ＳＩＭＳ法によりＩＶ族半導体中のＶ族元素の深さ方向分布を測定する際に、一次イオン種、一次イオン加速エネルギー、及び、一次イオン入射角度をプロファイルシフト及び深さ方向の感度依存性を少なくする範囲に限定する。 - 特許庁

Ions generated from an RF type ion generating source 11 of an ion implantation device 10 is applied to a wafer W in an ion implantation chamber 15 through an ion acceleration part 12, an energy filter 13 and a scanning part 14, so that particles are secondarily generated from the wafer W.例文帳に追加

イオン注入装置１０のＲＦ型イオン発生源１１から発生されたイオンが、イオン加速部１２、エネルギフィルタ１３、走査部１４を介して、イオン注入室１５のウエハＷ上に照射されと、ウエハＷから二次的に粒子が発生される。 - 特許庁

Also, by using a low-acceleration voltage of 10 kV or less as an acceleration voltage, a high throughput, low-damage, and simple device configuration can be realized, thus providing a low-cost ion beam projection aligner.例文帳に追加

また加速電圧として１０ｋＶ以下の低加速電圧を用いることで、高スループット、低損傷でかつ簡単な装置構成を実現し、低コストなイオンビーム露光装置を提供できる。 - 特許庁

The load of an acceleration power source 25 is reduced in order not to accelerate molecular ions of hydrogen, to thereby reduce breakdown caused by a dark current or consumption of the target caused by heavy ion acceleration.例文帳に追加

又水素の分子イオンを加速しないため、加速電源２５の負荷を軽減し、これにより暗電流による絶縁破壊や重イオン加速によるターゲットの消耗を軽減する。 - 特許庁