「ion acceleration」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

In the plasma treatment, the DLC coating film is irradiated with plasma with an adjusted amount of ions of 1.30×10^16 to 1.85×10^17 ions/cm^2 at a bias (ion acceleration) voltage of 80-140 V.例文帳に追加

前記プラズマ処理は、照射イオン量を調整してＤＬＣ皮膜にプラズマ照射する処理であり、照射イオン量は１．３０×１０^１６〜１．８５×１０^１７イオン／ｃｍ^２であり、バイアス（イオン加速）電圧は８０〜１４０Ｖである。 - 特許庁

The ion thruster 101 generates the plasma by ionizing a propellant by discharging in the discharge case 1, and obtains the thrust by accelerating the cation of the plasma by the acceleration grid 8 having negative potential, and extracting the same to the external.例文帳に追加

このイオンスラスタ１０１は放電容器１内で推進剤を放電により電離させプラズマを生成し、このプラズマの陽イオンを負電位となっている加速グリッド８により加速して外部に抽出することにより推力を得ている。 - 特許庁

Because acceleration energy can be minimized by the use of the helium ion beam, the rise in the temperature of the substrate at vapor deposition can be prevented and the titanium oxide thin film can be formed even on the substrate made of organic material easily affected by heat.例文帳に追加

ヘリウムイオンビームを用いることにより、加速エネルギーが小さくてすむため、蒸着の際の基板の温度上昇を押さえることができ、熱に弱い有機材料基板上にも酸化チタン薄膜を形成させることができる。 - 特許庁

A large quantity of hydrogen ions is implanted into the gate electrode 15 becoming a mask and the gate insulation film 14 by acceleration implanting plasma decomposed ions of phosphorus diluted with hydrogen by a ion doping method without performing mass separation.例文帳に追加

このときイオンドーピング法を用い、燐の水素希釈ガスをプラズマ分解したイオンを質量分離を行わずに加速注入することで、マスクとなるゲート電極１５とゲート絶縁膜１４中に多量の水素イオンが注入される。 - 特許庁

The ion injection device further has: an ion source 7 ionizing an impure gas; a mass analyzer 8 extracting the impure ions to be injected into the wafer 2 among ionized impure ions; an acceleration tube 9 accelerating the extracted impure ions; and a lens 10 forming the accelerated impure ions in a desired beam shape.例文帳に追加

前記イオン注入装置は、不純物ガスをイオン化するイオン源７と、イオン化された不純物のうちウェーハ２に打ち込む不純物イオンを抽出する質量分析器８と、抽出された不純物イオンを加速させる加速管９と、加速された不純物イオンを所望のビーム形状に成形するレンズ１０とを更に具備する。 - 特許庁

Sizes and/or forms of a first ion passing port provided on the shield electrode plate located in an ion jet port of the discharge chamber and a second ion passing port provided on the ion acceleration electrode plate are different.例文帳に追加

放電室内で不活性ガス分子をイオン化し、遮蔽電極板及びイオン加速電極板により、イオンを放電室内から引出し且つ加速させて、このイオンを圧電板表面の金属製電極膜に衝突させ、電極膜を構成する分子をはじき飛ばすことで、圧電板の振動周波数を調整する圧電素子の周波数調整装置において、放電室のイオン射出口に配置した遮蔽電極板に設けた第１のイオン通過口と、イオン加速電極板に設けた第２のイオン通過口の大きさ又は／及び形状が異なっていることを特徴とする圧電素子の周波数調整装置である。 - 特許庁

Ion beam IB is deflected by a control of a prescribed scan electrode of a scan mechanism 15 corresponding to a setting of acceleration condition of an accelerating tube 13, and the central region of the beam passes through a prescribed beam restricting slit S2 and reaches a faraday cup FC.例文帳に追加

加速管１３の加速条件の設定に応じたスキャン機構１５の所定の走査電極制御によりイオンビームＩＢは偏向され、所定のビーム制限スリットＳ２によりビーム中心領域が通過しファラディーカップＦＣに到達される。 - 特許庁

To use for an ion propulsion engine or the like for introducing a control coil to control an induction field to an induction type accelerator (betatron or induction lineac), putting under control an electric field which is a hindrance to acceleration, and establishing a technique of accelerating charged particles continuously.例文帳に追加

誘導型の加速器（ベータトロンや誘導リニアック）に、誘導電界を制御するための制御コイルを導入し、加速の障害となる電界を抑えて、荷電粒子を連続して加速する技術を確立し、イオン推進エンジン等に利用する。 - 特許庁

The projection structure is grown and formed by irradiating the surface of the zinc substrate in vacuum with an Ar ion beam at an irradiation angle of 15 to 90 degrees and at an acceleration voltage of 2 to 10 kV to excite and diffuse zinc atoms on the surface.例文帳に追加

そして、これらの突起構造体は、真空中で亜鉛基板の表面上に、１５〜９０ｄｅｇの照射角にて加速電圧２〜１０ｋＶのＡｒイオンビームを照射し、励起した亜鉛原子の表面拡散で成長・形成させる。 - 特許庁

In the energy beam machining device X to machine a work 7 by allowing the work 7 to be irradiated with proton beams L1 (energy beams), an energy converting means 10 to convert the energy of the proton beams L1 is provided on the optical path of the proton beams 1 between an energy beam generation source consisting of an ion generation source 1 and an ion acceleration apparatus 2 and the work 7.例文帳に追加

被加工物７にプロトンビームＬ１（エネルギービーム）を照射させて該被加工物７を加工するエネルギービーム加工装置Ｘにおいて，イオン発生源１及びイオン加速装置２からなるエネルギービームの発生源と上記被加工物７との間の上記プロトンビーム１の光路上に，上記プロトンビームＬ１の持つエネルギーを変更させるエネルギー変更手段１０を設ける。 - 特許庁

Accordingly, the low or high frequency electric stimulation including ion introduction or the like from the electric stimulation electrodes 14 and the magnetic stimulation from the permanent magnets 15 stimulate the skin and hypodermis of the living body to enhance the basal metabolism of the stimulated region by muscular movement or the acceleration of blood circulation.例文帳に追加

したがって、電気刺激電極１４からのイオン導入等を含む低周波や高周波の電気刺激と、永久磁石１５からの磁気刺激が、生体の皮膚及び皮下組織を刺激して、筋運動や血行促進により刺激部位の基礎代謝を上げる。 - 特許庁

To provide a method, in which the thinning and working operation of a sample is executed by using a focused ion beam apparatus and to provide a method, in which the working operation can be performed in a short time irrespective of the sagging of its beam, in operation at a low acceleration voltage.例文帳に追加

本発明の課題は、集束イオンビーム装置を用いた試料の薄片化加工を実行する方法であって、低加速電圧下での作業においてそのビームダレにもかかわらず短時間で加工を行うことができる方法を提示することにある。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for a semiconductor that has a small environmental load, wherein the control of a depth direction of an atom injected onto the surface of a substrate made of silicon and the like needs no acceleration or deceleration, in stages subsequent to ion extraction.例文帳に追加

シリコン等の基板表面に注入する原子の深さ方向の制御が、イオン引き出し以降の後段加速・減速を必要とせず容易に可能とし、環境負荷の小さい半導体の製造方法を容易にする半導体の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a highly sensitive flight-time mass analyzer capable of properly converging ions, keeping the vacuum of an ion detection pat and improving the resolution of mass analysis by devising the ionization of a sample and an acceleration part of ions.例文帳に追加

試料のイオン化及びイオン加速部を工夫することにより、イオン収束を適切に行うとともに、イオン検出部の真空度を保ち、さらに質量分析の分解能を改善することができる高感度飛行時間型質量分析装置を提供する。 - 特許庁

A carbon atom cluster ion source is set in a vacuum chamber 7, a heating device 1 carries a current to heat a carbon nanotube 2 after the vacuum chamber 7 is vacuumized, and carbon atoms comprising the carbon nanotube 2 are vaporized in cluster state in an electric field by adjusting an acceleration voltage +E1 and an extraction voltage -E2.例文帳に追加

炭素原子クラスターイオン源を真空チャンバー７にセットし、真空チャンバー７を真空排気した後、加熱装置１に通電し、カーボンナノチューブ２を加熱し、加速電圧＋Ｅ_1 と引出電圧−Ｅ_2 を調節してナノチューブ２を構成する炭素原子をクラスターの状態で電界蒸発させる。 - 特許庁

A mechanism for measuring temperature of a high-voltage power supply circuit 16 output to an ion acceleration section of the flight-time type mass spectroscope is arranged, and correction of mass spectrum data measured at the same time is performed on a data processing section 18 by referring to temperature data.例文帳に追加

飛行時間型質量分析装置のイオン加速部に出力する高圧電源回路１６の温度を計測する機構を設け、同じ時間に測定した質量スペクトルデータについて、温度データを参照して、質量スペクトルデータの補正をデータ処理部１８で実施する。 - 特許庁

Since dielectric breakdown strength of the gate insulation film 12b can be controlled by ionic species, an acceleration voltage or a dose, etc., during ion implantation, both high dielectric breakdown strength required for an MOS transistor and low dielectric breakdown strength required for a fuse capacitor can be realized, thus reducing the development period.例文帳に追加

また、ゲート絶縁膜１２ｂの絶縁破壊耐圧はイオン注入時のイオン種、加速電圧、またはドーズ量等により制御出来るため、ＭＯＳトランジスタに求められる高い絶縁破壊耐圧と、フューズキャパシタに求められる低い絶縁破壊耐圧とを両立でき、更に開発期間の短縮を図ることが出来る。 - 特許庁

In a channel forming process in the method of manufacturing the full depletion type SOI transistor, especially, the NMOS transistor, ion implantation for threshold control for the channel forming portion is executed for an interface between an SOI layer and a buried insulation film at plurality of times while changing acceleration energy and dividing a dose quantity.例文帳に追加

完全空乏型ＳＯＩトランジスタ、特にＮＭＯＳトランジスタの製造方法におけるチャネル形成工程において、チャネル形成部へ閾値調整のためのイオン注入をＳＯＩ層/埋め込み絶縁膜との界面に、加速エネルギーを変えてドーズ量を分割して複数回行うことを特徴とする - 特許庁

A film emitting negative ion such as a film of fine crystals of tourmaline or the like is applied to a glass bulb part of the light bulb to contribute to an effect on a living bodies for example on a relaxation, an effect on reduction or cure of symptoms of various diseases, and an effect on growth acceleration or prolonging lives of animals and plants.例文帳に追加

トルマリンの微細結晶など、マイナスイオンの発生する膜を管球のガラス球部にコーティングすることで、生体に対する効果、例えばリラックス効果や、様々な病気の症状を軽減、治癒したりする効果、または動植物に対して成長促進効果や寿命を延ばす効果等に貢献することが可能である。 - 特許庁

To provide an electrode structure in a nonaqueous-based battery such as lithium-ion battery or the like, that can respond with a proper responsiveness to radical temperature increase within the battery due to over-discharge, overcharge or the like and can effectively avoid an accident due to thermal acceleration of a battery reaction, and provide a nonaqueous-based battery containing such an electrode.例文帳に追加

リチウムイオン電池等の非水系電池中において、過放電や過充電等による電池内部の急激な温度上昇に対し、良好な応答性をもって対応し、電池反応の熱暴走に伴う事故を効果的に回避し得る電極構造、ならびに該電極を含む非水系電池を提供すること。 - 特許庁

The cyclotron comprises a spiral inflector 21 which passes a beam made incident from an ion source to introduce the beam into an acceleration track T, and the spiral inflector 21 has a positive electrode 23 and a negative electrode 27 whose gap is made irregular in a cross section orthogonal to a passing track S of the beam as beam converging means of converting a passing beam B.例文帳に追加

本発明のサイクロトロンは、イオン源から入射されるビームを通過させ加速軌道Ｔに導入するスパイラルインフレクタ２１を備え、スパイラルインフレクタ２１は、通過するビームＢを収束させるビーム収束手段として、ビームの通過軌道Ｓに直交する断面においてギャップを不均一とした正電極２３及び負電極２７を有する。 - 特許庁

Since the lateral extent of the implanted boron becomes broader as the range becomes longer, the concentration and width of the area 3a are made uniform in the vertical direction by controlling the width of the boron ion emitting area, so that the area becomes narrower as the acceleration energy becomes higher and the range of boron becomes longer.例文帳に追加

また、Ｐ^+型シリコンインゴットにコリメートされた中性子線を選択的に照射することにより、中性子線の入射方向に沿ってＰ^+型シリコンインゴット中に一様な幅と濃度を有するＮ^+型導電性領域を形成することにより、高精度なスーパージャンクションを備える低損失電力用半導体装置の製造方法を提供することができる。 - 特許庁

The energy loss due to ion acceleration in a cathode sheath caused near a cathode can be reduced, by lowering the potential of a display electrode in synchronism in a sustain discharge period, and the discharge efficiency can be improved, even if the drive voltage is raised to increase the xenon excitation energy, so that vacuum ultraviolet rays can be emitted efficiently.例文帳に追加

維持放電期間において、表示電極の電位を維持放電に同期して縮小することにより、陰極近傍に発生する陰極シースでのイオン加速によるエネルギー損失を低減することができ、キセノンガス励起エネルギーを上げるために駆動電圧を上げても、放電効率の向上を図ることができ、効率良く真空紫外線を放射することが可能となる。 - 特許庁

Since the accelerator is a folding type tandem accelerator, a 180° analysis electromagnet is arranged at a high voltage terminal part, and a slit having an energy analysis and diffusion restricting slit function is installed at the entrance part of the acceleration tube on high energy side, and once again the beam is accelerated by the accelerator having a single hole lens effect, and by focusing, an MeV region high energy ion nano beam is formed.例文帳に追加

加速器が、折り返し型タンデム加速器であるため、高電圧ターミナル部に１８０°分析電磁石を置き、高エネルギー側の加速管の入口部にエネルギー分析及び発散制限スリット機能を有するスリットを設置し、再度、単孔レンズ効果を有する加速管によりビームを加速するとともに、集束を行い、ＭｅＶ領域高エネルギーイオンナノビームを形成する。 - 特許庁

Water after the removal of the insoluble material produced by the addition of ferrous ion is obtained by removing not only the anti-corrosive for the azole-based copper but a suspension and in the acceleration oxidation degradation by ozone, the futile use of ozone is prevented and a remaining TOC component containing the anti-corrosive for the azole-based copper is highly decomposed and removed with a small injected ozone.例文帳に追加

第一鉄イオンの添加で生成した不溶化物を除去した後の水は、アゾール系銅用防食剤のみならず、懸濁物質も除去されたものであるため、オゾンによる促進酸化分解処理にあたり、オゾンの無駄な消費を防止して、少ないオゾン注入量で残留するアゾール系銅用防食剤を含むＴＯＣ成分を高度に分解除去することができる。 - 特許庁

To prevent decrease in the sample transmission capacity of electron beams in a STEM observation with decreased acceleration voltage and the bad influence of a damaged layer generated by the application of ion beams, to remove the damaged layer effectively by minimizing the damage to a desired region in a sample, and to prevent processing failure by detecting an optimum processing completion point in time even if the thickness of a thin-film sample is reduced.例文帳に追加

加速電圧を下げたＳＴＥＭ観察での電子ビームの試料透過能力の低下やイオンビームの照射により生じるダメージ層の悪影響を防ぎ、試料の所望の領域への損傷を最小限にしてダメージ層を効果的に除去すること、および薄膜試料の厚さがより薄くなっても最適な加工終了時点を検出して加工失敗を防ぐ。 - 特許庁