「ion acceleration」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

A positive voltage is applied to the split acceleration grid on the side for turning off an ion beam, and a negative voltage is applied to a deceleration grid 117.例文帳に追加

イオンビームをオフする側の分割加速グリッドに正電圧を印加し、更に減速グリッド１１７に負電圧を印加する。 - 特許庁

To provide an ion trap device in which a sufficient cooling effect is secured while ion cleavage can be suppressed to the minimum in acceleration for a next-stage TOF (Time Of Flight) mass analysis.例文帳に追加

十分なクーリング効果を確保しつつ、次段のＴＯＦ質量分析のための加速に際してイオンの開裂を最小限に抑えることのできるイオントラップ装置を提供する。 - 特許庁

This apparatus is provided with an ion gun 6 for ejecting an ion beam and a treatment room 4, through a mass separation machine 2 for selecting ions, a post-acceleration tube 3, a Q lens system 15 and a deflector 16.例文帳に追加

イオンビーム６を放出するイオン源と、イオン選別用質量分離２、後段加速管３、Ｑレンズ系１５、偏向器１６などを経て処理室４が設置されている。 - 特許庁

To provide an ion implanting device of latter acceleration and former acceleration methods, capable of maintaining uniformly the dose of ions implanted into a wafer in the range from the surface of the wafer to a prescribed vertical depth.例文帳に追加

ウェーハに注入されるイオンのドーズ量がウェーハの表面から垂直で一定な深さの範囲で均一に維持されるようにする後加速及び先加速方式のイオン注入装置を提供する。 - 特許庁

Only the regions of the active layer 5 that are to be the LDD regions are doped by ion-doping an impurity at a low concentration with a high acceleration voltage.例文帳に追加

不純物を高い加速電圧で低濃度にイオンドーピングして、活性層５のＬＤＤ領域14,15となる部分のみをドーピングする。 - 特許庁

To provide an electron beam processing device capable of preventing deviation of an ion beam to the center, and of keeping a cooling effect of an acceleration grid.例文帳に追加

イオンビームの中央への偏りを防止するとともに、加速グリッドの冷却効果を維持できる電子ビーム加工装置を提供する。 - 特許庁

The expansion of the pushed- out ion beam is once time-focused on certain point (or a line) by a two-stage acceleration part 9, and a lag (aberration) of a flight time produced by the expansion of the ion beam is cancelled.例文帳に追加

押し出されたイオンビームは、その広がりが２段加速部９によりある点（または線）上で一旦時間収束されて、イオンビームの広がりによって生じる飛行時間のズレ（収差）が解消される。 - 特許庁

The ion implantation at a high acceleration and a high dose may not be done, and if under conditions that two kinds or more of dopants are subjected to the ion implantation at an equal ratio and with the dose quantity adjusted, the given temperature characteristics can be obtained.例文帳に追加

高加速、高ドーズのイオン注入をしなくても、２種類以上のドーパントが同等の比でかつドーズ量が調整されてイオン注入されていれば、所定の温度特性が得られる。 - 特許庁

To provide a molybdenum alloy-formed body used as an ion acceleration electrode particularly used for an apparatus such as a focused ion beam (FIB) apparatus and a nuclear fusion device, and to provide a method for producing the molybdenum alloy-formed body.例文帳に追加

特に集束イオンビーム装置（ＦＩＢ）や核融合装置などのような装置に使用されるイオン加速電極として用いられるモリブデン合金成形体およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an orthogonal acceleration time-of-flight mass spectroscope capable of preventing an ion-extruding plate or the like constituting an ion reservoir from taking a charge and avoiding deterioration of resolution and sensitivity of mass spectrum.例文帳に追加

イオン溜を構成するイオン押し出しプレートなどが帯電することを未然に防止し、マススペクトルの分解能や感度が低下するのを回避することができるＯＡ−ＴＯＦＭＳを提供する。 - 特許庁

When implantation of the impurity ions is performed for the second time, ion implantation is performed under the condition where ion concentration is comparatively low and acceleration voltage is high, and the resistance value of a first polycrystalline silicon film 6 is adjusted.例文帳に追加

２回目に不純物イオンを注入するときには、イオン濃度を比較的低く高加速電圧の条件でイオン注入し、第１の多結晶シリコン膜６の抵抗値を調整する。 - 特許庁

At least the die surface of the molding die for compound optical element is irradiated with ion beans at 3-5 keV of ion acceleration energy and at the exposure of 1x1010 to 1x1020 ions/cm2.例文帳に追加

複合光学素子成形用金型の少なくとも成形面に、イオン加速エネルギー３〜５０ｋｅＶ、照射量１×１０^１０〜１×１０^２０ｉｏｎｓ／ｃｍ^２の条件でイオンビームを照射する。 - 特許庁

An ion beam having given energy adjusted through acceleration by an accelerator 16 is emitted onto a substrate S held in a vacuum space, where the ion beam scans the substrate S in X and Y directions to inject ions.例文帳に追加

真空中で保持された基板Ｓに対し、加速器１６により加速することで所定の注入エネルギーに制御したイオンビームを照射し、Ｘ、Ｙ方向に走査させて所定のイオンを注入する。 - 特許庁

By composing an ion source by a plasma source due to electron cyclotron resonance and an extraction electrode, a low-acceleration voltage ion beam that is uniform and has improved parallelism over a wise area can be drawn.例文帳に追加

電子サイクロトロン共鳴によるプラズマ源と引き出し電極でイオン源を構成することで、広い面積にわたり均一で平行性のよい低加速電圧のイオンビームを引き出すことができる。 - 特許庁

By forming the opening 5a of the cooling jacket 5 into a shape gradually expanded toward the traveling direction of the ion beam, an equipotential line is set nearly parallel to the acceleration grid 3, so that deviation of the ion beam to the center can be restrained and the cooling effect to the acceleration grid 3 can be kept.例文帳に追加

冷却ジャケット５の開口部５ａをイオンビームの進行方向に向かって漸次拡大した形状とすることで、等電位線が加速グリッド３に対してほぼ平行になり、イオンビームの中央への偏りが抑制されると同時に、加速グリッド３の冷却効果を維持できる。 - 特許庁

The well is formed in two times of first impurity ion implantation by the prescribed incident angle from a first direction, an acceleration voltage and a dosage; and second impurity ion implantation by the same incident angle, acceleration voltage and dosage as the first impurity ion implantation from a second direction different from the first direction by 180 degrees in plane view.例文帳に追加

ウェルの形成を、第１の方向からの所定の入射角度および加速電圧、ドーズ量による第１の不純物イオン注入と、第１の方向と平面視で１８０度異なる第２の方向からの、第１の不純物イオン注入と同じ入射角度および加速電圧、ドーズ量による第２の不純物イオン注入の２回に分けて行う。 - 特許庁

In a case of manufacturing the SRAM cell, when implantation of impurity ions is performed at first time, ion implantation is performed under the condition where the ion concentration is comparatively high and acceleration voltage is low, and a source/drain diffusion layer 13 is formed.例文帳に追加

ＳＲＡＭセルの製造時において、１回目に不純物イオンを注入するときにはイオン濃度を比較的高く低加速電圧の条件でイオン注入し、ソース／ドレイン拡散層１３を形成する。 - 特許庁

To provide an effective monitoring method of ion implantation energy capable of efficiently evaluating the implantation energy if an acceleration energy is accurately adjusted with respect to a set value, and also provide an ion implantation apparatus.例文帳に追加

加速エネルギーが設定値に対して正しく調整されているかについて、能率的に注入エネルギーを評価することが出来る有効なイオン注入エネルギーのモニター方法およびイオン注入装置を提供する。 - 特許庁

The ion implantation device includes a gas introduction means 30 for introducing an inert gas 36 arranged in the transportation path of the ion beam 4 downstream of the acceleration tube 8 and upstream of the analysis slit 12.例文帳に追加

このイオン注入装置は、加速管８よりも下流側かつ分析スリット１２よりも上流側におけるイオンビーム４の輸送経路に不活性ガス３６を導入するガス導入手段３０を備えている。 - 特許庁

A dopant is driven to the diamond thin film 5-12 at an acceleration voltage of 60 kV and a dose of 1×10^14 cm^-2 by using an ion implantation device.例文帳に追加

上記ダイヤモンド薄膜５−１２にイオン注入装置を用い、加速電圧６０ｋＶ、ドーズ量１×１０^１４ｃｍ^−２でドーパントを打ち込む。 - 特許庁

Only the regions of the active layer 5 that are to be the source region 12 and the drain region 13 are doped by ion-doping an impurity at a high concentration with a low acceleration voltage.例文帳に追加

不純物を低い加速電圧で高濃度にイオンドーピングして、活性層５のソース領域12およびドレイン領域13となる部分のみをドーピングする。 - 特許庁

In this case, the acceleration voltage is set so that ion species to be measured are emitted from the separation space 17 after receiving the action from the electric field for one cycle.例文帳に追加

この際、被測定イオン種が電場の作用を１周期間受けた後、分離空間１７から出射されるように、加速電圧を設定する。 - 特許庁

A deceleration field and an acceleration field are provided in the ion optical system, and an aberration correction field is provided in the decelerated field with negative aberration combining multipole or the like.例文帳に追加

イオン光学系内に、減速場と加速場とを設け、減速された場に多極子等を組み合わせた負の収差を持った収差補正場を設ける。 - 特許庁

Ions generated in the source chamber 1 are applied through the analyzer 3, the acceleration pipes 2, 4, and a dose counter 8 to a semiconductor wafer 7 to perform ion implantation.例文帳に追加

ソースチャンバー１で発生したイオンは、アナライザー３と加速管２，４とドーズカウンタ８を通して半導体ウェハ７に照射されイオン注入が行われる。 - 特許庁

Mass spectrometry in which only target ions are selected out of the ions extracted by applying an extraction voltage by an ion source 1 is carried out only one time by a mass spectrometer 2, and ions are implanted into a treating object in an end station 5 by making shaping and scanning of ion beams in a beam line 3 and applying acceleration voltage in an acceleration tube 4.例文帳に追加

イオン源１で引出電圧をかけて引き出したイオンのうち目的とするイオンのみを選別する質量分析を質量分析器２で１回のみ行ない、ビームライン３にてイオンビームの整形及び走査をし、加速管４にて加速電圧をかけてエンドステーション５にて被処理体にイオン注入する。 - 特許庁

Ion implantation with a high dosage and a low acceleration voltage and ion implantation with a low dosage and a high acceleration voltage are successively performed using the mask to form an LDD (Lightly Doped Drain) region of the low-breakdown-voltage lateral trench MOSFET and an LDD region of the trench lateral power MOSFET at the same time.例文帳に追加

このマスクを用いて、高ドーズ量および低加速電圧で行うイオン注入と、低ドーズ量および高加速電圧で行うイオン注入を連続して行うことによって、低耐圧横型トレンチＭＯＳＦＥＴのＬＤＤ領域と、トレンチ横型パワーＭＯＳＦＥＴのＬＤＤ領域とを同時に形成する。 - 特許庁

Oxygen ion beams are emitted against the substrate from an ion beam generator 23 with the ion current density of ≥5 μA/cm^2 and ≤20 μA/cm^2 and the acceleration voltage of ≥50 V and ≤300 V, oxygen ion beams are non-charge gasified by a neutralizer 24, and the vaporized film deposition material is accelerated by non-charge gasified oxygen and deposited on the substrate.例文帳に追加

又は、イオン電流密度を５μＡ／ｃｍ^２以上、２０μＡ／ｃｍ^２以下、加速電圧５０Ｖ以上、３００Ｖ以下でイオンビーム発生装置２３から酸素イオンビームを基板に向けて出射すると共にニュートライザー２４により酸素イオンビームを無帯電気体化し、気化させた成膜材料を無帯電気体化した酸素で加速して基板に付着させる。 - 特許庁

To arrange an electron microscope and a sample so that the distance therebetween is optimum, in a device which prepares a thin sample by focused ion beam for use in observation by a transmission electron microscope (TEM) and removes a damaged layer on the sample surface using a gaseous ion beam at a low acceleration voltage.例文帳に追加

集束イオンビームでＴＥＭ観察用の薄片化試料を作製し、低加速電圧の気体イオンビームで試料表面のダメージ層を除去する装置において、電子顕微鏡と試料とを最適な距離に配置すること。 - 特許庁

In an orthogonal acceleration type ion trap-coupled time-of-flight mass spectrometer, a unit for reducing speed distribution of ions emitted from an ion trap is installed, thereby, the mass-to-charge ratio range that can be analyzed at one time is expanded.例文帳に追加

直交加速型イオントラップ結合飛行時間型質量分析計において、イオントラップから射出されたイオンの速度分布を縮小する手段を設けることにより、一度に分析できる質量対電荷比範囲を拡大する。 - 特許庁

The concentration gradient of the metal ion in the thickness direction is intently generated by controlling the acceleration voltage and injection amount of the metal ion so that the thin film has a structure in which a band gap or potential gradation is changed in the thickness direction.例文帳に追加

その際、厚さ方向に金属イオンの濃度勾配を加速電圧及び注入量を制御することにより意図的にもうけて、バンドギャップもしくは電位勾配を厚さ方向に変化させた構造を有する薄膜を提供する。 - 特許庁

By providing an orthogonal acceleration ion trap bonding time- of-flight mass spectrometer with a means of trimming down velocity distribution of ions injected from ion trap, a range of mass to charge ratio is enlarged.例文帳に追加

直交加速型イオントラップ結合飛行時間型質量分析計において、イオントラップから射出されたイオンの速度分布を縮小する手段を設けることにより、一度に分析できる質量対電荷比範囲を拡大する。 - 特許庁

Since a first N well area 9 required for the triple well structure is formed by the ion implantation of high acceleration energy, it is not necessary to form a step S.例文帳に追加

トリプルウエル構造に必要な第１のＮウエル領域９は高加速エネルギーのイオン注入で形成するようにしたので、段差Ｓを形成する必要がない。 - 特許庁

Then, by using a mask 73 with a narrow opening, a B ion is injected with a weak acceleration voltage to form a high-resistance layer 75 wide than a gate formation region.例文帳に追加

次に、狭い開口部を有するマスク７３を用いて、Ｂイオンを弱い加速電圧で注入して、ゲート形成領域よりも広く高抵抗層７５を形成する。 - 特許庁

The acceleration and deceleration electrode 22 is the electrode in which a negative electric potential is given to the ground electric potential, and which is installed on the upper stream side of the ion beam B against the ground electrode 21.例文帳に追加

加速減速電極２２は、接地電位に対して負電位が与えられる電極であり、接地電極２１に対してイオンビームＢの上流側に設けられている。 - 特許庁

The slits 36 on the shared negative ion acceleration electrode 29 are respectively formed with similar longitudinal directions, and the slits 36 on the adjoining negative ion acceleration electrodes 29, 30 are respectively formed with the longitudinal directions to form a specific angle on a plane perpendicular to a line along running direction of the negative ions.例文帳に追加

そして、共通の負イオン加速電極２９上のスリット３６同士はその長手方向が同様な方向となるように設けられる一方、隣接する負イオン加速電極２９、３０上のスリット３６同士はその長手方向が負イオンの進行方向に沿う線に垂直な面上において互いに所定の角度をなして設けられるように構成した。 - 特許庁

An ion source 21, a mass separation part 22, an acceleration part 23, an energy separation part 24 and an implanting chamber 25 of the ion implanting device are arranged in a casing 26 in that order with the ion source 21 at the lowest position and the implanting chamber 25 at the top position.例文帳に追加

イオン注入装置２０のイオン源２１、質量分離部２２、加速部２３、エネルギー分離部２４および注入室２５は、イオン源２１、質量分離部２２、加速部２３、エネルギー分離部２４、注入室２５の順に、イオン源２１を最下部および注入室２５を最上部として縦方向に筐体２６内に配置されている。 - 特許庁

In the process of removing a part of the floating plane protection film 101, when the irradiation angle of the ion beams is ≥60° from the normal line of the floating face of the magnetic head slider and acceleration voltage of the ion beams is ≤300 V, high denseness and covering properties can be obtained.例文帳に追加

前記浮上面保護膜101の一部を除去する工程において、イオンビームの照射角が、磁気ヘッドスライダ浮上面法線から60度以上であり、イオンビームの加速電圧が300Ｖ以下であるとき、高い緻密性及び被覆性を得ることができる。 - 特許庁

An energy determination processor 26 determines whether energy of the ion beams after acceleration is normal or abnormal, based on a frequency of the high-frequency voltage and a position of the beam orbit.例文帳に追加

エネルギー判定処理装置２６は高周波電圧の周波数及びビーム軌道の位置に基づいて加速終了後のイオンビームのエネルギーが正常であるか異常であるかを判定する。 - 特許庁

To provide a driving method for a plasma display panel and the plasma display panel, with which discharge efficiency is improved by reducing energy loss due to ion acceleration during sustained discharge.例文帳に追加

維持放電時におけるイオン加速によるエネルギー損失を低減することにより、放電効率の向上を実現するプラズマディスプレイパネルの駆動方法およびプラズマディスプレイパネルを提供する。 - 特許庁

After H ions and He ions are implanted into a silicon substrate with acceleration energy of 5-40 keV, temperature of the silicon substrate is raised to about 500°C and then O ions are implanted with acceleration energy of 30-180 keV thus forming an ion implantation layer 2.例文帳に追加

シリコン基板にＨイオン又はＨｅイオンを、加速エネルギが５ｋｅＶ以上４０ｋｅＶ未満で注入した後、該シリコン基板を略５００℃に昇温し、それにＯイオンを、加速エネルギが３０ｋｅＶ以上１８０ｋｅＶ以下で注入し、イオン注入層２を形成する。 - 特許庁

In the negative ion generator which generates ions by corona discharge by applying high voltage on discharge electrodes and accelerates the speed of the ions with an acceleration electrode to emit through a blowing port, the acceleration electrode is grounded through a high voltage diode with its anode connected to the electrode.例文帳に追加

放電電極に高電圧を印加することにより、コロナ放電によって生成されたイオンを加速電極で加速し、吹出し口から放出するマイナスイオン発生装置において、前記加速電極はこれにアノード側を接続した高圧ダイオードを介して接地した。 - 特許庁

When forming the emitter region 2e and the collector region 2c, the acceleration voltage is set at 20 kV and the ion current is set at 10 μA by a secondary ion microanalyzer (IMA) and the two points on the Si substrate 1 are irradiated with Ar^+ and He^+, which are rare gas element ions, for about two hours.例文帳に追加

エミッタ領域２ｅ及びコレクタ領域２ｃの形成に当たっては、二次イオン質量分析器（ＩＭＡ）により加速電圧を２０ｋＶ、イオン電流を１０μＡとして、希ガス元素のイオンであるＡｒ^+及びＨｅ^+を２時間程度、Ｓｉ基板１の２箇所にイオン照射する。 - 特許庁

In an S/D extension region forming process which is carried out after a gate electrode 4 is formed, a PMOS region is covered with a resist 5, As or P ion implanted into an NMOS region at a low acceleration speed.例文帳に追加

ゲート電極４が形成された後のＳ／Ｄエクステンション領域形成工程において、ｐＭＯＳ領域をレジスト５で覆い、ｎＭＯＳ領域にＡｓまたはＰの低加速注入を行う。 - 特許庁

To provide a control device for a lithium ion battery which prevents deterioration of the battery due to lithium deposits on a negative electrode surface generated by a slip of a wheel of an automobile or a sudden acceleration/deceleration of the automobile.例文帳に追加

自動車の車輪のスリップや、自動車の急激な加減速により発生する負極表面のリチウム堆積による電池の劣化を防止するリチウムイオン電池用制御装置を提供すること。 - 特許庁

A magnetic circuit to form a magnetic field in which the plasma emitted from the target is converged on the substrate is disposed outside the target in the vicinity of the aperture, and an ion acceleration electrode is provided between the aperture and the substrate so as to apply the voltage in a range in which the etching is not predominant to the acceleration electrode.例文帳に追加

該開口部近傍で、該ターゲットの外側に、ターゲットから放出されたプラズマが基板上へ収束するような磁場を形成するための磁気回路が設けられ、また、該開口部と基板との間にイオン加速電極を設け、該加速電極に対してエッチングが優勢とならない範囲の電圧を印加するように構成される。 - 特許庁