「ion beam process」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

The method for analyzing the depth direction element distribution of a sample consists of a process subjecting the surface of a sample to precise cross-sectional processing by converged ion beam 2', a process for measuring fine particles 3 generated from the cross section 17 obtained by the precise cross-sectional processing and a process for processing the measured value as a function of the depth direction scanning position of the converged ion beam.例文帳に追加

収束イオンビーム（２’）により試料表面を精密断面加工する工程と、前記精密断面加工により得られた断面（１７）から発生する微粒子（３）を測定する工程と、前記測定によって得た値を前記収束イオンビームの深さ方向走査位置の関数として処理する工程と、を具備することを特徴とする、試料の深さ方向元素分布分析を行う方法。 - 特許庁

To provide a processing device having a compact stage structure that can irradiate respective surfaces of an object to be processed which has a three-dimensional structure with a gas cluster ion beam and can measure a beam current value and a beam current distribution at an irradiation position on a surface of the object to be processed even during the process.例文帳に追加

３次元構造をもつ加工対象物の各面にガスクラスターイオンビームを照射することができ、かつ各加工対象面の照射位置におけるビーム電流値やビーム電流分布をプロセス中にも計測可能なコンパクトなステージ構造を有する加工装置を提供する。 - 特許庁

In the process of depositing the carbon film, the carbon film is deposited using one of an ECR (Electron Cyclotron Resonance) sputtering method, an RF sputtering method, a DC sputtering method, and an ion beam sputtering method.例文帳に追加

カーボン膜を堆積する工程はＥＣＲスパッタ法、ＲＦスパッタ法、ＤＣスパッタ法、およびイオンビームスパッタ法のうちのいずれかの方法を用いてカーボン膜を堆積すること。 - 特許庁

To provide a method and an apparatus for ion beam etching which can improve the productivity by simplifying the manufacturing process and which is suitable for being used in manufacturing an optical device.例文帳に追加

製造プロセスを簡素化して生産性の向上を図ることができ、また、光学デバイスの製造に用いて好適なイオンビームエッチング方法及びイオンビームエッチング装置を提供すること。 - 特許庁

The entire optical effective region 2 is processed by repeating the process of a raster scan with the ion beam 4 for each divided region in all divided regions 11 to 14.例文帳に追加

イオンビーム４を各分割領域においてラスター走査する工程をすべての分割領域１１〜１４において繰り返すことで、光学有効領域２の全面を加工する。 - 特許庁

The method comprising the steps for providing a substrate 11 having a surface and a backside; depositing a film 15 composed of tantalum nitride (TaN) on the surface of the substrate by means of ion beam sputtering, in order to absorb EUV light used in a photolithography process; and depositing an electrically conductive film 16 on the backside of the substrate by means of ion beam sputtering.例文帳に追加

表面と裏面を有する基板１１を設ける工程と、フォトリソグラフィープロセスに使用されるＥＵＶ光を吸収するために、基板の表面にイオンビームスパッタリングにより窒化タンタル（ＴａＮ）からなる膜１５を沈積する工程と、基板の裏面にイオンビームスパッタリングにより導電膜１６を沈積する工程とを有する。 - 特許庁

The method has a cross section exposing process for exposing a cross section of a sample by irradiating the sample Wa, formed by laminating the organic insulating film and another insulating film, with a focused ion beam 20A; and a cross section treating process for treating so that each film on the cross section can be discriminated by irradiating with the focused ion beam, while supplying water or steam to the cross section.例文帳に追加

有機絶縁膜と他の絶縁膜とが積層されてなる試料Ｗａに対して集束イオンビーム２０Ａを照射して試料の断面を露出させる断面露出工程と、断面に対して水または水蒸気を供給しつつ、集束イオンビームを照射して断面の各膜が判別可能となるように処理する断面処理工程と、を有している。 - 特許庁

To provide a focusing ion beam device that is capable of working precisely perpendicularly without difficulty, the pattern face capable of taking all directions in the remody process case of the defects of patterns having a penetration structure in the electron beam exposure mask.例文帳に追加

本発明の課題は、電子ビーム露光用マスクにおける貫通構造のパターン欠陥を修正加工する際に、あらゆる方向を取り得るパターン面を無理無く正確に垂直に加工することができる集束イオンビーム装置を提供することにある。 - 特許庁

In the process for producing a thin film, a substrate 10 is irradiated with an ion beam while depositing a thin film on the substrate by electron beam deposition, and the crystal c-axis of the thin film formed on the substrate 10 is oriented in the in-plane direction of the substrate by setting a substantially right angle between the substrate 10 and the irradiation direction of the ion beam.例文帳に追加

本発明に係る薄膜製造方法は、電子ビーム蒸着法によって基板に薄膜を堆積させつつ基板１０に対してイオンビームを照射するとともに、基板１０とイオンビームの照射方向とのなす角度を略垂直とすることで、基板１０上に形成される薄膜の結晶ｃ軸を基板面内方向で一方向に配向させる。 - 特許庁

After a discharge hole forming process of making a plurality of the ink discharge holes 100a penetrate a substrate 100 is carried out, a vapor deposition process of vapor depositing an upper layer 101 to the substrate 100 by an ion beam assisting vapor deposition method is carried out.例文帳に追加

基板１００に複数のインク吐出孔１００ａを貫通せしめる吐出孔形成工程を実施した後、イオンビームアシスト蒸着法によって基板１００に上層１０１を蒸着せしめる蒸着工程を実施するようにした。 - 特許庁

The method for manufacturing optical thin film in which an ion beam 116 is applied to a target 115 and an optical thin film made of multilayer film is formed on a body 119 to be treated by sputtering has the following process.例文帳に追加

イオンビーム１１６をターゲット１１５に照射し、スパッタリングによって被処理物１１９に多層膜による光学薄膜を成膜する光学薄膜の製造方法を、つぎのように構成する。 - 特許庁

The method of fabricating the acicular sample for field ion microscopy includes a process for machining the desired part of the sample to be observed with a field ion microscope into an acicular shape by irradiating the sample with a focused charged-particle beam, a process for cutting the acicular sample away from a sample base, and a process for fixing the cut acicular sample to an electrode bar.例文帳に追加

電界イオン顕微鏡観察用針状試料の作製方法は、集束した荷電粒子ビームを照射することにより電界イオン顕微鏡で観察する所望の箇所を針状に加工する工程と、針状試料を試料基板から切り離し摘出する工程と、摘出した針状試料を電極棒に固定する工程を含むことを特徴とする。 - 特許庁

The method for straightening the warping of the ceramic plate 50 in which the warping is generated has an etching process of etching a surface 50A formed to a convex shape by the warping in the ceramic plate 50 by irradiating the surface 50A formed to the convex shape with a beam of at least either of an ion beam or neutral particle beam.例文帳に追加

反りを生じたセラミック板５０の反りの矯正方法であって、セラミック板５０において反りによって凸状とされている面５０Ａに対してイオンビーム又は中性粒子ビームの少なくとも一方のビームを照射して、凸状とされている面５０Ａをエッチングするエッチング工程を備える。 - 特許庁

In the method and the apparatus for ionizing cluster, a cluster ion beam source 5 is included, the cluster ion beam source has a wavelength control mechanism (diffraction grating, aperture slit) capable of controlling the wavelength of the light irradiated on the cluster in a wavelength range having the energy to cause ionization by inner shell electron, and the cluster is ionized in multivalent manner by utilizing Auger process.例文帳に追加

クラスターのイオン化方法または装置において、クラスターイオンビーム源５を備え、該クラスターイオンビーム源を、クラスターに照射される光の波長を内殻電子による電離が起きるエネルギー持つ波長範囲に制御可能とした波長制御機構（回折格子，アパチャースリット）を有する構成とし、オージェ過程を利用してクラスターを多価にイオン化するように構成する。 - 特許庁

The method for manufacturing a diamond electron source which includes a top end portion as a diamond electron discharging point includes a process A in which a top end shape of the sharp top portion is rectified to a spherical surface by using a focused ion beam processing unit and a process B in which a process-damaged layer formed by the process A is removed by plasma.例文帳に追加

本発明が提供するダイヤモンドの電子放射点として先鋭部を有するダイヤモンド電子源の製造方法は、該先鋭部の先端形状を集束イオンビーム加工装置を用いて球面形状に補正する工程Ａと、該工程Ａによって形成された加工変質層をプラズマによって除去する工程Ｂとを有することを特徴とする。 - 特許庁

An ion implantating process is started by the use of an ion beam 10a of large current with a slit 9 being kept open, and when the detection temperature of a temperature sensor 6 and/or the detection charge of a charge sensor 8 exceeds a previously set value while ions are implanted, the slit 9 is closed.例文帳に追加

スリット９を「開」状態にして大電流のイオンビーム１０ａによるイオン注入開始後、温度センサ６の検出温度とチャージセンサ８の検出電荷のいずれか一方又は両方が、イオン注入の途中で予め設定した所定値を越えたときは、スリット９が閉じられる。 - 特許庁

The micro testpiece processing and observation device are equipped with a focused ion beam optical system and an electron optical system in an identical vacuum device, and separate a micro testpiece including the desired region of the testpiece by a charged particle beam forming process, and have a probe for sampling the micro testpiece separated.例文帳に追加

上記課題を解決するために本発明装置では、同一真空装置に集束イオンビーム光学系と電子光学系を備え、試料の所望の領域を含む微小試料を荷電粒子線成型加工により分離し、分離した該微小試料を摘出するプローブを備えた。 - 特許庁

This device includes a focus ion beam optical system and an electron optical system in the same vacuum device, and also includes a probe for separating the microscopic sample containing the desired region of the sample by a charged particle beam type molding process to take out the separated microscopic sample.例文帳に追加

上記課題を解決するために本発明装置では、同一真空装置に集束イオンビーム光学系と電子光学系を備え、試料の所望の領域を含む微小試料を荷電粒子線成型加工により分離し、分離した該微小試料を摘出するプローブを備えた。 - 特許庁

In the micro testpiece processing and observation device, a focused ion beam optical system and an electron optical system are equipped in an identical vacuum device, and a micro testpiece including the desired region of the testpiece is separated by a charged particle beam forming process, and a probe for sampling the micro testpiece separated is equipped.例文帳に追加

上記課題を解決するために本発明装置では、同一真空装置に集束イオンビーム光学系と電子光学系を備え、試料の所望の領域を含む微小試料を荷電粒子線成型加工により分離し、分離した該微小試料を摘出するプローブを備えた。 - 特許庁

In the laser beam machining process, the laser beam machining is performed while ions generated with an ion generating device 47 provided on a laser machining device 100 (printed wiring board manufacturing device) are supplied together with an auxiliary wind to the work substrate W and the swarf generated from the substrate during the machining is deelectrified.例文帳に追加

該レーザ加工工程においては、レーザ加工装置１００（プリント配線基板製造装置）の備えるイオン発生装置４７にて発生させたイオンを補助風とともに、ワーク基板Ｗに向けて供給し、加工の最中に生じた基板加工屑を徐電しつつレーザ加工を行う。 - 特許庁

The device is equipped with a focused ion-beam optical system and an electro-optical system in the same vacuum device, as well as a probe for separating a minute sample including a desired area of the sample by a charged particle beam forming process, and for extracting the separated minute sample.例文帳に追加

上記課題を解決するために本発明装置では、同一真空装置に集束イオンビーム光学系と電子光学系を備え、試料の所望の領域を含む微小試料を荷電粒子線成型加工により分離し、分離した該微小試料を摘出するプローブを備えた。 - 特許庁

This device is provided with a focused ion beam optical system and an electronic optical system in the same vacuum device, and also provided with a probe for separating a minute sample including a desired area of a sample by a charged particle beam forming process, and for extracting the separated minute sample.例文帳に追加

上記課題を解決するために本発明装置では、同一真空装置に集束イオンビーム光学系と電子光学系を備え、試料の所望の領域を含む微小試料を荷電粒子線成型加工により分離し、分離した該微小試料を摘出するプローブを備えた。 - 特許庁

The formed ion beam is converged by an electrostatic lens 21, is accelerated by an after-accelerator 22, is shaped by a quadrupole lens 23, and irradiates a semiconductor wafer W arranged in a process chamber 31.例文帳に追加

生成されたイオンビームは、静電レンズ２１によって収束され、後段加速器２２によって加速され、四重極レンズ２３によって整形されて、処理室３１内に配置された半導体ウエハＷ上に照射される。 - 特許庁

A process waste 5, produced in mechanical processing with an atomic force microscope probe 3, is irradiated with a gas cluster ion beam 1, having energy that will not damage a normal pattern 6 or a glass substrate 7, but which can remove the process waste 5 which is weakly depositing thereon, so as to remove the waste by sputtering effects.例文帳に追加

原子間力顕微鏡探針３による機械加工で発生した加工屑５を正常パターン６やガラス基板７にはダメージを与えないが弱く付着した加工屑５は除去できるようなエネルギーを持ったガスクラスターイオンビーム１を照射してスパッタ効果で除去する。 - 特許庁

The method for manufacturing a diamond electron source which includes a top end portion as a diamond electron discharging point includes a process A in which a top end shape of the sharp top portion is rectified to a spherical surface by using a focused ion beam processing unit and a process B in which a process-damaged layer formed by the process A is removed by an acid solution.例文帳に追加

本発明が提供するダイヤモンドの電子放射点として先鋭部を有するダイヤモンド電子源の製造方法は、該先鋭部の先端形状を集束イオンビーム加工装置を用いて球面形状に補正する工程Ａと、該工程Ａによって形成された加工変質層を酸水溶液によって除去する工程Ｂとを有することを特徴とする。 - 特許庁

This manufacturing method includes a process S101 for forming an etching mask material by a lithography process on a silicon substrate, a process S102 for forming a slit in the etching mask material by cutting the etching mask material formed on the silicon substrate by focused ion beam and a process S104 for forming a groove in a slit portion formed in the etching mask material by etching.例文帳に追加

電子部品の製造方法は、シリコン基板上にリソグラフィ工程によってエッチングマスク材を形成する工程Ｓ１０１と、シリコン基板上に形成されたエッチングマスク材を集束イオンビームで切断してエッチングマスク材にスリットを形成する工程Ｓ１０２と、エッチングによってエッチングマスク材に形成されたスリット部分に溝を形成する工程Ｓ１０４とを含む。 - 特許庁

A micro-device manufacturing method includes a molding substrate preparation process S10 for preparing the molding substrate, a rough processing process S20 for roughly processing the surface of the molding substrate by using a laser processing device, and a finishing process S30 for finish treating the surface of the molding substrate by using a convergent ion beam processing device in turn.例文帳に追加

成形基材を準備する成形基材準備工程Ｓ１０と、レーザ加工装置を用いて成型基材の表面を粗加工する粗加工工程Ｓ２０と、集束イオンビーム加工装置を用いて成型基材の表面を仕上げ加工する仕上げ加工工程Ｓ３０とをこの順序で含むことを特徴とするマイクロデバイスの製造方法。 - 特許庁

A collector necessary to a conventional method using the ion beam for covering the substrate 8 and an electrode becomes unnecessary, whereby its measuring system can be made simple, and a measurement of the secondary electrons can be carried out in the deposition system, and a deposition process can be made stable.例文帳に追加

イオンビームを用いる従来法に必要であった基板８と電極とを覆うコレコタは不要なので、測定系をシンプルにすることができ、成膜装置内での２次電子の測定が可能となり、成膜工程の安定化を実現できる。 - 特許庁

The iron alloy after the pre-process which is placed inside of the wet etching tank 111 is taken out and placed in a film forming chamber 330, and after the oxidized coating film is further removed by ion beam etching, a carbon film is formed on the surface by arc discharge etc.例文帳に追加

ウェットエッチング槽１１１の内部に置かれた前処理後の鉄合金は、取り出されて成膜チャンバー３３０に置かれ、イオンビームエッチングにより酸化被膜をさらに除去された後、アーク放電などにより表面に炭素膜を形成される。 - 特許庁

The sample preparing method includes a rotation process for changing the direction of the sample 20 which keeps the first surface 10a directed upward and has a contact so that the first surface 10a may be directed laterally or downward and an irradiation process for irradiating the sample 20 with a converged ion beam from the short direction of the contact.例文帳に追加

試料作製方法は、第１面１０ａが上方を向き、コンタクトを有する試料２０を、第１面１０ａが側方ないし下方を向くように試料２０の向きを変える回転工程と、試料２０に対して、コンタクトの短手方向から集束イオンビームを照射する照射工程とを含む。 - 特許庁

The method comprises a process of forming the gate insulating film, and a process of smoothing the surface of the gate insulating film by irradiating the surface of the gate insulating film with a gas cluster ion beam.例文帳に追加

本発明は、ゲート絶縁膜上に半導体膜が形成された薄膜トランジスタの製造方法であって、ゲート絶縁膜を形成する工程と、ゲート絶縁膜の表面を、ガスクラスターイオンビームを照射することでゲート絶縁膜表面を平滑化する工程とを有することを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法である。 - 特許庁

The microstructure regarding a junction part of a tunnel magneto-resistance film 12 is formed by a lithography process using focused ion beam(FIB) drawing to prevent the problems of deterioration in shape caused by reflected electrons and electrostatic breakdown due to charging-up.例文帳に追加

トンネル磁気抵抗膜１２の接合部に関わる微細構造を集束イオンビーム（ＦＩＢ）描画を用いたリソグラフィプロセスにより形成することにより、反射電子による形状の劣化や、チャージアップによる静電破壊という問題を防ぐことが可能となる。 - 特許庁

This method comprises a non-magnetic material filling process (S104) in which a concave part of the irregular pattern is filled by applying a non-magnetic material on the recording layer formed with the prescribed irregular pattern on a substrate, and a flattening process (S106) in which surplus non-magnetic material on the recording layer is removed by ion beam etching and the surface is flattened.例文帳に追加

基板上に所定の凹凸パターンで形成された記録層上に非磁性材を成膜することにより凹凸パターンの凹部を充填する非磁性材充填工程（Ｓ１０４）と、記録層上の余剰の非磁性材をイオンビームエッチングにより除去して表面を平坦化する平坦化工程（Ｓ１０６）と、を含む構成とした。 - 特許庁

The gas cluster ion beam apparatus comprises: a cluster generation chamber 2 for generating gas clusters by introducing a gas from a nozzle 1; and a process chamber 15 which is separated from the cluster generation chamber 2 by a partition wall 18, and in which the gas clusters are supplied through the skimmer 4 installed on the partition wall 18.例文帳に追加

ガスクラスターイオンビーム装置は、ノズル１からガスを導入させてガスクラスターを生成させるクラスター生成室２と、隔壁１８によってクラスター生成室２から分離され、ガスクラスターが隔壁１８に設けられたスキマー４を通して供給されるプロセス室１５とを有している。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a large number of reproducible, hyperbolic drum type elements by using an ion beam etching process, and a hyperboloidal drum type structure that is adjustable in size of an active layer and that is usable for manufacturing optical devices and an electronic devices of nano-scale.例文帳に追加

イオンビームエッチング法を利用して再演性のある双曲面ドラム型素子を大量に製造する方法、及び活性層の大きさの調節が可能であって、ナノ規模の光素子及び電子素子の製造に活用することができる、双曲面ドラム型構造を提供する。 - 特許庁

In the etching process, a wall face 17a which is arranged between at least the thin film magnetic head elements 20 and a recording medium out of the surfaces facing the medium is formed every part to become each thin film magnetic head by etching part of the materials for the head by using a convergent ion beam.例文帳に追加

エッチング工程は、ヘッド用素材の一部を集束イオンビームを用いてエッチングすることによって、各薄膜磁気ヘッドとなる部分毎に、媒体対向面のうち、少なくとも薄膜磁気ヘッド素子２０と記録媒体との間に配置される壁面１７ａを形成する。 - 特許庁

The gas cluster ion beam apparatus comprises: a cluster generation chamber 2 for generating gas clusters by introducing a gas from a nozzle 1; and a process chamber 9 which is separated from the cluster generation chamber 2 by a partition wall 5, and in which the gas clusters are supplied through a skimmer 4 installed on the partition wall 5.例文帳に追加

ガスクラスターイオンビーム装置は、ノズル１からガスを導入させてガスクラスターを生成させるクラスター生成室２と、隔壁５によってクラスター生成室２から分離され、ガスクラスターが隔壁５に設けられたスキマー４を通して供給されるプロセス室９とを有している。 - 特許庁

In a process in which a sample piece extracted from a film made up of an aggregate of micro-particulates is to be subjected to micro-machining of two sections of the piece by utilizing a focused ion beam to thin the film, a thin film made up of a uniform material is formed to cover micro-machined end faces after each section is micro-machined.例文帳に追加

微細粒子の凝集体からなる膜から抽出した試料片に対し、その二つの断面に集束イオンビームを利用する微細加工を施し、薄片化を行う工程中、各断面に微細加工を施した後、微細加工端面を被覆する、均質な材料からなる薄膜をそれぞれ形成する。 - 特許庁

To hold an observation desired portion stably on a sample holder, when extracting surely the observation desired portion from a large sample substrate and performing finishing process for preparing a thin-film sample, in a method for preparing the thin-film sample for performing observation by a transmission electron microscope by using a focused ion beam.例文帳に追加

集束イオンビームを用いて透過型電子顕微鏡で観察をおこなうための薄膜試料を作製する方法において、大きな試料基板から観察所望部位を確実に抽出し、薄膜試料作製のための仕上げ加工を行なう際に、観察所望部位を試料ホルダに安定して保持することができるようにする。 - 特許庁

In addition, the metal film forming method includes a process to form a photo resist pattern of a desired shape on the metal film divided into a plurality of areas and the resin film, and a process to form the metal film pattern of a desired shape by removing a part of the metal film divided into a plurality of areas by the chemical etching method, a plasma etching method or the ion beam etching method.例文帳に追加

さらに、上記複数の領域に分けて形成した金属膜および樹脂フィルム上に、所望形状のフォトレジストパターンを形成する工程と、化学エッチング法またはプラズマエッチング法もしくはイオンビームエッチング法により、上記複数の領域に分けて形成した金属膜の一部を除去し、所望形状の金属膜パターンを形成する工程とを含む金属膜の形成方法とする。 - 特許庁

The method of manufacturing an antireflection structure includes a process of forming an antireflection structure comprising a cluster of minute projections of glassy carbon on the surface of a base material, having a needle shape or a cone shape having a diameter that contracts towards a tip, by performing ion beam machining using gas containing oxygen against the base material made of glassy carbon.例文帳に追加

ガラス状炭素からなる基材に対して酸素を含むガスを用いてイオンビーム加工を施すことにより該基材の表面に、先端に向けて縮径した針状又は錐状の形状を有する前記ガラス状炭素の微細な突起群からなる反射防止構造を形成する工程を含むことを特徴とする反射防止構造体の製造方法。 - 特許庁

This film deposition method includes a process in which, by FIB assist deposition in which a material having an Si-O-Si bond and an Si-H bond is fed to the surface of a structure, and further, a desired part in the surface fed with the above material is irradiated with a focused ion beam, a silicon oxide film is deposited.例文帳に追加

本発明の成膜方法は、Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ結合及びＳｉ−Ｈ結合を有する材料を構造体の表面に供給するとともに前記材料を供給された前記表面の所望の部分に集束イオンビームを照射するＦＩＢアシストデポジションによりシリコン酸化膜を形成する工程を含むことを特徴とする。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a reflective mask, which can simply form a light shielding region and can achieve highly accurate pattern transfer, without increasing a manufacturing process such as resist coating, drawing, developing and etching, and without needing to prepare a special mask blank; an ion beam device for the reflective mask; and the reflective mask.例文帳に追加

本発明は、レジスト塗布、描画、現像、エッチング等の製造工程を増やすことなく、特殊なマスクブランクを準備する必要もなく、簡便に遮光領域を形成することが可能であり、高精度なパターン転写を実現することが可能な反射型マスクの製造方法、反射型マスク用イオンビーム装置、および反射型マスクを提供することを主目的とする。 - 特許庁