「ion hole」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

An opposing electrode 60 is formed in circular shape, and arranged in an ion generation chamber 52 so that a central axis thereof coincide with an axial line C of a discharge needle insertion hole 53.例文帳に追加

対向電極６０は円環状に形成されており、その中心軸が放電針挿通孔５３の軸線Ｃと一致するようにイオン生成室５２内に配されている。 - 特許庁

At the upstream side in the ion guide direction of the guide cylindrical section 52, there is formed a vent hole 60 for fetching air from the air flow passage 16 into the guide cylindrical section 52.例文帳に追加

案内筒部５２におけるイオン案内方向上流側には、空気流通路１６から該案内筒部５２へ空気を取り込む通気孔６０が設けられる。 - 特許庁

The shape of the beam is determined by the shape of a molded hole 25, so that the shape of the beam can be changed by replacing the ion beam molded-plate 23, while the grids 21, 22 are left as they are.例文帳に追加

ビーム形状は成形孔２５の形状によって決まり、イオンビーム成形プレート２３を交換することにより、グリッド２１，２２はそのままでビーム形状を変えられる。 - 特許庁

These electron and positive hole react with water present in the water-storing substance to form a hydroxyl ion, or the like, and a hydrophilic hydroxyl group is formed in the surface of the material.例文帳に追加

これらの生成した電子と正孔は、蓄水性物質に含まれる水と反応して、水酸イオン等を形成し、材料表面に親水性の水酸基を形成する。 - 特許庁

This electrode for a lithium ion secondary battery is composed by arranging electrolyte-retaining materials 104, each formed of a carbon material having a through-hole in voids among electrode active materials 101.例文帳に追加

貫通孔を有するカーボン材からなる電解質保持材料１０４が電極活物質１０１間の空隙に配置されてなるリチウムイオン二次電池用電極。 - 特許庁

After the formation of an interlayer insulation film 6, the interlayer insulation film 8 is etched by reactive ion etching with a resist pattern 8 as a mask so as to form the connection hole (Figure 1 (a)).例文帳に追加

層間絶縁膜６の形成後、接続孔を形成すべくレジストパターン８をマスクとして、反応性イオンエッチングにより層間絶縁膜８のエッチングを行なう（図１（ａ））。 - 特許庁

The ion generating element 10 has an induction electrode 1 having a plurality of pierced holes 1b and a needlelike discharge electrode 2 positioned at the center of the pierced hole 1b.例文帳に追加

イオン発生素子１０は、複数の貫通孔１ｂを有する誘導電極１と、貫通孔１ｂの中心に位置する針状の放電電極２とを有している。 - 特許庁

Furthermore, when product ions are discharged through the ion discharge hole 6 for TOF mass spectrometry, since the ions will not pass through the conductive mesh, smearing of the mesh will not occur.例文帳に追加

また、ＴＯＦ質量分析のためにイオン排出孔６を通してプロダクトイオンを排出する際にイオンは導電性メッシュを通らないのでメッシュの汚染も生じない。 - 特許庁

The hole injecting layer 3 contains a pyrrole derivative having a specific structure and a mean molecular weight of 100-1,000,000, a transition metal and/or a transition metal ion.例文帳に追加

正孔注入層３は、特定の構造を有した、重量平均分子量が100〜1,000,000のピロール誘導体と遷移金属及び／又は遷移金属イオンを含有する。 - 特許庁

A metal area 65 containing a metal element or a metal ion is formed on the interface between the hole injection-transportation layer 60 and the light emitting layer 70.例文帳に追加

正孔注入・輸送層６０と発光層７０との間の界面に、金属元素または金属イオンが存在してなる金属領域６５が設けられている。 - 特許庁

By irradiating an ion beam on a surface of the drawing base plate 2a before making a drawing hole, a cleaning of a surface of the drawing base plate is conducted and/or a drawing hole is formed and, then, a blasting of deposition gas and irradiation of ion beams are carried out on the surface of the drawing plate to form a conductive thin membrane on the surface of the drawing plate.例文帳に追加

また、絞り孔を形成する前に絞り基体２ａの表面にイオンビームを照射することにより絞り基体の表面を清浄化する処理及び／又は絞り孔を形成した後に絞りプレートの表面にデポジション用ガスの吹き付けとイオンビーム照射行うことによって絞りプレートの表面に導電性薄膜を形成する処理を行う。 - 特許庁

Therefore, by performing ion implantation using a mask 180 in a second ion implantation process, an impurity ion is implanted into a region including the defective portion where the width of the offset region 114 is enlarged, to form the hole storage region 113 including a protruding region 113A to the transfer electrode 160A, 160B sides.例文帳に追加

そこで、第２のイオン注入工程によってマスク１８０を用いたイオン注入を行うことにより、オフセット領域１１４の幅が大きくなった欠損部分を含む領域に不純物イオンを注入し、転送電極１６０Ａ、１６０Ｂ側へのはみ出し領域１１３Ａを有する正孔蓄積領域１１３を形成する。 - 特許庁

This insulating film 6 is, before impurity ion is implanted into a contact hole, so formed as to have a thickness that prevents influence of impurity ion implantation upon the first insulating film 5, and, after the impurity ion implantation, it is made into a thinner film (or may be removed) to eliminate stress on the first insulating film 5 as much as possible.例文帳に追加

この絶縁膜６は、コンタクト孔７への不純物イオン注入前においては不純物イオン注入の影響が第１の絶縁膜５に及ばない厚さで形成し、上記不純物イオン注入後では、今度は第１の絶縁膜５に対するストレスを極力なくすように薄膜化される（あるいは除去されてもよい）。 - 特許庁

To execute ion beam machining by allowing a reference object to be always recognized in process of the machining to carry out accurate drift correction even when a minute hole or a minute pattern is used as the reference object in correcting the drift of an irradiation position of an ion beam using the reference object.例文帳に追加

参照対象を用いてイオンビームの照射位置のドリフトを補正する際に、参照対象として微細穴や微細パターンを用いた場合でも、加工途中で参照対象を常に認識できるようにし、高精度のドリフト補正をし、イオンビーム加工を行なう。 - 特許庁

Second meshes 52 are fitted to a metal plate 11 at a periphery of an ion incidence hole 11a of an ion detector 1 via a plurality of rod-like insulating spacers 50, and first meshes 51 area fitted to the second meshes 52 via a plurality of rod-like insulating spacers 50.例文帳に追加

イオン検出器１のイオン入射口１１ａの周囲の金属板１１に、複数個の棒状の絶縁スペーサー５０を介して第２のメッシュ５２を取り付け、第２のメッシュ５２に複数個の棒状の絶縁スペーサー５０を介して第１のメッシュ５１を取り付ける。 - 特許庁

A partition 15 having an ion passage hole 29 is installed inside the flight chamber 20 of a time-of-flight mass spectrometric analytical means 19, and the inside of the flight chamber 20 is partitioned into a first space 26 communicating with an ionization chamber 2 and a second space 27 containing an ion detector 22.例文帳に追加

飛行時間型質量分析手段１９の飛行室２０内にイオン通過孔２９を有する仕切り壁２５を設けて、飛行室２０内を、イオン化室２と連通する第１空間２６とイオン検出器２２を含む第２空間２７とに仕切る。 - 特許庁

Further, once a fan provided ion a middle frame 11 is actuated, air is taken into an air intake chamber 52 through the air intake hole 21, and is exhausted to the outside of the electronic oven 1 through a heating chamber located interiorly of a door, an air exhaust chamber 32, and an air takeout hole 22.例文帳に追加

また、中枠１１内に設けられたファンが作動すると、吸気孔２１を介して吸気室５２に空気が取込まれ、当該空気は、ドア３の奥の加熱室，排気室３２，排気孔２２を介して、電子レンジ１の外に排出される。 - 特許庁

In addition, a second interlayer insulation film 10 is formed, a contact hole is formed so that the surface of a capacitor node plug is exposed, heat treatment conditions are used for heat-treating in the contact hole while a storage electrode is being formed, and impurities are subjected to ion implantation for forming the storage electrode in the active region including the contact hole.例文帳に追加

さらに第２層間絶縁膜１０を形成し、キャパシタノードプラグの表面が露出するようにコンタクトホールを形成し、ストレージ電極の形成状態でコンタクトホール内に熱処理条件を用いて熱処理をした後、不純物をイオン注入してコンタクトホールを含むアクティブ領域にストレージ電極を形成する。 - 特許庁

The p-type diffusing layer 6 is formed by the ion implantation step of two times conforming to the shape of a contact hole 15 and an impurity concentration at a surface area, and a deep area thereof is adjusted.例文帳に追加

Ｐ型の拡散層６は、コンタクトホール１５の形状に合わせて、２回のイオン注入工程により形成され、その表面部と深部との不純物濃度が調整されている。 - 特許庁

After connection holes 20 to 22 are formed in the silicon oxide film 19, etc., a p-type semiconductor region 24 is formed in a bottom part of the connection hole 20 by ion implantation of p-type impurities.例文帳に追加

シリコン酸化膜１９等に接続孔２０〜２２を形成した後、ｐ型不純物をイオン注入して接続孔２０の底部にｐ型半導体領域２４を形成する。 - 特許庁

The conductive layer 7 for setting the ion free is formed for preventing generation of a notch being an unnecessary space formed when the through hole is formed on the other face of the silicon substrate 1.例文帳に追加

そして、シリコン基板１の他方の面に貫通孔を形成する際にできる余分な空間部分であるノッチの生成を防ぐため、イオンを逃がすための導電層７を形成する。 - 特許庁

A contact hole is formed by an etching process for reducing ion energy and an O_2 flow rate with the progress of etching depth, and the damage layer to be formed on the base is suppressed.例文帳に追加

本発明は、イオンエネルギーおよびＯ_２流量を、エッチング深さの進行と伴に低減するエッチング工程によりコンタクトホール形成し、下地に形成されるダメージ層を抑制する。 - 特許庁

The main electrode 16 is formed by applying Ar ion through a contact hole 12 in which the main electrode 15 is buried at 100 keV-200 keV and then heat-treating it.例文帳に追加

低ライフタイム領域６は、主電極１５が埋設されるコンタクトホール１２を通じて、Ａｒイオンを100keV〜200keVのエネルギーで照射し、その後、熱処理を加えることによって形成される。 - 特許庁

To obtain a stable contact resistance as well as to realize a low junction leakage, without having to carry out compensatory ion implantation in a contact hole, inside which the boundary between a diffusion layer and an element isolation is exposed.例文帳に追加

拡散層と素子分離との境界が内部で露出するコンタクトホールにおいて、補償イオン注入を行わずに低接合リークを実現するとともに安定したコンタクト抵抗を得る。 - 特許庁

By voltage applied from respective reservoirs 10-1 to 10-3 and 26, a sample is separated by electrophoresis in the electrophoresis separating channel 6 for introducing to the spray nozzle 14 before an ion discharged from the tip of the spray nozzle 14 is taken in from a small hole of a counter electrode 30 into an ion source.例文帳に追加

各リザーバ１０−１〜１０−３，２６から印加される電圧により、電気泳動分離流路６での電気泳動により試料が分離されてスプレーノズル１４に導入された後、スプレーノズル１４の先端から放出されたイオンは、対極３０の小孔からイオン源内に取り込まれる。 - 特許庁

A swash plate 20 made of an aluminum material is tiltable to an axial direction of a rotary shaft 18 by means of a linkage of a guide hole 251 formed on a supporting arm 25 made of an ion material and a head part 231 of a guided pin 23 made of an ion material, and is integrally rotated with the rotary shaft 18.例文帳に追加

アルミニウム系の材質製の斜板２０は、鉄系の材質製の支持アーム２５に形成されたガイド孔２５１と、鉄系の材質製の被ガイドピン２３の頭部２３１との連係により回転軸１８の軸方向へ傾動可能かつ回転軸１８と一体的に回転可能である。 - 特許庁

Although the disturbance of the hyperboloid electric field in the vicinity of the holes 5, 6 is corrected by the conductive mesh 8 and the field correction electrode 7b, at precursor selection; while carrying out correction of this electric field, unwanted ions can be discharged to the outside of an ion trap 1 through the ion inlet hole 5.例文帳に追加

導電性メッシュ８と電場補正用電極７ｂとにより孔５、６付近の双曲面電場の乱れは補正されるが、プリカーサ選別の際にはこの電場の補正を行いながらイオン導入孔５を通して不要イオンをイオントラップ１の外部へ排出することができる。 - 特許庁

The solid-liquid hybrid electrolyte layer is composed of porous cured resin (A) and an ion conductor (B) containing liquid, and the porous cured resin (A) has holes of a hole diameter of 0.1 μm -100 μm and the ion conductor (B) is arranged inside the holes.例文帳に追加

本発明の固液ハイブリッド電解質層は、多孔質樹脂硬化物（Ａ）、液体を含むイオン伝導体（Ｂ）より構成され、前記多孔質樹脂硬化物（Ａ）は孔径０．１μｍ〜１００μｍの孔を有し、前記イオン伝導体（Ｂ）は前記孔内に配されていることを特徴とする。 - 特許庁

The glass capillary tube 8 has an insertion hole 9 with a nearly polygonal cross section in which optical fibers 4, 5 are inserted and held, comprises alkali ion-containing glass and has enhanced mechanical strength due to a compressive stress layer formed in the surface by ion exchange.例文帳に追加

本発明のガラス毛細管８は、断面が略多角形であり、光ファイバ４、５を挿入して保持する挿入孔９を備え、アルカリイオンを含有するガラスからなり、イオン交換により表面に圧縮応力層を生じさせて機械強度を強化してなることを特徴とする。 - 特許庁

An exposed portion of the insulation layer 11 corresponding to an aperture 13a of a mask layer 13 is etched with the reactive ion etching, an element remaining in the process atmosphere after this reactive ion etching process is then eliminated and thereafter further etching is conducted with the sputter etching process to form a through hole.例文帳に追加

マスク層１３の開口１３ａに対応する絶縁層１１の露出部分を反応性イオンエッチングによってエッチングし、次いでこの反応性イオンエッチング後に処理雰囲気中に残留する成分を除去した後、スパッタエッチングによってさらにエッチングして貫通させる。 - 特許庁

The minus ion added air is released to the space UFS under the floor through the minus ion releasing tube 31 and the ventilating hole juncture 30 from the air emitting section 12.例文帳に追加

空気清浄装置本体１０を起動させると空気入れ部１１より外気を吸込み、マイナスイオン発生手段によって空気にマイナスイオンが付加され空気出し部１２よりマイナスイオン放出チューブ３１と換気口接続部３０を介して、マイナスイオン付加空気ＩＯＮは床下空間ＵＦＳに放出される。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for a hydrogen ion conductive polymer membrane with a catalyst layer for a fuel cell without causing a wrinkle or looseness of the hydrogen ion conductive polymer membrane in a machining process or in handling, damage such as a pin hole or micro-crack thereof, or a crack, wear or pollution of the catalyst layer.例文帳に追加

加工工程や取扱い中における水素イオン伝導性高分子膜の皺や弛み、ピンホール、マイクロクラックなどの損傷、および触媒層のクラックや摩耗、汚染などが発生しない燃料電池用触媒層付き水素イオン伝導性高分子膜の製造方法を提供する。 - 特許庁

A protective cover 2 having an introduction hole 21 is mounted on a second protective film 17 and bonded thereto and a containing part 3 formed between the protective cover 2 and the insulation film 15 above the channel region 14 is filled with the ion sensitive film 4 through the introduction hole 21.例文帳に追加

導入孔２１を有する保護カバー２を第２の保護膜１７上に載置して固着し、保護カバー２とチャネル領域１４上の絶縁膜１５との間で形成される収容部３に、導入孔２１を通じてイオン感応膜４を収容部３に充填する。 - 特許庁

In the plasma shower, its arc chamber drawing hole is located on a magnetic line of force of an AEF magnetic field perpendicular to the advancing direction of the ion beam and arranged so that its filament central axis and the axial direction of the arc chamber drawing hole coincide with the direction of the AEF magnetic field.例文帳に追加

プラズマシャワーは、そのアークチャンバー引出孔の位置がイオンビーム進行方向に直交するＡＥＦ磁場の磁力線上にあり、しかもそのフィラメント中心軸及びアークチャンバー引出孔の軸方向をＡＥＦ磁場の向きと一致させるように設置されている。 - 特許庁

Of the polymer organic EL display device provided with an anode, a hole transport layer, a luminous layer, an electron transport layer, and a cathode, the concentration of sulfate ion contained in a material constituting the hole transport layer is to be 50 ppm or less.例文帳に追加

本発明は、アノード、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、及びカソードを備えた高分子有機ＥＬ発光表示装置において、前記正孔輸送層を構成する材料中に含有される硫酸イオン濃度を５０ｐｐｍ以下とすることを特徴とする。 - 特許庁

The ion feeding apparatus is provided with a body part 1 with a built-in minus ion generator 9 and a grip part 4 rotatably connected to the body part 1 via a rotary shaft 3, wherein the ion emitting hole 18 formed on the body part 1 is covered by the grip part 4 in a closed position in which the grip part 4 is laid on a side of the body part 1.例文帳に追加

マイナスイオン発生器９が内蔵される本体部１と、この本体部１に対し回動軸３を介して回動自在に連結されるグリップ部４とを備えるイオン供給装置において、上記グリップ部４を本体部１側に重ね合わせた閉じ姿勢のときに本体部１に形成されたイオン放出口１８を上記グリップ部４で覆うよう構成した。 - 特許庁

A part of the silicide layer 6 directly under the contact hole is turned amorphous through an ion implantation method 13, by which silicide is lessened in wet resistance, and silicide directly under the contact hole is removed in a self- aligned manner, after silicide is cleaned and pre-treated before polysilicon is grown.例文帳に追加

イオン注入法１３により、コンタクト孔直下部分のシリサイド層６をアモルファス化することにより、シリサイドのウェット耐性を低下させ、更に、ポリシリコンの成長前にシリサイドの洗浄と前処理を施すした後に、コンタクト孔直下のシリサイドが自己整合的に除去される。 - 特許庁

Then, the sample is processed from a direction intersected with the cross section to be exposed to the surface by processing, by using the focused ion beam (S102), and it is determined whether the hole part appears on the surface being processed of the sample (S103); and when the hole part appears on the surface being processed, processing is stopped (S104).例文帳に追加

そして、集束イオンビームを用いて、加工によって表面に露出させる予定の上記断面と交わる方向から試料を加工し（Ｓ１０２）、試料の加工中の面に穴部が現れたかどうかを判定し（Ｓ１０３）、加工中の面に穴部が現れたときに加工を止める（Ｓ１０４）。 - 特許庁

In the wiring correction method for forming a connecting hole 1 through converged ion beam working for pulling out correction wiring of a semiconductor device 11, a slope is formed at a side where the correction wiring for connecting lower-layer wiring 4 and upper-layer wiring 3 is pulled put on a lateral side of the connecting hole 1.例文帳に追加

半導体装置１１の修正配線を引き出す接続孔１を集束イオンビーム加工によって形成する配線修正方法において、接続孔１の側面のうち、下層配線４と上層配線３を接続する修正配線を引き出す側に傾斜面を形成する。 - 特許庁

At the time of forming the contact hole of an MOS transistor, a nitrided film is used as the stop film of etching so that the over-etching of an Si base can be prevented, and ion injection is carried out by using the contact hole as a mask so that a high concentration diffused area constituting a source/drain area can be formed.例文帳に追加

ＭＯＳ型トランジスタのコンタクトホールを形成する際、チッ化膜をエッチングのストップ膜として使用しＳｉ基盤のオーバーエッチをなくし、そのコンタクトホールをマスクとしイオン注入を行い、ソース・ドレイン領域を構成する高濃度拡散領域を形成すことを特徴とする。 - 特許庁

Also disclosed is a SiO_x film forming device at least comprising: an exhaust mechanism; an argon gas introduction mechanism; preferably, a hexamethyldisiloxane gas introduction mechanism; an end hole type ion source; and a substrate holder.例文帳に追加

装置としては、少なくとも排気機構と、アルゴンガス導入機構と、ヘキサメチルジシロキサンガス導入機構と、好ましくは酸素ガス導入機構と、エンドホール型イオン源と、基板のホルダーを具備する装置 - 特許庁

A cluster ion beam 20 containing boron and germanium is radiated onto the silicon substrate 1 at a bottom part of the contact hole 10, and a silicon layer 11 containing the boron and germanium is formed in the silicon substrate 1.例文帳に追加

次に、コンタクトホール１０の底部にあるシリコン基板１に、ホウ素とゲルマニウムを含むクラスターイオンビーム２０を照射して、シリコン基板１中にホウ素とゲルマニウムとを含むシリコン層１１を形成する。 - 特許庁

To provide a high-reliable nitride semiconductor device which easily and surely obtains a desired concentration distribution of a two-dimensional hole gas without ion implantation, and achieves gentle relaxation of an electric field concentration.例文帳に追加

イオン注入を用いることなく２次元正孔ガスの所期の濃度分布を容易且つ確実に得て、電界集中のなだらかな緩和を実現する高信頼性の窒化物半導体装置を得る。 - 特許庁

The method uses an FCVA (Filtered Cathodic Vacuum Arc) method and generates the filtered ion beams and enables conformal metal coating to be formed, even in a via hole and a trench of high aspect ratio.例文帳に追加

本方法は、ＦＣＶＡ(フィルタ処理陰極真空アーク)法を用いて、フィルタリングされたイオンビームを生成し、高アスペクト比のバイアおよびトレンチにおいてもコンフォーマルな金属コーティングの形成を可能にする。 - 特許庁

A hole injection CuPc organic film 5a is formed on the anode 4 as a plasma polymerized film having an improved transmission factor of red luminescence at the thickness of 1 μm or above by an ion plating method.例文帳に追加

陽極４の上には、ホール注入性のＣｕＰｃ有機膜５ａが１μｍ以上の膜厚でイオンプレーティング法により赤色発光の透過率が向上したプラズマ重合膜として成膜される。 - 特許庁