「ion hole」に関連した英語例文の一覧と使い方(4ページ目) - Weblio英語例文検索

In addition, after the inside of the contact hole is filled with a metal 28 such as tungsten, an impurity area 32 is formed only on the lower part of the gate electrode 16 by ion injection over the whole active area.例文帳に追加

また、コンタクトホール内をタングステンのような金属２８で充填した後、活性領域の全体に亙ってイオン注入工程を実施することにより、ゲート電極１６の下部にのみ不純物領域３２を形成する。 - 特許庁

A via hole 11 and a groove 12 for second layer Cu wiring are formed on a first layer Cu wiring 7 that is formed on a MOS transistor 1, a barrier metal layer 13 is formed, and ion implantation is conducted.例文帳に追加

ＭＯＳトランジスタ１上に形成された第１層Ｃｕ配線７の上層にビア孔１１及び第２層Ｃｕ配線用の溝１２を形成し、バリアメタル層１３を形成した後、イオン注入を行う。 - 特許庁

Further, a rectifying and smoothing circuit 41 rectifying and smoothing an output for the anode electrode 7 is arranged between the capacitor 19 and a cathode electrode 5a having an ion draw out hole 6 as well as the anode electrode 7.例文帳に追加

さらに，コンデンサ１９とイオン引き出し孔６を有するアノード電極５ａとカソード電極７との間に，アノード電極７への出力を整流及び平滑化する整流・平滑回路４１を設ける。 - 特許庁

The inside of the structures 20 is open to the electrolyte side end of the electrode 130 through a charge carrying ion passage going to the electrolyte side end of the electrode 130 through a through hole 22 provided at the outer wall.例文帳に追加

その構造体２０の内部は、その外壁に設けられた貫通孔２２を経て電極１３０の電解質側端に至る電荷担体イオン通路を介して電極１３０の電解質側端に開放されている。 - 特許庁

A neutralization action at the hole 31 is promoted by an ion generated by the electric discharge needle 61, and a predetermined amount of the medicine 40 is properly input in the long packing paper 10 by this neutralization action.例文帳に追加

このとき、孔部３１では、放電針６１において生成されたイオンによって除電作用を促され、かかる除電作用のもと、所定量の薬剤４０が長尺分包紙１０へ適正に投入される。 - 特許庁

The junction body of the electrolyte film for the fuel cell and the electrode is composed of a hydrogen ion conductive polymer electrolyte film, a pair of catalyst layers pinching the electrolyte film, and a gas diffusion layer, with the catalyst layer open to at least one face with a vacant hole part of a hole diameter larger than that of a gas channel.例文帳に追加

燃料電池用電解質膜・電極接合体は、水素イオン伝導性高分子電解質膜、ならびに前記電解質膜を挟む一対の触媒層およびガス拡散層からなる電極より構成され、前記触媒層が少なくとも一方の面にのみ開口し、孔径がガスチャネルよりも大きな空孔部を有する。 - 特許庁

In the ion movement regulating part 28, the walls to form the openings in a face of the positive electrode current collector may be formed closely or erectly, or a through-hole as an opening may be formed and formed of by the walls of the through-hole in the face of a flat-plate current collector.例文帳に追加

イオン移動規制部２８は、平板状の正極集電体の面に開口を形成する壁部が密接又は立設して形成されているものとしてもよいし、平板状の集電体の面に開口部としての貫通孔が穿設されこの貫通孔の壁部により形成されているものとしてもよい。 - 特許庁

With an ion implantation layer 55 formed on the cap wafer 50 as a cleavage surface, the side of a backside 52 of the cap wafer 50 is peeled rather than the cleavage surface to make the trench 53 serve as a through-hole 25a and to make the embedded electrode 54 serve as a through electrode 25c.例文帳に追加

キャップウェハ５０に形成したイオン打ち込み層５５を劈開面として該劈開面よりもキャップウェハ５０の裏面５２側を引き剥がし、トレンチ５３を貫通孔２５ａとし、埋め込み電極５４を貫通電極２５ｃとする。 - 特許庁

An ion beam irradiation system and an electron beam irradiation system in a different axis direction are set in the same sample chamber, and the working depth is obtained from a difference when a working hole bottom part and a raw area are focused with this electron beam system.例文帳に追加

イオンビーム照射系と軸方向を異にした電子ビーム照射系を同一試料室内に設け、該電子ビーム照射系で加工穴底部と上部に焦点を合わせた時の差分から加工穴深さを求めることとした。 - 特許庁

A gate electrode, a common electrode, a pixel electrode and a contact pad are formed by using a half-tone exposure technique and a nitrogen ion doping technique and, thereafter, an a-si island and a contact hole are formed by using the half-tone exposure technique.例文帳に追加

Ｇａｔｅ電極と共通電極と画素電極とコンタクトパッドをハーフトーン露光技術と窒素イオンドーピング技術を用いて形成した後ａ−ｓｉ ｉｓｌａｎｄとコンタクトホールをハーフトーン露光技術を用いて形成する。 - 特許庁

For instance, the magnitude of an ion current changed according to a local air-fuel ratio around the electrode is detected to grasp a distance X (X1-X4) between the electrode E and the axis L1 of the specific nozzle hole for every cylinder.例文帳に追加

例えば、電極周りの局所空燃比に応じて変化されるイオン電流の大きさを検出することによって、各気筒毎に電極Ｅと特定噴口の軸線Ｌ１との間の距離Ｘ（Ｘ１〜Ｘ４）が把握される。 - 特許庁

A silicon substrate 101 is selectively etched by RIE (Reactive Ion Etching) using a silicon oxide layer 104 as a mask to form a through-hole 106 reaching one surface of the silicon substrate 101 (an interface with a buried oxide layer 102).例文帳に追加

酸化シリコン層１０４をマスクとしたＲＩＥにより、シリコン基板１０１を選択的にエッチングすることで、シリコン基板１０１の一方の面（埋め込み酸化層１０２との界面）に到達する貫通孔１０６を形成する。 - 特許庁

It has the catalyst layer, which consists of a catalyst substance, an ion conductivity substance, an electronic conductivity substance, and a hole making agent, and vacancy volume of diameters of 60 to 1000 nm in the above catalyst layer is set to 0.15 to 0.25 cm^3/g.例文帳に追加

触媒物質、イオン伝導性物質、電子伝導性物質および造孔剤からなる触媒層を有し、前記触媒層中の直径６０〜１０００ｎｍの空孔容積を、０．１５〜０．２５ｃｍ^３／ｇとする。 - 特許庁

To provide an electric fan improving assembly workability of an ion discharging part and preventing a control substrate from getting wet when liquid intrudes in a base part from a hole mistakenly formed on the base part.例文帳に追加

イオン放出部の組立作業性向上を図るとともに、誤って基台部に形成された孔から基台部内に液体が浸入した場合に、制御基板が濡れないようにすることができる扇風機を提供することを課題とする。 - 特許庁

Thus, even when the second nitride film is penetrated or damaged by etching while forming a contact hole, the sidewall of the laminated gate of the nonvolatile memory cell is protected against moving charge such as a moving ion or the like by the first nitride film.例文帳に追加

本発明によると、第２窒化膜がコンタクトホールを形成する間に、貫通されたり、エッチング損傷を受けたりしても、不揮発性メモリセルの積層ゲートの側壁は第１窒化膜により移動イオン等の移動電荷から保護される。 - 特許庁

The solid electrolyte sheet 2 is constituted by arranging a zirconia filling part 4, which consists of a zirconia material having oxygen ion conductivity, in the filling through-hole 31 provided to an alumina sheet 3 consisting of an alumina material having electric insulating properties.例文帳に追加

固体電解質シート２は、電気絶縁性を有するアルミナ材料からなるアルミナシート３に設けた充填用貫通穴３１内に、酸素イオン導電性を有するジルコニア材料からなるジルコニア充填部４を配設してなる。 - 特許庁

On the surface of the pin for hole as cast, a nitrided layer having 400-1100 Vickers hardness (load: 100 gf) is formed by using an ion- nitriding method or an radical-nitriding method and a sulfide layer having the lubricity is formed on the nitrided layer.例文帳に追加

イオン窒化法又はラジカル窒化法を用いて鋳抜きピンの表面に、ビッカース硬度（荷重：１００ｇｆ）４００〜１１００の硬さを有する窒化層を形成させ、その上に潤滑性を有する硫化物層を形成させる。 - 特許庁

In this liquid-metal ion source, a needle-like member 4, of which one tip portion is formed in needle shape and passes through a small hole 2 and the other end portion is fixed to the side surface of a reservoir 1, is disposed in the reservoir 1 in which liquid-metal 3 is contained.例文帳に追加

液体金属３が収容されたリザーバー１内に、一方の先端部が針状に形成されて細孔２を貫通しており、他端部がリザーバー１の側面に固着されている針状部材４を配設する。 - 特許庁

The method of coupling metallic wires applied to an MEMS packaging process for joining the upper part of a silicon substrate 22 equipped with an MEMS element 23 and a glass wafer 24 formed with a hole 26 for coupling the metallic wires includes a step of depositing a metallic film 27 in the hole and a step of ion-milling the deposited film 27.例文帳に追加

ＭＥＭＳ素子２３が設けられたシリコン基板２２の上部と、金属配線連結のための穴２６が形成されているガラスウェハ２４とを接合するＭＥＭＳパッケージング工程に適用される金属配線を連結する方法であって、穴に金属薄膜２７を蒸着する段階及び蒸着された金属薄膜２７をイオンミーリングする段階を含む。 - 特許庁

A lithium ion battery includes an electrode group in which a positive electrode and a negative electrode are disposed through a separator, a nonaqueous electrolyte, a battery case 1 containing the electrode group and the nonaqueous electrolyte, a liquid injection hole 5 formed in the battery case 1 to inject the nonaqueous electrolyte, and a plate-like sealing plug 6 to seal the liquid pouring hole 5.例文帳に追加

リチウムイオン電池は、正極および負極をセパレータを介して配置した電極群と、非水電解液と、電極群および非水電解液を収容する電池ケース１と、電池ケース１に形成され非水電解液を注液するための注液孔５と、注液孔５を封止する板状の封止栓６と、を備えている。 - 特許庁

Open hole parts respectively reaching the internal wiring 17a and 17c provided in the semiconductor element 6 are formed by using a converged FIB(focusing ion beam) 1 and a first plug 65 and a second plug 66 are respectively formed at the respective open hole parts by irradiating them with the FIB 1 while blowing a metal compound gas from a gas nozzle 13.例文帳に追加

収束されたＦＩＢ（集束イオンビーム）１を用いて、半導体素子６に設けられた内部配線１７ａおよび１７ｃにそれぞれ達する開孔部を形成し、ガスノズル１３から金属化合物ガスを吹き付けながらＦＩＢ１を照射することにより、各開孔部に第１プラグ６５および第２プラグ６６をそれぞれ形成する。 - 特許庁

In the solid electrolyte and an electric chemical device, lithium ion secondary cell and electric double layer capacitor, there is provided a solid electrolyte having a high crystal characteristic and excellent fine hole film in an anti-solution in which the fine hole characteristic has a void porosity of ≥50%, and void diameter of 0.02-1 μm.例文帳に追加

結晶性が高く、耐溶剤性に優れた微多孔膜を有する固体状電解質であって、前記微多孔膜は、湿式相分離法により空孔率：５０％以上、孔径：０．０２μm 以上、１μm 以下に制御されている固体状電解質およびこれを用いた電気化学素子、リチウムイオン二次電池、電気二重層キャパシタとした。 - 特許庁

After a discharge hole forming process of making a plurality of the ink discharge holes 100a penetrate a substrate 100 is carried out, a vapor deposition process of vapor depositing an upper layer 101 to the substrate 100 by an ion beam assisting vapor deposition method is carried out.例文帳に追加

基板１００に複数のインク吐出孔１００ａを貫通せしめる吐出孔形成工程を実施した後、イオンビームアシスト蒸着法によって基板１００に上層１０１を蒸着せしめる蒸着工程を実施するようにした。 - 特許庁

To provide a thin sample preparing method which prevents an FIB (focused ion beam) processing from forming any hole and allowing any redeposition to originate in holes when forming a protection film in preparing a thin sample, in order to obtain a good image by using an electron microscope.例文帳に追加

ＦＩＢ加工で薄片試料を作製する際に保護膜形成時に穴が形成されず穴からリデポすることを防ぎ、電子顕微鏡にて良好な像を取得することのできる薄片試料作製方法を提供することを課題とする。 - 特許庁

The metal ion adhered to the surface of the valve hole 6 is removed by the valve rod 22 displacing vertically following the opening and closing displacement of the valve member 15, or a swirling flow of a discharged fluid swirling and passing through the valve body 6.例文帳に追加

弁部材１５の開閉変位に伴って弁孔６内を上下に変位する弁棒２２により、また、弁孔６を旋回しながら通過する排出流体の旋回流により弁孔６の表面に付着する金属イオンを取除く。 - 特許庁

Next, a converged ion beam is radiated to one side surface of the small piece from an oblique direction to separate the small piece, and the separated small piece is brought down in the direction of the side surface in a hole in the silicon substrate formed of a groove.例文帳に追加

次にその小片の１つの側面に対し斜め方向から収束イオンビームを照射して小片を切り離すとともに、溝により形成されるシリコン基板の穴内で、その切り離された小片を前記側面の方向に倒す。 - 特許庁

To provide a fuel cell component which is subjected to a surface treatment capable of effectively suppressing ion elution from a defect such as a pin hole without increasing an electric resistance (particularly, a contact resistance with GDL which is large by ratio).例文帳に追加

電気抵抗（特に割合として大きいＧＤＬとの接触抵抗）の増加を発生させることなく、ピンホール等の欠陥に対するイオン溶出性の抑制も効果的に行える表面処理を施した燃料電池構成部品を提供する。 - 特許庁

Thus, the scattering and intrusion of the hydroxyl group to the inside of the fiber 2 are surely stopped, so that the absorption loss of the optical signal leaked and propagated to not only the inside of the fiber 2 but also the inside of the hole 4 due to OH ion is remarkably reduced.例文帳に追加

これによって、ファイバ２内への水酸基の拡散・侵入を確実に阻止できるため、ファイバ２内は勿論、空孔４内に漏れて伝播する光信号のＯＨイオンによる吸収損失を大幅に低減することが可能となる。 - 特許庁

To provide a construction and a manufacturing method, wherein an etching margin is assured when a connection hole is formed in an active layer of a thin-film transistor, the controllability of ion implantation is improved in the depth direction, and further the crystal defects and distortion are eliminated in a channel region.例文帳に追加

薄膜トランジスタの活性層上に接続孔を形成する際のエッチングマージンが確保し、イオン注入での深さ方向の制御性を良くし、さらにチャネル領域の結晶欠陥や歪みを解消する構成および製造方法を提供する。 - 特許庁

Thereby, the air is supplied to an ion generation chamber 40 through an air supply hole 39 and released forward from an air outlet 41 along a discharge needle 32, whereby ions generated at a tip of the discharge needle 32 are emitted forward through the airflow.例文帳に追加

これにより、空気供給孔３９を通じてイオン生成室４０に空気が供給され、放電針３２に沿って空気放出口４１から前方に放出されるので、放電針３２の先端で発生したイオンは空気流に乗って前方に放出される。 - 特許庁

Two second covers 21a, 21b are mounted onto the shaft 13 and seal a gap between the shaft 13 and the insert hole 20a at two opening/closing positions of a shutter, respectively to prevent sputter particles generated by etching using ion beams, from invading the inside of the first cover 12.例文帳に追加

シャッタの開閉二位置において、シャフト１３と挿通穴２０ａとの隙間を塞ぎ、イオンビームでエッチングされて発生したスパッタ粒子が第１カバー１２の内側に侵入するのを防止する２枚の第２カバー２１ａ，２１ｂをシャフト１３に取り付ける。 - 特許庁

An anisotropic etching groove portion 10 in the drilled hole 9 is formed in a crystalline anisotropic etching process, then an isotropic etching process is selectively applied to the ion injection portion from the bottom side, and thereby, an isotropic selection etching groove portion 11 is formed.例文帳に追加

そして、穿設孔９の異方性エッチング溝部１０を結晶異方性のエッチング加工によって形成した後に、その底部側からイオン注入部位に等方性のエッチング加工を選択的に施すことにより、等方性選択エッチング溝部１１を形成する。 - 特許庁

In a semiconductor device in which an ion implantation process for ROM writing is performed after an interlayer insulating film is formed in order to shorten a TAT(turn around time), an etching stopper film consisting of a polysilicon film 12 acting as the bottom part of a through hole 20 for ion implantation lies at least at a desired position of the interlayer insulating film formed on a transistor 6 region where ROM writing is performed.例文帳に追加

ＴＡＴ短縮を図るために層間絶縁膜を形成した後にＲＯＭ書き込み用のイオン注入工程が施される半導体装置において、前記イオン注入用のスルーホール２０の底部となるポリシリコン膜１２から成るエッチングストッパ膜が、少なくともＲＯＭ書き込みが行われるトランジスタ６領域上に形成された層間絶縁膜の所望位置に介在されていることを特徴とする。 - 特許庁

The respective air blowout holes 81 are arranged so as to surround the ion air blowout hole 82 on a virtual circle C2, and are arranged at an equal angle interval with the axis C1 as a reference, and open in a state of inclining at the same angle θ1 to a tangent L1 of the virtual circle C2.例文帳に追加

各エア吹出穴８１は、仮想円Ｃ２上においてイオンエア吹出穴８２を取り囲むように設けられ、中心軸Ｃ１を基準として等角度間隔で配置されるとともに、仮想円Ｃ２の接線Ｌ１に対して同じ角度θ１だけ傾斜した状態で開口する。 - 特許庁

A coating film is formed by coating an electrode mixture paste to contain an electrode active material 3, an air hole forming material, and a binder 4 on a surface of a current collector sheet, the obtained coating film is dried and rolled, and electrode mixture layers 2a, 2b of an electrode for the lithium-ion battery are formed.例文帳に追加

電極活物質３、気孔形成材および結着材４を含む電極合剤ペーストを集電体シートの表面に塗布して塗膜を形成し、得られた塗膜を乾燥および圧延することにより、リチウムイオン電池用電極の電極合剤層２ａ、２ｂを形成する。 - 特許庁

Thereafter, the surface of the insulating film is irradiated with reactive plasma having an action of chemically etching the insulating film, and the surface of the insulating film irradiated with the plasma is irradiated with inert gas ion for sputter etching to process a cross section of the connection hole into a forward tapered shape.例文帳に追加

その後、絶縁膜の表面に、絶縁膜を化学的にエッチングする作用を有する反応性プラズマを照射し、プラズマが照射された絶縁膜の表面に不活性ガスのイオンを照射してスパッタエッチングすることにより、接続孔の断面を順テーパーに加工する。 - 特許庁

This negative ion generator is, furthermore, composed of the almost doughnut-like magnet, a disk 3 made of iron which is confronted with the bottom surface of the almost doughnut-like magnet and a projected part 3a made of iron which is disposed on the center of the disk made of iron and is protruded into a central hole 1a of the almost doughnut-like magnet.例文帳に追加

また、略ドーナツ状の磁石と、前記略ドーナツ状の磁石の底面と対向する鉄製円板３と、前記鉄製円板の中央に備えられ前記略ドーナツ状の磁石の中央の穴１ａの中に突出する鉄製突部３ａとから成る。 - 特許庁

In this separator for the electricity accumulation device made of a cellulose polymer, film thickness is 1-30 μm, porosity is 20-90%, maximum hole size is 2 μm or less, and apparent activation energy (- ΔG) with respect to ion conduction is positive in a temperature range of 120-180°C.例文帳に追加

セルロース系高分子からなり、膜厚が１〜３０μｍ、気孔率が２０〜９０％、最大孔径が２μｍ以下であり、１２０〜１８０℃の温度帯域において、イオン伝導に関する見掛けの活性化エネルギー（−ΔＧ）が正の値を与えることを特徴とする蓄電デバイス用セパレーター。 - 特許庁

A lattice pattern formed on the encoder scale and a shaft hole are etched by using the same photomasks or photomasks accurately locatable with each other in combination with a photolithography used to manufacture a semiconductor integrated circuit and the like and an etching method using an ion or a plasma.例文帳に追加

半導体集積回路などの製造に用いられるフォト・リソグラフィ法と、イオン又はプラズマを用いるエッチング法を組み合わせて、エンコーダ・スケールに形成された格子パターンと軸穴部を、同一のフォトマスク、又は互いに正確に位置決め可能なフォトマスクを用いてエッチング加工を行う。 - 特許庁

To provide an ion exchange membrane which is obtained by using a plain-weave reinforcing woven fabric, has elution holes formed by dissolving sacrifice yarns in the membrane and is free from leakage of an anode solution from each elution hole to the out side of the membrane when an electrolytic cell is operated, and to provide a method for producing the same.例文帳に追加

本発明は膜中に犠牲糸の溶解した跡にできる溶出孔を有し、かつ電解槽使用時にこの溶出孔から膜外への陽極液漏洩の無い平織強化織布を使用したイオン交換膜とその製造方法を提供することを課題とする。 - 特許庁

Two circular holes 19, 20 each having a center axis line in accordance with the ion turning radius of a magnetic field deflection type analyzer are formed in the block 12 by means of cutting, and a through-hole 23 communicating with both the circular holes is formed inside the intersecting part of the center axis lines by cutting.例文帳に追加

該ブロックに、磁場偏向型分析器９のイオン回転半径に従った中心軸線を有する２つの円形孔１９、２０を切削により形成し、該中心軸線の交差部の内部に両円形孔に連通する扁平な透孔２３を切削形成する。 - 特許庁

In an ion plating apparatus 10, the center O2 of a substrate W is determined at a position deviated from the position immediately above the center O1 of a hearth 3a which has a vapor deposition material 6 filled in a through hole TH by a distance D which is one half of the length of one side of the substrate W.例文帳に追加

イオンプレーティング装置１０は、蒸着材料６を貫通孔ＴＨに装填したハース３ａの中心点Ｏ１の直上の位置から基板Ｗの１辺の半分の長さ分の距離Ｄだけずれた位置に基板Ｗの中心点Ｏ２が定められる。 - 特許庁

Raw water flowing in from the inflow port 74 is made to pass through the ion exchange resin layer 102 to be softened, and introduced into the water flow passage 111 from the water passing hole 112 and then made to pass through the activated carbon layer 86 of the water purifier part 80 to obtain purified water, which is discharged from the outflow port 72.例文帳に追加

そして流入口７４から流入した原水をイオン交換樹脂層１０２に通し軟水化した上で、通水穴１１２から通水路１１１に導き、浄水器部８０の活性炭層８６を通過させ、浄水とした上で流出口７２から流出させる。 - 特許庁

High-temperature air flow containing large quantities of ions flows into the drum 3 through a vent hole 4 to take away moisture from laundry at the time of progressing forward from the rear and also neutralize electrified electric charges through the exchange of electric charges with the ion having the reverse polarity to the electrified electric charge of the laundry.例文帳に追加

高温で多量のイオンを含む空気流は通気孔４を通してドラム３内へ流入し、後方から前方へ進む際に、洗濯物から水分を奪うとともに、洗濯物の帯電電荷と逆極性を有するイオンとの電荷のやりとりにより帯電電荷を中和する。 - 特許庁

The introduction of the liquid crystal is carried out by forming a hole of desired depth in a desired area by using an ion beam etc., and injecting the liquid crystal therein, or previously forming the upper clad thin and arranging the liquid crystal over the entire surface of the waveguide by using a spacer.例文帳に追加

液晶の導入は、イオンビーム等を用いて所望の領域に所望の深さだけ孔を加工してそこに液晶を注入する、もしくは予め上部クラッドを薄く作製しておき、スペーサーを用いて導波路全面に液晶を配置する等の方法により行う。 - 特許庁