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「ion hole」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索
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ion holeの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 216



例文

The through-hole insulator 11 is selectively etched by a reactive ion etching method to the height of a bottom part 19 of the dishing part 17 of the through-hole conductor 5.例文帳に追加

反応性イオンエッチング法によって、スルーホール絶縁体11を、スルーホール導電体5のディッシング部17の底部19の高さになるまで、選択的にエッチングする。 - 特許庁

Ion conductivity is improved by preventing the filler from being blocked densely in this configuration, and increasing the hole between the fillers.例文帳に追加

かかる構成によりフィラーが密に詰まるのを防ぎ、フィラー間の空孔が増加するので、イオン伝導性が向上する。 - 特許庁

An internal flow passage 60 in the vicinity of the blowoff hole of the ion supply nozzle 58 is provided with a plurality of internal fins 61.例文帳に追加

イオン供給ノズル58の吹き出し口近傍の内部流路60には複数の内部フィン61が設けられている。 - 特許庁

To make an ion feeding apparatus capable of feeding minus ions to a body convenient to carry it and to prevent foreign matters from intruding into the inside of an ion emitting hole.例文帳に追加

マイナスイオンを身体に対して供給することが可能なイオン供給装置において、持ち運びを便利し、かつイオン放出口内への異物の侵入を防止できるようにする。 - 特許庁

例文

To provide an ion trap structure of simple structure capable of eliminating the influence of a trap hole, and to provide an ion trap type frequency standard and an output frequency stabilization method.例文帳に追加

構造がシンプルであり、且つトラップホールの影響を排除できるイオントラップ構造、イオントラップ型周波数標準器及び出力周波数安定化方法を提供することを目的とする。 - 特許庁


例文

A connecting wall 43, a connection section 51b, and a duct 5 make air suctioned from intake ports 11, 11 branched from each two of the ion generators 6a, 6c and the ion generators 6b, 6d to one engaging hole 12 and the other engaging hole 12.例文帳に追加

連結壁43、連結部51b、及びダクト5が、吸込口11,11から吸入された空気を、イオン発生器6a,6c及びイオン発生器6b,6dの夫々2つから一の嵌合孔12及び他の嵌合孔12へ分流させる。 - 特許庁

A gap 54 making up a heat insulating layer is formed between the tip side of a valve casing 26 and the inner face 23A, on the gate 20 side, of a built-ion hole 23.例文帳に追加

バルブケーシング26の先端側と、組み込み孔23のゲート20側内面23Aとの間に断熱層をなす隙間54を形成する。 - 特許庁

A high concentration diffused region is formed by ion implanting with a contact hole of the MOS transistor as a mask.例文帳に追加

MOS型トランジスタのコンタクトホールをマスクとしイオン注入を行い、高濃度拡散領域を形成することを特徴とする。 - 特許庁

Then, ion implantation and thermal treatment (annealing) are executed through the contact hole 7, and a source region 8 and a drain region 9 are formed.例文帳に追加

次に、コンタクトホール7を介してイオン注入・熱処理(アニーリング)し、ソース領域8及びドレイン領域9を形成する。 - 特許庁

例文

The organic SOG film is reformed by ion implantation and is changed into a reformed SOG film 52 to a position deeper than a contact hole 56.例文帳に追加

有機SOG膜をイオン注入により改質し、コンタクトホール56より深い位置まで改質SOG膜52に変える。 - 特許庁

例文

The ignition coil 1 has an ion current detection function, and is inserted into a plug hole in an engine case.例文帳に追加

点火コイル1は、イオン電流検出機能を有しており、エンジンケースにおけるプラグホール内に挿入配置するよう構成されている。 - 特許庁

This ignition coil 1 comprises a cylindrical part 2 inserted into a plug hole in an engine and an ion current detecting function.例文帳に追加

点火コイル1は、エンジンにおけるプラグホール内に挿通される円筒部2を有すると共にイオン電流検出機能を有している。 - 特許庁

The ions are guided to an entrance of an ion recovery means through a hole 3e formed on the light collecting mirror 3, and recovered.例文帳に追加

そして、集光ミラー3に形成された孔3eを介して、イオン回収手段の入り口に導かれ、イオンが回収される。 - 特許庁

The through hole 31b is formed by etching a part where Ar ion is implanted from a surface, which is formed at the same time when the through hole 31a is formed by etching.例文帳に追加

一方、貫通孔31bは、表面からArイオンを注入された部分がエッチングされて形成されたもので、貫通孔31aの形成時のエッチングによって同時に形成される。 - 特許庁

A light radiation hole 27 is bored in a ring electrode 21 constituting an ion trap 2, and light emitted from a light source part 28 is made to impinge on the ring electrode 21 through the light radiation hole 27.例文帳に追加

イオントラップ2を構成するリング電極21に光照射孔27を穿孔し、光源部28から放出された光を光照射孔27を通してリング電極21に当てる。 - 特許庁

The sauna is constituted as a circulation type where the negative ion hot water is blown out from a hole of the hot heat circulation pipe through the ion generator 16 from the an underwater pump 6, to return to the pump chamber 3 through a hot water return port while flowing down on a circulation drainage sloped face.例文帳に追加

水中ポンプ6から16を通り温熱循環パイプの穴からマイナスイオン湯が、吹き出て循環排水斜面を下り湯の戻り口を通りのポンプ室3に戻る循環式です。 - 特許庁

The negative ion generator 20 has a body 21 mounted in the mounting hole 13 of the mounting rod 10 and a negative ion generating end portion 23 near the respective air supplying holes 17 of the mounting rod 10.例文帳に追加

マイナスイオン発生装置20は装着棒10の装着孔13に装着される本体21と、装着棒10のそれぞれの送気孔17に近いマイナスイオン発生端部23とを有する。 - 特許庁

To prevent a defect of a processing object by scattering of ion species after depositing on the inside surface or the like of a through-hole of a member for shaping the beam shape of an ion beam.例文帳に追加

イオンビームのビーム形状を成形する部材の貫通孔の内面などにイオン種が堆積して飛散することによる処理対象の不良を防止できるイオン注入装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing an ion source that facilitates positioning an field ionization electrode toward the opening hole periphery of a vessel, and to provide an ion source manufactured by the method.例文帳に追加

容器の開孔周縁部に対する電界電離電極の位置決めを容易に行うことができるイオン源の製造方法、及びこの方法によって製造されたイオン源を提供することを課題とする。 - 特許庁

To provide a mass separation type ion source realizing simplification of the structure of a mass separation part, extension of the service life, and improvement of the rate of hole area.例文帳に追加

質量分離部の構造の簡素化、長寿命化および開口率向上を図った質量分離型イオン源を提供する。 - 特許庁

A rod-like vapor deposition member 22 is loaded into the penetration hole of a hearth installed at the lower part of a vacuum vessel of an ion plating apparatus 10.例文帳に追加

イオンプレーティング装置10の真空容器の下部に設けたハースの貫通孔にロッド状の蒸着部材22が装填される。 - 特許庁

The lens array substrate 20 is immersed in a molten salt and the substrate 20 disclosed through the hole pattern of the metallic film 21 is subjected to ion diffusion (D).例文帳に追加

さらに、溶解塩にレンズアレイ基板20を浸し、金属膜21の穴パターンから現れているレンズアレイ基板20を拡散する(D)。 - 特許庁

A grip portion 2 to be located near the human face during hairdressing work is provided with an ion generator 16 and an ion discharging hole 29 dedicated for spraying the minus ions to the human face, and the minus ions are directly sprayed to the human face from the discharging hole 29.例文帳に追加

整髪作業時に人体顔面の近くに位置することとなるグリップ部2に、人体顔面に向けてマイナスイオンを散布するための専用のイオン発生器16とイオン放出口29とを設けて、該放出口29から人体顔面に向けて直接的にマイナスイオンを散布する。 - 特許庁

When toner 3 which entered a hole 2 from which the high voltage charge of the ion cartridge 1 is discharged is removed, the hole 2 is illuminated with light from a flash lamp 10 to dissolve the toner 3.例文帳に追加

イオンカートリッジ1の高圧電荷が放出される穴2に入り込んだトナー3を除去する場合、穴2にフラッシュランプ10から光を照射し、フラッシュランプ10による光によってトナー3を溶解する。 - 特許庁

When the thermoelectron passing through a rectangular thermoelectron passing hole H extending in the drawing direction (y-axis direction) of the ion from a filament F is impacted against a sample gas introduced in an ionization chamber IC, the ion is generated from the sample gas.例文帳に追加

イオン化室IC内に導入された試料ガスに、フィラメントFから、イオンの引出方向(y軸方向)に延びる矩形の熱電子通過孔Hを通ってくる熱電子が衝撃すると、試料ガスからイオンが発生する。 - 特許庁

The positive electrode mixture layer 12 has been made to have better movement of ion by the through hole 12A, thereby obtaining high load characteristics even if the thickness is made thicker.例文帳に追加

正極合剤層12は、貫通孔12Aによりイオンが移動しやすくなり、厚みを厚くしても、高い負荷特性を得ることができる。 - 特許庁

To provide a lithium-ion secondary battery capable of preventing deformation of the lid plate at the time of sealing the injecting hole of electrolytic solution.例文帳に追加

本発明は,電解液注入孔の密閉時に蓋板の変形を防止することができるリチウムイオン二次電池の提供を課題とする。 - 特許庁

To provide a method of precisely and easily evaluating a hole between electrode material particles which contributes to ion conductivity of an electrode in a short period of time.例文帳に追加

電極のイオン伝導度に寄与する電極材料粒子間の空孔を短時間で精度よく簡便に評価する方法を提供する。 - 特許庁

Thus, negative ion components to be diffused from the hole injection layer 70 can be captured with positive ions of the metal elements.例文帳に追加

これにより、正孔注入層70から拡散しようとするマイナスイオン成分を、金属元素のプラスイオンによって捕捉することが可能になる。 - 特許庁

This sputter ion pump includes a vacuum vessel having an ion implantation hole on a side wall, two bar-shaped anode electrodes arranged in the vacuum vessel so as to become symmetrical to the axis of the vacuum vessel, and at least one cold cathode electron emission device arranged outside the vacuum vessel in response to the ion implantation hole.例文帳に追加

本発明に係るスパッタイオンポンプは、側壁に電子注入孔を有する真空容器と、前記真空容器の中心軸に対して対称になるように前記真空容器に設置された二本の棒状の陽極電極と、前記電子注入孔に対応して、前記真空容器の外側に設置された少なくとも一つの冷陰極電子放出装置と、を含む。 - 特許庁

When a region 24 including a minute reference hole 23 previously formed by an ion beam in a place other than a machining region 25 in a shading film 21 on a glass substrate 22, the position 23 of the hole is memorized by detecting a secondary ion signal of the same atomic species as entered ions injected into the substrate instead of detecting the secondary ion signal of atomic species included in a base film.例文帳に追加

ガラス基板上22の遮光膜21に被加工領域25以外の場所にあらかじめイオンビームで形成しておいた微細な参照穴23を含む領域24を走査するときに、下地膜に含まれる原子種の二次イオン信号を検出するのではなく、基板に注入された入射イオンと同じ原子種の二次イオン信号を検出し、穴の位置23を記憶しておく。 - 特許庁

The ion implantation of the impurity is applied all over the surface of a support substrate 10 under a buried oxide film 20, so that the impurity is also spread over a contact hole 90 other than its bottom.例文帳に追加

埋め込み酸化膜20下の支持基板10全面に不純物をイオン注入するので、不純物がコンタクトホール90の底部以外にも行き渡る。 - 特許庁

The position of the holding tool 70 in the ion generation chamber 52 is shifted in back and forth direction against the air supply hole 54.例文帳に追加

また、イオン生成室52内における当該保持具70の配置位置は前後方向において前述した空気供給孔54とはずれた位置に配されている。 - 特許庁

Also, the outside of the main reaction chamber part is provided with a window hole from which the side of the cathode electrode of the ion exchange membrane exposes to a cleaning water chamber.例文帳に追加

さらに、上記主反応室部の外面には、イオン交換膜の陰極電極側面が洗浄水室に露出する窓孔を設けてなる。 - 特許庁

An inner wall surface 11 is formed in a two-step taper so as to gradually increase the volume along the ion proceeding direction from the plasma drawing-in hole.例文帳に追加

更に、内壁面11は、プラズマ引き込み孔からイオンの進行方向に沿って体積が次第に増えるように、2段階のテーパ状となされている。 - 特許庁

Furthermore, an N^++ layer 16 is formed by implanting a high-concentration N-type impurity ion through the contact hole 14 into the source layer 10 and the drain layer 11.例文帳に追加

次に、コンタクトホール14を介して高濃度のN型不純物イオンをソース層10及びドレイン層11に注入してN^++層16を形成する。 - 特許庁

An adverse current ion leaked out from an entrance side hole 33a is drawn to the bias electrode 21a, and diverted from the direction in which the skimmer 14 is located.例文帳に追加

入口側孔33aから漏出した逆流イオンはバイアス電極21aに引きつけられ、スキマー14が位置する方向から逸らされる。 - 特許庁

Sample ions contained in the droplets are deflected by a deflector 7, enter into a mass spectrometric part 22 from an ion sampling fine hole 17 and undergo spectrometry there.例文帳に追加

液滴中に含まれる試料イオンはデフレクタ7により偏向を受け、イオンサンプリング細孔17から、質量分析部22に入り、質量分析される。 - 特許庁

The linear material made of carbon nanotube is caused to grow from the bottom of a hole structure worked by a focusing ion beam to form the micro-projecting structure.例文帳に追加

集束イオンビームによって加工した穴構造の底部から、カーボンナノチューブによる線状物質を成長させた微小凸状構造体とする。 - 特許庁

An n^+ region 7 is formed by ion doping after a contact hole 7a is formed in the gate insulating film 3 consisting of a thick film high dielectric material.例文帳に追加

膜厚が厚い高誘電率材料からなるゲート絶縁膜3にコンタクトホール7aを形成した後でイオンドーピングしてn^+領域7を形成する。 - 特許庁

A titanium film 4 and a titanium nitride film 5 are formed in order on the inner surface of a contact hole 3, and germanium ions are implanted in the film 5 on the sidewall of the hole 3 to reduce the film thickness of this ion-implanted part of the film 5.例文帳に追加

コンタクトホール3の内面にチタン膜4及び窒化チタン膜5を順次形成し、コンタクトホール3の側壁の窒化チタン膜5に対し、ゲルマニウムイオンを注入してこの部分の膜厚を縮小させる。 - 特許庁

An anion generating electrode 9 is disposed in the anion generator chamber 7 to mix ion-containing air from the blow hole 7a with mist just blown from the mist blow hole 6b, thereby dissipating cations in the mist.例文帳に追加

マイナスイオンを発生する電極9はマイナスイオン発生室7内に配置し、該吹出口7aから吹出すイオン風と霧吹出口6bから出た直後の霧とを混合して霧の中のプラスイオンを消滅する。 - 特許庁

The positive ion is guided to the target when moved to the vicinity of one sputter target aimed at a drop electrode 10, to which negative voltage is applied, or a hole part in a partition plate 11 having the hole in the center.例文帳に追加

正イオンは、負電圧を印可される引き込み電極10、または中央に穿孔を有する仕切り板11の穿孔部を対象とする一つのスパッタターゲットの近傍に移動することで、そのターゲットに誘導される。 - 特許庁

The sieve portion (cap part 23) which is a portion with smallest aperture size out of the ion passage has an aperture size of the passage (through hole 22) which is smaller than the inner diameter of the structure 20 and yet through which the charge carrying ion 1 can pass.例文帳に追加

上記イオン通路のうち開口サイズが最も小さい部分である篩部(キャップ部23)では、該通路(貫通孔22)の開口サイズが、構造体20の内径よりも小さく且つ電荷担体イオン1が通過可能なサイズである。 - 特許庁

To provide a device and a method for inspecting dose uniformity in ion implantation, accurately obtaining the dose even if a hole of an aperture plate is etched by ion beams to enlarge its aperture area.例文帳に追加

アパーチャープレートの孔部がイオンビームによりエッチングされてその開孔面積が大きくなっても、ドーズ量を正確に求めることができるイオン注入におけるドーズ均一性検査装置およびドーズ均一性検査方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a separator for a lithium ion secondary battery having uniform hole diameters and excellent ion permeability, capable of preventing short-circuiting even when temperature rises to such high temperatures exceeding 180°C.例文帳に追加

180℃を超えるような高温にまで温度が上昇した場合であっても短絡を防止することができ、孔径が揃っており、しかもイオン透過性に優れるリチウムイオン二次電池用セパレータ、及びリチウムイオン二次電池を提供すること。 - 特許庁

Paper stained with the water containing the heavy water is laid between a negative electrode of a planar capacitor with a small hole and an insulating film, a terminal voltage is applied to the capacitor, and H^+ ion and D^+ ion due to polarization is guided to an extraction magnetic field type mass spectrograph.例文帳に追加

重水含有の水に染ませた紙を、小穴のある平面コンデンサ−の負極板と絶縁膜の間に置き、コンデンサ−に端子電圧をかけ、分極によるH^+,D^+イオンを引き出し磁場型質量分析器に導く。 - 特許庁

A conductive mesh 8 is installed to an ion inlet hole 5 provided at one of end cap electrode 3, and a field correction electrode 7b is installed in the vicinity of the outside of an ion discharge hole 6 provided at the other end cap electrode 4, and a DC voltage having the same polarity as those of ions is impressed on the electrode 7b, as required.例文帳に追加

一方のエンドキャップ電極3に穿設されたイオン導入孔5には導電性メッシュ8を設け、他方のエンドキャップ電極4に穿設されたイオン排出孔6の外側近傍には電場補正用電極7bを配設し、該電極7bには必要に応じてイオンと同極性の直流電圧を印加する。 - 特許庁

To provide a method for analyzing secondary ion masses, capable of specifying an analyzing position, even with respect to a sample, where the hole formed by the irradiation with ion beam is difficult to be discriminated, because the optical surface reflectivity is low, by irradiating the surface of the sample with a laser beam through the route of a secondary ion optical system.例文帳に追加

二次イオン光学系の経路を通して試料表面にレーザを照射することにより、表面の光学的な反射率が低いため、イオンビームを照射して形成された穴が判別しにくい試料であっても分析位置を特定することができる二次イオン質量分析方法を提供する。 - 特許庁

例文

As a gate insulating layer of a field-effect transistor, a liquid containing neither paste agent nor thickener, and the main component of which is an ion liquid, the liquid having a directivity in molecule (negative ion species when a hole is injected into a semiconductor layer or positive ion species when an electron is injected into the semiconductor layer) is used.例文帳に追加

電界効果トランジスタのゲート絶縁層として糊剤又は増粘剤を含まず液状であって、その主要成分がイオン液体であるものを用い、分子内に方向性を有するイオン液体(半導体層に正孔を注入する際は、陰イオン種、半導体層に電子を注入する際は、陽イオン種)を用いる。 - 特許庁




  
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