「ion layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(12ページ目) - Weblio英語例文検索

Through anisortopic reactive ion etching, the double-fitting opening part is formed in the composite insulation layer.例文帳に追加

異方性反応イオンエッチングで複合絶縁層において二重嵌入開口部を形成することを特徴とする。 - 特許庁

The doped glass layer 30 contains phosphorous silicate glass and it can be formed by ion implantation of phosphorous and oxygen.例文帳に追加

ドープ・ガラス層３０は、燐珪酸塩ガラス（phosphorous silicate glass）を含み、燐と酸素のイオン注入により形成することができる。 - 特許庁

An oxide film 3a being a protection layer of etching by the ion is formed on one face of the silicon substrate 1.例文帳に追加

シリコン基板１の一方の面に前記イオンによるエッチングの保護層である酸化膜３ａを形成する。 - 特許庁

In the method including thinning of an active layer wafer after laminating the active layer wafer and a supporting layer wafer, when oxygen ion is implanted to the active layer wafer, oxygen ion is implanted with a dose amount of 5×10^15 to 5×10^16 atoms/cm^2 while the temperature of the active layer wafer is maintained at 200°C or lower.例文帳に追加

活性層用ウェーハと支持層用ウェーハを貼り合わせたのち、活性層用ウェーハを薄膜化することからなる貼り合わせウェーハの製造方法において、 活性層用ウェーハに酸素イオンを注入するに際し、該活性層用ウェーハの温度を200℃以下に保持した状態で、ドーズ量：５×10^15〜５×10^16atoms/cm^2の条件で酸素イオンを注入する。 - 特許庁

An anodized aluminum film 11 formed by anodized aluminum film treatment, a gradient layer 12 formed with a specific element in a gradient form by plasma ion implantation treatment on a surface layer side of the anodized aluminum film 11, and a DLC layer 13 formed by plasma ion deposition treatment on the surface layer side of the gradient layer 12 are formed on the surface of the main body 10 of the parts made of an aluminum alloy.例文帳に追加

アルミニウム合金製の部品本体１０表面には、アルマイト処理により形成されたアルマイト１１と、アルマイト１１の表層側にプラズマイオン注入処理により特定の元素が傾斜状に形成された傾斜層１２と、傾斜層１２の表層側にプラズマイオン成膜処理により形成されたＤＬＣ層１３とが形成されている。 - 特許庁

In manufacturing the circuit substrate having: the semiconductor circuit on the semiconductor substrate; and an ion injection layer under the semiconductor circuit on the semiconductor substrate into which the ion for cleavage separating the semiconductor substrate is injected, the ion for the cleavage separation existing in the semiconductor circuit is removed from the semiconductor circuit while keeping the ion in the ion injection layer.例文帳に追加

半導体基板上に半導体回路を有し、上記半導体基板内における上記半導体回路の下に、上記半導体基板を劈開分離するイオンが注入されたイオン注入層を有する回路基板を製造するに際し、上記イオン注入層中のイオンを保持したまま上記半導体回路から該半導体回路中に存在する上記劈開分離のためのイオンを脱イオンする。 - 特許庁

Water is supplied for the second time at the time of regeneration after final rinsing to dilute the saturated salt water and generate salt water having a substantially specified concentration, which flows down into an ion exchange resin 43 layer so as to regenerate the ion removing capability of the ion exchange resin 43.例文帳に追加

最終すすぎ後の再生時に二回目の給水を行い飽和塩水を希釈し、略規定濃度の塩水を生成しイオン交換樹脂４３層に流下させ、イオン交換樹脂４３のイオン除去能力を再生する。 - 特許庁

To provide an ion implantation amount measuring apparatus capable of highly accurately measuring an ion implantation amount in a semiconductor subjected to ion implantation into a surface layer by a comparatively simple constitution without damaging the semiconductor.例文帳に追加

表層にイオン注入がなされた半導体におけるイオン注入量を，その半導体にダメージを与えることなく，かつ，比較的簡易な構成によって高い精度で測定できるイオン注入量測定装置を提供すること。 - 特許庁

In the case that large differences in level of the surface of the alignment layer 3 irradiated with the ion beam bring about parts shaded from an ion beam source, the ion beam is radiated to the shaded parts by radiation in a reverse direction.例文帳に追加

また、イオンビームを照射する配向膜３の表面の段差形状が大きく、イオンビーム源から影になる部分が生じる場合、逆方向からも照射することによって影になっていた部分にイオンビームを照射する。 - 特許庁

The apparatus 10 for forming an alignment layer has an ion source 12 generating an ion beam 28 and one or more masks 20 disposed between a substrate 24 and the ion source 12, wherein the mask 20 has a reflective surface 34 in the substrate side.例文帳に追加

配向層形成装置１０は、イオンビーム２８を生成するイオンソース１２と、基板２４とイオンソース１２との間に設けられる１つまたは複数のマスク２０と、を含み、マスク２０は基板側に反射面３４を有する。 - 特許庁

A second inter-layer insulating layer 6 generated through reaction between an oxidizing gas and a hydroxide gas is formed on a semiconductor layer 3A-3C, and then hydrogen ion, hydroxide ion or water is desorbed for heat treatment for suppressing fluctuation in the resistance values of the semiconductor layer 3A-3C.例文帳に追加

半導体装置の製造方法において、半導体層３Ａ〜３Ｃ上に、酸化性ガスと水素化物のガスとの反応により生成された第２の層間絶縁層６を形成した後に、水素イオン、水酸化物イオン又は水を離脱し、半導体層３Ａ〜３Ｃの抵抗値の変動を抑制する熱処理を行う。 - 特許庁

A method for manufacturing a semiconductor device comprises the steps of implanting silicon ion in an embedded oxide film 2 through a silicon layer 3 of an SOI structure having the film 2 and the layer 3 sequentially provided on a silicon substrate 1, forming a fixed oxide film charge layer 4 at a silicon ion arrival distance, and providing a gate electrode on the layer 3 via a gate oxide film 5.例文帳に追加

シリコン基板１の上に埋込み酸化膜２とシリコン層３を順次設けたＳＯＩ構造のシリコン層３を通して埋込み酸化膜２中にシリコンイオンを注入しシリコンイオン到達距離に固定酸化膜電荷層４を作成し、シリコン層３の上にゲート酸化膜５を介してゲート電極を設ける。 - 特許庁

The light receiving element has two semiconductor electrodes and ion conductive electrolytic layers respectively including a photosensitive layer containing a semiconductor sensitized by a conductive layer and a pigment, and the two semiconductor electrodes sandwiches the ion conductive electrolytic layer to oppose the photosensitive layer to the inside.例文帳に追加

本発明の受光素子は、導電層及び色素で増感された半導体を含有する感光層をそれぞれ含む２つの半導体電極、並びにイオン伝導性電解質層を有し、２つの半導体電極がイオン伝導性電解質層を挟んで感光層を内側に対向していることを特徴とする。 - 特許庁

In the cell for solid high polymer type fuel cells which sandwich both the sides of the solid high polymer film in the reaction layer, the ion conductivity resin has sufficient concentration for a hydrogen-ion density to move inside of the reaction layer, while the ion conductivity resin is uniformly distributed in the reaction layer.例文帳に追加

固体高分子膜の両サイドを反応層で挟持した固体高分子型燃料電池用セルにおいて、反応層内にイオン伝導性樹脂が均一に分布されているとともに、イオン伝導性樹脂は水素イオン濃度が反応層内を移動するのに十分な濃度を有していることを特徴とする固体高分子型燃料電池用セル。 - 特許庁

The photosensitive transfer material sequentially includes: a temporary support; the photosensitive resin layer satisfying a ratio (A/B) of 0.0017-0.0145, wherein when a layer surface is measured with a secondary ion mass spectrometer, A represents a monomer secondary ion strength, and B represents a total secondary ion strength; and the cover film laid in contact with the surface of the photosensitive resin layer.例文帳に追加

仮支持体と、層表面を二次イオン質量分析計で測定したときのモノマー二次イオン強度Ａ及びトータル二次イオン強度Ｂの比（Ａ／Ｂ）が０．００１７〜０．０１４５である感光性樹脂層と、前記感光性樹脂層の表面に接して設けられたカバーフィルムと、をこの順に有する感光性転写材料である。 - 特許庁

The ion beam device comprises a liquid metal ion beam irradiation device 1 forming a cross section by irradiating a prescribed liquid metal ion beam on a specified site of a specimen 6, and a gaseous ion beam irradiation device 7 removing a damaged layer on a prescribed region by scanning the prescribed region (observing region) of the cross section by the gaseous ion beam converged into a prescribed beam radius.例文帳に追加

試料６の特定部位に所定の液体金属イオンビームを照射して断面を形成する液体金属イオンビーム照射装置１と、所定のビーム径に集束した気体イオンビームで上記断面の所定の領域（観察領域）を走査して、該所定の領域上のダメージ層を除去する気体イオンビーム照射装置７とを有する。 - 特許庁

An ion blow is sprayed to a phosphor layer with an ion blow generator 100 from the downside of the PDP backboard with the phosphor layer oriented downward, and the separated dust is sucked by a sucking mechanism 150 from the downside of the PDP backboard.例文帳に追加

蛍光体層を下に向けたＰＤＰ背面板の下側からイオンブロー発生器１００でイオンブローを前記蛍光体層に向かって吹き付け、剥離したダストをＰＤＰ背面板の下側から吸込み機構１５０で吸込む。 - 特許庁

The piezoelectric single-crystal substrate 1 wherein the ion-implanted layer 100 is formed is joined to a support substrate 30B (S102→S103), and heated to form a piezoelectric thin film 10 by detachment using the ion-implanted layer 100 as a detaching surface.例文帳に追加

イオン注入層１００が形成された圧電単結晶基板１を支持基板３０Ｂに接合し（Ｓ１０２→Ｓ１０３）、加熱することで、イオン注入層１００を剥離面として圧電薄膜１０を剥離形成する。 - 特許庁

A process for forming the intermediate film, the lower electrode or the piezoelectric film is provided with a process for forming a first layer by an ion beam assist method, and a process for forming a second layer by stopping an ion beam assist and succeeding deposition.例文帳に追加

前記中間膜、下部電極又は圧電体膜を形成する工程は、イオンビームアシスト法で第１層を形成する工程と、イオンビームアシストを止めて堆積を継続して第２層を形成する工程と、を備えている。 - 特許庁

A high resistance area 110 is formed on the side end face of the semiconductor layer 101 by ion implantation, and a high resistance area 111 is also formed adjacent to the side end face of the upper surface of the semiconductor layer 101 by ion implantation.例文帳に追加

半導体層１０１の側端面には、イオン注入による高抵抗領域１１０が形成され、半導体層１０１上面の側端面近傍にも、イオン注入による高抵抗領域１１１が形成されている。 - 特許庁

To improve performance and reliability of components of a wiring layer composed of a diffused layer, etc., by forming impurity ion implanted regions in contract with the surface of an insulation film on a part of semiconductor regions formed on an SOI substrate surface, and thermally diffusing the impurity in the impurity ion implanted regions.例文帳に追加

半導体領域に不純物が拡散されている拡散層からなる配線層などの構成要素の高性能化および高信頼度化ができる半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

Accordingly, electric energy due to the ion beam can be transmitted through the phosphor layer 12 to the base plate 11 consisting of the electrically conductive material since the electrically conductive substance is included in the phosphor layer 12 to be irradiated with the ion beam.例文帳に追加

これにより、イオンビームが照射される蛍光層１２に導電性物質が含まれているため、イオンビームによる電気エネルギを、蛍光層１２を介して導電性材料から成るベース板１１に伝達することができる。 - 特許庁

Since chemical bond in an ion implantation layer 11 is cut easily when external impact is applied, exfoliation of silicon takes place along the ion implantation interface 12 and a strained silicon layer 13 is obtained on the supporting substrate 20.例文帳に追加

したがって、外部衝撃を付与すると、イオン注入層１１中の化学結合の切断が容易に生じる結果、イオン注入界面１２に沿ってシリコンの剥離が生じ、支持基板２０上に歪シリコン層１３が得られる。 - 特許庁

The solid polymer fuel cell is arranged with the surface layer of the ion-exchange resin made of polyarylene ether-based copolymer on an anode side, and the surface layer of the fluoride ion-exchange resin on a cathode side.例文帳に追加

さらに、そのポリアリーレンエーテル系共重合体からなるイオン交換樹脂の表面層をアノード側に、フッ素系イオン交換樹脂からなる表面層をカソード側に設けることを特徴とする固体高分子型燃料電池を提供する。 - 特許庁

To provide an interface regulation method by an ion exchange resin which rapidly locates a separation interface between an anion exchange resin layer and a cation exchange resin layer in a desired position when separating the ion exchange resin in a separation tower.例文帳に追加

イオン交換樹脂を分離塔内で分離する際、アニオン交換樹脂層とカチオン交換樹脂層との分離界面を所望の位置に迅速に位置付けることができるイオン交換樹脂の界面調整方法を提供する。 - 特許庁

A lithium ion secondary battery is manufactured by forming a positive electrode layer on a base material with a flat surface by a chemical vapor deposition method, specifically an metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD) method, forming an electrolyte layer on the positive electrode layer, and forming a negative electrode layer on the electrolyte layer.例文帳に追加

平面を有する基材上に化学気相成長法、具体的には有機金属気相成長法により正極層を形成し、正極層上に電解質層を形成し、電解質層上に負極層を形成するリチウムイオン二次電池を作製する。 - 特許庁

The molded goods (1) of the metals, more particularly the alloys of the magnesium or aluminum are used as blanks and are successively provided thereon with a primer layer (2), a hard coating layer (3), a vapor deposited metallic film layer (4) and a layer (5) of the metal or metal compound by ion plating.例文帳に追加

金属とくにマグネシウムまたはアルミニウムの合金の成形品（１）を素材とし、その上にプライマー層（２）、ハードコート層（３）、金属蒸着膜層（４）およびイオンプレーティングによる金属または金属化合物の層（５）を順に設ける。 - 特許庁

It is preferable to use raw materials for forming each layer having a content of the impurity ion of 1 μg/g or less in a step prior to forming the hard coat layer, the epoxy resin layer and the inorganic gas barrier layer.例文帳に追加

前記ハードコート層、エポキシ樹脂層、および無機ガスバリア層を形成する前段階において、各層を形成する各原材料中に含有される不純物イオンが１μｇ／ｇ以下である原材料を用いることが好ましい。 - 特許庁

When a resist pattern layer 104 is thus formed on a silicon oxide layer 103, the silicon oxide layer 103 is selectively etched using the resist pattern layer 104 as a mask by well known dry etching (reactive ion etching).例文帳に追加

これらのように、酸化シリコン層１０３の上にレジストパターン層１０４を形成したら、よく知られたドライエッチング（反応性イオンエッチング）により、レジストパターン層１０４をマスクとして酸化シリコン層１０３を選択的にエッチングする。 - 特許庁

In the electrode for the solid polymer fuel cell provided with a gas diffusion layer and a catalyst layer, the thickness of the catalyst layer formed from a carbon to carry platinum, the ion liquid provided with proton conductivity, and an organic compound to fix this ion liquid is made to have a range of 1 to 10 μm.例文帳に追加

ガス拡散層と触媒層を備えた固体高分子形燃料電池用電極において、白金を担持したカーボン担体と、プロトン伝動性を備えたイオン液体と、このイオン液体を固定化する有機化合物から形成された触媒層の厚さを１〜１０μｍの範囲とする。 - 特許庁

Contrary to a case where the upper electrode layer 4 is composed of a semiconductor, ion doping for forming a semiconductor is not required when the upper electrode layer 4 is formed and thereby structural defects, e.g. a pinhole, incident to ion doping can be eliminated from the dielectric layer 3.例文帳に追加

上部電極層４を半導体で構成する場合とは異なり、上部電極層４を形成する際に、半導体を形成するために必要なイオンドープ処理が不要になるため、そのイオンドープ処理に起因して誘電絶縁層３にピンホール等の構造欠陥が生じなくなる。 - 特許庁

To propose an advantageous method of manufacturing a laminated wafer without causing not only flaws on a surface in the stop of the grinding at the oxygen ion implanted layer and further the non-uniform thickness of the top layer in the vicinity of the outer peripheral portion of the wafer in the stop of the grinding or the step of the etching at the oxygen ion implanted layer, when laminateing is performed.例文帳に追加

貼り合わせに際し、酸素イオン注入層で研磨Stopする際の表面傷、さらには酸素イオン注入層で研磨StopまたはエッチStopする際のウェーハ外周部近傍におけるTop層の膜厚不均一を生じることのない貼り合わせウェーハの有利な製造方法を提供する。 - 特許庁

After implementing a hot pressing process on the completed ion exchange membrane, a cut out diffusion layer carbon cloth is placed on the catalyst layers on both positive and the other side of the ion exchange membrane and a positive electrode gas diffusion layer and a negative electrode gas diffusion layer are made, thereby the membrane electrode assembly is manufactured.例文帳に追加

完成したイオン交換膜に熱圧工程を実行した後、裁断した拡散層カーボンクロスをイオン交換膜の正反両面の触媒層上に置いて陽極気体拡散層及び陰極気体拡散層となし、以上で膜電極アセンブリの製造を完成する。 - 特許庁

After a pattern forming layer 21 is formed on the uppermost layer on a first main surface J of a second substrate 1 made of silicon single crystal, an ion implantation layer 4 for peeling is formed with respect to the second substrate 1.例文帳に追加

シリコン単結晶からなる第二基板１の第一主表面Ｊ上の最表層にパターン形成用層２１を形成した後、第二基板１に対して剥離用イオン注入層４を形成する。 - 特許庁

In the region near the surface of the substrate of a photodiode, a high-concentration N-layer 32 of its light receiving portion is so formed by an ion implantation as to form a low-concentration N-type epitaxial layer 25 in a further deeper region than the N-layer 32 by an epitaxial growth.例文帳に追加

基板表面に近い領域にイオン注入で高濃度の受光部Ｎ層３２を形成し、さらに深い領域にエピタキシャル成長で低濃度Ｎ型エピタキシャル層２５を形成する。 - 特許庁

Next, a buffer layer including a brittle layer in which the glass is deteriorated by irradiating a gas cluster ion or a coating layer whose surface is coated with a soft substance is formed on the surface of the glass substrate.例文帳に追加

次に、ガラス基板の表面に、ガスクラスタイオンを照射することによりガラスを劣化させた脆性層、又は柔軟な物質で表面を被覆した被覆層からなる緩衝層を生成する。 - 特許庁

A membrane electrode junction for the fuel cells is provided with a polymer molecule electrolyte membrane with a layer arrangement having an ion conductive membrane 2, a catalyst layer 3 and a gas diffusion layer 4.例文帳に追加

本発明は、イオン伝導性の膜（２）と、触媒層（３）と、ガス拡散層（４）とを備えた層配列を有する、高分子電解質膜を備えた燃料電池用の膜電極接合体に関する。 - 特許庁

A chromium thin film 2 being the seed layer and a tantalum thin film 3 being a sub-carrier layer are formed by using an ion beam sputtering method and the tantalum thin film 4 being a principal carrier layer is formed by using a magnetron sputtering method.例文帳に追加

イオンビームスパッタ法を用いてシード層であるクロム薄膜２と、副キャリア層であるタンタル薄膜３を形成し、マグネトロンスパッタ法を用いて主キャリア層であるタンタル薄膜４を形成する。 - 特許庁

Placing of a hydrogen ion is performed to an impurity semiconductor layer 2 formed in the upper surface of a p-type semiconductor substrate 1, so that a high concentration ionized layer L may be formed in the impurity semiconductor layer 2.例文帳に追加

Ｐ型半導体基板１の上面に形成された不純物半導体層２に対して水素イオンの打ち込みを行って高濃度イオン層Ｌを不純物半導体層２内に形成する。 - 特許庁

When a pulse voltage is applied to the electrode 11, a movable ion moves between the solid electrolyte layer 16 and the amorphous semiconductor layer 13, and the conduction type of a part of the amorphous semiconductor layer 13 is changed.例文帳に追加

電極１１にパルス電圧を印加すると、可動イオンが固体電解質層１６と非晶質半導体層１３との間で移動し、非晶質半導体層１３の一部の伝導型が変化する。 - 特許庁

The main mask layer mainly consists of carbon, and a material of which the etching rate in reactive ion etching in the main mask layer processing step (S108) is lower than that of carbon is used as the material of the auxiliary mask layer.例文帳に追加

主マスク層の材料は主成分が炭素であり、且つ、副マスク層の材料は、主マスク層加工工程（Ｓ１０８）の反応性イオンエッチングに対するエッチングレートが炭素よりも低い材料を用いる。 - 特許庁

This transfer belt for an image forming apparatus has an elastic layer made of an elastomer made ion conductive, especially of urethane and a surface layer made of fluorine containing polymer on the base layer.例文帳に追加

ベース層上に、イオン導電化されたエラストマー、特にウレタンにより形成される弾性層と、フッ素含有ポリマーにより形成される表層を有することを特徴とする画像形成装置用転写ベルト。 - 特許庁

Accordingly, a UBM contact layer 10 including an alumina (Al_2O_3) film damaged by ion implantation and an amorphous aluminum (Al) film in a lower layer is formed in the surface layer of the pad electrode 9a.例文帳に追加

それにより、パッド電極９ａの表面層に、イオン注入により損傷されたアルミナ（Ａｌ_２Ｏ_３）膜と、その下層のアモルファス化されたアルミニューム（Ａｌ）膜からなるＵＢＭコンタクト層１０を形成する。 - 特許庁

The inventive structure comprises a silicon substrate 10, a doped glass layer 30 formed thereon by ion implantation, and a thin silicon layer 32 formed on the doped glass layer 30.例文帳に追加

本発明は、シリコン基板１０、イオン注入によりシリコン基板１０上に形成されたドープ・ガラス層３０、およびドープ・ガラス層３０の上部に形成された薄いシリコン層３２を含む構造を提供する。 - 特許庁

A double refraction layer is formed on a substrate and reactive ion etching is performed after a desired patterning is performed onto the double refraction layer to form a plurality of pits having different depth in the surface of the double refraction layer.例文帳に追加

基板上に複屈折層を形成し、当該複屈折層に所望のパターニングをした後に反応性イオンエッチングを施すことによって複屈折層に深さの異なる複数のピットを形成する。 - 特許庁