| 例文 (9件) |
ions penetrationの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 9件
To provide an electron beam device effectively preventing penetration of ions into an electron gun.例文帳に追加
効率的に、電子銃へのイオンの進入を防止した電子ビーム装置を提供する。 - 特許庁
The scattered ions are segregated to improve penetration of scattered ions with a small angle of incidence by using a pair of cylindrical members arranged in parallel with the beam axis of the ion beam with a predetermined interval.例文帳に追加
イオンビームのビーム軸に沿って所定の間隙を設けて配置された対の円筒状部材を用いて，入射角が小さな散乱イオンの通過率を向上させるよう散乱イオンを弁別する。 - 特許庁
By injecting oxygen ions, the penetration of oxygen into the film from the open air is prevented and, since the conversion of a bond is not generated, abrasion is reduced.例文帳に追加
酸素イオンを注入することにより、外気からの酸素が膜に侵入することがなく、結合の転換が生じないため摩耗が少なくなる - 特許庁
To provide a surface protection film for semiconductor devices which is superior in water penetration resistance and etching resistance and not vulnerable to electric influences of impurity ions intruding from the outside.例文帳に追加
耐浸水性、耐腐食性に優れ、且つ、外界から侵入した不純物イオンによる電気的影響を受けにくい半導体装置の表面保護膜を提供する。 - 特許庁
To suppress degradation in the reliability of a gate insulating film and changes in the threshold, caused by the depletion of a gate electrode, reduction or variations in the amount of impurities in the gate electrode and the penetration of ions into the gate insulating film.例文帳に追加
ゲート電極の空乏化と、ゲート電極内の不純物量の減少ないしはバラつきと、イオンがゲート絶縁膜を突き抜けてしまうことに起因したゲート絶縁膜の信頼性低下及び閾値変動を抑制する。 - 特許庁
To provide a coating film-curing agent excellent in crack-inhibiting effect as well as resistance to penetration of carbon dioxide or chloride ions, and also to provide mortar or concrete using the agent and its treatment method.例文帳に追加
ひび割れの抑制効果に優れ、二酸化炭素や塩化物イオンの浸透に対する抵抗性にも優れる塗膜養生剤およびそれを使用したモルタルまたはコンクリートならびにその処理方法を提供する。 - 特許庁
A process where a C60 fullerene thin film having film thickness of penetration depth of low-energy nitrogen ions is fist vapor-deposited by the flash method and simultaneously low-energy nitrogen ions are implanted by the desired total dose is repeated until the desired thin film thickness is obtained by controlling film deposition rate in the flash method, by which the nitrogen-implanted C60 fullerene thin film can be manufactured.例文帳に追加
本発明は、フラッシュ法による成膜速度調節により、先ずフラッシュ法により低エネルギー窒素イオンの侵入深さ膜厚のC60フラーレン膜を蒸着し、同時に低エネルギーの窒素イオンを所望のドーズ量注入する工程を所望の薄膜厚になるまで繰り返すことにより窒素注入C60フラーレン薄膜を作製する。 - 特許庁
To provide a high dielectric capacitor which can eliminate its weak point by preventing the penetration of hydrogen ions when succeeding heat treatment is performed by forming diffusion preventing film on the side section of a storage electrode and the upper part of a plate electrode and a method of manufacturing the capacitor.例文帳に追加
ストレージ電極の側部及びプレート電極の上部に拡散防止膜を形成して後続熱処理時の水素イオンの侵透を防止することにより、前記短所を解消できる高誘電体キャパシタ及びその製造方法を提供する。 - 特許庁
In the high dielectric capacitor having the metallic storage electrode 18, the metallic plate electrode 20, and a high dielectric film 19 formed between the electrodes 18 and 20, the diffusion preventing films 16 and 21 are respectively formed on the side section of the storage electrode 18 and the upper part of the plate electrode 20 for preventing the penetration of gas ions.例文帳に追加
金属からなるストレージ電極１８及びプレート電極２０、前記電極間に形成された高誘電体膜１９を有するキャパシタにおいて、ストレージ電極の側部及びプレート電極の上部にガスイオンの侵透を防止するための拡散防止膜１６，２１をそれぞれ形成した高誘電体キャパシタ。 - 特許庁
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