「layer junction」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

The tunnel junction layer 18 is a layer of a pn junction of a narrow depletion layer width capable of causing a tunnel effect.例文帳に追加

トンネル接合層１８は、トンネル効果が起こり得るような空乏層幅の狭いｐｎ接合の層である。 - 特許庁

Shear strength of the junction layer is smaller than shear strength of the catalyst electrode layer and junction strength of the junction layer and catalyst electrode layer.例文帳に追加

接合層のせん断強度が、触媒電極層のせん断強度および接合層と触媒電極層との間の接合強度よりも小さいことを特徴とする。 - 特許庁

A III-V compound semiconductor layer 25 forms a junction with an active layer 23 and forms a junction with a second cladding layer 27.例文帳に追加

III−Ｖ化合物半導体層２５は活性層２３と接合を成すと共に第２のクラッド層２９と接合を成す。 - 特許庁

The hetero junction bipolar transistor comprises an emitter layer 4, a base layer 5, and a collector layer 6.例文帳に追加

エミッタ層4、べース層5、コレクタ層6を具備するヘテロ接合バイポーラトランジスタである。 - 特許庁

This semiconductor light-emitting element (light-emitting diode element) comprises: a support substrate 1; a first junction layer 2a formed on the support substrate 1; a second junction layer 2b formed on the first junction layer 2a; a third junction layer 2c formed on the second junction layer 2b; and a semiconductor element layer 3 formed on the third junction layer 2c.例文帳に追加

この半導体発光素子（発光ダイオード素子）は、支持基板１と、支持基板１上に形成された第１接合層２ａと、第１接合層２ａ上に形成された第２接合層２ｂと、第２接合層２ｂ上に形成された第３接合層２ｃと、第３接合層２ｃ上に形成された半導体素子層３とを備えている。 - 特許庁

The active layer 5 and the nitride semiconductor layer 7 form a junction.例文帳に追加

活性層５と窒化物半導体層７とは接合を形成している。 - 特許庁

METHOD FOR MOLDING JUNCTION LENS HAVING ASPHERIC COMPOSITE LAYER例文帳に追加

非球面複合層を持った接合レンズの成形方法 - 特許庁

METHOD FOR FORMING MAGNETIC TUNNEL JUNCTION LAYER OF MAGNETIC RAM例文帳に追加

磁気ＲＡＭの磁気トンネル接合層の形成方法 - 特許庁

METHOD OF TREATING TUNNEL BARRIER LAYER OF TUNNEL JUNCTION ELEMENT例文帳に追加

トンネル接合素子のトンネル障壁層を処理する方法 - 特許庁

METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR JUNCTION LAYER AND SOLAR BUTTERY例文帳に追加

半導体接合層の製造方法及び太陽電池 - 特許庁

In a diode, having a function of a P-type layer and an N-type layer, the P-type layer has a main junction part a, and a junction part having density different from that at the main junction part a.例文帳に追加

Ｐ型層とＮ型層が接合されたダイオードにおいて、Ｐ型層は、メイン接合部ａ、及びメイン接合部ａとは濃度が異なる接合部を有する。 - 特許庁

This solar cell is provided with a pn junction, and a layer composing the pn junction is an In0.1Ga0.9As layer.例文帳に追加

Ｓｉ基板上にｐｎ接合を具えていて、このｐｎ接合を構成する層を、Ｉｎ_0.1 Ｇａ_0.9 Ａｓ層とする。 - 特許庁

The alternate hetero-junction layer 5 is sandwiched by the p-type layer 1 and the n-type layer 2.例文帳に追加

当該交互ヘテロ接合層５は、ｐ型層１とｎ型層２とにより挟持されている。 - 特許庁

FILM ELECTRODE DIFFUSION LAYER JUNCTION AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

膜電極拡散層接合体およびその作製方法 - 特許庁

In this case, an insulation layer should be formed on a junction surface.例文帳に追加

この場合、接合面には、絶縁層を形成しておく。 - 特許庁

The first junction electrode 24 and the second junction electrode 26 are formed from an Al wiring layer and a solder layer.例文帳に追加

第１接合電極２４及び第２接合電極２６は、Ａｌ配線層とはんだ層とから形成されている。 - 特許庁

A boundary surface between the first layer and the second layer forms a tunnel junction.例文帳に追加

第1の層と第2の層との間の境界面は、トンネル接合を形成する。 - 特許庁

The upper gate layer 19 and the channel layer 17 form a pn junction 29b.例文帳に追加

上部ゲート層１９チャネル層１７とはｐｎ接合２９ｂを形成する。 - 特許庁

A junction constitution body 10 composed of the external terminal 12, the junction layer 13, and the junction member 14 is covered with a coating layer 18 formed at its surface with an underlying layer 17 interlayered.例文帳に追加

外部端子１２と接合層１３と接合部材１４とからなる接合構成体１０は、その表面に下地層１７を介して形成された被覆層１８によって覆われている。 - 特許庁

The pn junction 19 is arranged inside the light-receiving layer 21 and window layer 23.例文帳に追加

ｐｎ接合１９は受光層２１および窓層２３内に設けられている。 - 特許庁

The channel layer 17 and the embedded gate layer 15 form a pn junction 29a.例文帳に追加

チャネル層１７と埋め込みゲート層１５とはｐｎ接合２９ａを形成する。 - 特許庁

The channel layer 14 and the electron barrier layer 16 form a hetero junction 28.例文帳に追加

チャネル層１４と電子障壁層１６とはヘテロ接合２８を形成している。 - 特許庁

The silicide layer 7 and the low-concentration n-type SOI layer 12 form a Schottky junction.例文帳に追加

シリサイド層７と低濃度Ｎ型ＳＯＩ層１２はショットキー接合を形成する。 - 特許庁

MAGNETIC TUNNEL JUNCTION STRUCTURE HAVING DOUBLE MAGNETIC ANISOTROPY FREE LAYER例文帳に追加

二重磁気異方性自由層を有する磁気トンネル接合構造 - 特許庁

Two-phase separation takes place at a junction border layer through quenching, forming a good junction border layer with high thermal conductivity.例文帳に追加

接合境界層は急冷により２相分離を起こし熱伝導性の高い良好な接合境界層を形成する。 - 特許庁

The pin junction 100 is obtained by stacking an n-layer 13, an i-layer 14 and a p-layer 15 in this order.例文帳に追加

ｐｉｎ接合１００は、ｎ層１３、ｉ層１４、及びｐ層１５をこの順に積層して得る。 - 特許庁

The p-type organic layer forms an NP junction between the n-type organic layer and the p-type organic layer.例文帳に追加

ｐ型有機物層は、ｎ型有機物層とｐ型有機物層との間でＮＰ接合を形成する。 - 特許庁

The N- diffusion layer 17b does not cover the N+ diffusion layer 17a at a junction part (2), and the N+ diffusion layer 17a is joined to the P+- well 9 at the junction part (2).例文帳に追加

Ｎ^-拡散層１７ｂは接合部分 でＮ^+拡散層１７ａを覆っておらず、Ｎ^+拡散層１７ａは接合部分 でＰ^+-ウエル９と接合している。 - 特許庁

The p-type junction layer 250 having sphere surface, the n-type junction layer 260 and the transparent layer 270 can be formed by an inkjet print process.例文帳に追加

球形表面を有するＰ接合層２５０、Ｎ接合層２６０、および透明電極層２７０は、インクジェットプリント工程によって形成することができる。 - 特許庁

An electrode layer 114 is joined with the contact layer 113 by ohmic junction and is joined with the second clad layer 109 by schottky junction.例文帳に追加

コンタクト層１１３との間でオーミック接合をなす一方、第二上クラッド層１０９との間でショットキー接合をなす電極層１１４を備える。 - 特許庁

To provide a new Josephson junction and a Josephson junction device which require formation of no insulating barrier layer.例文帳に追加

絶縁バリア層の形成を不要とする、新規なジョセフソン接合及びジョセフソン接合デバイスを提供する。 - 特許庁

MANUFACTURING METHOD FOR GAS DIFFUSING LAYER OF MEMBRANE-ELECTRODE JUNCTION BODY, MEMBRANE-ELECTRODE JUNCTION BODY, AND FUEL CELL例文帳に追加

膜−電極接合体のガス拡散層の製造方法、膜−電極接合体、及び燃料電池 - 特許庁

The second clad layer 21 and the third clad layer 23 make up a p-n junction 27.例文帳に追加

第２のクラッド層２１及び第３のクラッド層２３はｐｎ接合２７を構成する。 - 特許庁

The p^+ type anode layer 15 and the n^- type base layer 14 form a pn junction.例文帳に追加

上記ｐ^＋型アノード層１５とｎ^−型ベース層１４でｐｎ接合を形成する。 - 特許庁

The junction layer may also be an organic resin layer containing a heat-conducting constituent.例文帳に追加

接合層はまた、伝熱成分を含有した有機物系の樹脂層であってもよい。 - 特許庁

The second clad layer 21 and the third clad layer 23 constitute a pn junction 27.例文帳に追加

第２のクラッド層２１及び第３のクラッド層２３はｐｎ接合２７を構成する。 - 特許庁

A magnetic tunnel junction element comprises a magnetization free layer, a magnetization fixed layer, a tunnel barrier layer arranged between the magnetization free layer and the magnetization fixed layer.例文帳に追加

磁気トンネル接合素子が、磁化自由層と、磁化固定層と、磁化自由層と磁化固定層との間に配置されたトンネルバリア層とを有する。 - 特許庁

An N-type low resistance layer 17 reduces the junction FET effect.例文帳に追加

Ｎ型低抵抗層１７は、ジャンクションＦＥＴ効果を低減する。 - 特許庁

FLEXIBLE BOARD HAVING INTER-LAYER JUNCTION, AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR例文帳に追加

層間接合部位を有するフレキシブル基板およびその製造方法 - 特許庁

By this setup, a junction is formed under the conductive layer 18.例文帳に追加

これにより導電層１８の下に接合１２が形成される。 - 特許庁

A waterproof material layer 2 is provided on a heat insulating material layer 1 in advance, and a recessed junction 3 is formed at a junction with another heat insulating waterproof panel.例文帳に追加

断熱材層１上に予め防水材層２を設け、他の断熱防水パネルとの接合部に凹形接合部３を形成する。 - 特許庁

MANUFACTURE OF HETERO-JUNCTION BIPOLAR TRANSISTOR HAVING CARBON-DOPED BASE LAYER例文帳に追加

炭素ドープベース層を有するヘテロ接合バイポーラトランジスタの製造方法 - 特許庁

When an avalanche breakdown voltage is applied to a PN junction comprising a P type guard ring 4 and an N- layer 13a, a depletion layer 15 extending from the junction plane of the PN junction to the N- layer 13a side reaches an auto-doping layer 13b.例文帳に追加

Ｐ型ガードリング４とＮ^-層１３ａとからなるＰＮ接合にアバランシェ降伏電圧が印加された時に、前記ＰＮ接合の接合面からＮ^-層１３ａ側に伸びた空乏層１５が、オートドーピング層１３ｂに到達している。 - 特許庁

The first conductive layer 12 and the second conductive layer 13 come into contact with each other and constitute a pn-junction layer.例文帳に追加

第１導電層１２および第２導電層１３は互いに接しており、ｐｎ接合層を構成している。 - 特許庁

The electron emitter comprises a PN junction 12, a conductive layer 32, and a dielectric layer 30 interposed between the PN junction 12 and the conductive layer 32, and the PN junction 12 has a nearly flat surface, and the conductive layer 32 covers the nearly flat surface of the PN junction 12.例文帳に追加

ＰＮ接合１２と、導電層３２と、前記ＰＮ接合１２と前記導電層３２との間に挟まれた誘電体層３０を備える様にし、ＰＮ接合12は、ほぼ平坦な表面を有し導電層32はＰＮ接合12のほぼ平坦な表面を覆うようにする。 - 特許庁