「layer junction」に関連した英語例文の一覧と使い方(10ページ目) - Weblio英語例文検索

On the surface 1A, an N-type semiconductor layer 2 and a P-type semiconductor layer 3 are sequentially grown epitaxially to form a P-N junction surface 5 which contributes to light emission.例文帳に追加

この表面１Ａ上に、Ｎ型半導体層２およびＰ型半導体層３を順にエピタキシャル成長させて、発光に寄与するＰＮ接合面５が形成されている。 - 特許庁

In an OFF state, a depletion layer extended from a junction part 23 and a depletion layer extended from a side face of a trench 19 are spread in the drift region 21.例文帳に追加

一方、ＯＦＦにおいて、ｎ^+型ドリフト領域２１中には、接合部２３から延びてきた空乏層およびトレンチ１９の側面から延びてきた空乏層が広がる。 - 特許庁

A magnetic tunnel junction is manufactured by forming a pinned layer and a sense layer (206 and 210) and resetting the magnetization vector of at least one of the layers (220).例文帳に追加

磁気トンネル接合は、ピン止めされた層とセンス層を形成し(206,210)、それらの層のうちの少なくとも１つの層の磁化ベクトルを再設定する(220)ことによって製造される。 - 特許庁

A high electric field near a junction between a collector layer and a sub-collector layer constituting a collector region of the HBT is inhibited to improve the ON-withstand voltage.例文帳に追加

ＨＢＴのコレクタ領域を構成するコレクタ層とサブコレクタ層との接合部近辺における高電界を抑制することによって、オン耐圧を向上させる。 - 特許庁

To provide a back junction solar cell which has a collecting electrode layer that is formed with a fine line width while suppressing damage to a semiconductor layer and a semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体層及び半導体基板が受けるダメージを抑制しつつ、収集電極層を微細な線幅で形成できる裏面接合型の太陽電池を提供する。 - 特許庁

To provide an n type buffer layer for hetero junction satisfactory in joint property and stable in characteristics on a light absorbing layer configured of a p type compound semiconductor.例文帳に追加

ｐ型化合物半導体からなる光吸収層の上に、接合性の良い特性の安定したヘテロ接合のためのｎ型のバッファ層を設けるようにする。 - 特許庁

To provide a semiconductor device forming a silicide layer on source and drain layers while maintaining a shallow extension layer in a p-type FET and suppressing junction leak.例文帳に追加

ｐ型ＦＥＴにおいて、浅いエクステンション層を維持しながら、接合リークを抑制しつつ、ソース・ドレイン層上にシリサイド層を形成した半導体装置を提供する。 - 特許庁

The plasma density in the end surface of the brazing material layer 14 of this junction 1 can be reduced, so the corrosion of the brazing material layer 14 can be prevented.例文帳に追加

この接合体１のロウ材層１４の端面におけるプラズマ密度を低下させることができることから、ロウ材層１４の腐食を防止することができる。 - 特許庁

The n^+ diffusion layer 8b forms a p-n junction with a Zener breakdown, which is apart from the field oxide film 7, to a p diffusion layer 6b.例文帳に追加

ｎ^+拡散層８ｂは、ｐ拡散層６ｂとツェナー降伏が生じるｐｎ接合を構成し、ツェナー降伏が生じるｐｎ接合は、フィールド酸化膜７から離れている。 - 特許庁

The electron transit layer 17 and the electron supply layer 15 are formed into a heterojunction structure, and is set to be HEMT, where a two-dimensional gas channel 16 can be formed at the junction interface.例文帳に追加

電子走行層１７と電子供給層１５とはヘテロ接合構造とし、接合界面に二次元電子ガスチャネル１６を形成可能なＨＥＭＴとする。 - 特許庁

The impurity region IM1 is arranged beneath the back gate region BG with the epitaxial layer EP sandwiched, forms p-n junction with the epitaxial layer EP, and is the second conductivity type one.例文帳に追加

不純物領域ＩＭ１はエピタキシャル層ＥＰを挟んでバックゲート領域ＢＧの下に位置し、かつエピタキシャル層ＥＰとｐｎ接合を構成し、第２導電型である。 - 特許庁

An upper layer part 1a is constituted by the telephone terminal base 26, and a lower layer portion 1b is constituted by the optical junction box 21 and the distributor 24.例文帳に追加

即ち、上層部１ａが電話端子台２６により構成されているとともに、下層部１ｂが光接続箱２１及び分配器２４により構成されている。 - 特許庁

The junction strength for the upper surface of the columnar type electrode 29 of this surface processing layer 35 can be enhanced, in comparison to that when the surface processing layer 35 is formed only with the non-electrolytic plating.例文帳に追加

この表面処理層３５の柱状電極２９の上面に対する接合強度は、単なる無電解メッキによって形成する場合と比較して、強くなる。 - 特許庁

A Cu-added solder ball bump 6 is placed on the oxidation prevention layer 4, which is thermally treated in a temperature range of 190-220°C to be welded to the Ni junction layer 3.例文帳に追加

そして、Ｃｕ添加ハンダボールバンプ６を上記酸化防止層４に載置し１９０℃〜２２０℃の範囲温度で熱処理を施しＮｉ接合層３に溶融接合する。 - 特許庁

An electrode 7 forming a Schottky junction together with the semiconductor layer 1 is formed on the semiconductor layer 1 from which N atoms on the surface have been removed in this step.例文帳に追加

この工程によって表面のＮ原子４が除去された半導体層１上に、半導体層１とショットキー接合を形成する電極７を形成する。 - 特許庁

Thus, the base layer 14 and the emitter layer 15 can be formed (an interface bond of 1:1) continuously in a space, and a satisfactory Schottky junction is obtained.例文帳に追加

したがって、ベース層１４とエミッタ層１５とを空間的に連続して形成(１：１の界面結合)することが可能となり、良好なショットキー接合が得られる。 - 特許庁

In a power MOSFET 21, a super-junction structure where an n-pillar layer 3 and a p pillar layer 4 are periodically arranged is formed in a semiconductor substrate 19.例文帳に追加

パワーＭＯＳＦＥＴ２１において、半導体基板１９内に、ｎピラー層３及びｐピラー層４が周期的に配列されたスーパージャンクション構造を形成する。 - 特許庁

A solar cell 10 is constituted by successively laminating a metallic electrode layer 12, a pin junction 100, and a transparent electrode layer 16 upon a substrate 11, such as the silicon substrate etc., in this order.例文帳に追加

太陽電池１０は、シリコン基板等の基体１１上に、金属電極層１２、ｐｉｎ接合１００、及び透明電極層１６が順に積層されたものである。 - 特許庁

A source/drain region and a doping layer with high concentration are separated to weaken the electric field of pn-junction by locally forming the doping layer only in the trench region.例文帳に追加

ドーピング層をトレンチ領域にのみ局部的に形成することにより、ソース／ドレーン領域と高濃度のドーピング層とを互いに分離してｐｎ接合の電界を弱化させる。 - 特許庁

To provide a back junction solar cell which can have a collecting electrode layer formed with a fine line width while suppressing damage to a semiconductor layer and a semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体層及び半導体基板が受けるダメージを抑制しつつ、収集電極層を微細な線幅で形成できる裏面接合型の太陽電池を提供する。 - 特許庁

Both control parts for respectively controlling electron currents and hole currents are formed in two main electrodes to control currents in an n-type semiconductor layer and a p-type semiconductor layer composing super junction.例文帳に追加

二つの主電極の両方に電子とホールの制御部を設け、スーパージャンクションを構成するｎ形半導体層とｐ形半導体層における電流を制御する。 - 特許庁

Entire surface layer 106b constituting a part of a first metal layer M1 composed of nickel (Ni) is deposited on the junction side of an element by about 10 nm.例文帳に追加

素子のジャンクション側にニッケル（Ｎｉ）から成る第１金属層Ｍ１の一部を構成する全面層１０６ｂを蒸着によって約１０ｎｍの膜厚で積層した。 - 特許庁

The AlGaN/GaN double hetero junction field effect transistor 80 includes a GaN buffer layer 92 containing Fe as impurities and an AlGaN first barrier layer 94.例文帳に追加

ＡｌＧａＮ／ＧａＮダブルへテロ接合電界効果トランジスタ８０は、不純物としてＦｅを含むＧａＮバッファ層９２と、ＡｌＧａＮ第１バリア層９４を含む。 - 特許庁

To improve the crystallinity of an AlGaInP layer of a semiconductor device comprising a plurality of compound semiconductor layers including the AlGaInP layer and a hetero junction.例文帳に追加

ＡｌＧａＩｎＰ層を含む複数の化合物半導体層及びヘテロ接合部を備えた半導体装置において、ＡｌＧａＩｎＰ層の結晶性を向上させる。 - 特許庁

Low contact resistance by ohmic junction is obtained via an alloy layer 116 between an electrode 115 and a p-InGaAsP semiconductor layer 111 of low concentration.例文帳に追加

電極１１５と低濃度半導体層であるｐ−ＩnＧaＡsＰ半導体層１１１との間の合金層１１６を介したオーミック接合により低コンタクト抵抗を得る。 - 特許庁

The embedded barrier layer includes a single/double pn junction or a bubble layer to block or remove slow photon generation carriers in a region with a low drift field.例文帳に追加

この埋込みバリヤ層は、ドリフト電界が低い領域で遅い光子発生キャリアをブロックまたは除去するために、単一または二重ｐｎ接合、あるいはバブル層を含む。 - 特許庁

The first DBR 13, active layer 17, tunnel junction TJ, and second DBR 15 are arrayed along an axis Ax.例文帳に追加

第１のＤＢＲ１３、活性層１７、トンネル接合ＴＪおよび第２のＤＢＲ１５は、軸Ａｘに沿って配列される。 - 特許庁

The n-type regions 105 and the p-type regions 106 extend in the [01-1] direction of the pn junction layer 101.例文帳に追加

ｎ型領域１０５およびｐ型領域１０６は、ｐｎ接合層１０１の[０１−１]の方向に延在している。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a tunnel junction element capable of attaining microfabrication while preventing a short circuit of a tunnel barrier layer.例文帳に追加

トンネルバリア層のショートを防止しつつ、微細化を実現することが可能な、トンネル接合素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

To suppress both high resistance and shallow junction breakdown of a silicide film on an impurity layer in an FUSI gate CMOS transistor.例文帳に追加

ＦＵＳＩゲートＣＭＯＳトランジスタにおいて、不純物層上シリサイド膜の高抵抗化及び浅接合破壊を共に抑制する。 - 特許庁

To provide an epitaxial wafer for a hetero-junction bipolar transistor which is capable of improving a base-collector breakdown voltage without changing a collector layer in overall thickness.例文帳に追加

ヘテロ接合バイポーラトランジスタ用エピタキシャルウェハにおいて、コレクタ層の総厚さを変えずに、ベース・コレクタ耐圧を向上させる。 - 特許庁

To provide a magnetic tunnel junction element comprising a low magnetization cap layer capable of achieving a high MR ratio and an excellent RA value.例文帳に追加

高いＭＲ比と良好なＲＡ値とを達成可能な低磁化キャップ層を備えた磁気トンネル接合素子を提供する。 - 特許庁

The junction layer 30 is composed of a non-magnetic material and integrally joins the first magnetic head 10A and the second magnetic head 20A to each other.例文帳に追加

接合層３０は、非磁性材料でなり、第１の磁気ヘッド１０Ａと第２の磁気ヘッド２０Ａとを一体的に接合する。 - 特許庁

As a result, the junction strength can be improved without blocking by abrasive metal particles or the deterioration in characteristics of the solder resist layer.例文帳に追加

これにより、研磨材である金属粒子の詰まりやソルダーレジスト層の特性劣化を生ずることなく接合強度を高める。 - 特許庁

Therefore, even when a voltage is applied to the PN junction part, the depletion layer 10 does not reach the interfacial potential generation part.例文帳に追加

したがって、ＰＮ接合部に電圧が印加された場合にも、空乏層１０は界面準位発生部に到達しない。 - 特許庁

This ceramic junction body is characterized in that a tabular ceramic body and a tubular ceramic body are integrated via a metallic layer.例文帳に追加

板状セラミック体と筒状セラミック体とが、金属層を介して一体化してなることを特徴とするセラミック接合体。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having an ohmic junction layer which has superior surface flatness, and superior pattern formation property for electrodes.例文帳に追加

表面平坦性に優れ、電極のパターン形成性に優れるオーミック接合層を備える半導体装置を提供する。 - 特許庁

In the junction structure of a buildup printed wiring board with electronic components, stack vias on the outermost layer are formed with conductive paste.例文帳に追加

ビルドアッププリント配線基板および電子部品との接合構造において、最外層のスタックヴィアを導電性ペーストで形成した。 - 特許庁

To provide a tandem solar cell including a solar cell layer having an InGaP/GaAs/Si 3-junction structure, capable of being efficiently produced at low cost.例文帳に追加

効率良く低コストで生産が可能なInGaP/GaAs/Si３接合構造の太陽電池層を含むタンデム太陽電池を提供する。 - 特許庁

The carrier concentration near the pn junction of the low carrier concentration p type InP layer 26 is equal to or less than 5×10^17 cm^-3.例文帳に追加

低キャリア濃度ｐ型ＩｎＰ層２６のｐｎ接合近辺のキャリア濃度は５×１０^１７ｃｍ^−３以下である。 - 特許庁

Parasitic capacitance caused by pn junction is reduced by hollowing 4 a section under the curved Si layer 5.例文帳に追加

さらに、湾曲した薄膜Ｓｉ層５の下を空洞４にすることでｐｎ接合に起因する寄生容量が低減される。 - 特許庁

A diffusion control layer 24 is provided to a part of an aperture 28 of a diffusing mask 26 in a process of form p-n junction with diffusion.例文帳に追加

拡散によりpn接合を形成する工程で、拡散マスク２６の開口部２８の一部に、拡散制御層２４を設ける。 - 特許庁

Therefore, increase in leak between the N-diffusion layer and the P well can be prevented and good junction reverse bias characteristics can be maintained.例文帳に追加

従って、Ｎ−拡散層とＰウェルとの間のリークの増大を防止し、良好な接合逆バイアス特性を維持できる。 - 特許庁

To provide a superconductive tunnel junction element which has a trap layer of quasi-particles which can be manufactured by a simple process.例文帳に追加

簡単な工程で製造することができる準粒子のトラップ層を有する超伝導トンネル接合素子を提供する。 - 特許庁

Thus, the reaction layer is uniformly formed across the whole face so that electrically and thermally high quality junction can be obtained.例文帳に追加

反応層は全面にわたり均一に形成されるので、電気的および熱的に品質の高い接合を得ることができる。 - 特許庁