「layer junction」に関連した英語例文の一覧と使い方(7ページ目) - Weblio英語例文検索

The gate electrode G forming a two-dimensional electron-gas layer 5 just under a hetero-junction interface between both layers of the electron transit layer 3 and the electron supply layer 4 is used as one having an Ni/Au structure containing an Ni layer 21 on the electron supply layer 4 side and an Au layer 22 laminated on the Ni layer 21.例文帳に追加

電子走行層３と電子供給層４両層のヘテロ接合界面の直下に２次元電子ガス層５が形成されるゲート電極Ｇは、電子供給層４側のNi層２１と該Ni層２１上に積層されたAu層２２とを含むNi/Au構造のゲート電極である。 - 特許庁

The junction bipolar transistor 100 includes a collector layer 130, a base layer 140 jointed with the collector layer 130, the base electrodes 142 formed on the base layer 140, an emitter layer 150 jointed with the base layer 140, and an emitter electrode 152 formed on the emitter layer 150.例文帳に追加

接合型バイポーラトランジスタ１００は、コレクタ層１３０と、コレクタ層１３０に接合されるベース層１４０と、ベース層１４０に形成されるベース電極１４２と、ベース層１４０に接合されるエミッタ層１５０と、エミッタ層１５０に形成されるエミッタ電極１５２とを有する。 - 特許庁

At least a pinned layer 3 in a ferromagnetic tunnel junction element having a lamination structure consisting of a foundation layer 1/a 0 to 5 nm-thick antiferromagnetic layer 2/the pinned layer 3/an insulating layer 4/a free layer 5 is shaped so that magnetic anisotropy arises more than that in the shape of the free layer 5.例文帳に追加

下地層１／厚さが０〜５ｎｍの反強磁性層２／ピンド層３／絶縁層４／フリー層５からなる積層構造を有する強磁性トンネル接合素子における少なくともピンド層３の形状を上記フリー層５の形状より磁気異方性が現れる形状とする。 - 特許庁

The DZ 220 is constituted by the junction between an N-type impurity diffused layer 54 continuous to the drain region and a p-type impurity diffused layer.例文帳に追加

ＤＺ２２０はドレイン領域に連続するＮ型不純物拡散層５４とＰ型不純物拡散層５６との接合により構成される。 - 特許庁

A junction interface 18 between the diffusion layer 15 that is a silicon portion of the SOI layer 12 and the metal silicide 17 is a silicon plane 111.例文帳に追加

そして、ＳＯＩ層１２のシリコン部分である拡散層１５と金属シリサイド層１７との接合界面１８が（１１１）シリコン面である。 - 特許庁

The hetero-junction surface, formed on a boundary between the first layer and the second layer, is positioned on a crystalline plane orthogonal to a (0001) crystalline plane.例文帳に追加

第１層と第２層との境界に形成されたヘテロ接合面は、（０００１）結晶面に垂直な結晶面上に位置している。 - 特許庁

To provide a GeOI substrate with a Ge layer having very flat junction interface with an oxidized layer, and having good quality characteristics.例文帳に追加

Ｇｅ層と酸化膜との接合界面の平坦性が良く、良好な品質特性を有するＧｅ層を備えたＧｅＯＩ基板の提供。 - 特許庁

Consequently, the pn junction area existing between the active layer 3 and the drain layer 6 is reduced, so that the output capacitance is reduced.例文帳に追加

これにより、活性層３とドレイン層６との間に存在するｐｎ接合面積が縮小されるので、出力容量が低減される。 - 特許庁

To reduce a junction leakage current between silicon substrate and impurity diffused layer, in a semiconductor device equipped with a silicide layer.例文帳に追加

シリサイド層を備える半導体装置において、シリコン基板と不純物拡散層との間の接合リーク電流を低減することを目的とする。 - 特許庁

A p-type impurity is diffused in a semiconductor layer 3 to form a p-type semiconductor layer 4, resulting in forming a pn junction plane 5.例文帳に追加

次いで、Ｐ型の不純物を半導体層３に拡散することによりＰ型半導体層４を形成し、ＰＮ接合面５を形成する。 - 特許庁

An MTJ (magnetic tunnel junction) element 10 includes a fixed ferromagnetic layer 6, a free ferromagnetic laminate 8 and a tunnel barrier layer 7 interposed between them.例文帳に追加

ＭＴＪ素子１０は，固定強磁性層６と，自由強磁性積層体８と，それらの間に介設されたトンネル障壁層７とを含む。 - 特許庁

The upper layer part 106b of a first metal layer made of a nickel (Ni) is laminated by about 10 nm thickness by depositing to a junction side.例文帳に追加

ジャンクション側にニッケル（Ｎｉ）から成る第１金属層の上層部１０６ｂを蒸着によって約１０ｎｍの膜厚で積層する。 - 特許庁

The multi-junction silicon thin film photoelectric conversion device is a thin-film photoelectric conversion device series-connected via the middle layer, wherein the middle layer has a transparent oxide layer/a metal layer/a transparent oxide layer stacked in this order.例文帳に追加

多接合型シリコン系薄膜光電変換装置は、中間層を介して直列接続された薄膜光電変換装置であって、前記中間層は透明酸化物層／金属層／透明酸化物層の順に積層することによる。 - 特許庁

For the light emitting element 100, a p-type GaAs layer 7 as an electrode junction layer and an ITO electrode layer 8 as an oxide transparent electrode layer are made in this order on the side of the first main surface 17 of a luminous layer part 24.例文帳に追加

発光素子１００は、発光層部２４の第一主表面１７側に、電極接合層としてのｐ型ＧａＡｓ層７と酸化物透明電極層としてのＩＴＯ電極層８とがこの順序にて形成されている。 - 特許庁

The fuel cell uses the electrolyte film-electrode joined body of which, a catalyst layer and a gas diffusion layer are adhered by an adhesive layer made of polymer electrolyte formed on a part of a junction interface of the catalyst layer and the gas diffusion layer.例文帳に追加

触媒層とガス拡散層が、それらの接合界面に部分的に形成された高分子電解質からなる接着剤層により接着されている電解質膜−電極接合体とそれを用いた燃料電池。 - 特許庁

In this photovoltaic force element provided with a photovoltaic cell 102 having a semiconductor junction layer generating photovoltaic force, a bypass diode is formed on the region other than the above-mentioned photovoltaic cell as a bypass diode part 105 having the second semiconductor junction layer, which is different from the first semiconductor junction layer that is the semiconductor junction layer of the photovoltaic cell.例文帳に追加

光起電力を発生する半導体接合層を有する光起電力部１０２を備え、バイパスダイオードが並列に接続される光起電力素子において、前記バイパスダイオードを、前記光起電力部と同一の導電面上の前記光起電力部以外の領域に、前記光起電力部の半導体接合層である第１の半導体接合層とは別の第２の半導体接合層を有するバイパスダイオード部１０５として形成する。 - 特許庁

In a photovoltaic cell provided with a photovoltaic cell layer 32 having a semiconductor junction and a current collector electrode 34 provided on the incident side of this photovoltaic cell layer 32 parallel connecting to bypass diode, the bypass diode layer 38 having the second semiconductor junction layer different from the first semiconductor junction layer of the photovoltaic cell layer 32 is provided beneath the current collector electrode 34.例文帳に追加

光起電力を発生する半導体接合層を有する光起電力層３２と、この光起電力層の光入射側に設けられた集電電極３４とを備え、バイパスダイオードが並列に接続される光起電力素子において、前記バイパスダイオードを、光起電力層の半導体接合層である第１の半導体接合層とは別の第２の半導体接合層を有するバイパスダイオード層３８として集電電極の下部に設ける。 - 特許庁

The semiconductor mesa 14 includes: an n-ty pe first clad layer 18 provided on an n-type clad layer 18 provided on the n-type InP substrate 12; an n-type second clad layer 24 provided on the first clad layer 18; an active layer 20 provided between the first clad layer 18 and second clad layer 24; and a tunnel junction layer 22.例文帳に追加

半導体メサ１４は、ｎ型ＩｎＰ基板１２上に設けられたｎ型の第１クラッド層１８と、第１クラッド層１８上に設けられたｎ型の第２クラッド層２４と、第１クラッド層１８及び第２クラッド層２４の間に設けられた活性層２０と、トンネル接合層２２とを備える。 - 特許庁

When the nonconductive tunnel barrier layer of the tunnel junction element is exposed to ultraviolet rays projected upon the barrier layer through at least one upper layer covering the barrier layer, the oxide and nitride of the barrier layer can be distributed uniformly and homogeneously throughout the barrier layer.例文帳に追加

トンネル接合素子の非導電性トンネル障壁層を、トンネル障壁層を覆う少なくとも１つの上層を通して、トンネル障壁層に照射される紫外光に暴露することにより、均一なトンネル障壁層への上記の要求に対処する。 - 特許庁

An npn-type bipolar transistor Bip1 consisting of an epitaxial layer 2, a base diffusion layer 5, a base connection layer 4 and an emitter diffusion layer 6, and a pn-junction diode D1 consisting of the epitaxial layer 2 and an anode layer 3 are formed on a semiconductor substrate 1.例文帳に追加

半導体基板１上に、エピタキシャル層２、ベース拡散層５、ベース接続層４、エミッタ拡散層６からなるｎｐｎ型バイポーラトランジスタＢｉｐ１と、前記半導体基板１上に、前記エピタキシャル層２、アノード層３からなるｐｎ接合ダイオードＤ１とを形成する。 - 特許庁

In addition, a contact layer 30 is used for reducing the junction resistance of the conductive oxide layer 10, and is arranged between the light emitting layer 24 and oxide layer 10 so that the layer 30 may come into contact with the oxide layer 10.例文帳に追加

また、発光層部２４と基板結合用導電性酸化物層１０との間には、該基板結合用導電性酸化物層１０の接合抵抗を減ずるためのコンタクト層３０が、該基板結合用導電性酸化物層１０に接するように配置されてなる。 - 特許庁

To provide a thin-film solar cell high in reflectivity and excelling in junction of a layer system, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

反射率が高く、層システムの接合が良好な薄膜太陽電池およびその製造方法の提供。 - 特許庁

To suppress application of heat to an MTJ (Magnetic Tunnel Junction) element while forming the MTJ element in a wiring layer located in a lower tier.例文帳に追加

下層の配線層にＭＴＪ素子を形成しつつ、ＭＴＪ素子に熱が加わることを抑制する。 - 特許庁

To provide a wiring formation method with junction strength with an underlying insulating resin layer sufficiently secured.例文帳に追加

下地である絶縁樹脂層との接合強度を十分に確保した配線を形成する方法を提供する。 - 特許庁

To provide an acceleration sensor having a small variation in thickness in the plane direction of a junction layer, and high measuring precision.例文帳に追加

接合層の面方向における厚み寸法のばらつきが小さく、測定精度の高い加速度センサを得る。 - 特許庁

The p-type embedded diffusion layer forms n-type embedded diffusion layers 7, 30, and a pn junction region.例文帳に追加

そして、Ｐ型の埋込拡散層は、Ｎ型の埋込拡散層７、３０とＰＮ接合領域を形成している。 - 特許庁

An insulating heat-radiating substrate 1 includes a heat conducting substrate 2, an insulating film 3, a junction layer 4, and a circuit board 5.例文帳に追加

絶縁放熱基板１は、熱伝導基板２、絶縁膜３、接合層４および回路板５を備える。 - 特許庁

In a thermopile forming part, only a predetermined region containing a side of the cold junction is covered with an infrared ray-shielding layer.例文帳に追加

サーモパイルの形成部において、冷接点側を含む所定領域のみが赤外線遮へい層で覆われる。 - 特許庁

Junction pins 10 are drilled from the reinforcing cloth 4 into the core material layer 2, to connect endlessly the conveyer belt 1.例文帳に追加

コンベヤベルト１をエンドレス状に連結せしめる接合ピン１０を補強布４から芯材層２に打込む。 - 特許庁

Each active region makes up one intrinsic(i) layer, corresponding to the p-i-n junction structure.例文帳に追加

活性領域は、それぞれ、ｐ−ｉ−ｎ接合構造の対応する１つの真性（ｉ）層を構成している。 - 特許庁

The semiconductor light emitting element has at least a substrate crystal 1, an active layer 3 and a junction A.例文帳に追加

本発明の半導体発光素子は、少なくとも、基板結晶１と活性層３と接合部Ａとを有する。 - 特許庁

A magnetic memory device (100) including double tunnel junction cells (108, 110) based on a magnetically soft reference layer is disclosed.例文帳に追加

磁気的に軟らかい基準層に基づいた二重トンネル接合セル(108,110)を含む磁気メモリデバイス(100)が開示される。 - 特許庁

The joining layer with a uniform thickness is formed on the second junction by the vapor deposition method, and airtightness is improved.例文帳に追加

気相成長法により第二接合部上に厚さの均一な接合層を形成し、気密性が向上する。 - 特許庁

A power transistor device includes a substrate and the substrate forms a PN junction with a buffer layer that overlaps thereon.例文帳に追加

パワートランジスタデバイスは基板を含み、当該基板は、上に重なっているバッファ層とのＰＮ接合を形成する。 - 特許庁

The second metal surface layer 14 of the board body 12 and a heat sink 15 are joined by diffused junction.例文帳に追加

基板本体１２の第２金属表層１４と、放熱板１５とは、拡散接合によって接合されている。 - 特許庁

Each memory element comprises diode junction (66) formed in the storage layer, at least while in the low impedance state.例文帳に追加

各メモリエレメントは、少なくとも低インピーダンス状態である限り、記憶層内に形成されたダイオード接合(66)を含む。 - 特許庁

This is a method for using ion injection for preparing a normal layer in an SNS Josephson junction 10.例文帳に追加

ＳＮＳジョセフソン接合（１０）中に通常層を作製するためにイオン注入を使用する方法である。 - 特許庁

A III-V compound semiconductor layer 21 is provided between the junction region 17 and the dielectric DBR 19.例文帳に追加

III−Ｖ化合物半導体層２１は接合領域１７と誘電体ＤＢＲ１９との間に設けられる。 - 特許庁

To provide a back junction solar cell that suppresses damage exerted to a semiconductor layer and a semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体層及び半導体基板が受けるダメージを抑制できる裏面接合型の太陽電池を提供する。 - 特許庁

Then, after the plate is crimped to the conductive layer of the substrate, PN junction is formed at silicon for forming the porous body.例文帳に追加

そしてプレートを基板の導電層に圧着した後、多孔体をなすシリコンにＰＮ接合を形成する。 - 特許庁

MANUFACTURING METHOD AND MANUFACTURING DEVICE OF ELECTROLYTE MEMBRANE -CATALYST LAYER JUNCTION FOR SOLID POLYMER FUEL CELL例文帳に追加

固体高分子形燃料電池用電解質膜−触媒層接合体の製造方法および製造装置 - 特許庁

The junction field-effect transistor 1 has an n^--type epitaxial layer 3 laminated on a semiconductor substrate 2.例文帳に追加

この接合型電界効果トランジスタ１では、半導体基板２上に、ｎ^−型エピタキシャル層３が積層されている。 - 特許庁

Further, the portion of the ZnO layer which is present correspondingly just under the n-electrode 1 is constituted to become a Schottky junction.例文帳に追加

ｎ電極１の直下に相当する部分のＺｎＯ層がショットキー接合となるように構成する。 - 特許庁

To provide a hetero junction bipolar transistor, which has a base layer of GaAsSb, and can realize a high current gain cut-off frequency (fT).例文帳に追加

ＧａＡｓＳｂからなるベース層を有し、かつ、高いｆ_T を実現することができるＨＢＴを提供する。 - 特許庁

The PIN photo diode further includes a gate electrode construction comprising a gate insulating layer 28 and a gate electrode pad 29 to prevent excessive depletion of a junction layer caused when a negative voltage is applied to an electrode 26 brought into contact with the junction layer 25.例文帳に追加

ピンフォトダイオードは、接合層２５とコンタクトした電極２６に負の電圧を印加する時に接合層が過度に空乏されることを防止するように、ゲート絶縁層２８及びゲート電極パッド２９からなるゲート電極構造をさらに含むこと特徴とする。 - 特許庁