「metal ion implantation」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

The glass cover 10 is manufactured by carrying out a process for an ion implantation method of implanting either of a metal ion or a metalloid ion into one part of the base material, and a heat treatment process for heat-treating the base material.例文帳に追加

カバーガラス１０は、金属イオンおよび半金属イオンのうちいずれか一つを基材の一部に注入するイオン注入工程と、基材の熱処理を行う熱処理工程と、を実施することによって製造される。 - 特許庁

To provide a platen for an ion implantation device capable of reducing metal contamination generating in a wafer and increasing a yield of a device manufactured from the wafer, and provide the ion implanting device.例文帳に追加

ウエハに発生する金属汚染を低減し、ウエハから製造されるデバイスの歩留りを向上させることができるイオン注入装置用プラテン、および、イオン注入装置を提供する。 - 特許庁

A heavy metal which may be introduced in the device post-process by a contamination protection layer 11x formed by the ion implantation is subjected to gettering.例文帳に追加

イオン注入によって形成される汚染保護層１１ｘによってデバイス後工程で導入されうる重金属をゲッタリングすることができる。 - 特許庁

The method of manufacturing the semiconductor device comprises the step of conducting the ion implantation from the slanting direction permitting the ion to cross the grain boundary 3A of the columnar crystal structure, on the occasion of conducting ion implantation to form the source region and drain region, using the gate electrode 3 formed of a metal film of the columnar crystal structure as a mask.例文帳に追加

柱状結晶構造をもつメタル膜からなるゲート電極３をマスクとしてソース領域及びドレイン領域形成の為のイオン注入を行う際、前記柱状結晶構造のグレイン境界３Ａをイオンが横切るように斜め方向からイオン注入を行う工程が含まれてなることを特徴とする。 - 特許庁

The film is desirably formed by bringing the base material into contact with metal ions and plasma ions including reactive gas ions by a plasma ion implantation film-forming method.例文帳に追加

被膜は、プラズマイオン注入成膜法により金属イオン及び反応ガスイオンを含むプラズマイオンと基材とを接触させることにより形成することが好ましい。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device capable of preventing damage or peeling of a gate electrode containing metal material when forming an oxide film for protecting against ion implantation damage.例文帳に追加

イオン注入損傷の保護用酸化膜の形成時に、金属材料を含むゲート電極の損傷や剥離を防止できる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

Preferably, the oxygen-vacancy-inducing factors to be introduced are introduced by an ion implantation method using one or more metal elements selected from among titanium, tungsten, and molybdenum.例文帳に追加

導入する酸素欠陥誘起因子としては、チタン、タングステン、及びモリブデンのいずれか一または複数から選択される金属元素を用いてイオン注入法によって導入することが好ましい。 - 特許庁

A doping system has a shielding plate comprising a metal, a quartz, or the like provided in order to avoid ion implantation on the periphery section of the substrate.例文帳に追加

本発明のドーピング装置は、基板の外周部にイオンが注入されないように、金属又は石英などの絶縁材で形成される遮蔽板を設けることに特徴を有している。 - 特許庁

The metal surface is directly phase-transformed into a modified layer containing more ceramic particles with the ion beam implantation, or high-speed electron beam irradiation as the pretreatment, and the plasma processing as the main processing.例文帳に追加

イオンビーム注入、或いは、高速電子線照射を前処理とし、プラズマプロセッシングを主加工として、金属直面を直接的にセラミックス粒子を多く含む改質層に相変態させる加工法。 - 特許庁

To improve a barrier property for ion implantation, to avoid the ion implanting to an unwanted part and to prevent the peeling of a film, even when a heating process is present thereafter in the case of performing the ion injection, after forming high melting point metal silicide.例文帳に追加

高融点金属シリサイドの形成後に、イオン注入した場合に、そのイオン注入に対するバリア性が優れており、不要な部分へのイオン注入を回避できると共に、その後に加熱工程が存在しても膜の剥離を防止できる高融点金属ポリサイド構造を有する半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

A via hole 11 and a groove 12 for second layer Cu wiring are formed on a first layer Cu wiring 7 that is formed on a MOS transistor 1, a barrier metal layer 13 is formed, and ion implantation is conducted.例文帳に追加

ＭＯＳトランジスタ１上に形成された第１層Ｃｕ配線７の上層にビア孔１１及び第２層Ｃｕ配線用の溝１２を形成し、バリアメタル層１３を形成した後、イオン注入を行う。 - 特許庁

To solve the problems of penetration of dopant in a gate at ion implantation when a refractory metal is used as a low resistance metal, and of difference in gate resistance of a PMIS transistor and an NMIS transistor caused by dependence on a base of a grain size of the low resistance metal, in a FET containing a high-k film.例文帳に追加

ｈｉｇｈ−ｋ膜を含むＦＥＴにおいて、低抵抗金属として高融点金属を用いた場合のイオン注入時のゲートにおけるドーパント突き抜けの問題と、低抵抗金属のグレインサイズの下地依存に起因したＰＭＩＳトランジスタとＮＭＩＳトランジスタとのゲート抵抗の差を解決する。 - 特許庁

In the die cast die to cast the molten or partially solidified metal, a part of or an entire part of a surface in contact with at least the molten or partially solidified metal is modified into the surface of a compound or a mixture of a die base metal element modified by the ion implantation and an implanted element.例文帳に追加

溶融または半溶融状態の金属を鋳造するダイカスト用金型において、少なくとも上記溶融または半溶融状態の金属と接触する面の一部または全部を、イオン注入により改質された金型母材元素と注入元素との化合物表面または混合物表面に改質する。 - 特許庁

Thereby the ions are implanted into the silicon layer by using an ion implantation method, and the metal-silicide is formed by annealing, so that the schottky barrier tunnel transistor having stable characteristics and high performance can be manufactured.例文帳に追加

これにより、イオン注入法を用いてシリコン層にイオンを注入し、熱処理して、金属−シリサイドを形成することによって、特性が安定で且つ高性能を有するショットキー障壁トンネルトランジスタを製造することができる。 - 特許庁

Since the etching rate at the interface between a resist film 13 and the metal film 11 is speeded up/down by the impurity 12 which is subjected to ion-implantation, the taper of the etching cross section of the metal film 11 is controlled to an appropriate angle, independently of the kinds or minute changes in the metal film 11 (which means unevenness, etc.).例文帳に追加

レジスト膜１３と金属膜１１との界面部分のエッチングレートは、イオン注入された不純物１２によって速くされたり遅くされたりするので、結果的に金属膜１１の種類や微妙な変化（凹凸等を意味する）に拘らず、金属膜１１のエッチング断面のテーパを適正な角度にコントロールすることができる。 - 特許庁

This method for manufacturing the semiconductor device for forming an impurity implantation region on the surface of a semiconductor substrate by an ion implantation method includes processes of: forming a mask layer including an SiO_2 film and a thin metal film on the surface of the semiconductor substrate; and implanting impurity ions.例文帳に追加

本発明の半導体装置の製造方法は、イオン注入法により半導体基板の表面に不純物の注入領域を形成する半導体装置の製造方法であって、半導体基板の表面に、ＳｉＯ_2膜と金属薄膜を備えるマスク層を形成する工程と、不純物イオンの注入を行なう工程を備えることを特徴とする。 - 特許庁

To provide a method for producing a metal doped titanium oxide particulate having photocatalyst activity even in the visible light range with a higher production efficiency and more easily compared with conventional methods such as the sol-gel method, the solid-state reaction method, the ion-implantation method or the like.例文帳に追加

ゾルゲル法、固相反応法、イオン注入法などの従来の方法に比べて生産効率が高く、かつ容易に可視光線の領域でも光触媒活性を有する金属ドープ酸化チタン微粒子を製造する方法を提供すること。 - 特許庁

An impurity 12, which determines the etching rate on the surface of a metal film 11 which is an etched film on a wafer 10 that is formed in a film-forming process, is ion-implanted in advance, in an impurity implantation process before the etching process.例文帳に追加

成膜工程にて形成されるウェハ１０上の被エッチング膜である金属膜１１の表面に対するエッチングレートを律速するような不純物１２を、エッチング工程前の不純物注入工程にて予めイオン注入しておくようにする。 - 特許庁

To prevent in the method of manufacturing a semiconductor device that ions are deeply implanted due to channeling by employing a very simplified means on the occasion of forming, with the ion implantation, a source region and a drain region of a MOSFET (Metal-Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) where a gate electrode is formed of a columnar crystal metal such as Mo, Al, and W.例文帳に追加

半導体装置の製造方法に関し、Ｍｏ、Ａｌ、Ｗなど柱状結晶のメタルをゲート電極とするＭＯＳＦＥＴのソース領域及びドレイン領域をイオン注入で形成する際、極めて簡単な手段を採ることでイオンがチャネリングに依って深く打ち込まれることを防止できるようにする。 - 特許庁

Furthermore, a number of punch out transpositions P due to the oxygen deposit (a) are generated in the high-temperature annealing after the ion implantation, thus sufficiently achieving the gettering of the metal impurities in the high-temperature annealing and device with the punch out transpositions P as a gettering site.例文帳に追加

しかも、イオン注入後の高温アニール時に、酸素析出物ａに起因する多数のパンチアウト転位Ｐを発生させるので、パンチアウト転位Ｐをゲッタリングサイトとして、高温アニール時およびデバイス時に、金属不純物をそれぞれ十分にゲッタリングできる。 - 特許庁

A lot of recessed parts 10b, each being a part of an exposed one among the dispersed pores 11a, are present at random at the end face 10a which is to be a sliding surface of the sintered metal 11, and a hardened layer 12 is formed by a hardening treatment method selected from nitriding treatment, carbonization treatment, and ion implantation treatment.例文帳に追加

焼結金属１１の摺動面となる端面１０ａには、分散気孔１１ａの一部が露出した多数の凹部１０ｂがランダムに存在し、窒化処理、炭化処理、イオン注入処理から選択された硬化処理方法により、硬化層１２が形成される。 - 特許庁

In the semiconductor device, p-type regions on which a metal electrode is placed via an insulating film and which has high impurity concentration in a gate pad electrode region, are formed into a structure in which the regions are mutually connected on a surface by ion implantation and thermal diffusion from a plurality of isolated surface regions.例文帳に追加

ゲートパッド電極領域内であって、金属電極が絶縁膜を介して載置される高不純物濃度のｐ型領域が、複数の分離表面領域からのイオン注入と熱拡散とにより表面で相互に連結した構造にされている半導体装置とする。 - 特許庁

After forming a groove 12 in the insulating layer 11 formed on a semiconductor substrate 10, a barrier metal layer 13 is formed on the insulating layer 11 by an ALD method to cover the side faces and the bottom face of the groove 12, and impurity layers 14, 17 are formed on the surface thereof according to an ion implantation method or ALD method.例文帳に追加

半導体基板１０上に形成された絶縁層１１内に溝１２を形成した後、溝１２の側面及び底面を覆うように、絶縁層１１上にＡＬＤ法でバリアメタル層１３を形成し、その表面に、イオン注入法またはＡＬＤ法により不純物層１４、１７を形成する。 - 特許庁

The semiconductor device having a trench isolation structure is constituted by forming at least one well region and an MOS type transistor at the high power supply voltage circuit part, and a carrier capturing region composed of a silicon region whose crystallinity is broken by argon ion implantation of high energy or the like and a region into which heavy metal such as gold is implanted is formed and disposed at an end of a well region so as to prevent a latch-up.例文帳に追加

トレンチ分離構造を有する半導体装置において、高電源電圧回路部には少なくとも一つのウエル領域とＭＯＳ型トランジスタが形成されて成り、ウエル領域の端部にラッチアップを防止するために高エネルギーのアルゴンイオン注入などにより結晶性を破壊されたシリコン領域や、金などの重金属を注入した領域からなるキャリア捕獲領域を形成し、配置する。 - 特許庁

The source drain junction of the extremely shallow rectangular high concentration impurity distribution is formed by liquidifying only the ion implantation amorphous region of the diffusing layer using the laser beam, in the wavelength which ensures deep attenuation for Si and makes difficult the direct heating of the Si itself and selectively and locally heating in direct the Si, by selectively allocating a metal film of shallow attenuation depth for the laser beam only to the contact region.例文帳に追加

更にＳｉに対し減衰深さが深く、従ってＳｉ自身が直接加熱され難い波長のレーザー光を用い、該レーザー光において、減衰深さの浅い金属膜を該コンタクト領域にのみ選択的に配置することによりＳｉを間接的に選択局所加熱し、拡散層のイオン注入非晶質領域のみを液相化することにより極浅矩形高濃度不純物分布のソース・ドレイン接合の形成を可能とした。 - 特許庁