P O Iとは 意味・読み方・使い方
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意味・対訳 ポイ
P O Iの |
P O Iの学習レベル | レベル：29 |
「P O I」の部分一致の例文検索結果
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Code Listing2.8: Using local options with equery # equery list -p -o vim[ Searching for package 'vim' in all categories among: ]* installed packages[I--] [ ] app-editors/vim-6.3-r4 (0)* Portage tree (/usr/portage)[-P-] [M~] app-editors/vim-7.0_alpha20050126 (0)[-P-] [M~] app-editors/vim-7.0_alpha20050201 (0)[-P-] [ ] app-editors/vim-6.3-r2 (0)[-P-] [M~] app-editors/vim-7.0_alpha20050122 (0)[-P-] [M~] app-editors/vim-core-7.0_alpha20050126 (0)[-P-] [ ] app-editors/vim-core-6.3-r3 (0)[-P-] [M~] app-editors/vim-core-7.0_alpha20050122 (0)[-P-] [M~] app-editors/vim-core-7.0_alpha20050201 (0)[-P-] [ ] app-editors/vim-core-6.3-r4 (0)* overlay tree (/opt/ebuilds)発音を聞く 例文帳に追加
コード表示2.8:equeryでローカルオプションを使う - Gentoo Linux
This new mutant DNA polymerase has, in a nucleotide labeling interaction domain, a mutation at a part of the loop between the (i) O-helix, (ii) K-helix and (iii) O-P helix of Taq DNA polymerase, or at a similar position on another DNA polymerase.例文帳に追加
ヌクレオチド標識相互作用領域は、TaqDNAポリメラーゼの（ｉ）O-ヘリックス、(ii)K-ヘリックス、および(iii)O-Pヘリックス間ループの部分、または他のDNAポリメラーゼにおける類似の位置に変異を有する新規の変異体DNAポリメラーゼ。 - 特許庁
The distance from the primary surface to the bottom of the n-type impurity region of the I/O n-type transistor is longer than that from the primary surface to the bottom of the p-type impurity region of the I/O p-type transistor.例文帳に追加
主表面からＩ／Ｏｎ型トランジスタのｎ型不純物領域の最下部までの距離は、主表面からＩ／Ｏｐ型トランジスタのｐ型不純物領域の最下部までの距離より長い。 - 特許庁
The distance from the primary surface to the bottom of a p-type impurity region PR of an I/O p-type transistor is longer than that from the primary surface to the bottom of the p-type impurity region PR of a core p-type transistor.例文帳に追加
主表面からＩ／Ｏｐ型トランジスタのｐ型不純物領域ＰＲの最下部までの距離は、主表面からコアｐ型トランジスタのｐ型不純物領域の最下部までの距離より長い。 - 特許庁
The same power source voltage as the power source Vccsa given to a sense amplifier circuit 4a is given to the internal data bus lines I/O, I/O* via (p) channel MOS transistors PQa, PQb.例文帳に追加
内部データバス線（Ｉ／Ｏ，Ｉ／Ｏ＊）へは、ｐチャネルＭＯＳトランジスタ（ＰＱａ，ＰＱｂ）を介して、センスアンプ回路（４ａ）へ与えられる電源電圧（Ｖｃｃｓａ）と同じ電源電圧を与える。 - 特許庁
When a high level data signal D is inputted, a transistor(TR) T12 is turned on and the potential of an I/O pad P is pulled out.例文帳に追加
ハイレベルのデータ信号Ｄが入力されると、トランジスタＴ１２がＯＮし、Ｉ／ＯパッドＰの電位が引き抜かれる。 - 特許庁
By the execution of the P and R, automatic arrangement wiring of macrocells, cell frames, signal lines, I/O pins, etc., is performed, and the semiconductor integrated circuit is formed.例文帳に追加
このＰ＆Ｒの実行によって、マクロセル、セル枠、信号線、入出力ピンなどの自動配置配線を行って半導体集積回路を作成する。 - 特許庁
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Wiktionary英語版での「P O I」の意味 |
P.O.I.
poi
出典:『Wiktionary』 (2025/12/19 23:13 UTC 版)
名詞
poi (uncountable)
名詞
poi (countable and uncountable, plural poi or pois)
- (New Zealand) A small ball made of leaves and fibres, attached to a string. [from 19th c.]
-
2013, Catriona Rainsford, The Urban Circus: Travels with Mexico's Malabaristas, Bradt Travel Guides, →ISBN, page 18:
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A couple of days later Trico announced that, if I were to travel with them, it was imperative that I learn some form of malabares, or circus skill. The available options were poi, staff or juggling. ‘Poi’, the form of malabares that Sandra played, are two balls at the end of chains which are spun in patterns around the body. When the balls are replaced by wicks soaked in gasoline and set alight, the poi ‘spin fire’.
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- (New Zealand) A traditional dance performed by Maori women involving the rhythmic swinging of such a ball. [from 19th c.]
語源 3
Weblio例文辞書での「P O I」に類似した例文 |
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「P O I」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 34件
Impurities, such as C, H and O are prevented from being mixed into the i-type μc-Si:H layer 3 (photoelectric conversion layer) at the p-type a-Si:H layer 5.例文帳に追加
Ｃ，Ｈ，Ｏ等の不純物のｉ型μｃ−Ｓｉ：Ｈ層３（光電変換層）への混入がｐ型ａ−Ｓｉ：Ｈ層５にて防止される。 - 特許庁
The nonaqueous electrolyte contains an organic solvent (II) containing 0.5-30 vol.% fluorine-containing phosphate (I) represented by O=P(CH_2Rf)_3, and an electrolyte salt (III).例文帳に追加
Ｏ＝Ｐ（ＣＨ_2Ｒｆ）_3で示される含フッ素リン酸エステル（Ｉ）を０．５〜３０体積％含む有機溶媒（ＩＩ）と電解質塩（ＩＩＩ）を含む非水系電解液。 - 特許庁
Twenty hexagonal structural elements 11 are represented as A, B, C, D, E, F, G, H, I, J, K, L, M, N, O, P, Q, R, S and T in order.例文帳に追加
２０個の六角形構造要素１１を順に要素Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄ、Ｅ、Ｆ、Ｇ、Ｈ、Ｉ、Ｊ、Ｋ、Ｌ、Ｍ、Ｎ、Ｏ、Ｐ、Ｑ、Ｒ、Ｓ及びＴとする。 - 特許庁
When the potential of the pad P is reduced less than the threshold of a TR T4, the TR T4 is turned on, the potential of the pad P is pulled out by TRs T12 to T14 and a low level output data signal Dt is outputted to the I/O pad P.例文帳に追加
Ｉ／ＯパッドＰの電位がトランジスタＴ４のしきい値Ｖｔｈよりも低くなるとトランジスタＴ４がＯＮし、Ｉ／ＯパッドＰの電位がトランジスタＴ１２〜Ｔ１４により引き抜かれてＩ／ＯパッドＰにローレベルの出力データ信号Ｄｔが出力される。 - 特許庁
When an electrostatic surge with a positive polarity based upon a ground terminal GND is applied to an input/output pad I/O, a breakdown current Itrig of an n channel MOS transistor NMOS flows from the input/output pad I/O through a p^+ diffusion layer PD1 and a forward diode of an n-well NW1.例文帳に追加
入出力パッドＩ／Ｏに接地端子ＧＮＤに対して正極性の静電サージが印加されると、入出力パッドＩ／ＯからＰ^＋拡散層ＰＤ１−ＮウェルＮＷ１の順方向ダイオードを経由してＮチャネルＭＯＳトランジスタＮＭＯＳのブレークダウン電流Ｉｔｒｉｇが流れる。 - 特許庁
The part where the I/O electrodes, i.e. an N electrode 5 and a P electrode 6, face each other is not filled with the resin of the enclosure case and the parallel electrode plane of the N electrode 5 and the P electrode 6 are exposed.例文帳に追加
しかし、入出力用電極であるＮ電極５とＰ電極６とが相対する部分には、外囲ケース樹脂は充填されず、Ｎ電極５とＰ電極６とが相対する平行な電極面は露出している。 - 特許庁
Further, 'Y', 'U', 'I', 'O' and 'P' are arrayed on the 5 keys in the top row, 'H', 'J', 'K', and 'L' are arrayed on the 4 keys in the intermediate row, and 'N' and 'M' are arrayed on the 2 keys in the bottom row.例文帳に追加
また、上段１列の５個のキーに「Ｙ」、「Ｕ」、「Ｉ」、「Ｏ」、「Ｐ」も配列し、中段１列の４個のキーに「Ｈ」、「Ｊ」、「Ｋ」、「Ｌ」も配列し、下段１列の２個のキーに「Ｎ」、「Ｍ」も配列する。 - 特許庁
In areas (between O and P, between Q and R, between S and U, between V and W and between X and Y) where the moving speed of the carriage 21 changes, a current value to a scanner motor M1 is raised from (i) to I, and the torque of the scanner motor M1 is increased.例文帳に追加
キャリッジ２１の移動速度が変化している領域（ＯＰ間、ＱＲ間、ＳＵ間、ＶＷ間、ＸＹ間）では、スキャナモータＭ１への電流値をｉからＩに上昇させ、スキャナモータＭ１のトルクを増加する。 - 特許庁
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