P-700とは 意味・読み方・使い方

The photodetector 700 comprises a beam receiving cell array A group and a B group having a beam receiving cell width 0.35P-0.40P, and a beam receiving cell array A' group and B' group having a beam receiving cell width 0.5P for an interpolation multiplication assuming that a periodical pitch between cells is a P.例文帳に追加

受光素子７００は、セル間の周期ピッチをＰとすると、受光セル幅が０．３５Ｐ〜０．４０ＰのＭ系列用の受光セルアレイＡ群，Ｂ群と、受光セル幅が０．５Ｐの内挿倍用の受光セルアレイＡ’群，Ｂ’群とを備える。 - 特許庁

In a before-transfer area upstream from an area overlapping with a recording material P on the photosensitive drum 1, a charging bias power source 13 makes the charger 7 operate to charge the before-transfer area of the photosensitive drum 1 up to 700 V.例文帳に追加

感光ドラム１上の記録材Ｐに重なる領域よりも上流側の転写前領域で、帯電バイアス電源１３が帯電装置７を作動させて感光ドラム１の転写前領域電圧を７００Ｖまで帯電させる。 - 特許庁

This antimicrobial apatite is produced by firing a calcium-excess type hydroxyapatite obtained by reacting hydroxy calcium with phosphoric acid regulated so that the molar ratio of the Ca/P may be within the range of 1.8-5.0, at 700-1,200°C.例文帳に追加

この抗菌性アパタイトは、水酸化カルシウムとリン酸とをＣａ／Ｐのモル比が１．８〜５．０の範囲内となるように反応させて得られるカルシウム過剰型ハイドロキシアパタイトを７００℃〜１２００℃の範囲内で焼成して製造できる。 - 特許庁

The transparent organic thin-film transistor is constituted by using a p-type organic semiconductor material in a semiconductor active layer, in which the maximum absorbance in the range of 400 to 700 nm, which is visible region, is 0.2 or less, when the thickness of a thin film is made to be 30 nm.例文帳に追加

半導体活性層に、膜厚３０ｎｍの薄膜としたときに可視域である４００〜７００ｎｍの範囲の最大吸光度が０．２以下であるｐ型有機半導体材料を用いた透明有機薄膜トランジスタ。 - 特許庁

Further, regarding to the portion having Vickers hardness of 300-600 Hv in the hardened layer 12, when the relation of the Vickers hardness H and the depth P(mm) is represented by the equation of H=aD+b, a factor (a) in the formula, is -700 to -120.例文帳に追加

また、硬化層２２のうちビッカース硬さＨｖが３００以上６００以下の部分について、ビッカース硬さＨと深さＤ（ｍｍ）との関係をＨ＝ａＤ＋ｂなる式で表したときに、該式の係数ａが−７００以上−１２０以下である。 - 特許庁

The fluorophosphate glass contains P^5+ of 3-25 cation%, Al^3+ of more than 30 cation% and not more than 40 cation%, Li^+ of 0.5-20 cation% and F^- of 65 anion% or more, and by having a liquid phase temperature of not higher than 700°C.例文帳に追加

ガラス成分として、Ｐ^５＋を３〜２５カチオン％、Ａｌ^３＋を３０カチオン％を超え４０カチオン％以下、Ｌｉ^＋を０．５〜２０カチオン％、Ｆ^−を６５アニオン％以上含み、液相温度が７００℃以下であることを特徴とするフツリン酸ガラス。 - 特許庁

To solve the problems that the surface of a crystal is damaged, and the morphology of the outermost surface of the crystal is deteriorated since a high temperature of 700 to 900°C is required for heat treatment in the manufacturing method of a p-type group III nitride semiconductor that heat-treats the group III nitride semiconductor where p-type impurities are doped in atmosphere without hydrogen substantially.例文帳に追加

ｐ型不純物をドープしたＩＩＩ族窒化物半導体を実質的に水素を含まない雰囲気中で熱処理するｐ型ＩＩＩ族窒化物半導体の製造方法では、熱処理に７００℃〜９００℃の高温を必要とするため、結晶表面にダメージを与え、結晶の最表面のモルフォロジーの劣化を引き起こす。 - 特許庁

This invention provides the remote monitoring system where a data center 100 connected to the machine COM device 300 via a PDC- P(Personal Digital Cellular-Packet) network 600 and connected to a machine COM monitor terminal 200 via the Internet 700 allows the machine COM monitor terminal 200 to remotely monitor the machine COM device 300.例文帳に追加

マシンコム機器３００にＰＤＣ−Ｐ網６００を介して接続され、マシンコム監視用端末２００にインターネット７００を介して接続されたデータセンタ１００によりマシンコム監視用端末２００からマシンコム機器３００を遠隔監視する遠隔モニタリングシステムである。 - 特許庁