HSGとは 意味・読み方・使い方

To provide a manufacturing method of a semiconductor memory device forming a large-capacity capacitor, by forming an upper part electrode over the entire surface of a dielectric layer in a groove, without reducing the grain size of an HSG-Si layer nor closing the opening part of the groove that forms a cylinder-type capacitor with HSG-Si.例文帳に追加

HSG−Si層のグレインサイズを縮小せず、シリンダ型のキャパシタを形成する溝の開口部をHSG-Siで閉塞させず、溝内の誘電体層の全面に上部電極を形成し、大容量キャパシタを形成する半導体記憶装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

METHOD AND DEVICE FOR FORMING HSG-Si IN SEMICONDUCTOR WAFER例文帳に追加

半導体ウェーハにＨＳＧ−Ｓｉを形成するための方法及び装置 - 特許庁

To apply an HSG technology to a trench capacitor with excellent process matching performance.例文帳に追加

プロセス整合性良くトレンチキャパシタにＨＳＧ技術の適用を図る。 - 特許庁

To provide a hatch-type vertical HSG-Si forming apparatus with uniform selectivity of seeding in a reactive furnace for forming good HSG-Si.例文帳に追加

反応管内でのSeeding の選択性が均一で、良好なＨＳＧ−Ｓｉを形成できるバッチ式縦型ＨＳＧ−Ｓｉ形成装置を提供する。 - 特許庁

Next, the HSG film 10 in an upper part of the sidewall of the trench 5 is removed to selectively leave the HSG film 10, in the lower part of the inner wall of the trench 5.例文帳に追加

次にトレンチ５の上部側壁上のＨＳＧ膜１０を除去し、トレンチ５の下部内壁上にＨＳＧ膜１０を選択的に残置する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device for forming a thin lower electrode film while controlling breakdown of the lower electrode during formation of HSG and peeling of HSG with the wet process after formation of HSG, and also to provide a manufacturing method of the same semiconductor device.例文帳に追加

ＨＳＧ形成時の下部電極の破れや、ＨＳＧ形成後のウェット処理によるＨＳＧの剥がれを抑制しつつ、下部電極の膜厚を薄くすることが可能な半導体装置及び半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The abnormal growth of the HSG-Si is prevented, pinch-off with an upper electrode is prevented, and the leakage current is suppressed by conducting the patterning after treatment to form the HSG-Si.例文帳に追加

ＨＳＧ−Ｓｉ化の処理後にパターニングすることにより、ＨＳＧ−Ｓｉの異常成長を防止でき、上部電極とのピンチオフを防止し、リーク電流を抑制できる。 - 特許庁

PH_3 doping is conduced, in order to reduce the resistance value after the HSG film is formed (104).例文帳に追加

抵抗値を下げるためにＨＳＧ膜形成後にＰＨ_3ドーピングを行う（１０４）。 - 特許庁