MISFITとは 意味・読み方・使い方

To provide a demagnetizing coil settling method capable of reducing misfit and a demagnetization control method using it.例文帳に追加

ミスフィットを低減できる消磁コイル調定方法およびこれを利用した消磁管制法法を得る。 - 特許庁

To provide an extremely high-quality SiC semiconductor wherein crystal defects by misfit dislocation are markedly reduced.例文帳に追加

ミスフィット転位による結晶欠陥を大幅に抑制した極めて高品質なＳｉＣ半導体の提供。 - 特許庁

TENSILE DISTORTIONAL SILICON ON LOOSENED SiGe FILM CONTAINING EVEN MISFIT DISLOCATION DENSITY AND FORMING METHOD OF SAME例文帳に追加

均一なミスフィット転位密度を含む緩和ＳｉＧｅ被膜上の引っ張り歪みシリコンおよびその形成方法 - 特許庁

The interstitial dislocation loop is a base for the nucleation of the misfit dislocation between the SiGe layer and the silicon substrate.例文帳に追加

この格子間型転位ループが、ＳｉＧｅ層とシリコン基板の間でのミスフィット転位の核生成の基礎となる。 - 特許庁

Consequently, misfit dislocation occurs at a predetermined density in the crystal(upper layer part of the quantum well layer) of the semiconductor light-emitting element 1, and the misfit dislocation acts to ease the distortion energy stored in the crystal.例文帳に追加

これにより、半導体発光素子１の結晶内部（量子井戸層よりも上層部分）に所定の密度でミスフィット転位が発生し、このミスフィット転位が結晶内部に蓄積された歪みエネルギーを緩和するように作用する。 - 特許庁

To provide an epitaxial wafer manufacturing method for appropriately determining whether or not misfit dislocation occurs in an epitaxial wafer.例文帳に追加

エピタキシャルウェーハにミスフィット転位が発生するか否かを適切に判断できるエピタキシャルウェーハの製造方法を提供する。 - 特許庁

To obtain a group III nitride type compound semiconductor element which will not cause a semiconductor layer to be cracked, warped or dislocated due to misfit.例文帳に追加

半導体層にクラック、そり、或いはミスフィットによる転位の発生しないIII族窒化物半導体素子を提供すること。 - 特許庁

Therefore, the misfit dislocation occurs in the vicinity of the interface between the p-type distorted silicon layer 22 and the p-type silicon-germanium layer 24.例文帳に追加

したがって、ｐ型歪シリコン層２２とｐ型シリコン−ゲルマニウム層２４との界面近傍には、ミスフィット転位が発生している。 - 特許庁