「MISFIT」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

The objective function measures the misfit between the data and the corresponding modeling result. 例文帳に追加

目的関数は、データとそれに対応するモデリング結果との間の不一致の尺度となる。 - コンピューター用語辞典

To reduce the formation of misfit dislocation that may reduce the charge mobility and device performance.例文帳に追加

電荷移動度の低下とデバイス性能の低下とをもたらすミスフィット転位の形成を減少させる。 - 特許庁

To provide a demagnetizing coil settling method capable of reducing misfit and a demagnetization control method using it.例文帳に追加

ミスフィットを低減できる消磁コイル調定方法およびこれを利用した消磁管制法法を得る。 - 特許庁

To provide an extremely high-quality SiC semiconductor wherein crystal defects by misfit dislocation are markedly reduced.例文帳に追加

ミスフィット転位による結晶欠陥を大幅に抑制した極めて高品質なＳｉＣ半導体の提供。 - 特許庁

TENSILE DISTORTIONAL SILICON ON LOOSENED SiGe FILM CONTAINING EVEN MISFIT DISLOCATION DENSITY AND FORMING METHOD OF SAME例文帳に追加

均一なミスフィット転位密度を含む緩和ＳｉＧｅ被膜上の引っ張り歪みシリコンおよびその形成方法 - 特許庁

The interstitial dislocation loop is a base for the nucleation of the misfit dislocation between the SiGe layer and the silicon substrate.例文帳に追加

この格子間型転位ループが、ＳｉＧｅ層とシリコン基板の間でのミスフィット転位の核生成の基礎となる。 - 特許庁

Consequently, misfit dislocation occurs at a predetermined density in the crystal(upper layer part of the quantum well layer) of the semiconductor light-emitting element 1, and the misfit dislocation acts to ease the distortion energy stored in the crystal.例文帳に追加

これにより、半導体発光素子１の結晶内部（量子井戸層よりも上層部分）に所定の密度でミスフィット転位が発生し、このミスフィット転位が結晶内部に蓄積された歪みエネルギーを緩和するように作用する。 - 特許庁

To provide an epitaxial wafer manufacturing method for appropriately determining whether or not misfit dislocation occurs in an epitaxial wafer.例文帳に追加

エピタキシャルウェーハにミスフィット転位が発生するか否かを適切に判断できるエピタキシャルウェーハの製造方法を提供する。 - 特許庁

To obtain a group III nitride type compound semiconductor element which will not cause a semiconductor layer to be cracked, warped or dislocated due to misfit.例文帳に追加

半導体層にクラック、そり、或いはミスフィットによる転位の発生しないIII族窒化物半導体素子を提供すること。 - 特許庁

Therefore, the misfit dislocation occurs in the vicinity of the interface between the p-type distorted silicon layer 22 and the p-type silicon-germanium layer 24.例文帳に追加

したがって、ｐ型歪シリコン層２２とｐ型シリコン−ゲルマニウム層２４との界面近傍には、ミスフィット転位が発生している。 - 特許庁

Since the interstitial dislocation loop is uniformly distributed, the misfit dislocation is uniformly distributed as well, thereby the SiGe layer is loosened.例文帳に追加

格子間型転位ループが均一に分布するので、このミスフィット転位も均一に分布し、それによってＳｉＧｅ層が緩和される。 - 特許庁

Herein, the thickness of the p-type distorted silicon layer 22 is made to be larger than the critical thickness at which misfit dislocation does not occur.例文帳に追加

このとき、ｐ型歪シリコン層２２の膜厚は、ミスフィット転位の発生しない臨界膜厚より厚くなるように形成されている。 - 特許庁

To provide a method for producing a silicon wafer for epitaxial substrate, which suppresses generation of automatic doping and misfit dislocation in epitaxial growth.例文帳に追加

エピタキシャル成長時のオートドーピングおよびミスフィット転移発生を抑制するエピタキシャル基板用シリコンウェハの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a shell structure of a connector with a misfit protection key function against a mate shell, which can prevent a joining part from unfastening, with stable shell dimension.例文帳に追加

シェルの寸法が安定し、また合わせ部分の開きを防止することができ、相手シェルに対する誤嵌合防止キーの機能を果すこと。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of semiconductor substrate provided with SiC which is controlled in generation of crystal defect due to misfit dislocation and is reduced in warpage thereof.例文帳に追加

ミスフィット転位による結晶欠陥の発生が抑制されたＳｉＣを備え、反りが低減された半導体基板の製造方法を提供する - 特許庁

At this time, a misfit dislocation that occurs at the boundary surface between the substrate 1 and the backing layer 2 does not propagate into the backing layer 2 because it twines at the boundary surface.例文帳に追加

この際、基板１と下地層２との界面に発生したミスフィット転位が前記界面で絡まることにより、下地層２内に伝播しない - 特許庁

Consequently, the silicon wafer for substrate which is excellent in impurity concentration profiles and capable of growing an epitaxial growth film with less misfit dislocation is manufactured.例文帳に追加

したがって、不純物濃度プロファイルに優れ、かつミスフィット転位の少ないエピタキシャル成長膜を成長させられる基板用シリコンウェハを製造することができる。 - 特許庁

Thus, intermittent operation is performed to stabilize output load fluctuation characteristic and voltage sufficient as the gate voltage of a MISFIT is supplied stably.例文帳に追加

これにより、間欠動作させて出力負荷変動特性を安定させ、ＭＯＳＦＥＴのゲート電圧として充分な電圧を安定して供給する。 - 特許庁

To provide a silicon epitaxial wafer that effectively keeps misfit dislocation from being generated when growing a silicon epitaxial layer on a silicon monocrystalline substrate having resistivity of 20[mΩ cm] or less, which is liable to cause misfit dislocation, to provide a method of manufacturing the same, and to provide an epitaxially growing silicon monocrystalline substrate.例文帳に追加

抵抗率が２０［ｍΩ・ｃｍ］以下のようなミスフィット転位が発生しやすいシリコン単結晶基板にシリコンエピタキシャル層を成長させるに際して、ミスフィット転位の発生を効果的に抑制することができるシリコンエピタキシャルウェーハ及びその製造方法並びにエピタキシャル成長用シリコン単結晶基板を提供する。 - 特許庁

To provide a silicon epitaxial wafer wherein the generation of misfit dislocations is suppressed regardless of the conductivity type or doped element of a used silicon single crystal substrate, and to provide a method for producing the same.例文帳に追加

用いるシリコン単結晶基板の導電型や添加元素に関わらず、ミスフィット転位の発生を抑制したシリコンエピタキシャルウェーハおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an epitaxial wafer which has high gettering capability even when made thin, and has high flatness and free of misfit dislocation, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

薄厚化されても高いゲッタリング能力を有するとともに、平坦性が高く、且つミスフィット転位のないエピタキシャルウェーハ及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

The SZ slot is so formed that the waveform of a groove trace of the SZ slot is not misfit from a sine wave of which reversing angle is 275° throughout the whole length of the slot.例文帳に追加

ＳＺスロットの溝軌跡の波形が、スロット全長にわたって反転角を２７５°とする正弦波からの乖離がないようにして、ＳＺスロットを形成する。 - 特許庁

The synthesized waveform obtained from the dipole is subtracted from the actually measured waveform, the synthesized waveform is similarly subtracted with respect to a misfit part of a remaining shaded area, and this process is repeated.例文帳に追加

そして、ダイポールから得られる合成波形を実測波形から差し引き、残った斜線部分のミスフィット分について、同様に合成波形を差し引き、これを繰り返す。 - 特許庁

A crystalline nucleus 14 of non-dislocation is subjected to heteroepitaxial growth on the main surface 12 of a substrate 10 so that it may be smaller than critical size wherein misfit dislocation occurs because of lattice mismatch.例文帳に追加

基板１０の主面１２に、格子不整合によりミスフィット転位が発生する臨界サイズより小さく、無転位の結晶核１４をヘテロエピタキシャル成長させる。 - 特許庁

The method for selectively forming the nano structure is used to form a nano structure on a hetero structure made of III-V group/III-V group hetero basis, and a cycle of a misfit transition line formed on the hetero boundary, a size of the nano structure and a clearance between the misfit transition line and the nano structure are controlled to determine a density of the nano structure.例文帳に追加

ＩＩＩ−Ｖ族／ＩＩＩ−Ｖ族ヘテロ系におけるヘテロ構造上にナノ構造を形成するナノ構造の選択的成長方法であって、ヘテロ界面に形成されるミスフィット転位線の周期、ナノ構造のサイズ、および、ミスフィット転位線とナノ構造の間隔を制御することにより、ナノ構造の密度を決定する。 - 特許庁

To provide an vehicle air conditioning device that can suppress misfit between temperature information in a cabin which is transmitted to a user and a temperature in the cabin which the user actually and effectively feels.例文帳に追加

ユーザに対して発信する車室内の温度情報と実際にユーザが体感する車室内の温度との乖離を抑制可能な車両用空調装置を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor substrate equipped with high-crystallinity 3C-SiC (cubic silicon carbide) film, with the occurrence of crystal defects or cracks suppressed, due to misfit dislocations, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

ミスフィット転位による結晶欠陥の発生や亀裂の発生が抑制された結晶性の高い３Ｃ−ＳｉＣ膜を備えた半導体基板およびその製造方法を提供する - 特許庁

To provide a nitride-semiconductor light emitting element that includes a light emitting layer provided on a GaN support base having a semi-polar surface and is capable of suppressing decrease in luminescent efficiency due to misfit dislocation.例文帳に追加

半極性面を有するＧａＮ支持基体上に設けられた発光層を含みミスフィット転位による発光効率の低下を抑制できる窒化物半導体発光素子を提供する。 - 特許庁

The device includes a stress receiving layer provided on a stress inducing layer via a material at an interface between the layers, which reduces the occurrence and propagation of misfit dislocation in the structure.例文帳に追加

本デバイスは、構造体におけるミスフィット転位の発生及び伝播を減少させる層間の界面の材料を介して応力誘発層の上に設けられる応力受容層を含む。 - 特許庁

At least on both sides of the width direction of the bottom wall 22 of the hood part 21, groove parts 45, 46 in order to prevent misfit are expanded out and formed along front and rear directions and to the outside.例文帳に追加

フード部２１の底壁２２の少なくとも幅方向両側には、誤嵌合を防止するための溝部４５、４６が前後方向に沿いかつ外側に膨出して形成されている。 - 特許庁

To provide an optical semiconductor element that prevents lattice defects, such as misfit dislocation and through dislocation, from occurring easily and can obtain a high quality crystal, and also improves heat dissipation characteristics of a substrate.例文帳に追加

ミスフィット転位や貫通転位などの格子欠陥が発生しにくく高品質の結晶を得ることができ、基板の放熱特性も向上する光半導体素子を提供する。 - 特許庁

Consequently, after the GaAs crystal occupying part of the underlying portion of the hetero junction is removed, the misfit transitions disappear and a conductivity improvement corresponding to an electrical resistance of several times lower than the previous resistance is obtained.例文帳に追加

従って、ヘテロ接合下部の一部分を占めていたＧａＡｓ結晶を除去した後には、ミスフィット転移は消滅し、電気抵抗にして数倍相当にあたる伝導特性の改善が見られる。 - 特許庁

To suppress the misfit transposition caused by the stress accompanying the difference of thermal expansion coefficient between a base layer and a foundation, in the case of using the epitaxial mixed crystal layer of silicon germanium for the base layer of a bipolar transistor.例文帳に追加

バイポーラトランジスタのベース層にシリコン−ゲルマニウムのエピタキシャル混晶層を使用する場合にベース層と下地との熱膨張係数の差に伴う応力によるミスフィット転位を抑制する。 - 特許庁

Although a c surface Sc2 of the InAlGaN layer 21 is inclined relative a normal line axis Ax, the density of misfit dislocation of a slip plane mainly constituted of the c surface is reduced compared with AlGaN.例文帳に追加

ＩｎＡｌＧａＮ層２１のｃ面Ｓｃ２が法線軸Ａｘに対して傾斜しているけれども、ｃ面を主とするすべり面によるミスフィット転位の密度がＡｌＧａＮに比べて低減される。 - 特許庁

This semiconductor device forms many layers of oxide thin film with changed composition so that they may obtain the lattice constant of an oxide dielectric crystal to be formed finally, and it gradually changes the lattice constant of a semiconductor substrate from the lattice constant of a semiconductor thin film to that of the oxide dielectric crystal to reduce misfit dislocation.例文帳に追加

また、GaAsやInP基板上ではこれらの結晶のLiNbO_3結晶と格子定数がSi基板以上に離れているため、高品質な薄膜を形成することは、非常に困難である。 - 特許庁

To reduce a longitudinal direction resistance between the source electrode and drain electrode of a high electron mobility transistor manufactured by a wafer by clearing the lattice misfit of the epitaxial wafer for the high electron mobility transistor.例文帳に追加

高電子移動度トランジスタ用エピタキシャルウェハの格子不整合を解消して、このウェハから作製される高電子移動度トランジスタのソース電極−ドレイン電極間の縦方向抵抗を低減する。 - 特許庁

A cavity 15 is formed by selectively etching the GaAs crystal of the substrate 11 from the lateral direction in the interface between the conductive layer 12 and the substrate 11, in which misfit transitions exist at a high density due to the difference in lattice constant between the InAs and GaAs.例文帳に追加

ＩｎＡｓとＧａＡｓの格子定数差から界面に高密度のミスフィット転移が存在しているＧａＡｓ結晶を選択的に横方向からエッチングすることにより空孔１５を形成している。 - 特許庁

Further, the impurity concentration of an n-type distorted silicon layer 28a and an n-type silicon-germanium layer is ≤1×10^19 cm^-3 in the location under the end of a gate electrode 26 wherein misfit dislocation occurs.例文帳に追加

また、ゲート電極２６の端部下のミスフィット転位が発生している場所において、ｎ型歪シリコン層２８ａおよびｎ型シリコン−ゲルマニウム層の不純物濃度は１×１０^19ｃｍ^-3以下になっている。 - 特許庁

To provide a laminated thin-film function element and a magnetic resistance effect element, in which a misfit to upper and lower fcc ferromagnetic layers is reduced to realize planarity at atomic level and a sufficient hetero- epitaxy and an MR characteristic is improved.例文帳に追加

上下のｆｃｃ強磁性層とのミスフィットを低減し、原子レベルの平坦性や十分なヘテロエピタクシーを実現し、ＭＲ特性を向上させた積層薄膜機能素子および磁気抵抗効果素子を提供する。 - 特許庁

AlGaN of high Al composition can be grown without a crack in an AlGaN/InGaN based layer having high hole concentration and large lattice misfit in the thus-obtained p-type nitride semiconductor layer.例文帳に追加

このようにして得られたｐ型窒化物半導体層は、正孔濃度が高く、大きな格子不整合を有するＡｌＧａＮ／ＩｎＧａＮ系においてもクラックを生じることなく、高いＡｌ組成のＡｌＧａＮを成長することができる。 - 特許庁

Stress is applied to a channel region, and the base layers 63 and 73 are formed thicker than the thickness capable of housing a depletion layer and thinner than the thermal equilibrium critical film thickness in which misfit dislocation is introduced in a crystal in the thermal equilibrium state.例文帳に追加

チャネル領域には応力が付与され、下地層６３，７３は、空乏層が収まる厚さよりも厚く、熱平衡状態で結晶にミスフィット転位が導入される熱平衡臨界膜厚よりも薄く形成されている。 - 特許庁

To provide a semiconductor substrate suitable for fabricating a low breakdown voltage power discrete element requiring a low resistivity substrate in which generation of misfit dislocation can be suppressed on the surface of the substrate, and to provide its producing process.例文帳に追加

抵抗率が低い基板が必要とされる低耐圧パワーディスクリート素子の製造に好適な半導体基板であって、基板表面でのミスフィット転位の発生を抑制することができる半導体基板およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a good liquid-tight connector which allows an easy visual check of liquid level displacement of a filler when injecting, prevents an undesired liquid level rise in a filler injection recess, and prevents a misfit between connectors.例文帳に追加

注入中の充填材の液面の変位を目視により容易に確認できると共に、充填材注入凹部での不所望な液面上昇を防止し、コネクタ相互の嵌合不良の発生を防止することができる良好な液密コネクタを提供する。 - 特許庁

To suppress both misfit dislocation and a stacking fault (SF) of an epitaxial silicon wafer based on a silicon crystal substrate with low electric resistivity doped with an electric-resistivity decreasing dopant, such as phosphorus, and germanium together during growth of silicon crystal.例文帳に追加

シリコン結晶育成時にリンのような電気抵抗率降下用ドーパントとゲルマニウムが一緒に高濃度にドープされた低電気抵抗率のシリコン結晶基板をベースにしたエピタキシャルシリコンウェーハにおいて、ミスフィット転位とスタッキングフォルト（ＳＦ）の双方を抑制する。 - 特許庁

To provide an epitaxial wafer in which autodoping to a device active layer or misfit dislocation is less susceptible to occur, and pollution of the device active layer due to impurity metal is reduced effectively even if the wafer is made thin or thick after device formation, and to provide a manufacturing method therefor.例文帳に追加

デバイス活性層へのオートドーピングやミスフィット転位が発生し難く、且つ、デバイス形成後に薄厚化されても不純物金属によるデバイス活性層の汚染を有効に抑制することができるエピタキシャルウェーハおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁