orientation mappingとは 意味・読み方・使い方

COLLAR MAPPING METHOD AND DEVICE OF CRYSTAL ORIENTATION IN SAMPLE例文帳に追加

試料の結晶方位のカラーマッピング方法及び装置 - 特許庁

To provide a crystal orientation measuring method, capable of detecting a wrong crystal orientation generated systematically with a specific crystal orientation relation between a correct crystal orientation and a wrong crystal orientation measured by the crystal orientation measuring method for mapping the crystal orientation, by using an electron beam backward scattering diffraction image or a Kossel diffraction image, and correcting the wrong crystal orientation.例文帳に追加

電子線後方散乱回折像やコッセル回折像を用いて結晶方位をマッピングする結晶方位測定方法で測定した正しい結晶方位と誤った結晶方位との間に特定の結晶方位関係をもって生ずる系統的に発生する誤った結晶方位を検知し、誤った結晶方位を修正できる結晶方位測定方法を提供する。 - 特許庁

Each the orientation direction data or the like are converted into an isotropic physical property value, are made to be projected to the non-filler 3D structure model to perform a mapping process (a mapping processing procedure 3), and the strength analysis is performed on the basis of an obtained 3D mapping model.例文帳に追加

そして、前記の各配向方向データ等を異方性物性値に変換して前記の非フィラー３Ｄ構造モデルに投影させてマッピング処理し（マッピング処理手順３）、得られた３Ｄマッピングモデルに基づいて強度解析を行う。 - 特許庁

A hand-manipulated prop is picked up via a single video camera, and the part of the image pertaining to the object is isolated for mapping the position and orientation of the object into a three-dimensional space.例文帳に追加

手によって操作される柱状オブジェクトは、一台のビデオカメラによって捕捉され、オブジェクトに係わる画像の部分を分離させ、オブジェクトの位置および方向を三次元空間にマッピングする。 - 特許庁

The first foreign matter coordinate data 1 and second foreign matter coordinate data 2 of the same circular shape formed by mapping the foreign matter coordinates on the magnetic recording disk are separately acquired with the magnetic recording disk having no cut-outs for positioning, such as the orientation flat and notch like those of a silicon wafer.例文帳に追加

シリコンウエハのようなオリエンテーションフラット，ノッチ等の位置合わせ用の切り出しがない磁気記録円板において、磁気記録円板上の異物座標をマップした同一円形状の第一の異物座標データ１及び第二の異物座標データ２を別々に取得する。 - 特許庁

The method includes a step in which cells are identified (501) within a magnetoresistive solid-state storage device (100) having a failure behavior that has a tendency to stay in a particular magnetization orientation, a step in which a mapping (503) is conducted for an identified cell and a step in which failure behavior of the cell located at a place being mapped is compensated for (505).例文帳に追加

本開示の方法は、特定の磁化方向に留まる傾向を有することを特徴とする故障挙動を有する磁気抵抗固体記憶素子内のセルを識別し（５０１）、該識別されたセルの場所をマッピングし（５０３）、該マッピングされた場所におけるセルの故障挙動を補償する（５０５）、という各ステップを含む。 - 特許庁