plasma oxidizationとは 意味・読み方・使い方

The base SiON film is formed through thermal oxidization/nitrization of a Si substrate or deposition of an oxidized/nitided film on the Si substrate, and then oxidization step (plasma oxidization or O_2 oxidization) is followed by plasma nitirization.例文帳に追加

このベースＳｉＯＮ膜は、Ｓｉ基板の熱酸窒化もしくはＳｉ基板上の酸窒化膜の堆積により形成し、その後、酸化工程（プラズマ酸化、もしくはＯ_2酸化）を行い、引き続きプラズマ窒化を行う。 - 特許庁

For example, the silicon oxide layer 107 is formed by a well known thermal oxidization method, or a plasma oxidization method.例文帳に追加

例えば、よく知られた熱酸化法、もしくはプラズマ酸化法により、酸化シリコン層１０７が形成できる。 - 特許庁

To provide plasma processing by which a coat covering a work piece is removed selectively and at high speed, while suppressing the oxidization of a work piece surface.例文帳に追加

プラズマ処理により、被処理物を覆う被覆を被処理物表面の酸化を抑制しつつ選択的かつ高速で除去する。 - 特許庁

Afterwards, while only the N_2O gas is supplied, plasma is formed in the chamber 4, and the oxidization and modification of the reflection preventive film is carried out by an active species.例文帳に追加

その後、Ｎ_2Ｏガスのみを供給しながら、チャンバ４内にプラズマを形成し、活性種によって反射防止膜の酸化・改質を行う。 - 特許庁

After forming a magnetized fixing layer or a magnetized free layer, an oxidized layer is formed by effecting the oxidization of a surface and, thereafter, the thickness of the oxidized layer is thinned by applying ion beam irradiation or plasma irradiation.例文帳に追加

磁化固着層あるいは磁化自由層作成後、表面の酸化を行うことで酸化層を形成した後、イオンビーム照射、あるいはプラズマ照射を施すことで酸化層を薄膜化する。 - 特許庁

In a plasma oxidization treatment apparatus 100 for supplying high-frequency biasing power to an electrode 7 embedded in a placement stage 5, a silicon film 48 as a protective film is coated onto a surface, exposed to the plasma, of an aluminum-made lid part 27, which serves as a counter-electrode for the placement stage 5.例文帳に追加

載置台５に埋設された電極７にバイアス用の高周波電力を供給するプラズマ酸化処理装置１００では、載置台５に対して対向電極として機能するアルミニウム製の蓋部２７のプラズマに曝される表面に、保護膜としてのシリコン膜４８がコーティングされている。 - 特許庁

During this process, by exposing the first electrode 20 under the plasma of pure nitrogen, the partial oxidization of the first electrode 20 is prevented and the density of the charge trap on an electrode/dielectric interface is reduced.例文帳に追加

この工程中第１の電極２０を純窒素のプラズマに露出することにより、第１の電極２０の部分的な酸化が防止され、電極／誘電体インタフェースにおける電荷トラップの密度が低減される。 - 特許庁