thermal diffusion processとは 意味・読み方・使い方

A first thermal diffusion process is executed for thermally diffusing boron inside a monocrystalline silicon wafer (wafer 1) in a non-oxidized atmosphere.例文帳に追加

非酸化性雰囲気中でボロンをシリコン単結晶基板（基板１）内に熱拡散させる第１の熱拡散工程を行う。 - 特許庁

To suppress variations in cell characteristics due to widening of a diffusion layer as a bit line in a thermal process at the time of gate oxidation.例文帳に追加

ゲート酸化時の熱工程で、ビット線としての拡散層が広がることによるセル特性のばらつきを抑制することを課題とする。 - 特許庁

Next, an oxidization process is executed for oxidizing a boron silicide, which is generated on the surface of the monocrystalline silicon wafer 1 by the first thermal diffusion process, and changing it into boron silicate glass.例文帳に追加

次に、前記第１の熱拡散工程により前記シリコン単結晶基板１の表面に発生したボロンシリサイドを酸化してボロンシリケートガラスに変化させる酸化工程を行う。 - 特許庁

For each constituent member such as a unit cell 20 constituting the fuel cell, and an MEA 21 and a gas diffusion member 33 constituting the unit cell 20, a thermal diffusion factor is measured in a battery manufacturing process.例文帳に追加

燃料電池を構成する単セル２０や、この単セル２０を構成するＭＥＡ２１やガス拡散部材３３等の構成部材個々について、電池製造過程において熱拡散率を測定する。 - 特許庁

Thermal diffusion factors of composing members of a fuel cell such as unit cells 20, an MEA 21 composing the above unit cells, gas diffusion member 33 or the like are measured during a manufacturing process of a fuel cell.例文帳に追加

燃料電池を構成する単セル２０や、この単セル２０を構成するＭＥＡ２１やガス拡散部材３３等の構成部材個々について、電池製造過程において熱拡散率を測定する。 - 特許庁

To obtain non-tacky thermosetting resin coating paper without a drying process, and to prevent the diffusion of VOC and the clouding and puncture of a molded article on thermal press-molding.例文帳に追加

乾燥工程なしでタックのない熱硬化性樹脂コーティング紙を得、熱圧成形時に、ＶＯＣの放散や成形品のくもりやパンクを防止する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for silicon wafer for suppressing the occurrence of the dispersion of oxidized film thickness or dispersion of sheet resistance on a wafer after a second thermal diffusion process.例文帳に追加

第２の熱拡散工程後の基板に酸化膜厚のばらつきやシート抵抗のばらつきが発生してしまうことを抑制するシリコンウェーハの製造方法を提供する。 - 特許庁

To prevent the diffusion of unwanted arsenic ion, and to omit ion injecting process by forming a thin film, including arsenic ion in a low temperature, and reducing thermal history.例文帳に追加

低い温度でヒ素イオンを含む薄膜を形成し、熱履歴を減少させることで、不必要なヒ素イオンの拡散を防止し、かつイオン注入工程を省略可能とする。 - 特許庁