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Thermal Diffusion Furnaceとは 意味・読み方・使い方
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「Thermal Diffusion Furnace」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 22件
THERMAL DIFFUSION FURNACE AND METHOD FOR MANUFACTURING SUBSTRATE FOR SEMICONDUCTOR例文帳に追加
熱拡散炉及び半導体用基板の製造方法 - 特許庁
Consequently the internal state of a diffusion furnace 10 at the time of temperature measurement is similar to the internal state of the diffusion furnace 10 at the time of thermal treatment with a semiconductor wafer 14.例文帳に追加
このため、温度測定時の拡散炉10の内部状態は、半導体ウェハ14の熱処理時の拡散炉10の内部状態と近くなる。 - 特許庁
SUPER-HIGH TEMPERATURE INCINERATION AND THERMAL DECOMPOSITION FURNACE OF PCB OR THE LIKE FOR DIFFUSION SPIRAL HEATING AIR MIXING METHOD例文帳に追加
拡散型螺旋加熱空気混合方法のPCB等超高温焼却熱分解炉 - 特許庁
To provide an energy-saving heater for heat-treating furnace that can prevent the occurrence of outward thermal diffusion even when the working temperature of a heat-treating furnace is high.例文帳に追加
熱処理炉の使用温度が高いときでも、外部への熱放散を防ぐことができる省エネルギーな熱処理炉用ヒータを提供する。 - 特許庁
Thus, the temperature inside the diffusion furnace 10 at the time of thermal treatment with the semiconductor wafer 14 can be accurately measured.例文帳に追加
従って、半導体ウェハ14の熱処理時における拡散炉10の内部の温度を正確に測定することができる。 - 特許庁
The wafer taken out of the thermal diffusion furnace is treated with a hydrofluoric acid for 15-30 sec, thereby removing the glass layer and the oxide film.例文帳に追加
そして、熱拡散炉から取り出したウェハをフッ酸で15〜30秒間処理することにより、ガラス層および酸化膜を除去する。 - 特許庁
To provide a thermal diffusion furnace of which core tube has a long service life by preventing cracking or breakage of the core tube due to crystallization of impurities.例文帳に追加
不純物の結晶化による炉心管のひびや割れを防止し、炉心管の寿命(耐用期間)の長い熱拡散炉を提供する。 - 特許庁
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「Thermal Diffusion Furnace」の部分一致の例文検索結果
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To provide a semiconductor treating device that can perform a uniform heat treatment on the wafers and is a vertical thermal diffusion furnace preventing metal contamination.例文帳に追加
ウエハに対して均質な熱処理を施すことが出来、かつ、金属汚染を防止した縦型熱拡散炉である半導体処理装置を提供すること。 - 特許庁
If the semiconductor substrate 1 is disposed in vertical placement so as to be subjected to thermal diffusion in a diffusion furnace, the sheet resistance of an upper side 7 of the semiconductor substrate 1 become lower than the sheet resistance of a lower side 8 so that the irregularities in the plane of sheet resistance are generated.例文帳に追加
半導体基板1を縦置きして、拡散炉で熱拡散を行うと、半導体基板1の上辺7のシート抵抗が下辺8のシート抵抗より低くなって、シート抵抗の面内ばらつきが生じる。 - 特許庁
To enhance productivity when boron doping is performed in a vertical furnace and to lessen damage onto an Si substrate by making thermal diffusion of boron uniform.例文帳に追加
縦型炉にてボロンドープを行う場合、生産性を向上させ、さらにボロンの熱拡散を均一することでSi基板へのダメージを軽減することを可能とする。 - 特許庁
A method for manufacturing a photoelectric converter comprises the steps of forming the bonding layer by the thermal diffusion in an atmosphere containing an N-type or P-type dopant on a P-type or an N-type silicon substrate in a diffusion furnace, then switching the atmosphere in the furnace to the oxygen atmosphere, and starting annealing to form the protective film on the surface of the silicon substrate.例文帳に追加
拡散炉内で、P型またはN型シリコン基板に、N型またはP型ドーパントを含む雰囲気で熱拡散によって接合層を形成した後、その炉内の雰囲気を酸素雰囲気に切り換えるとともに、徐冷を開始して、シリコン基板表面に保護膜を形成する。 - 特許庁
The thermal diffusion furnace 10 is provided with a core tube 11, a heater 12 to heat the core tube from its surrounding, and a core-tube wall protection tube 15 which is inserted into the vicinity of the furnace port 112 of the core tube 11 and protects the inner wall of the core tube 11 adjacent thereto.例文帳に追加
熱拡散炉10は、炉心管11と、周囲から炉心管を加熱するヒーター12と、炉心管の炉口112近傍に嵌挿され炉口112近傍の炉心管11の内壁を保護する炉心管壁保護管15とを有する。 - 特許庁
The core-tube wall protection tube 15 is only inserted into the core tube 11, so that it can be easily exchanged if it is broken and the productivity of the thermal diffusion furnace 10 is hard to be lowered.例文帳に追加
なお炉心管壁保護管15は炉心管11に嵌挿されているだけなので、破損した場合の交換も容易に行え、熱拡散炉10における生産性を低下させることは無い。 - 特許庁
This method of diffusing antimony, which makes antimony diffuse through a vapor phase into silicon single-crystal wafers, is constituted in such a way that after rinsing the surfaces of the silicon single-crystal wafers with hydrofluoric acid for removing an oxide film, the silicon single-crystal wafers are inserted into a thermal diffusion furnace to conduct the diffusion process of antimony.例文帳に追加
シリコン単結晶ウェーハにアンチモンを気相拡散するアンチモン拡散方法において、シリコン単結晶ウェーハの表面をフッ酸で洗浄して酸化膜を除去した後、熱拡散炉にシリコン単結晶ウェーハを投入し、アンチモンの拡散処理を行う。 - 特許庁
This super-high temperature incineration thermal decomposition furnace of PCB comprises the incinerator 3, a rotary fire stand 4, a diffusion type super-high temperature thermal decomposition fire blast nozzle 1, a super-high temperature after burner 2, a heating air rotation guiding injection device 20 and the like as internal structures.例文帳に追加
該焼却炉のアフターバーナーの前面に連結した焼却炉を損なわず、焼却炉内の難燃性廃棄物を1200℃〜1500℃に加熱し、廃熱と熱交換して1500℃〜1800℃で瞬時に超高温熱分解しダイオキシンを発生させない。 - 特許庁
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