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「thermal diffusion process」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索
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thermal diffusion processの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 34



例文

A method for printing the image comprises the first process wherein the image of the latent image with a fluorescent dye is formed by thermal diffusion transfer, and the second process wherein the visible dye is formed on the image of the latent image by the thermal diffusion transfer.例文帳に追加

熱拡散転写により蛍光染料の潜像画像を形成する第1工程と、前記潜像画像上に可視染料を熱拡散転写する第2工程を有する印画方法。 - 特許庁

Then, the second thermal diffusion process is executed for more deeply thermally diffusing boron, which is thermally diffused inside the monocrystalline silicon wafer 1 by the first thermal diffusion process, inside the monocrystalline silicon wafer 1.例文帳に追加

次に、前記第1の熱拡散工程により前記シリコン単結晶基板1内に熱拡散されたボロンを該シリコン単結晶基板1内により深く熱拡散させる第2の熱拡散工程を行う。 - 特許庁

To provide a thermal diffusion sheet having very high thermal conductivity in an in-plane direction, and excellent in thermal diffusibility and thermal transportability, in the in-plane direction, capable of being manufactured by a simple and high productive process.例文帳に追加

面内方向に極めて熱伝導率が高く、面内方向への熱拡散性、熱輸送性に優れた熱拡散性シートを簡易かつ高生産性のプロセスで実現する。 - 特許庁

A second thermal process is carried out at a temperature lower than the first thermal process for a short period to cause the source/drain diffusion layer 131 to be activated.例文帳に追加

そして第1の熱処理工程よりも低い温度或いは短い時間で第2の熱処理工程を行い浅いソース−ドレイン拡散層131を活性化させる。 - 特許庁

例文

Thereafter, a thermal oxidization process is applied to the semiconductor substrate 100, including the diffusion-preventing spacer 164a formed thereon.例文帳に追加

以後、拡散防止スペーサ164aが形成された半導体基板100に対して熱酸化工程を実施する。 - 特許庁


例文

The method for printing the image comprises the first process wherein the image with the visible dye is formed by thermal diffusion transfer, the second process wherein a dye receiving layer is transferred on the image, and the third process wherein the image of the latent image with a fluorescent image is formed on the dye receiving layer by the thermal diffusion transfer.例文帳に追加

熱拡散転写により可視染料による画像を形成する第1工程と、前記画像上に、染料受容層を転写する第2工程と、前記染料受容層上に熱拡散転写により蛍光染料の潜像画像を形成する第3工程とを有する、印画方法。 - 特許庁

To rapidly cool an object after thermal process from an annealing temperature to a room temperature, related to a vertical diffusion device.例文帳に追加

縦型拡散装置において、熱処理済みの被処理物をアニール温度から室温に高速に冷却することを可能にする。 - 特許庁

A first thermal diffusion process is executed for thermally diffusing boron inside a monocrystalline silicon wafer (wafer 1) in a non-oxidized atmosphere.例文帳に追加

非酸化性雰囲気中でボロンをシリコン単結晶基板(基板1)内に熱拡散させる第1の熱拡散工程を行う。 - 特許庁

To suppress variations in cell characteristics due to widening of a diffusion layer as a bit line in a thermal process at the time of gate oxidation.例文帳に追加

ゲート酸化時の熱工程で、ビット線としての拡散層が広がることによるセル特性のばらつきを抑制することを課題とする。 - 特許庁

例文

Next, an oxidization process is executed for oxidizing a boron silicide, which is generated on the surface of the monocrystalline silicon wafer 1 by the first thermal diffusion process, and changing it into boron silicate glass.例文帳に追加

次に、前記第1の熱拡散工程により前記シリコン単結晶基板1の表面に発生したボロンシリサイドを酸化してボロンシリケートガラスに変化させる酸化工程を行う。 - 特許庁

例文

For each constituent member such as a unit cell 20 constituting the fuel cell, and an MEA 21 and a gas diffusion member 33 constituting the unit cell 20, a thermal diffusion factor is measured in a battery manufacturing process.例文帳に追加

燃料電池を構成する単セル20や、この単セル20を構成するMEA21やガス拡散部材33等の構成部材個々について、電池製造過程において熱拡散率を測定する。 - 特許庁

Thermal diffusion factors of composing members of a fuel cell such as unit cells 20, an MEA 21 composing the above unit cells, gas diffusion member 33 or the like are measured during a manufacturing process of a fuel cell.例文帳に追加

燃料電池を構成する単セル20や、この単セル20を構成するMEA21やガス拡散部材33等の構成部材個々について、電池製造過程において熱拡散率を測定する。 - 特許庁

To obtain non-tacky thermosetting resin coating paper without a drying process, and to prevent the diffusion of VOC and the clouding and puncture of a molded article on thermal press-molding.例文帳に追加

乾燥工程なしでタックのない熱硬化性樹脂コーティング紙を得、熱圧成形時に、VOCの放散や成形品のくもりやパンクを防止する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for silicon wafer for suppressing the occurrence of the dispersion of oxidized film thickness or dispersion of sheet resistance on a wafer after a second thermal diffusion process.例文帳に追加

第2の熱拡散工程後の基板に酸化膜厚のばらつきやシート抵抗のばらつきが発生してしまうことを抑制するシリコンウェーハの製造方法を提供する。 - 特許庁

To prevent the diffusion of unwanted arsenic ion, and to omit ion injecting process by forming a thin film, including arsenic ion in a low temperature, and reducing thermal history.例文帳に追加

低い温度でヒ素イオンを含む薄膜を形成し、熱履歴を減少させることで、不必要なヒ素イオンの拡散を防止し、かつイオン注入工程を省略可能とする。 - 特許庁

An annular thermal oxide film 17 is formed though the thermal oxidation process under the condition that the silicon nitride films 11, 11a are left and moreover a deep N well 3 is also formed at the lower entire surface of the silicon nitride film 11a like an island with the lateral diffusion of phosphorus through the annealing process (b).例文帳に追加

シリコン窒化膜11,11aを残した状態で熱酸化処理を施して環状の熱酸化膜17を形成し、さらにアニール処理を施してリンの横方向拡散によって島状のシリコン窒化膜11aの下部全面にもディープNウエル3を形成する(b)。 - 特許庁

The second thermal treatment process allows the first gate insulating film to be more tight, preventing diffusion of active species generated at deposition of the second gate insulating film 12, not to increase its interface level.例文帳に追加

第2熱処理工程により第1ゲート絶縁膜が緻密化され、第2ゲート絶縁膜12の堆積の際に生成する活性種の拡散が阻止され、界面順位を増加させない。 - 特許庁

To effectively implement the removal process of a specific element just after the formation of an Hf-based oxide film, and to improve thermal stability and hence suppress the diffusion of an impurity by mixing nitrogen into the Hf-based oxide film formed in a film formation process.例文帳に追加

Hf系酸化膜形成直後に特定元素の除去工程を効率的に実施し、さらに、成膜工程で成膜したHf系酸化膜に窒素を混入させて、その熱的安定性を高め、不純物の拡散を抑える。 - 特許庁

This method of diffusing antimony, which makes antimony diffuse through a vapor phase into silicon single-crystal wafers, is constituted in such a way that after rinsing the surfaces of the silicon single-crystal wafers with hydrofluoric acid for removing an oxide film, the silicon single-crystal wafers are inserted into a thermal diffusion furnace to conduct the diffusion process of antimony.例文帳に追加

シリコン単結晶ウェーハにアンチモンを気相拡散するアンチモン拡散方法において、シリコン単結晶ウェーハの表面をフッ酸で洗浄して酸化膜を除去した後、熱拡散炉にシリコン単結晶ウェーハを投入し、アンチモンの拡散処理を行う。 - 特許庁

To provide a power semiconductor device wherein thermal stress is small, a terminating end length is short since a guard ring diffusion layer is shallow, the variation of the depth of the guard ring diffusion layer is small, the working process difficulty of a fine element structure is low and loss is low, and its manufacturing method.例文帳に追加

熱ストレスが小さく、ガードリング拡散層が浅いため終端長が短く、ガードリング拡散層の深さのばらつきが小さく、微細な素子構造の加工プロセス難度が低く、損失が低い電力用半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a ferromagnetic tunnel junction element wherein, excellent in heat-resistance and characteristics, the Mn diffusion from an antiferromagnetic layer comprising an Mn array is effectively suppressed even in a thermal process.例文帳に追加

熱処理を受けてもMn系合金を含む反強磁性層からのMn拡散を有効に抑制することができ、特性および耐熱性に優れた強磁性トンネル接合素子を提供する。 - 特許庁

In the method of manufacturing the fully-depleted SOI transistor, especially the NMOS transistor, there is a process for implanting impurities into an insulating film by an ion implantation method before or after a well formation process, thus restraining the diffusion of the impurities to an embedded insulating film owing to a variation in a thermal history in a manufacturing process.例文帳に追加

完全空乏型SOIトランジスタ、特にNMOSトランジスタの製造方法においてウエル形成工程前あるいは後に追加でイオン注入法を用いて絶縁膜に不純物注入を行う工程を有することで、製造過程における熱履歴のばらつきによる埋め込み絶縁膜への不純物の拡散を抑える。 - 特許庁

To provide a substrate for a display which can prevent abnormal operation of the device due to thermal diffusion of movable ions and prevent decrease in the life of the element due to electrification of the substrate even when the substrate is manufactured in a high temperature manufacture process.例文帳に追加

高温製造プロセスで製造される場合であっても、可動イオンの熱拡散による素子の動作異常を防止し、且つ基板の帯電による素子寿命の低下を防止することができるディスプレイ用基板を提供する。 - 特許庁

To provide a substrate for display, which is capable of preventing occurrence of abnormality in an element caused by thermal diffusion of movable ions even when it is produced by a high temp. process and preventing lowering of the life of the element caused by electrification of the substrate.例文帳に追加

高温製造プロセスで製造される場合であっても、可動イオンの熱拡散による素子の異常を防止し、且つ基板の帯電による素子寿命の低下を防止することができるディスプレイ用基板を提供する。 - 特許庁

According to one embodiment, the thermal cycle includes a solid state diffusion sintering process wherein the substrate 10 and the densified plating 16 are heated to a temperature of at least about 1,300°F (about 704°C) but below the melting temperature of the electroless nickel plating.例文帳に追加

一つの実施態様では、熱サイクルは、基体10及び緻密化されためっき16を、少なくとも約1300°F(約704℃)の温度であって、しかし無電解ニッケルめっきの融解温度未満の温度に加熱する固相拡散焼結プロセスを含む。 - 特許庁

The P-type impurity regions 9 are diffused by a thermal treatment carried out in an after process, an element isolating P-type impurity region 9a obtained by diffusion is diffused up to a point just under the side wall oxide film 7 at most, so that a channel is hardly narrowed.例文帳に追加

このP型不純物領域9は、後工程の熱処理により拡散するが、得られた素子分離用P型不純物領域9aは高々サイドウォール酸化膜7の直下まで拡散するにすぎず、チャネル幅が狭くなるようなことはない。 - 特許庁

The method for joining the plurality of the superalloy substrates includes a process in which the superalloy substrates are diffusion-joined by thermal-pressing the joint after directly applying an active material on the surface of the joining joint.例文帳に追加

複数の超合金基板を接合する方法であって、接合されるジョイント表面に活性体を直接適用した後に、ジョイントを熱加圧することによって、超合金基板を拡散接合する工程を有することを特徴とする。 - 特許庁

A diffusion layer 5 and an anode layer 4 are formed in partial regions of the whole surface of a cathode layer 2, and thermal treatment during forming the anode layer 4 is incompletely finished so that defects caused by an ion implantation process during forming the anode layer 4 remain, while the impurity concentration of the diffusion layer 5 is set higher than that of the cathode layer 2.例文帳に追加

カソード層2の全表面部のうちの一部の領域に形成される拡散層5及びアノード層4に、それぞれ、アノード層4形成時のイオン注入処理により発生する欠陥を、アノード層4形成時の熱処理を不完全にして残留させると共に、拡散層2の不純物濃度をカソード層2よりも高くする。 - 特許庁

To provide a production method of neodymium magnet which allows for material cost reduction while increasing the coercive-force of magnet and production cost reduction by reducing thermal energy in the grain boundary diffusion process, and to provide a neodymium magnet produced by this method.例文帳に追加

磁石保磁力を高めながら材料コスト低減を図ることができ、粒界拡散過程における熱エネルギを少なくして製造コスト低減も図ることのできるネオジム磁石の製造方法と、この方法によって製造されたネオジム磁石を提供する。 - 特許庁

Therefore, when the impurity region 132 is subjected to heat treatment process after ion implantation, the occurrence of potential decline in the readout gate section 140 is suppressed, and the blooming of the section 140 can be prevented so that the thermal diffusion in the impurity region 132 does not effect the gate section 140.例文帳に追加

したがって、N^- 型不純物領域132をイオン注入して熱工程にかける際に、熱拡散の影響が読み出しゲート部140に及ばないようにし、読み出しゲート部140のポテンシャル低下を抑制し、この部分のブルーミングを防止する。 - 特許庁

Before the hot press process, while the gas diffusion layers 10, 11 are not yet laminated on the intermediate laminate 25, the intermediate laminate 25 is heated and held, and heat treated in a temperature range of the glass transition temperature or more and the thermal decomposition temperature or less of the electrolyte polymer contained in the catalyst electrode layers 14, 18.例文帳に追加

ホットプレス工程の前に、ガス拡散層10,11を中間積層体25に積層していない状態で、触媒電極層14.18に含まれている電解質ポリマーのガラス転移温度以上で熱分解温度以下の温度領域に、中間積層体25を加熱保持して熱処理する。 - 特許庁

For the control of the threshold of the MOS transistor, phosphorus is used for DDD impurity layer formation, the phosphorus is diffused to a channel region as well at the time of the thermal diffusion of the DDD impurity layer, and the threshold control of the MOS transistor and the DDD impurity layer are both carried out in a single process.例文帳に追加

MOSトランジスタのしきい値制御の為に、DDD不純物層形成にリンを用い、DDD不純物層の熱拡散時にリンをチャネル領域にも拡散させ、MOSトランジスタのしきい値制御とDDD不純物層を一つの工程で兼ねる事が出来るようにする。 - 特許庁

To provide a method for an element separation formation and an element used for the method hardly generating defects such as misalignment wherein the capacity of a diffusion layer does not increase, and takes place even if a complex mask is employed while well ion implantation and thermal process can be omitted after formation of STI.例文帳に追加

拡散層容量が増加することがなく、複雑なマスクの使用による目ずれの発生する虞がなく、しかもSTI形成後にウェルイオン注入+熱処理省略可能とした、転位等の欠陥が生じることの少ない素子分離形成方法および該方法に使用される素子の提供。 - 特許庁

例文

To provide a recording sheet for thermal printing which can endure a high temperature in a process of high-speed printing and enables attainment of a clear image and reduction of creases or warps of paper by reducing diffusion of heat from an image receiving layer and which is devised mainly for the high-speed printing.例文帳に追加

高速印刷する過程での高温に耐え得る感熱印刷用記録シートであって、受像層からの熱の拡散を抑制することによって鮮明な画像を得るともに、用紙のシワや反りの発生を抑制することが可能な、主として高速印刷のための感熱印刷用記録シート提供する。 - 特許庁




  
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