z=1の英語

The compound semiconductor substrate is expressed by the general formula InxGayAlzN, (where x+y+z=1, 0≤x≤1, 0≤y≤1, and 0≤z≤1) has a network structure and is self-contained.例文帳に追加

〔１〕一般式Ｉｎ_xＧａ_yＡｌ_zＮ（ただし、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１、０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１）で表され、網目状構造を有し、自立している化合物半導体基板。 - 特許庁

The nitride-based compound semiconductor referred to in this invention means a compound expressed by the following general equation: In_XGa_YAl_ZN (x+y+z=1, 0≤x≤1, 0≤y≤1, and 0≤z≤1).例文帳に追加

本発明で言う窒化物系化合物半導体とは、一般式Ｉｎ_XＧａ_YＡｌ_ZＮ（ｘ＋ｙ＋ｚ＝１、０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１）で表される化合物を意味する。 - 特許庁

The clathrate compound is substantially represented by composition formula of Ba_8(Ga_x, Sn_y, Sb_z)_46 (x+y+z=1, 0<x<1, 0<y<1, 0<z<1).例文帳に追加

本発明のクラスレート化合物は、実質的に組成式Ｂａ_8（Ｇａ_x、Ｓｎ_y、Ｓｂ_z）_46 （ｘ＋ｙ＋ｚ＝１、０＜ｘ＜１、０＜ｙ＜１、０＜ｚ＜１）で表されることを特徴とする。 - 特許庁

An AlxGayInzN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤z≤1 and x+y+z=1) semiconductor layer 3 is grown by using an impurity added ZnO buffer layer 2 on a Si substrate 1.例文帳に追加

Ｓｉ基板上１に不純物添加したＺｎＯバッファ層２を用いてＡｌｘＧａｙＩｎｚＮ（０≦ｘ≦１， ０≦ｙ≦１， ０≦ｚ≦１， ｘ＋ｙ＋ｚ＝１）系半導体層３を成長する。 - 特許庁

In the formula (I), Z^1 and Z^2 represent nitrogen-containing heterocycles coordinated with the platinum through nitrogen atom, and Q^1, Q^2 represent groups bonded to platinum by carbon, oxygen, sulphur, nitrogen, or phosphor atom.例文帳に追加

（一般式（I）中、Z^1、およびZ^2は窒素原子で白金に配位する含窒素ヘテロ環、Q^1、Q^2は炭素、酸素、硫黄、窒素又はりん原子で白金に結合する基を表す。） - 特許庁

In the Formulae, Z^1 and Z^2 each represent H, Cl, an alkyl group, an alkoxyl group or the like.例文帳に追加

（Ｚ^1 およびＺ^2 は水素原子、塩素原子、アルキル基、アルコキシル基等を示す。） - 特許庁

METHOD FOR PRODUCING (Z)-1-PHENYL-1-(N,N-DIETHYLAMINOCARBONYL)-2-PHTHALIMIDOMETHYLCYCLOPROPANE例文帳に追加

（Ｚ）−１−フェニル−１−（Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノカルボニル）−２−フタルイミドメチルシクロプロパンの製造方法 - 特許庁

The characteristic H(z) of the all-path filter 6 is α+Z^-1/1+αZ^-1.例文帳に追加

オールパスフィルタ６の特性Ｈ（ｚ）は、α＋Ｚ^−１／１＋αＺ^−１であること。 - 特許庁