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argon ionsとは 意味・読み方・使い方
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「argon ions」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 36件
Ions to be injected are at least one of argon ions, krypton ions, ruthenium ions, and molybdenum ions, and rhodium ions.例文帳に追加
イオン注入は、アルゴンイオン、クリプトンイオン、ルテニウムイオン、モリブデンイオン、又は、ロジウムイオンのうち少なくとも１種である。 - 特許庁
The ion gun 20 emits argon ions and irradiates argon ions to the back surface of the processing sample gripped by the holder 50.例文帳に追加
また、イオン銃２０は、アルゴンイオンを放出し、ホルダ５０に把持された加工試料の裏面に、アルゴンイオンを照射する。 - 特許庁
The ions to be irradiated include carbon, argon, nitrogen and silicon.例文帳に追加
ここで、照射するイオンの種類は、炭素、アルゴン、窒素およびシリコンなどを用いる。 - 特許庁
In ion implantation, argon ions of a dose amount of 5E+14 atoms/cm^2 and 5E+17 atoms/cm^2 are implanted.例文帳に追加
イオン注入では、ドーズ量が５Ｅ＋１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ^２以上５Ｅ＋１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ^２以下のアルゴンイオンを注入する。 - 特許庁
The positive ions of argon migrate to and collide with the PZT film 12.例文帳に追加
そして、アルゴンプラスイオンは、ＰＺＴ膜１２へ移動し、該ＰＺＴ膜１２と衝突する。 - 特許庁
Atom recombination reactions are accelerated by the action of argon ions generated by argon plasma and silicon fluoride (SiF4) and a carbon oxide (CO or CO2) are generated and discharged.例文帳に追加
アルゴンプラズマで生成したアルゴンイオンの作用により、原子の組み替え反応が進行し、フッ化シリコン（ＳｉＦ_4 ）および酸化炭素（ＣＯまたはＣＯ_2 ）が生成し、排気される。 - 特許庁
In this method of manufacturing the needle, by irradiating the tip of the needle made of tungsten 1a with ion beams formed of gallium ions 4, argon ions, iodine ions, or cesium ions, a surface layer 3a containing gallium, argon, iodine, or cesium is formed at the tip of the needle.例文帳に追加
本発明に係る微細針の製造方法は、タングステン１ａからなる針の先端に、ガリウムイオン４又はアルゴンイオン又はヨウ素イオン又はセシウムイオンによるイオンビームを照射することにより、前記針の先端にガリウム又はアルゴン又はヨウ素又はセシウムを含む表面層３ａを形成することを特徴とする。 - 特許庁
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「argon ions」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 36件
Then, argon ions are implanted into the through-oxide film 12 for the formation of a through-oxide film 13 where damages are introduced.例文帳に追加
次に、スルー酸化膜にアルゴンのイオン注入を行い、ダメージが導入されたスルー酸化膜１３を形成する。 - 特許庁
The n-type gallium nitride substrate 1 is irradiated with argon ions 5 by an acceleration voltage not higher than 1 kV by using an ion milling device.例文帳に追加
イオンミリング装置を用い加速電圧１ＫＶ以下にてアルゴンイオン５をｎ型窒化ガリウム基板１に向けて照射する。 - 特許庁
Argon ions are implanted from a direction vertical to the surface orientation (111) inside the trench 14, and then formation of an oxide film is carried out.例文帳に追加
トレンチ１４の内部の面方位（１１１）に垂直方向より、アルゴンをイオン注入し、その後、酸化膜形成をおこなう。 - 特許庁
The amorphous SiC layer 12 is doped with boron ions, for example, by DC sputtering with an output 1000W, with use of an argon gas as a sputtering gas and an SiC substrate doped with born ions as a target.例文帳に追加
例えば、出力１０００Ｗ、スパッタリングガスをアルゴン、ターゲットをホウ素がドープされたＳｉＣ基板としたＤＣスパッタリングにより、非晶質ＳｉＣ層１２にホウ素をドーピングできる。 - 特許庁
Molecular ions and clusters generated from any one of argon, water, carbon, nitrogen, sulfur in carrier gas can be employed.例文帳に追加
また、前記分子イオンおよびクラスターは、キャリアガス中のアルゴン、水、炭素、窒素、硫黄のいずれか１つから発生するものを用いることができる。 - 特許庁
After etching by gallium ion beam, when the sample is irradiated with argon ions at a low angle, the damaged layer at a time of etching is removed to enable observation of higher resolving power.例文帳に追加
ガリウムイオンビームによるエッチング後、アルゴンイオンを低角度で照射すると、エッチングの際のダメージ層が除去され、更に高分解能の観察が可能になる。 - 特許庁
The ions to be irradiated are generated in the argon-ion sputtering ion source 2 and the ions thus generated are pulled out of the ion source 2 by the pullout electrodes 3 and then passed through the magnetic field of the electromagnet 4 for mass separation so that only ions of the same mass are taken out.例文帳に追加
照射されるイオンは、アルゴンイオンによるスパッタ式のイオン源２より発生させ、発生したイオンは引き出し電極３によりイオン源２から引き出され、その後質量分離用電磁石４の磁場を通過することにより、同一質量のイオンのみが取り出される。 - 特許庁
After implanting argon ions to the entire SOI substrate surface, the substrate is adjusted to be about 300°C, and a titanium film 21 (film thickness is 15 nm) is formed by using a long throw sputtering method.例文帳に追加
ＳＯＩ基板全面に対してアルゴンイオンを注入した後，基板を約３００℃に調整し，ロングスロー・スパッタリング法を用いてチタン膜２１（膜厚１５ｎｍ）を形成する。 - 特許庁
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