depletion layer capacitanceとは 意味・読み方・使い方

To provide a depletion layer capacitance calculation apparatus and a C-V characteristic measuring apparatus of a semiconductor which accurately calculate capacitance of a depletion layer in the semiconductor for actually extending in all directions from an applying electrode in a width corresponding to an applied voltage on the assumption that the depletion layer extends in the depth direction only.例文帳に追加

半導体内で実際には印加電極から印加電圧に応じた幅で全方向に拡がる空乏層の容量を、空乏層が深さ方向のみに拡がると仮定した仮想状態での容量として正確に算出することを可能とする半導体の空乏層容量算出装置及びＣ−Ｖ特性測定装置を提供する。 - 特許庁

A depletion layer becomes large due to the pn-junction between the impurity-concentration regions, so that a variation in the width of the depletion layer by the control of the reverse bias voltage can be made large to increase a variation in electrostatic capacitance, thereby providing a large variable capacitance ratio.例文帳に追加

低不純物濃度同士のｐｎ接合により、空乏層が大きくなるので、逆バイアス電圧の制御による空乏層の幅の変化を大きくすることができ、これによって静電容量の変化が大きくなって、可変容量比が大きくなる。 - 特許庁

Consequently, the impurity concentration of the support substrate 2 is made low on the side of a high-potential reference circuit unit HV to make a depletion layer spread and have larger depletion layer capacitance, and the composite capacitance with the buried oxide film 3 is made small to suppress the displacement current.例文帳に追加

これにより、高電位基準回路部ＨＶ側では、支持基板２の不純物濃度を低くして空乏層が広がるようにすることで空乏層容量を大きくし、埋込酸化膜３との合成容量を小さくすることで変位電流を抑制できる。 - 特許庁

As a result, the depletion layer of the semiconductor layer is always held at the maximum width, the capacitance of the MIS construction is not changed and the auxiliary capacitance between the common signal line and the pixel electrode is not changed also and the gradation of a pixel is stabilized.例文帳に追加

このため、半導体層の空乏層が最大幅に常に保たれ、ＭＩＳ構造の容量が変化せず、コモン信号線と画素電極間の補助容量も変化せず、画素の階調が安定する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which can suppress the parasitic capacitance low at a p-n junction and also changes due to applied voltages in the depletion layer width.例文帳に追加

ｐｎ接合における寄生容量を低く抑えつつ、印加電圧による空乏層幅の変化を抑制できる半導体装置を提供すること。 - 特許庁

To prevent the capacitance from decreasing by preventing passivation of impurities in a lower electrode thereby controlling spread of a depletion layer in the lower electrode.例文帳に追加

下部電極中の不純物の不活性化を防止することにより、下部電極における空乏層の広がりを抑制し、キャパシタ容量の低減を防止する。 - 特許庁

Since the stretched extent of a depletion layer formed in the P-N junction of the element VAR is secured to the whole body of the N^+ type layer 56, the fall of the capacitance changing range is suppressed.例文帳に追加

可変容量素子ＶＡＲのＰＮ接合部に形成される空乏層の伸びる範囲がＮ^+ 層５６全体まで確保されるので、容量変化範囲の低下が抑制される。 - 特許庁

Since a depletion layer is spread over the spacer layer 109, when applying a bias voltage, capacitance between the spacer layer 109 and the current light confining layer 110 is decreased, and the response speed in the case of pulse oscillation of the semiconductor laser device is accelerated.例文帳に追加

バイアス電圧の印加時に、空乏層がスペーサ層１０９に広がるので、スペーサ層１０９と電流光閉じ込め層１１０との間の容量が減少して、半導体レーザ素子のパルス発振時の応答速度が高速になる。 - 特許庁