defect concentrationとは 意味・読み方・使い方

Concentration of iron in a boron-doped silicon wafer including the defect resulting from oxygen is measured with the SPV method.例文帳に追加

酸素起因欠陥を有しかつボロンドープしたシリコンウェーハ中の鉄濃度をＳＰＶ法を用いて測定する。 - 特許庁

To measure with higher accuracy iron concentration in a silicon wafer without influence of a defect resulting from oxygen even in the case of the silicon wafer where the defect resulting from oxygen is generated in higher density.例文帳に追加

酸素起因欠陥が高密度に発生したシリコンウェーハであっても、酸素起因欠陥に影響されずに、シリコンウェーハ中の鉄濃度を高精度に測定する。 - 特許庁

To accurately carry out correction so that the concentration of a pixel corresponding to the defect position of a detection element being provided at a radiation solid-detecting device does not become specific concentration being different from the periphery.例文帳に追加

放射線固体検出装置が備える検出素子の欠陥位置に対応する画素の濃度が周辺と異なる特異な濃度とならないように正確に補正する。 - 特許庁

Consequently, a the occurrence of crystal defect resulting from re-crystallization is prevented at a boundary portion between a low-concentration impurity diffusion region and a high-concentration impurity diffusion region.例文帳に追加

これにより、低濃度不純物拡散領域と高濃度不純物拡散領域との境界部において、再結晶化による結晶欠陥の発生を防ぐことができる。 - 特許庁

It is known that a level considered to be the cause of a compound defect exists in the n-type semiconductor layer of high concentration.例文帳に追加

高濃度のｎ型半導体層中には複合欠陥起因と思われる準位が存在することが知られている。 - 特許庁

A stripe shaped recess (16) is formed on a GaN substrate (10) having a low defect concentration of 10^6 cm^-2 or less by etching.例文帳に追加

欠陥密度が１０^6ｃｍ^-2以下と低いＧａＮ基板(10)に、エッチングによってストライプ状の凹部(16)を形成する。 - 特許庁

Since the graphene has the defect at the number density, the oxygen concentration of the graphene is 0.3-30 atomic%.例文帳に追加

また、上記の数密度で欠陥を有するため、グラフェンの酸素濃度は０．３原子％以上３０原子％以下である。 - 特許庁

To provide a method for stably and fast manufacturing a defect-free silicon single crystal having a predetermined controlled oxygen concentration.例文帳に追加

所定の酸素濃度に制御された無欠陥のシリコン単結晶を安定して高速で製造する方法を提供する。 - 特許庁