「defect concentration」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

A concentration distribution generation method and a process simulator perform a defect amount calculation procedure to calculate a defect amount Q_I per unit area of defects introduced to a semiconductor substrate by ion implantation and a defect position calculation procedure to calculate a position d_I to position by condensing a defect concentration distribution in an ion implantation concentration distribution by the ion implantation with a computer and treat the defect concentration distribution like a delta function.例文帳に追加

上記課題は、コンピュータが、イオン注入によって半導体基板に導入される欠陥の単位面積当たりの欠陥量Ｑ_Ｉを算出する欠陥量算出手順と、前記イオン注入によるイオン注入濃度分布において欠陥濃度分布を凝集させて位置付ける位置ｄ_Ｉを算出する欠陥位置算出手順とを実行し、前記欠陥濃度分布をデルタ関数的に扱うことにより達成される。 - 特許庁

When a deformation change is generated in the structure 2 having a defect, the periphery of the defect is deformed due to stress concentration generated at the periphery, and the light emitting film on the surface is also deformed.例文帳に追加

欠陥が在る構造体２に歪みの変化が生じると、欠陥周辺に応力集中が起きて歪み、該表面の発光膜も歪む。 - 特許庁

Concentration of iron in a boron-doped silicon wafer including the defect resulting from oxygen is measured with the SPV method.例文帳に追加

酸素起因欠陥を有しかつボロンドープしたシリコンウェーハ中の鉄濃度をＳＰＶ法を用いて測定する。 - 特許庁

To measure with higher accuracy iron concentration in a silicon wafer without influence of a defect resulting from oxygen even in the case of the silicon wafer where the defect resulting from oxygen is generated in higher density.例文帳に追加

酸素起因欠陥が高密度に発生したシリコンウェーハであっても、酸素起因欠陥に影響されずに、シリコンウェーハ中の鉄濃度を高精度に測定する。 - 特許庁

To accurately carry out correction so that the concentration of a pixel corresponding to the defect position of a detection element being provided at a radiation solid-detecting device does not become specific concentration being different from the periphery.例文帳に追加

放射線固体検出装置が備える検出素子の欠陥位置に対応する画素の濃度が周辺と異なる特異な濃度とならないように正確に補正する。 - 特許庁

Consequently, a the occurrence of crystal defect resulting from re-crystallization is prevented at a boundary portion between a low-concentration impurity diffusion region and a high-concentration impurity diffusion region.例文帳に追加

これにより、低濃度不純物拡散領域と高濃度不純物拡散領域との境界部において、再結晶化による結晶欠陥の発生を防ぐことができる。 - 特許庁

It is known that a level considered to be the cause of a compound defect exists in the n-type semiconductor layer of high concentration.例文帳に追加

高濃度のｎ型半導体層中には複合欠陥起因と思われる準位が存在することが知られている。 - 特許庁

A stripe shaped recess (16) is formed on a GaN substrate (10) having a low defect concentration of 10^6 cm^-2 or less by etching.例文帳に追加

欠陥密度が１０^6ｃｍ^-2以下と低いＧａＮ基板(10)に、エッチングによってストライプ状の凹部(16)を形成する。 - 特許庁

Since the graphene has the defect at the number density, the oxygen concentration of the graphene is 0.3-30 atomic%.例文帳に追加

また、上記の数密度で欠陥を有するため、グラフェンの酸素濃度は０．３原子％以上３０原子％以下である。 - 特許庁

To provide a method for stably and fast manufacturing a defect-free silicon single crystal having a predetermined controlled oxygen concentration.例文帳に追加

所定の酸素濃度に制御された無欠陥のシリコン単結晶を安定して高速で製造する方法を提供する。 - 特許庁

To provide a defect detecting device that can detect a defect of low contrast having a small concentration difference with respect to a circumference, without using a memory and a computing element of a large data width.例文帳に追加

周囲との濃度差が小さい低コントラストの欠陥を、データ幅の大きなメモリ及び演算器を使用することなく検出することができる欠陥検出装置を提供する。 - 特許庁

A high defect density layer 12 having a high oxygen concentration is formed in the interior of a semiconductor substrate 11, simultaneously with which it is subjected to a hydrogen annealing process to form a non-defect layer 13 on the surface layer.例文帳に追加

半導体基板１１の内部に酸素濃度の高い高欠陥密度層１２を形成すると共に表面層に無欠陥層１３を形成するための水素アニール処理を行う。 - 特許庁

To provide an impact printer which can prevent a printing defect from being caused by a decrease in the local ink concentration of an ink ribbon.例文帳に追加

インクリボンの局所的なインク濃度低下による印字不具合の発生を防止することができるインパクトプリンタを提供する。 - 特許庁

To provide a method for producing a single crystal diamond in which the concentration of nitrogen and extended defect density are low.例文帳に追加

低濃度の窒素及び低い拡張欠陥密度を含む単一結晶ダイヤモンドの製造方法を提供することである。 - 特許庁

The defect level is determined by dividing the picture elements included in the inspection area into N×N of segments (N is the number of picture elements), and by using an average concentration of picture element concentrations included in the each segment as the defect level of the segment.例文帳に追加

欠陥レベルは、検査領域に含まれる画素をＮ×Ｎ（Ｎは画素数）のセグメントで分割し、各セグメントに含まれる画素濃度の平均濃度を当該セグメントの欠陥レベルとして決定される。 - 特許庁

To provide a semiconductor device and a method of manufacturing the same for preventing formation of a crystal defect resulting from stress concentration.例文帳に追加

ストレスの集中に起因する結晶欠陥の発生を防止することができる、半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a CMP slurry capable of forming damascene wiring having high flatness and reduced defect density and a surface impurity concentration.例文帳に追加

平坦性が高く、欠陥密度や表面不純物濃度が低減されたダマシン配線を形成可能なＣＭＰ用スラリーを提供する。 - 特許庁

Compounds dispersed in the liquid are sensed by the probe, and a presence position of the impure substance or a defect is detected, and a concentration of the compounds is detected, and a kind of the compounds is detected, thereby observing the impure substance or the defect of the device.例文帳に追加

液中に拡散した化合物を探針で検知し、不純物または欠陥の存在位置の検出，化合物の濃度の検出，化合物の種類を検出し、デバイスの欠陥や不純物を観察する。 - 特許庁

To provide an SiC epitaxial wafer in which the triangular defect and the stacking fault are reduced, the uniformity of a carrier concentration and a film thickness is high, and which is step bunching free.例文帳に追加

三角欠陥及び積層欠陥が低減され、キャリア濃度及び膜厚の均一性が高く、ステップバンチングフリーのＳｉＣエピタキシャルウェハを提供する。 - 特許庁

The pellicle has a pellicle material comprising synthetic quartz glass having ≤100 ppm concentration of OH groups and not substantially containing a reduced form defect.例文帳に追加

ＯＨ基濃度が１００ｐｐｍ以下であり実質的に還元型欠陥を含まない合成石英ガラスからなるペリクル材を有してなることを特徴とする。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor integrated circuit device having high reliability, by which occurrence of the defect of gold plating due to lowering of thallium concentration is restrained.例文帳に追加

タリウム濃度低下による金メッキの不良発生を抑止できる信頼性の高い半導体集積回路装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The silicon film is doped with heavy hydrogen to higher concentration than when deposited by a CVD method, and a defect such as a dangling bond is terminated with the heavy hydrogen.例文帳に追加

このシリコン膜はＣＶＤ法による堆積よりも高濃度に重水素ドープされ、ダングリングボンドなどの欠陥が重水素で終端されている。 - 特許庁

The synthetic quartz glass has <10 ppm concentration of OH groups, ≤10 ppm concentration of chlorine, ≤10 ppm concentration of fluorine and a refractive index variation (Δn) of ≤1×10^-6 in a plane perpendicular to incident light and does not substantially contain an oxygen deficiency type defect.例文帳に追加

ＯＨ基濃度が１０ｐｐｍ未満、塩素濃度が１０ｐｐｍ以下、フッ素濃度が１０ｐｐｍ以下、入射光に直行する平面内における屈折率変動幅（Δｎ）が１×１０^−６以下であり、かつ実質的に酸素欠乏型欠陥を含有しないことを特徴とする。 - 特許庁

To provide a surface defect inspection device usable for detecting a surface defect such as micro-unevenness and a protrusion in an inspected object and for detecting and inspecting a defect accompanied by a concentration change on a surface, and capable of detecting easily and precisely the surface defects in the inspected objects having a plurality of kinds of diameters and lengths.例文帳に追加

被検査物の微小な凹凸、突起等の表面の欠陥の検出、さらに併せて表面の濃度変化を伴う欠陥の検出・検査に利用することができ、複数種類の直径や長さの被検査物の表面欠陥を精度よく容易に検出できる表面欠陥検査装置を提供する。 - 特許庁

To simplify an apparatus constitution, deal with a request for inspecting a defect as a glass substrate is moved, correct a flexure of the glass substrate, and improve the detection accuracy of the defect without generating excess stress concentration on a side of the glass substrate.例文帳に追加

ガラス基板を移動させながら欠陥の検査を行う要請にも簡易な装置構成で応じつつ、ガラス基板の辺に過度な応力集中を生じさせることなく、ガラス基板の撓みを矯正して欠陥の検出精度を向上させる。 - 特許庁

Since the auxiliary capacitance semiconductor layer 37 of the auxiliary capacitance 24 contains the impurities at a high concentration, a leakage current is lowered to suppress the rate of dot defect generation.例文帳に追加

補助容量24の補助容量半導体層37の不純物が高濃度であるためリーク電流を低く抑え、点欠不良の点欠陥の発生率を抑制する。 - 特許庁

To improve followability of a NOx signal with respect to change in NOx concentration in a NOx sensor and to prevent defect occurrence due to a process of the NOx sensor.例文帳に追加

ＮＯｘセンサにおけるＮＯｘ濃度の変動に対するＮＯｘ信号の追随性を向上し、かつ当該処理に起因した不良発生を防止する。 - 特許庁

The toner held by the developing roller 12-2 is thereby hardly attached to the layer thickness regulating roller 44, which suppresses occurrence of concentration variation, and eliminates an image quality defect.例文帳に追加

これにより、現像ローラ１２−２に保持されたトナーが層厚規制ローラ４４に付着されにくくなり、濃度ムラの発生が抑制されて、画質不良がなくなる。 - 特許庁

To improve power consumption by reducing current flowing a bit line when reading is performed and to avoid operation defect due to concentration of charged/discharged current.例文帳に追加

読み出し時にビット線を流れる電流を削減し、消費電力の向上を図ると共に、充放電電流の集中による動作不具合を回避できるようにする。 - 特許庁

To prevent toner from being consumed undesirably without lowering the performance of printing speed in order to detect toner concentration by preventing an image defect caused by the adhesion of a developer.例文帳に追加

現像剤の付着による画像不良を防止し、トナー濃度検出のために印字スピードのパフォーマンスを低下させることなく、不所望にトナーを消費させないようにする。 - 特許庁

Consequently, a stress concentration etc. to a trench structure is alleviated upon the formation of the trench 5, and the occurrence of a crystal defect in the semiconductor substrate 2 can be prevented.例文帳に追加

これにより、トレンチ５形成の際にトレンチ構造部への応力集中等が緩和され、半導体基板２に結晶欠陥が発生することが防止される。 - 特許庁

In this semiconductor device, point defects 24 are included in a region 32 where defect factor impurity included in a silicon substrate 12 is distributed with low concentration.例文帳に追加

半導体デバイスにおいて、シリコン基板１２に含まれる欠陥要因不純物が低い濃度で分布した領域３２に、点欠陥２４を含むことを特徴とする。 - 特許庁

To provide a nitride semiconductor laser element which uses a substrate with a low defect concentration and has less distortion in a nitride semiconductor film and has longevity.例文帳に追加

欠陥密度が低い基板を用いた窒化物半導体レーザ素子であって、窒化物半導体膜に内包される歪みが少なく、長寿命のものを提供する。 - 特許庁

The silicon wafer has a high-oxygen-concentration region where a solid solution oxygen concentration is ≥0.7×10^18 atoms/cm^3 in a no-defect region (DZ layer) 12 including at least the device active region of the silicon wafer 10, and contains interstitial silicon 14 in the no-defect region 12 in a supersaturation state.例文帳に追加

本発明に係わるシリコンウェーハは、シリコンウェーハ１０の少なくともデバイス活性領域が含まれる無欠陥領域（ＤＺ層）１２内に固溶酸素濃度が０．７×１０^１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以上の高酸素濃度領域を有し、かつ、無欠陥領域１２内には、格子間シリコン１４が過飽和状態で含有されている。 - 特許庁

To shallow the junction of an extension high-concentartion impurity diffusion layer, preventing a dislocation loop defect layer from being formed in an extension high-concentration impurity diffusion layer and a pocket im purity diffusion layer.例文帳に追加

エクステンション高濃度不純物拡散層及びポケット不純物拡散層に転位ループ欠陥層ができないようにして、エクステンション高濃度不純物拡散層の接合を浅くする。 - 特許庁

To provide a line concentrator capable of eliminating a defect such as concentration of jobs on a particular information processing apparatus and quickly carrying out data transfer processing.例文帳に追加

特定の情報処理装置にジョブが集中するなどの不具合を解消することができるとともに、データの転送処理を迅速に行うことができる集線装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method for forming an inkjet image by which unstableness of ink ejection from a head due to cavitation produced during ink supply is improved, and further image defect and concentration fall caused by unstableness of ink ejection are also improved.例文帳に追加

インク供給時に発生するキャビテーションによるヘッドからのインク吐出の不安定化とそれによる画像欠陥、濃度低下を改善したインクジェット画像形成方法を提供。 - 特許庁

A defect concentration region 1b of a GaN substrate 1 is etched through wet etching using a hydrochloric-acid-based etchant to form a striped groove 10 having a projection 13 on its bottom surface 12.例文帳に追加

まず、塩酸系エッチャントを用いたウエットエッチングによりＧａＮ基板１の欠陥集中領域１ｂをエッチングし、底面１２に突起１３を有するストライプ状の溝１０を形成する。 - 特許庁

To solve such a defect that image density fluctuates in accordance with a rapid change of the electrostatically charged quantity of developer, as for an image forming device for controlling toner concentration.例文帳に追加

トナー濃度制御を行う画像形成装置において、現像剤の帯電量の急激な変化に伴い画像濃度変動が発生してしまうという不具合を解消する。 - 特許庁

When acquiring a determination result wherein the concentration difference is within the tolerance, it is determined that the attention pixel 20 is not a pixel showing a defect, and the attention pixel 20 is shifted to the next position.例文帳に追加

ここで濃度差が許容範囲に入るという判定結果を得た場合には、注目画素２０は欠陥を表す画素ではないとして、次の位置に注目画素２０を移す。 - 特許庁

To disperse the deformation of a master carrier, to cancel close-contact defect due to local concentration of deformation when the master carrier is brought into close contact to a magnetic recording medium to suppress generation of a signal omission.例文帳に追加

磁気記録媒体との密着時のマスター担体の変形を分散させ、変形の局所集中による密着不良を解消し、信号欠落の発生を抑制する。 - 特許庁

(B) Then, the concentration in the processing area AD is gradation-corrected with the ratio (150/100) of the most frequent value and the maximum value, the influence of shape variation is removed, and then a defect is inspected.例文帳に追加

（Ｂ）：そして、最頻値と最大値との比（１５０／１００）で処理エリアＡＤ内の濃度を階調補正し、形状変化の影響を除去した上で欠陥検査を行う。 - 特許庁

To provide an SiC epitaxial wafer in which triangular defect and stacking fault are reduced, and the uniformity of carrier concentration and film thickness is high, and which is step bunching-free, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

三角欠陥及び積層欠陥が低減され、キャリア濃度及び膜厚の均一性が高く、ステップバンチングフリーのＳｉＣエピタキシャルウェハ及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for diffusing impurity in a semiconductor wafer by which dispersion of sheet resistance and generation of surface defect can be restrained, even when high concentration impurity diffusion is conducted.例文帳に追加

高濃度の不純物拡散を行う場合であっても、シート抵抗のバラツキや表面欠陥の発生を抑制できる半導体ウェーハへの不純物拡散方法を提供する。 - 特許庁

To provide a backing strip for welding which prevents the generation of a weld defect on the root part and decreases the stress concentration due to the backing in a weld joint of a steel structure.例文帳に追加

鋼構造物の、溶接継手において、ルート部に溶接欠陥が生じることを防止しつつ、裏当てによる応力集中を低減する溶接用裏当てを提供する。 - 特許庁