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dispersion gateとは 意味・読み方・使い方
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「dispersion gate」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 64件
To restrain dispersion of a gate residual amount in cutting a runner part.例文帳に追加
ランナー部の切断時にゲート残り量のバラツキを抑制する。 - 特許庁
Dispersion parameters of the pattern data 323b of the gate electrode are extracted from a dispersion parameter table 254 for every edge.例文帳に追加
ゲート電極のパターンデータ323bのばらつきパラメータを、ばらつきパラメータテーブル254から端辺ごとに抽出する。 - 特許庁
A gate matallic layer is stacked on the dispersion mask and is patterned, so as to form a gate electrode 7 on the opening of the dispersion mask in a self-matching manner to the p+-type gate region 6.例文帳に追加
その拡散マスク上からゲート金属層を堆積させ、これをパターニングすることにより拡散マスクの開口部にゲート電極7をp^+ 型ゲート領域6に対して自己整合的に形成する。 - 特許庁
To provide a gate driving signal generator for inverters that generates dead times having less dispersion that depends on the dispersion of the capacity of each capacitor, which is used to create a time reference of a dead time generating circuit in the gate driving signal generator for inverters.例文帳に追加
インバータのゲート駆動信号生成器に於いて,デッドタイム生成回路の時間基準をつくり出す為の各コンデンサ容量のバラツキが問題である。 - 特許庁
The semiconductor memory device 100 comprises a first dispersion region 11, a gate insulating film 32, a gate electrode 31, a first multilayer film 141, and a third dispersion region 113.例文帳に追加
半導体記憶装置100は、第1拡散領域11と、ゲート絶縁膜32と、ゲート電極31と、第1多層膜141と、第3拡散領域113とを備える。 - 特許庁
To suppress the dispersion of element characteristics caused by dispersion in the size of gate electrodes in a semiconductor element having drain extension structure.例文帳に追加
ドレインエクステンション構造を持つ半導体素子におけるゲート電極の寸法バラツキに起因する素子特性のバラツキを抑制する。 - 特許庁
To provide a high breakdown strength field effect transistor without side gate effects or frequency dispersion of drain conductance, etc.例文帳に追加
サイドゲート効果やドレインコンダクタンスの周波数分散などのない高耐圧の電界効果トランジスタを得る。 - 特許庁
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「dispersion gate」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 64件
To suppress dispersion of quantity of ion implantation caused by variability of the thickness of remaining film on a substrate (gate electrode).例文帳に追加
基板(ゲート電極)上の残膜厚ばらつきに起因するイオン注入量ばらつきを抑止する。 - 特許庁
The calculated dispersion information Dg is added to the gate length information 1g (lg=120 nm) in the description of a net list 600.例文帳に追加
ネットリスト600の記述内のゲート長情報lg(lg=120nm)に、算出されたばらつき情報Dgを加算する。 - 特許庁
To reduce the dispersion of erasing characteristic of a memory cell without using complicated control in a non-volatile memory of two layers type pile structure of a control gate and a floating gate.例文帳に追加
制御ゲート、浮遊ゲートの2層式積み上げ構造の不揮発性メモリにおいて、メモリセルの消去特性ばらつきを複雑な制御を用いることなく低減する。 - 特許庁
To provide a semiconductor device having a highly reliable insulated gate transistor with small dispersion, excellent in transistor characteristic even in a short-gate PMOS transistor.例文帳に追加
ゲート長の短いPMOSトランジスタにおいてもトランジスタ特性の優れたバラツキの少ない、信頼性に優れた絶縁ゲート型トランジスタを有する半導体装置を提供する。 - 特許庁
To realize an LSI having a high performance, even in a fining process, by inhibiting the dispersion of a gate length or a gate width mainly caused by optical proximity effect.例文帳に追加
光近接効果を主原因とするゲート長又はゲート幅のばらつきを抑制することによって、微細化プロセスにおいても高性能なLSIを実現する。 - 特許庁
The dispersion system high-speed wavelength-swept light source 10 is constituted of a supercontinuum (SC) light source 11, an optical gate switch 12, a dispersion control fiber 13 and a wide band optical amplifier 14.例文帳に追加
分散方式高速波長掃引光源10は、スーパーコンティニウム光源11と、光ゲートスイッチ12と、分散制御ファイバ13と、広帯域光増幅器14により構成されている。 - 特許庁
To provide a technology of remarkably reducing dispersion in signal delay times without changing the delay time while suppressing increase in a gate cell size.例文帳に追加
ゲートセルサイズの増加を抑えながら遅延時間を変えることなく、信号の遅延時間のばらつきを大幅に低減する。 - 特許庁
To provide a semiconductor device manufacturing method that can surely suppress characteristic deterioration caused by processing dispersion of gate length.例文帳に追加
ゲート長の加工ばらつきに起因する特性劣化を確実に抑制できる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁
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