「dislocation generation」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

To provide a thin film deposition system which can prevent the generation of wrinkles in a substrate by securely correcting winding dislocation in a flexible substrate.例文帳に追加

可撓性基板の巻きズレを確実に修正することによって基板のシワの発生を防止可能な薄膜形成装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method for preventing generation of a dislocation in a tail portion during growing a silicon single crystal without using a large amount of inert gas.例文帳に追加

シリコン単結晶育成時に、大量の不活性ガスを使用することなく、テール部の有転位化を防止する方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for producing a silicon single crystal suppressing starting of dislocation induced in a silicon single crystal and reducing generation of pinholes.例文帳に追加

シリコン単結晶に生じる有転位化を抑制し、ピンホールの発生を低減し得るシリコン単結晶の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for producing a silicon wafer for epitaxial substrate, which suppresses generation of automatic doping and misfit dislocation in epitaxial growth.例文帳に追加

エピタキシャル成長時のオートドーピングおよびミスフィット転移発生を抑制するエピタキシャル基板用シリコンウェハの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a nitride semiconductor substrate wherein a thick nitride semiconductor film can be grown on a substrate and generation of penetrating dislocation is reduced.例文帳に追加

基板上に窒化物半導体を厚膜成長が可能であり、貫通転位を低減させた窒化物半導体基板を提供する。 - 特許庁

To prevent generation of dislocation to the inside of a crossover effectively without need for an extra additional space.例文帳に追加

余分な増加スペースを必要とすることなく、渡り線の内方へのずれを効果的に防止することができるインナーロータ型ステータを提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a nitrogen- and boron-doped silicon single crystal, by which the single crystal almost free from the occurrence of first dislocation generation can be obtained without additionally adding a nitrogen or boron dopant.例文帳に追加

窒素又はボロンドープ材の追添加が不要で、有転位化する傾向が低い、窒素及びボロンを添加したシリコン単結晶を得る。 - 特許庁

To prevent the generation of a stress in a field region, and to prevent the induction of a dislocation in an active region in a semiconductor device.例文帳に追加

半導体装置において、フィールド領域でのストレスの発生を防止し、アクティブ領域に転位が誘発されることを防止することにある。 - 特許庁

As a result, the fusing method can prevent the convection of the melt from becoming inhomogeneous and can produce the crystallization in which the generation of dislocation is inhibited.例文帳に追加

このため、融液の対流が不均一となることが防止され、転位の発生が抑制された結晶体を製造することが可能となる。 - 特許庁

To provide a method for growing a silicon single crystal, by which fracture and rupture of a silicon single crystal can be prevented even if dislocation generation occur in the growth process of a straight body part.例文帳に追加

直胴部の育成過程で有転位化が生じても、シリコン単結晶の破断や破裂を防止できるシリコン単結晶の育成方法を提供する。 - 特許庁

To provide an image exposing apparatus for facilitating formation of a driving circuit and a timing control, without generation of color dislocation even in the case the conveyance rate is irregular.例文帳に追加

駆動回路の構成やタイミング制御を容易にし、搬送速度にムラが生じても色ずれを生じることがない画像露光装置を提供する。 - 特許庁

To prevent generation of collision sounds of a cable-reversing part and a guide part end surface, while absorbing positional dislocation of the cable-reversing part and guide grooves due to a manufacturing tolerance.例文帳に追加

製造公差によるケーブル反転部とガイド溝の位置ずれを吸収しながら、ケーブル反転部とガイド部端面との衝突音の発生を防止する。 - 特許庁

Generation of warehousing dislocation is determined when a warehousing reservation data storage part 15 is full when reading the bar code attached to a new cargo.例文帳に追加

新たな荷に付されているバーコードが読み取られたときに入庫予約データ格納部１５が満杯であれれば、入庫ずれが発生したものと判断される。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of semiconductor substrate provided with SiC which is controlled in generation of crystal defect due to misfit dislocation and is reduced in warpage thereof.例文帳に追加

ミスフィット転位による結晶欠陥の発生が抑制されたＳｉＣを備え、反りが低減された半導体基板の製造方法を提供する - 特許庁

To provide a crucible for pulling a silicon single crystal, the crucible that is free from deformation in a quartz crucible due to a larger diameter or from deformation such as buckling and can prevent generation of dislocation.例文帳に追加

大口径化による石英ルツボの変形や座屈等の変形がなく有転位化を防止できるシリコン単結晶引上用ルツボを提供する。 - 特許庁

To provide a group III nitride semiconductor element wherein the generation of dislocation is suppressed by the relaxiation of distortion in a gallium nitride system semiconductor using half-polarity.例文帳に追加

半極性を利用する窒化ガリウム系半導体において、歪みの緩和により転位の発生を抑制されたIII族窒化物半導体素子を提供する。 - 特許庁

The skin film or sheet is adhered surely to the cavity surface to prevent positional dislocation and the generation of wrinkles caused by contraction/deformation during foaming.例文帳に追加

それにより、表皮フィルムまたはシートはキャビティ面に確実に密着し、発泡成形時に、収縮変形して位置ズレやしわが生じるのが回避される。 - 特許庁

To provide a heterojunction bipolar transistor for characteristic evaluation which can prevent the generation of distortion or dislocation of a semiconductor layer when it is brought into contact with a probe.例文帳に追加

プローブを接触させた際の半導体層の歪みや転位の発生を防止できる新規な特性評価用ヘテロ接合バイポーラトランジスタの提供。 - 特許庁

To provide a method for heat treatment of a silicon wafer capable of inhibiting generation of dislocation and aggravation in wafer surface roughness during a semiconductor device process.例文帳に追加

半導体デバイスプロセスにおける転位の発生およびウェーハ表面の粗さの悪化を抑制することができるシリコンウェーハの熱処理方法を提供する。 - 特許庁

To provide a growing method which effectively suppresses the generation of first dislocation generation at the tail part, and can grow a low resistance single crystal at a high yield when Sb or As is used as a dopant for resistivity adjustment.例文帳に追加

抵抗率調整用のドーパントとしてＳｂまたはＡｓを用いる場合に、テイル部で有転位化の発生を効果的に抑制し、歩留まりよく低抵抗単結晶を育成できる育成方法を提供する。 - 特許庁

In a method and a system for adjusting the wood processing position of a wood processing apparatus, the generation form LF and generation cause of the dislocation of a wood processing position determined in advance are classified as patterns P, and the classified patterns is input/stored in a computer 2 in advance.例文帳に追加

予め確認した木材加工位置のズレの発生形態ＬＦと発生原因ＬＣを複数のパターンＰとして分類し、分類された複数のパターンＰをコンピューター２に予め入力記憶させる。 - 特許庁

To prevent generation of sound vibration, and to stabilize operational performance by increasing support rigidity of a rotary shaft, and preventing the occurrence of axial dislocation of the rotary shaft.例文帳に追加

回転シャフトの支持剛性のアップや回転シャフトの軸心ずれの発生を防止することにより、音振動の発生を防止するとともに、作動性能の安定を図ること。 - 特許庁

To provide a structure having a joining part provided with a dislocation preventive projection, capable of easily filling clearance predicted in generation from construction accuracy and product making accuracy.例文帳に追加

施工精度や製品作成精度から発生が予測される隙間の充填を容易にすることができるずれ止め突起を設けた接合部を有する構造体を提供する。 - 特許庁

To suppress the generation of noises such as metallic sounds due to the contact of both cover work plates, and also to reduce the occurrence of vibration due to the dislocation or backlash of the cover work plates.例文帳に追加

覆工板どうしの接触による金属音等の騒音の発生の抑制を図り、覆工板の位置ズレやガタツキによる振動の発生の低減を図る。 - 特許庁

To form a heterostructure by a compound semiconductor crystal of a lattice constant closer to that of InP on a GaAs substrate while suppressing the generation of dislocation at a minimum level.例文帳に追加

ＧａＡｓ基板上にＩｎＰの格子定数に近い化合物半導体結晶によるヘテロ構造を転位の発生を最小限に抑えて形成できるようにすること。 - 特許庁

To obtain a dielectric ceramics capable of reducing dislocation causing squeaking, and to obtain a monolithic ceramics capacitor capable of reducing the generation of squeaking.例文帳に追加

音鳴きの原因となる変位を低減することができる誘電体セラミックスを得ること及び音鳴きの発生を低減することができる積層セラミックコンデンサを得ること。 - 特許庁

To provide a cushion material capable of being easily attached to the periphery of a supporting band and being held in the mounted condition certainly without generation of dislocation or slipping-off.例文帳に追加

支持バンドの外周に容易に取り付けることができるとともに、その取り付け状態に位置ずれや脱落が生じることなく確実に保持することができるクッション材を提供する。 - 特許庁

To provide a heat treatment method to manufacture a high quality semiconductor device or substrate by controlling generation of substrate rear surface scars, and substrate slip dislocation defects generated during heat treatment.例文帳に追加

熱処理中に発生する基板のスリップ転位欠陥、基板裏面傷の発生を抑制し、高品質な半導体装置（デバイス）や基板を製造することができる熱処理方法を提供する。 - 特許庁

To provide a silicon single crystal pull-up apparatus capable of reducing microdefects due to bubbles or the like formed on the surface of a quartz crucible and single crystal dislocation generation.例文帳に追加

石英ルツボの表面に形成される気泡等に起因する微小欠陥や単結晶の有転位化を低減することができるシリコン単結晶の引上げ装置を提供する。 - 特許庁

The nanocomposite magnet raw material powder 1 of the polycrystal has its plastic deformation restricted very much, so it also has dislocation (defect) restricted to prevent an increase of generation sites of crystal nucleuses.例文帳に追加

多結晶のナノコンポジット磁石原料粉末１は塑性変形が非常に制限されているので転位（欠陥）も制限され、結晶核の生成サイトの増加が防止される。 - 特許庁

To provide a semiconductor light emitting element having no problem of optical oozing-out to a GaN substrate and the generation of crack or dislocation of an n-type clad layer while being small in the half-value width of an FFP (Far Field Pattern) in the vertical direction.例文帳に追加

ＧａＮ基板への光滲み出し、及びｎ型クラッド層のクラックや転移の発生の問題なく、垂直方向のＦＦＰ（遠視野像）全半値幅の小さな半導体発光素子を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor light emitting element wherein the generation of a crystal defect and dislocation caused by the mismatching of a lattice constant and the difference of thermal expansion coefficients are restrained to the utmost, and which can be cleaved.例文帳に追加

格子定数の不整合や熱膨張係数の相違に基づく結晶欠陥や転位の発生を極力抑え、かつ、劈開することができる半導体発光素子の製法を提供する。 - 特許庁

To prevent first dislocation generation and polycrystals in a crystal and the deformation of the crystal and to improve the yield of the products by preventing swinging of the surface of a melt in a crucible when the crystal is grown by a Czochralski method.例文帳に追加

ＣＺ法による結晶育成時に、坩堝内の液面ゆれを防止することで、結晶の有転位化、多結晶化、および結晶変形を防止し製品の歩留まりを向上させる。 - 特許庁

Thereby, the length L from a position D where dislocation generation occurred to the lower end of the tail part 9c can be shortened, the thermal stress remaining in the silicon single crystal 9 can be alleviated, and the generation of cracks causing fracture and rupture of a silicon single crystal 9 can be prevented.例文帳に追加

これにより、有転位化の発生位置Ｄからテイル部９ｃの下端までの長さＬが短くでき、シリコン単結晶９内に残留する熱応力の緩和が図れ、シリコン単結晶９の破断や破裂を引き起こす亀裂の発生を防止することができる。 - 特許庁

To provide a method for reducing the generation of SiC when a carbon-doped crystal is pulled up so that carbon powder in C dope becomes available, preventing quality degradation of the carbon-doped single crystal, and reducing the occurrence of dislocation.例文帳に追加

炭素ドープ結晶引き上げにおいてＳｉＣ発生を低減し、炭素粉末をＣドープで使用可能とし、炭素ドープ単結晶の品質低下の防止を図り、有転位化の低減を図る方法を提供する。 - 特許庁

The pulse data generation section 31 of the controller 30 generates image data D[i] for which the timing of starting the driving of each of the electrooptical elements E is adjusted on the basis of the dislocation correction value Y[i] read from the storage section 26.例文帳に追加

コントローラ３０のパルスデータ生成部３１は、記憶部２６から読み出した位置ずれ補正値Ｙ[i]に基づいて、各電気光学素子Ｅの駆動を開始するタイミングを調整した画像データＤ[i]を生成する。 - 特許庁

To provide a group III nitride semiconductor substrate capable of reducing the generation of crack at an Al_bGa_1-bN (0<b≤1)layer on the substrate surface and reducing a dislocation density and to provide a manufacturing method of the group III nitride semiconductor substrate.例文帳に追加

基板表面のＡｌ_ｂＧａ_１−ｂＮ（０<ｂ≦１）層におけるクラックの発生、および転位密度を低減させることができるIII族窒化物半導体基板、III族窒化物半導体基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a compound semiconductor which has a base plate and a compound semiconductor layer formed on the base plate and has a lattice mismatch of 2% or higher between the base plate and the compound semiconductor layer, and which can reduce generation of crystalline defect or dislocation.例文帳に追加

基体と、この基体上に形成される化合物半導体層との格子不整合性が２％以上ある化合物半導体において、化合物半導体層における結晶欠陥すなわち転位の発生を低減する。 - 特許庁

A base material based on a composition of SUS420J2 is prepared, subjected to at least one process chosen from a high-density dislocation generation process and rapid solidification process, and further annealed to obtain a ferrite steel with fine metallic structure.例文帳に追加

ＳＵＳ４２０Ｊ２の組成をベースとする基材を調製した後、この基材に高密度転位導入法および超急冷凝固法の少なくとも一方を実施し、さらに焼鈍処理して微細組織フェライト鋼を得る。 - 特許庁

Further, when the composition ratio of Al is reduced, lattice mismatching with the GaN substrate becomes small whereby the AlGaN layer can be formed so as to be thick without any problem of generation of crack or dislocation and optical oozing-out to the GaN substrate can also be restrained.例文帳に追加

また、Ａｌ組成比が小さくなると、ＧａＮ基板との格子不整合が小さくなるので、クラックや転移の発生の問題なくＡｌＧａＮ層を厚く形成でき、ＧａＮ基板への光滲み出しも抑制できる。 - 特許庁

To provide a chemical vapor phase thin-film growth method for obtaining a thin film having the same quality as, or better quality than a conventional thin film by inhibiting the generation of slip dislocation of a silicon semiconductor substrate while reducing a film formation temperature.例文帳に追加

成膜温度の低温化が可能となり、シリコン半導体基板のスリップ転位の発生を抑止でき、従来の薄膜と同等あるいはそれ以上の品質を有する薄膜を得ることができる化学的気相薄膜成長方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor substrate suitable for fabricating a low breakdown voltage power discrete element requiring a low resistivity substrate in which generation of misfit dislocation can be suppressed on the surface of the substrate, and to provide its producing process.例文帳に追加

抵抗率が低い基板が必要とされる低耐圧パワーディスクリート素子の製造に好適な半導体基板であって、基板表面でのミスフィット転位の発生を抑制することができる半導体基板およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To make bead extraction work sure by adjusting force and speed for extracting beads from a large-size rubber tire and to decrease the generation rate of defective work by preventing the positional dislocation between the inside of the tire and an extraction claw in the bead extraction work.例文帳に追加

大型ゴムタイヤからビードの引き抜く力と速度を調整して、ビード引き抜き作業を的確にすると共に、ビード除去の作業においてタイヤ内側と引き抜き爪の位置ずれを防止して作業不良の発生率を大巾に低下させる。 - 特許庁

To provide a printing device free of a drop of the printing quality such as dislocation in the printing position or shrinkage due to printing and preventing generation wastefulness with the label by eliminating the risk that a difference is generated between a band-shaped base paper and an ink ribbon.例文帳に追加

本発明は、帯状台紙とインクリボンとのテンションに差が生じさせないようにして、印字位置ズレや印字縮みなどの印字品質の低下をまねくことがないようにするとともに、ラベルの無駄が生じさせることがない印字装置を提供する。 - 特許庁

To provide a laminated SOI substrate and a method for manufacturing it for preventing the generation of the deterioration of the electric characteristics of a device due to the effect of boron contamination when injecting ions, and for preventing the occurrence of dislocation in the n^+ layer of an SOI layer, and for reducing the manufacturing costs.例文帳に追加

イオン注入時のボロン汚染の影響によるデバイスの電気特性の劣化が発生せず、ＳＯＩ層のｎ^＋層中に転位の発生もなく、さらに製造コストも廉価となる貼り合わせＳＯＩ基板およびその製造方法を提供する。 - 特許庁